太子敏則 taishi toshinori

研究者番号	90397307
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 信州大学, 学術研究院工学系, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 信州大学, 学術研究院工学系, 教授 2020年度 – 2023年度: 信州大学, 学術研究院工学系, 教授 2016年度 – 2020年度: 信州大学, 学術研究院工学系, 准教授 2017年度: 信州大学, 教育学部, 准教授 2011年度 – 2012年度: 信州大学, 工学部, 准教授 … もっと見る 2010年度: 信州大学, カーボン科学研究所, 助教 2007年度 – 2009年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教 2006年度: 東北大学, 金属材料研究所, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学研究代表者以外小区分32020:機能物性化学関連 / 理工系 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード	研究代表者溶液成長 / 結晶成長 / 金属溶媒 / 炭化ケイ素 / 引き上げ法 / ゲルマニウム / 結晶評価 / パワーデバイス / 厚膜 / β型酸化ガリウム … もっと見る / 表面エネルギー / SiC / 長尺成長 / 二次元核形成エネルギー / 平坦成長 / 接触角 / 炭化ケイ素（SiC） / 高品質化 / ワイドギャップ半導体 / 新規成長方法 / セラミック原料 / 新規方法 / 溶質同時供給 / SiCセラミックス / 溶質連続供給 / 溶剤金属 / セラミック / 改良型TSSG法 / 酸化ホウ素 / 高強度 / 低転位密度 / 輸送機構 / 酸素 / 欠陥形成機構 / 析出物 / 不純物添加 / 転位 / 成長時導入欠陥 … もっと見る研究代表者以外結晶工学 / 格子欠陥 / 電子状態 / 光電子分光 / 固体電解質 / Thin Film / Single Crystal / Solid Electrolyte / Mixed Conductor / Interface Ionics / 固体イオニクス / 電荷蓄積 / 単結晶 / 界面 / 薄膜 / 全固体電池 / キャリア再結合 / SiC / BaSi2 / Si / フォトルミネッセンス / イメージング / 発光イメージング / 半導体物性 / データ科学 / 定量化 / 欠陥物性 / 結晶評価 / 機械学習 / 結晶欠陥 / 半導体結晶 / 発光イメージ / Platinum crucible / Top-seeded solution growth / Polarization process / Piezoelectricity / Vertical Bridgman method / Potassium Niobate / 小傾角境界 / リネージ / UWB無線システム / X線トポグラフ / SAWWフィルタ / LN単結晶 / KN単結晶 / ウエハ加工 / KNウエハ加工 / 電気機械結合係数 / 相転移点制御 / 分域制御 / 垂直ブリッジマン(VB)法 / ニオブ酸カリュウム(KN)単結晶 / 転位 / 結晶成長 / ナノ材料 / ナイトライド / フォトルミネセンス / ラマン散乱 / ナノ構造体 / 局在近接場分光法 / 透過電子顕微鏡 / ナノ材料評価隠す

液相エピタキシャル法によるβ-Ga2O3厚膜成長と高耐圧パワーデバイスの検討研究代表者
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  信州大学
電場印加型ARPESによる固体電解質単結晶におけるイオン伝導特性ー電子状態相関の探索
- 研究代表者
  
  伊藤孝寛
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分32020:機能物性化学関連
- 研究機関
  名古屋大学
Siを溶媒に用いないSiC溶液成長における二次元核形成と長尺成長の関係研究代表者
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  信州大学
蓄電固体材料のモデル界面形成とその界面イオンダイナミクスに関する基礎研究
- 研究代表者
  
  入山恭寿
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
発光イメージングによる欠陥特性の定量
- 研究代表者
  
  沓掛健太朗
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人理化学研究所
   名古屋大学
   東北大学
Si・C溶質が連続供給される溶剤金属からの改良TSSG法によるSiC溶液成長研究代表者
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  信州大学
酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
- 研究代表者
  
  米永一郎
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  太子敏則
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
透過電子顕微鏡内近接場分光法による半導体ナノ構造体の光学特性の評価
- 研究代表者
  
  大野裕
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  東北大学
不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立
- 研究代表者
  
  干川圭吾
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  信州大学

[図書] Germanium : Properties, Production and Applications2012
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, I.Yonenaga
- 出版者
  Nova Science Publishers, Inc.(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[図書] Germanium: Properties, Production and Applications2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, I. Yonenaga
- 総ページ数
  17
- 出版者
  Growth of Ge crystals with extremely low dislocation density
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Effect of contact angle between SiC and metal solvents on growth surface morphology in solution growth of SiC2022
- 著者名/発表者名
  Tomoya Iwai, Katsuya Ozeki, Gouki Nakashima, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  
  巻: 1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[雑誌論文] 固体電解質材料のバルク単結晶育成と特性評価実験2021
- 著者名/発表者名
  藤原靖幸, 松浦直人, 森分博紀, 太子敏則
- 雑誌名
  
  Ceramics Japan
  
  巻: 56 ページ: 611-614
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19H05813
[雑誌論文] Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor2021
- 著者名/発表者名
  KAGAMI Yuuki、YAMAMOTO Syuuichi、YOKOBAYASHI Yuta、UCHIDA Ryunosuke、SUZUKI Koki、TARUTA Seiichi、TAISHI Toshinori
- 雑誌名
  
  Journal of the Ceramic Society of Japan
  
  巻: 129 号: 12 ページ: 707-713
- DOI
  10.2109/jcersj2.21121
- NAID
  130008123899
- ISSN
  1348-6535, 1882-0743
- 年月日
  2021-12-01
- 言語
  英語
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[雑誌論文] Effect of cobalt addition to Si-Cr solvent in top-seeded solution growth2020
- 著者名/発表者名
  Koangyong Hyun, Seong-Jong Kim, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 513 ページ: 145798-145798
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2020.145798
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[雑誌論文] The effect of Al addition to a Cr solvent without molten Si on the surface morphology in a solution growth of SiC2020
- 著者名/発表者名
  Koki Suzuki, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 025504-025504
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6a27
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[雑誌論文] Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent2018
- 著者名/発表者名
  Taishi Toshinori、Takahashi Masaru、Tsuchimoto Naomichi、Suzuki Koki、Hyun Koang Yong
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 924 ページ: 51-54
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.51
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856, KAKENHI-PROJECT-16K04947
[雑誌論文] Solution growth of SiC without molten Si using concave ceramic SiC feed2018
- 著者名/発表者名
  Koki Suzuki, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  The Proceedings of the 8th Forum on Sceience and Technology of Silicon Material 2018
  
  巻: 1 ページ: 377-381
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[雑誌論文] Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M = Transition Metal) Solvents for Solution Growth of SiC2018
- 著者名/発表者名
  Koangyong Hyun, Toshinori Taishi, Koki Suzuki, Katsuya Teshima
- 雑誌名
  
  Material Science Forum
  
  巻: 924 ページ: 43-46
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.43
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[雑誌論文] Solution growth of SiC without molten Si using concave ceramic SiC feed2018
- 著者名/発表者名
  Koki Suzuki, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  The 8th Forum on Science and Technology of Silicon Material
  
  巻: 8 ページ: 377-381
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[雑誌論文] Numerical simulation of carbon concentration in top-seeded solution growth of SiC2018
- 著者名/発表者名
  Naomichi Tsuchimoto, Shingo Ehara, Toshinori Taishi
- 雑誌名
  
  The 8th Forum on Science and Technology of Silicon Material
  
  巻: 8 ページ: 372-376
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[雑誌論文] Effect of the Growth Conditions on the Crystal Quality in Solution Growth of SiC Using Cr Solvent without Molten Si2018
- 著者名/発表者名
  Suzuki Koki、Hyun Koang Yong、Taishi Toshinori
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 924 ページ: 35-38
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.35
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856, KAKENHI-PROJECT-16K04947
[雑誌論文] The Solution Growth of SiC from Solvents With or Without Si2017
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, T. Taishi
- 雑誌名
  
  Proc. of The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  
  巻: 1 ページ: 297-300
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[雑誌論文] Interstitial oxygen behavior for thermal double donor formation in germanium: Infrared absorption studies2013
- 著者名/発表者名
  K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K.Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 113 号: 7
- DOI
  10.1063/1.4792061
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Oxygen in Ge crystals grown by the B_2O_3 encapsulated Czochralski method2012
- 著者名/発表者名
  I. Yonenaga, T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, K. Inoue, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, Y. Hashimoto
- 雑誌名
  
  Physica B
  
  巻: 407 号: 15 ページ: 2932-2934
- DOI
  10.1016/j.physb.2011.08.038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 雑誌名
  
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Sillicon Materials
  
  ページ: 71-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski growth techniques of germanium crystals grown from a melt covered partially or fully by liquid B_2O_32012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T.Ohsawa, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 360 ページ: 47-51
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.11.051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] 液状酸化ホウ素(B_2O_3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成2011
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 米永一郎
- 雑誌名
  
  まてりあ
  
  巻: 50 ページ: 431-438
- NAID
  10029693244
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B_2O_3-fully -covered melt2011
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Miroelectro. Eng
  
  巻: 88 号: 4 ページ: 496-498
- DOI
  10.1016/j.mee.2010.10.015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Optical properties of fresh dislocations in GaN2011
- 著者名/発表者名
  I.Yonenaga, Y.Ohno, T.Taishi, Y.Tokumoto, H.Makino, T.Yao, Y.Kamimura, K.Edagawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 415-417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[雑誌論文] Behavior of oxygen-related thermal donors in Ge crystals Czochralski-grown from the melt covered fully by B_2O_32011
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser
  
  巻: 281 ページ: 012011-012011
- DOI
  10.1088/1742-6596/281/1/012011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Impurity effects on the generation and velocity of dislocations in Ge2011
- 著者名/発表者名
  Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Ohno , I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 109 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3592226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Oxygen doped Ge crystals Czochralski-grown from the B_2O_3-fully-covered melt2011
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, H.Ise, Y Murao, T.Ohsawa, Y Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  Miroelectro.Eng.
  
  巻: 88 ページ: 496-498
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Investigation of the crystallinity of N and Te codoped Zn-polar ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.H.Park, T.Minegishi, H.J.Lee, J.S.Park, I.H.Im, T.Yao, D.C.Oh, T.Taishi, I.Yonenaga, J.H.Chang
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[雑誌論文] Equilibrium segregation coefficient and solid solubility of B in Czochralski Ge crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 2409-2412
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] Evaluations of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B_2O_3 liquid, Proc2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
  
  ページ: 28-33
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Evaluations of oxygen impurities in Ge crystals Czochralski-grown from melts partially or fully covered by B_2O_3 liquid2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y Murao, T.Ohsawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  Proc.The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
  
  ページ: 28-33
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Equilibrium segregation coefficient and solid solubility of B in Czochralski Ge crystal growth2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 518
  
  ページ: 2409-2412
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] Czochralski-growth of germanium crystals containing high concen-trations of oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, M.Suezawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, K.Hoshikawa, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth
  
  巻: 312 ページ: 2783-2787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski growth of Ge crystal from the melt partially covered by B_2O_3 liquid for reduction of dislocation density2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Proc. The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
  
  ページ: 426-432
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski growth of Ge crystal from the melt partially covered by B_2O_3 liquid for reduction of dislocation density2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  Proc.The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
  
  ページ: 426-432
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] Czochralski -growth of germanium crystals containing high concen-trations of oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 312 号: 19 ページ: 2783-2787
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[雑誌論文] High-Quality p-Type ZnO Films Grown by Co-Doping of N and T on Zn-Face ZnO Substrates2010
- 著者名/発表者名
  S.Park, T.Minegishi, D.Oh, H Lee, T.Taishi, J.Park, M.Jung, J.Chang, I.Im, J.Ha, S.Hong, I.Yonenaga, T.Chikyow, T.Yao
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[雑誌論文] Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B2O3-partially- covered melt2009
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 4615-4618
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] Recent knowledge on strength and dislocation mobility in wide bandgap semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  I.Yonenaga, Y.Ohno, T.Taishi, Y.Tokumoto
- 雑誌名
  
  Physica B 404
  
  ページ: 4999-5001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[雑誌論文] In-situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO by TEM observations2009
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 206
  
  ページ: 1904-1911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Investigation on the ZnO:N films grown on(0001)and(0001)ZnO templates by plasma-assilted molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  S.H.Park, J.H.Chang, T.Minegishi, J.S.Park, I.H.Im, M.Ito, T.Taishi, S.K.Hong, D.C.Oh, M.W.Cho, T.Yao
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2167-2171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[雑誌論文] Reduction of grown-in dislocation density in Ge Czochralski-grown from the B_2O_3-partially-covered melt2009
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 4615-4618
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] In-situ analysis of optoelectronic properties of dislocations in ZnO by TEM observations2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Taishi, I.Yonenaga
- 雑誌名
  
  physica status solidi(a) 206
  
  ページ: 1904-1911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Light emission due to dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly introduced by plastic deformation2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Formation of multiple nanoscale twin boundaries that emit intense monochromatic light in indirect-gap AIGaAs epilayers2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, and S. Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 7633-7637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals introduced at elevated temperatures2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, and I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physycs 104
- NAID
  120002338271
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Formation of multiple nanoscale twin boundaries that emit intense monochromatic light in indirect-gap AlGaAs epilayers2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 254
  
  ページ: 7633-7637
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Segregation of boron in germanium2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, Y Ohno, Y. Yonenaza
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 59-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] Light emission due to dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly introduced by plastic deformation2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, and I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals introduced at elevated temperatures2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physycs 104
- NAID
  120002338271
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[雑誌論文] Segregation of boron in germanium2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 59-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[雑誌論文] Single crystal growth of Langasite by vertical Bridmen mothod in air and Ar atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 林貴之, 深海龍夫, 干川圭吾, 米永一郎
- 雑誌名
  
  Journal of crystal growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Oxygen defects in langasite(La_3Ga_5SiO_<14>)single crystal grown by vertical Bridgman(VB)method2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 437-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Oxygen defects in langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) single crystal grown by vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T,. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 雑誌名
  
  Physica B 401-402
  
  ページ: 437-440
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Single-crystal growth of langasite (La_3Ga_5SiO_<14> by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, T. Fukami, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 雑誌名
  
  J. Cryst.Growth 304
  
  ページ: 4-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] Single-crystal growth of langasite(La_3Ga_5SiO_<14>)by the vertical Bridgman(VB)method in air and in an Ar atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 304
  
  ページ: 4-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[雑誌論文] The Characteristics of the La_3Ga_5SiO_<14> Single Crystals Grown by Vertical Bridgman Method in Ar Atomosphere2006
- 著者名/発表者名
  N. Banba, K. Kato, T. Taishi, T. Hayashi. K. Hoshikawa, T. Fukami
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 510-511
  
  ページ: 842-845
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[産業財産権] SiC単結晶の製造方法2018
- 発明者名
  太子敏則、玄光龍、鈴木皓己、土本直道
- 権利者名
  信州大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-038847
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[産業財産権] 低転位密度ゲルマニウム単結晶の製造方法2009
- 発明者名
  米永一郎, 太子敏則
- 権利者名
  東北大学
- 産業財産権番号
  2009-109980
- 出願年月日
  2009-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] 電池材料のバルク単結晶育成2023
- 著者名/発表者名
  藤原靖幸, 太子敏則
- 学会等名
  日本結晶成長学会バルク成長分科会　第113回研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19H05813
[学会発表] リチウム固体電解質Li_3x_La_2/3-x_TiO_3_単結晶の角度分解光電子分光2023
- 著者名/発表者名
  小山正太郎、山本凌、仲武昌史、高倉将一、田中清尚、藤原靖幸、太子敏則、森分博紀、入山恭寿、伊藤孝寛、
- 学会等名
  日本物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19H05813
[学会発表] 金属溶媒を用いたSiC溶液成長におけるSiCと金属溶媒間の接触角の測定と成長表面に与える影響2022
- 著者名/発表者名
  岩井智哉, 尾関克哉, 太子敏則
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] Effect of contact angle between SiC and metal solvents on growth surface morphology in solution growth of SiC2022
- 著者名/発表者名
  Tomoya Iwai, Katsuya Ozeki, Gouki Nakashima, Toshinori Taishi
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] 液相シリコンとメタンによる多結晶SiC コーティング2021
- 著者名/発表者名
  内田龍之介, 各務祐気, 山本周一, 太子敏則
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] 液相SiとCH4ガスによるSiCコーティングの数値解析2021
- 著者名/発表者名
  内田龍之介, 各務祐気, 山本周一, 太子敏則
- 学会等名
  第15回日本フラックス成長研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] Cr溶媒からのSiC溶液成長における長尺化の可能性の検証2021
- 著者名/発表者名
  尾関克哉, 岩井智哉, 太子敏則
- 学会等名
  第15回日本フラックス成長研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] Cr溶媒からのSiC溶液成長における金属溶媒添加効果と表面形態2021
- 著者名/発表者名
  尾関克哉, 岩井智哉, 太子敏則
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] 液相Siを用いたSiCセラミックス全面への多結晶SiCコーティング2021
- 著者名/発表者名
  各務祐気，山本周一，内田龍之介，太子敏則
- 学会等名
  第50回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ2020
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部第５回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-19H05813
[学会発表] バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ2020
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02637
[学会発表] SiC 溶液成長における溶質の溶解・輸送・成長2019
- 著者名/発表者名
  太子敏則、鈴木皓己、土本直道
- 学会等名
  日本金属学会2019 年春期（第164 回）講演大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiC 溶液成長における溶質の溶解・輸送・成長2019
- 著者名/発表者名
  太子敏則、鈴木皓己、土本直道
- 学会等名
  日本金属学会2019 年春期（第164 回）講演大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] SiC溶液法における炭素濃度の経時変化を考慮したシミュレーションとその実測2018
- 著者名/発表者名
  土本直道、江原槙吾、太子敏則
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] Si_Cr_Co溶媒からの高品質高速SiC溶液成長2018
- 著者名/発表者名
  玄光龍，土本直道，鈴木皓己，太子敏則
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiC溶液法における炭素濃度の経時変化を考慮したシミュレーションとその実測2018
- 著者名/発表者名
  土本直道、江原槙吾、太子敏則
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiCおよび機能性バルク単結晶の育成～融液成長からのSiC溶液成長のアプローチ～2018
- 著者名/発表者名
  太子敏則，干川圭吾
- 学会等名
  日本学術振興会第161委員会第103回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] 溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長2018
- 著者名/発表者名
  鈴木皓己、太子敏則
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiCおよび機能性バルク単結晶の育成～融液成長からのSiC溶液成長のアプローチ～2018
- 著者名/発表者名
  太子敏則、干川圭吾
- 学会等名
  日本学術振興会第161委員会第103回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] 溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長2018
- 著者名/発表者名
  鈴木皓己、太子敏則
- 学会等名
  第47回結晶成長国内会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析2018
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  日本結晶成長学会バルク成長分科会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] SiC溶液成長における溶液中の炭素濃度の経時変化および成長時の非定常解析2018
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  日本結晶成長学会バルク分科会第102回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiC溶液成長法における溶媒中のCr組成に対する成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価2017
- 著者名/発表者名
  鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Si_Cr_CおよびSi_Cr_M_C (M=Co, Mn) 溶媒によるSiC溶液成長2017
- 著者名/発表者名
  玄光龍，土本直道，鈴木皓己，太子敏則，手嶋勝弥
- 学会等名
  第12回日本フラックス成長研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method2017
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, K. Hyun, T. Taishi
- 学会等名
  ICSCRM2017（ International　Conference　on　Silicon　Carbide and　Related　Materials 2017）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Evaluation of Polytytpe of SiC Grown by Top-Seeded Solution Growth Technique Using Various Composition of Cr in Si-Cr Based Solvents2017
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, M. Takahashi, N. Tsuchimoto, K. Hyun, T. Taishi, K. Murayama, S. Harada T. Ujihara
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  第12回日本フラックス成長研究発表会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03856
[学会発表] Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition　Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC2017
- 著者名/発表者名
  K. Hyun, T. Taishi, K. Teshima
- 学会等名
  ICSCRM2017（ International　Conference　on　Silicon　Carbide and　Related　Materials 2017）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] TSSG法によるSiC溶液成長における種子づけと溶液中の炭素濃度の関係2017
- 著者名/発表者名
  太子敏則、高橋大、土本直道、鈴木皓己、玄光龍
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  第12回日本フラックス成長研究発表会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent2017
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, M. Takahashi, N. Tsuchimoto, K. Suzuki, K. Hyun
- 学会等名
  ICSCRM2017（ International　Conference　on　Silicon　Carbide and　Related　Materials 2017）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Cr単一溶媒によるSiC溶液成長における育成温度と結晶品質の関係2017
- 著者名/発表者名
  鈴木皓己、太子敏則
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜・パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method2017
- 著者名/発表者名
  N. Tsuchimoto, K. Suzuki, M. Takahashi, K. Hyun, T. Taishi, K. Murayama, S. Harada and T. Ujihara
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiC溶液法における坩堝からの炭素の溶解現象と結晶品質の関係－炭素溶解速度と炭素溶解度－2017
- 著者名/発表者名
  高橋大, 玄光龍, 土本直道, 鈴木皓己, 沓掛穂高, 太子敏則
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] SiC溶液成長法における坩堝からの炭素溶解速度の検討2016
- 著者名/発表者名
  高橋大、鈴木皓己、玄光龍、小林聡、太子敏則
- 学会等名
  第3回先進パワー半導体分科会
- 発表場所
  つくば・つくば国際会議場
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Cr溶媒を用いたSiC溶液成長における成長表面とポリタイプ2016
- 著者名/発表者名
  鈴木皓己、太子敏則
- 学会等名
  第3回先進パワー半導体分科会
- 発表場所
  つくば・つくば国際会議場
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] The Solution Growth of SiC from Solvents With or Without Si2016
- 著者名/発表者名
  Kouki Suzuki, Toshinori Taishi
- 学会等名
  7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 年月日
  2016-11-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] Solution growth of SiC from metal solvent2016
- 著者名/発表者名
  Kouki Suzuki, Toshinori Taishi
- 学会等名
  18th International conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  名古屋・名古屋国際会議場
- 年月日
  2016-08-09
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04947
[学会発表] B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析2013
- 著者名/発表者名
  太子敏則，米永一郎，干川圭吾
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析2013
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2013-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] 液状B2O3で覆った融液から育成したCZ-Ge結晶中の欠陥評価2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会・理研シンポジウム合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」
- 発表場所
  三浦
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Growth and characterization of germanium crystals from B_2O_3-coverd melt2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Orlando, USA.(invited)
- 年月日
  2012-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  コナ・ハワイ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成におけるB、Si、Oの反応2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則，米永一郎，干川圭吾
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Characteristics of germanium crystals doped with boron-related compounds2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Cona, Hawaii
- 年月日
  2012-11-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] 液状B_2O_3で覆った融液から育成したCZ-Ge結晶中の欠陥評価2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則
- 学会等名
  第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会・理研シンポジウム合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」
- 発表場所
  三浦
- 年月日
  2012-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Growth and characterization of germanium crystals from B2O3-coverd melt2012
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  2012 3CG Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  オーランド・米国
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液からのCZ- Ge結晶育成におけるB、 Si、 Oの反応2012
- 著者名/発表者名
  太子敏則,米永一郎,干川圭吾
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Growth of dislocation-free Ga-doped Ge crystals using boron oxide for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, Y. Murao, T. Ohsawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  The 7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3 で覆われた融液から成長したCZ-Ge 結晶中の酸素ドナーの挙動2011
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 大澤隆亨,米永一郎
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Growth of dislocation-free Ga-doped Ge crystals using boron oxide for solar cells2011
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, Y.Murao, T.Ohsawa, I.Yonenaga
- 学会等名
  The 7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure
- 発表場所
  ルーヴェン(ベルギー)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] New Czochralski growth techniques of germaniumcrystals from the melt covered by B_2O_3 liquid2011
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  The 5th International Workshop on Crystal Growth and Technology
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] New Czochralski growth techniques of germanium crystals from the melt covered by B_2O_3 liquid2011
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, I.Yonenaga
- 学会等名
  The 5th International Workshop on Crystal Growth and Technology
- 発表場所
  ベルリン(ドイツ)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液から成長したCZ-Ge結晶中の酸素ドナーの挙動2011
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 米永一郎
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] CZ-Ge結晶成長における酸素添加と酸素ドナー挙動2011
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 村尾優, 米永一郎
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議
- 発表場所
  つくば
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Dislocation density and oxygen concentration in Czochralski germanium crystals grown using boron oxide2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  北京
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3で覆われた融液から成長したCZ-Ge結晶中の酸素の特徴2010
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 米永一郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Optical properties of fresh dislocations in GaN and ZnO2010
- 著者名/発表者名
  I.Yonenaga, Y.Ohno, T.Taishi, Y.Tokumoto, Y.Kamimura, K.Edagawa
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijinh(中国)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[学会発表] Czochralski germanium crystal growth with low dislocation density and oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  Okayama. (invited)
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Evaluation of oxygen-related defects in Ge crystals grown from the melt covered by B_2O_32010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Hashimoto, H.Ise, Y.Murao, T.Ohsawa, Y.Tokumoto, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  岡山
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] B_2O_3 で覆われた融液から成長したCZ-Ge 結晶中の酸素の特徴2010
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 米永一郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎
- 年月日
  2010-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] CZ-Ge結晶成長における酸素の混入と偏析現象2010
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 伊勢秀彰, 大澤隆亨, 徳本有紀, 米永一郎
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] Evaluation of oxygen-related defects in Ge crystals grown from the melt covered by B_2O_32010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  Okayama
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Czochralski germanium crystal growth with low dislocation density and oxygen impurities2010
- 著者名/発表者名
  T.Taishi
- 学会等名
  The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010
- 発表場所
  岡山
- 年月日
  2010-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Dislocation density and oxygen concentration in Czochralski germanium crystals grown using boron oxide2010
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Hashimoto, H. Ise, Y. Murao, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22686002
[学会発表] Dislocations in wide band gap semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[学会発表] Atomistic Structure of Dislocations in ZnO Revealed by Opto-TEM and PL Spectroscopy2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, H.Koizumi, T.Taishi, K.Fujii, H.Goto, T.Yao, I.Yonenaga
- 学会等名
  2009 Electronic Materials Conference
- 発表場所
  University Park, USA
- 年月日
  2009-06-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] B2O3被覆融液からの無転位Ge単結晶成長と評価2009
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 伊勢秀彰, 大野裕, 徳本有紀米永一郎
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2009-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] 高濃度As添加CZ-Ge結晶成長におけるGeAs析出挙動の解明2009
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 村尾優, 大野裕, 米永一郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, H.Koizumi, T.Taishi, K.Fujii, H.Goto, T.Yao, I.Yonenaga
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Relationship between morphological features of the growth interface and growth conditions in heavily-impurity doped Si and Ge crystal growth2009
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 学会等名
  The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Lake Geneva, USA
- 年月日
  2009-08-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] B2O3被覆Ge融液からの低転位密度CZ-Ge結晶成長2009
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 伊勢秀彰, 大野裕, 米永一郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] ワイドギャップ半導体の転位の運動特性と光学特性について2009
- 著者名/発表者名
  米永一郎、大野裕、太子敏則、徳本有紀
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会・研究会
- 発表場所
  主婦会館プラザエフ(東京都)
- 年月日
  2009-10-02
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[学会発表] B_2O_3被覆Ge融液からの低転位密度CZ-Ge結晶成長2009
- 著者名/発表者名
  太子敏則、伊勢秀彰、大野裕、米永一郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] Effects of dislocations on optical properties of wide bandgap GaN and ZnO2009
- 著者名/発表者名
  米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀
- 学会等名
  25th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Ioffe Institute(ロシア)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[学会発表] Strength and dislocation mobility in wide bandgap semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  米永一郎, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀
- 学会等名
  25th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Ioffe Institute(ロシア)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-21016002
[学会発表] In-situ analysis of optical properties of dislocations in ZnO by opto-TEM2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ohno, T.Taishi, I.Yonenaga, K.Fujii, H.Goto, T.Yao
- 学会等名
  25th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  St.Petersburg, Russia
- 年月日
  2009-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Characteristics of Czochralski-grown B- doped Ge crystal2009
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] Characteristics of Czochralski-grown B-doped Ge crystal2009
- 著者名/発表者名
  T.Taishi, Y.Murao, Y.Ohno, I.Yonenaga
- 学会等名
  European Materials Research Society 2009 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2009-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] 引き上げ法Ge結晶成長におけるBの偏析と固溶限2008
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 村尾優, 大野裕, 米永一郎
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2008-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] 引き上げ法Ge結晶成長におけるBの偏析と固溶限2008
- 著者名/発表者名
  太子敏則, 村尾優, 大野裕, 米永一郎
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市戦災復興記念館
- 年月日
  2008-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760003
[学会発表] Dislocation-related energy levels in wurtzite ZnO2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, I. Yonenaga
- 学会等名
  The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai, Japan (invited)
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Langasite(La_3Ga_5SiO_<14>)crystals growth by vertical Bridgman(VB)method2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai(Japan)
- 年月日
  2008-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single-crystals2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi. K. Fujii, H. Goto, T. Yao, and I. Yonenana
- 学会等名
  Dislocations 2008
- 発表場所
  Hong Kong, China
- 年月日
  2008-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Potassium niobate(KNbO_3)crystal growth 1 inch in diameter by the vertical Bridgman(VB)method2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai(Japan)
- 年月日
  2008-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Electronic properties of dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly induced by plastic deformation2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, K. Fujii, H. Goto, T. Yao, and I. Yonenaga
- 学会等名
  The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) crystal growth by the vertical Bridgman (VB) method2008
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, N. Bamba, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth(発表予定)
- 発表場所
  Crystal Technology
- 年月日
  2008-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Optical properties of ZnO including fresh dislocations induced by plastic deformation2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T.Yao
- 学会等名
  Materials Research Society 2007 Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2007-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Formation of multiple nanoscale twin boundaries acting as twinning superlattice in AlGaAs epilayers2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda, and S. Takeda
- 学会等名
  The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2007-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Growth of langasite(La_3Ga_5SiO_<14>)crystals by vertical Bridgman(VB)method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City(USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Oxygen defects in langasite(La_3Ga_5SiO_<14>)single crystal grown by vertical Bridgman method2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  24th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Albuquerque, NM(USA)
- 年月日
  2007-05-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of langasite(La_3Ga_5SiO_14)crystals by vertical Bridgman(VB)method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth,
- 発表場所
  Salt Lake City(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of lithium niobate (LiNbO_3) crystals by vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T. Nishio, T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Electronic properties of twin boundaries in AlGaAs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Shoda and S. Takeda
- 学会等名
  24th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Albuquerque, USA
- 年月日
  2007-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19310072
[学会発表] Oxygen defects in langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) single crystal grown by vertical Bridgman method(Mp-14)2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  24th International Conference on Defects in Semiconductors, Albuquerque
- 発表場所
  NM (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Oxygen defects in langasite(La_3Ga_5SiO_14)single crystal grown by vertical Bridgman method2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi
- 学会等名
  24th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Albuquerque, NM(USA)
- 年月日
  2007-05-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Growth of langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) crystals by vertical Bridgman (VB) method in air and an Ar atmosphere for applications to pressure sensors2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City (USA)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007
[学会発表] Potassium niobate (KNbO_3) crystal growth 1 inch in diameter by the vertical Bridgman (VB) method2007
- 著者名/発表者名
  T. Taishi, K. Kudo, Y. Saito, T. Fukami, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
- 学会等名
  4th Asian Conference on Crystal Growth(発表予定)
- 発表場所
  Crystal Technology
- 年月日
  2007-05-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360007

1. 米永一郎 (20134041)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 76件
2. 大野裕 (80243129)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 39件
3. 河野日出夫 (00273574)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 徳本有紀 (20546866)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
5. 干川圭吾 (10231573)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 18件
6. 番場場子 (90303445)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 沓掛健太朗 (00463795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 入山恭寿 (30335195)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 深海龍夫 (90021005)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 原康祐 (40714134)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 田中優実 (00436619)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 獨古薫 (70438117)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 松井雅樹 (70639210)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 大西剛 (80345230)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 鈴木孝臣 (20196835)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
16. 浦上法之 (80758946)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 伊藤孝寛 (50370127)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 村尾優

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
19. 伊勢秀彰

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
20. 大澤隆亨

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
21. 谷川智之

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 鈴木皓己

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
23. 土本直道

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
24. 玄光龍

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
25. 番場教子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 5件
26. 深見龍夫

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 4件

太子 敏則 taishi toshinori

研究課題

研究成果

共同研究者

液相エピタキシャル法によるβ-Ga2O3厚膜成長と高耐圧パワーデバイスの検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電場印加型ARPESによる固体電解質単結晶におけるイオン伝導特性ー電子状態相関の探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Siを溶媒に用いないSiC溶液成長における二次元核形成と長尺成長の関係研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

蓄電固体材料のモデル界面形成とその界面イオンダイナミクスに関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

発光イメージングによる欠陥特性の定量

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si・C溶質が連続供給される溶剤金属からの改良TSSG法によるSiC溶液成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

透過電子顕微鏡内近接場分光法による半導体ナノ構造体の光学特性の評価

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不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立

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[図書] Germanium : Properties, Production and Applications2012

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[図書] Germanium: Properties, Production and Applications2012

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[雑誌論文] Effect of contact angle between SiC and metal solvents on growth surface morphology in solution growth of SiC2022

太子敏則 taishi toshinori