市川和典 Ichikawa Kazunori

研究者番号	90509936
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2021年度 – 2023年度: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2017年度 – 2018年度: 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 2012年度 – 2016年度: 神戸市立工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 2014年度: 神戸市立工業高等専門学校, 准教授 … もっと見る 2011年度: 神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 講師 2009年度: 神戸市立工業高等専門学校, 講師 2009年度: 神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 講師 2008年度: 神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 助教隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学 / デバイス関連化学 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外小区分36010:無機物質および無機材料化学関連 / 無機材料・物性
キーワード	研究代表者グラフェン / ヘテロ接合 / 熱CVD / 薄膜トランジスタ / フラッシュメモリ / 半導体デバイス / ナノ材料 / ハイブリッド型デバイス / ヘテロデバイス / トランジスタ … もっと見る / メモリ / TFT / ハイブリッドデバイス / 転写フリー / グラフェントランジスタ / Poly-Si / Siナノドット / 薄膜トランジスタ(TFT) / レーザー結晶化 / システムオンパネル / 低温poly-Si TFT … もっと見る研究代表者以外希土類鉄酸化物 / エピタキシャル薄膜 / 電子強誘電体 / 微細加工 / ホール効果 / ヘマタイト / 異方性 / X線構造解析 / ホール測定 / 高分解能TEM / メスバウアー分光 / 高圧合成 / ゲルマニウム置換 / イルメナイト / 高分解能電子顕微鏡観察 / スパッタ法 / 酸化物磁性半導体 / 混合原子価状態 / 鉄チタン複酸化物隠す

超高速省電力メモリへの応用を指向した電子強誘電体薄膜の作製とドメイン構造制御
- 研究代表者
  
  藤井達生
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
- 研究機関
  岡山大学
NiCO3とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの高移動度と高オンオフ比の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  市川和典
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  松江工業高等専門学校
トランジスタとメモリ機能を有する転写フリーグラフェンデバイスの高性能化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  市川和典
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  松江工業高等専門学校
   神戸市立工業高等専門学校
欠陥への電子捕獲により動作するグラフェンメモリの原理解明と性能向上に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  市川和典
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  デバイス関連化学
- 研究機関
  神戸市立工業高等専門学校
原子価制御による機能性鉄チタン複合酸化物薄膜の開拓
- 研究代表者
  
  藤井達生
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  岡山大学
三次元基板を用いた低温ポリシリコンTFTフラッシュメモリの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  市川和典
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  神戸市立工業高等専門学校

すべて 2024 2022 2021 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021
- 著者名/発表者名
  市川和典
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: vol. 121, no. 8 ページ: 26-29
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[雑誌論文] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017
- 著者名/発表者名
  市川和典須田善行
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  巻: 5 ページ: 242-250
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[雑誌論文] Influence of nickel catalyst film thickness and cooling condition for synthesis of monolayer graphene by thermal chemical vapor deposition at 800 oC2015
- 著者名/発表者名
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda, Yoshiyuki Nonoguchi, Yukiharu Uraoka
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science and Engineering B
  
  巻: 9 号: 10 ページ: 341-346
- DOI
  10.17265/2161-6221/2015.9-10.001
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[雑誌論文] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- 著者名/発表者名
  市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
  
  ページ: 70-74
- NAID
  110008001098
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] Ni膜厚の薄膜化によるヘテロ接合型グラフェンへの影響と炭化時間依存性2024
- 著者名/発表者名
  錦織悠玖, 市川和典, 赤松浩
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会　第20回研究集会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] 炭素導入量の変化によるグラフェン合成後の物性評価2022
- 著者名/発表者名
  市川和典, 江角卓哉
- 学会等名
  第27回高専シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] 900℃の熱 CVD で合成したグラフェンの炭化時間依存性2022
- 著者名/発表者名
  榎本陽菜, 市川和典, 大島多美子
- 学会等名
  第18回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021
- 著者名/発表者名
  市川和典
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] グラフェン合成後における Ni 薄膜の酸素濃度依存性2021
- 著者名/発表者名
  市川和典, 江角卓哉, 赤松浩, 大島多美子
- 学会等名
  第18回薄膜材料デバイス研究会資料
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] Ni 触媒の酸化によるヘテロ接合型グラフェン TFT の高性能化2021
- 著者名/発表者名
  市川和典, 江角卓哉, 大島多美子
- 学会等名
  令和 3 年電気学会基礎・材料・共通部門大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04163
[学会発表] Oxygen concentration dependence of transfer free graphene thin film transistor2019
- 著者名/発表者名
  K. Ichikawa, S. Tateishi and H. Akamatsu
- 学会等名
  The 15th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] グラフェン合成における酸素濃度依存性2018
- 著者名/発表者名
  立石翔太，市川和典，赤松浩
- 学会等名
  第15回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] アセチレンの分解効率の向上による熱CVDグラフェンの低温合成2017
- 著者名/発表者名
  谷川直樹　市川和典　赤松浩
- 学会等名
  高専シンポジウム2017
- 発表場所
  鳥羽商船高専
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 熱CVDグラフェンの高速合成における高温時の水素の影響2017
- 著者名/発表者名
  上玉利　勇輝，市川　和典　，赤松　浩
- 学会等名
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 赤外線集光型熱CVDを用いたグラフェン合成の低温化2017
- 著者名/発表者名
  谷川　直樹，市川　和典　，赤松　浩
- 学会等名
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 高濃度水素中での熱CVDグラフェンの高速合成2017
- 著者名/発表者名
  上玉利勇輝・市川和典・赤松浩
- 学会等名
  高専シンポジウム2017
- 発表場所
  鳥羽商船高専
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 酸化膜上への熱 CVDグラフェンの合成と酸素導入時間の影響2017
- 著者名/発表者名
  劒持進次郎, 市川和典, 赤松浩, 須田善行
- 学会等名
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] トンネル効果を利用した酸化膜上へのグラフェンの合成2017
- 著者名/発表者名
  堀谷真理愛，市川和典，赤松浩
- 学会等名
  高専シンポジウム2017
- 発表場所
  鳥羽商船高専
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 酸化膜上に直接合成した熱CVDグラフェンの特性評価2017
- 著者名/発表者名
  堀谷　真理愛，市川　和典，赤松　浩
- 学会等名
  応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会
- 発表場所
  大阪大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017
- 著者名/発表者名
  市川　和典
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会山陰特別研究会
- 発表場所
  清嵐荘
- 年月日
  2017-03-21
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] グラフェンにおける電気特性とラマンスペクトルの相関2017
- 著者名/発表者名
  山本将太郎,　市川和典, 赤松浩,　須田善行
- 学会等名
  第14回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] Thermal chemical vapor deposition graphene directly synthesized on the nickel oxide film2017
- 著者名/発表者名
  S. Kenmotsu, K. Ichikawa, H. Akamatsu and Y. Suda
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Dry Process
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 熱CVDグラフェンの高速合成における水素濃度依存性2016
- 著者名/発表者名
  上玉利　勇輝，市川　和典，赤松　浩，須田　善行
- 学会等名
  第13回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  龍谷大学
- 年月日
  2016-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06281
[学会発表] 水素ガスにより膜厚制御した単層グラフェンFETの特性評価2016
- 著者名/発表者名
  小野　誠，市川和典，赤松浩，須田善行
- 学会等名
  第21回高専シンポジウム
- 発表場所
  丸亀市民会館
- 年月日
  2016-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] High-quality bilayer graphene was synthesized by low concentration of hydrogen gas in nitrogen/hydrogen gas mixture during temperature rising period in chemical vapor deposition2015
- 著者名/発表者名
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  37th International Symposium on Dry Process
- 発表場所
  Awaji Yumebutai International Conference Center
- 年月日
  2015-11-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] プロセスガス制御によるグラフェンの層数制御およびFETの作製2015
- 著者名/発表者名
  松原　暉、市川和典、赤松　浩、須田善行
- 学会等名
  応用物理学会関西支部
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2015-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] Synthesis of monolayer and multilayer graphene on nickel catalyst film by thermal chemical vapor deposition using acetylene gas at 800 oC2015
- 著者名/発表者名
  Kazunori Ichikawa, Hiroshi Akamatsu, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  The Irago conference 2015
- 発表場所
  Irago sea-park and spa hotel
- 年月日
  2015-10-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] グラフェンの成長における熱CVD法条件の研究2014
- 著者名/発表者名
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- 学会等名
  産学官金技術フォーラム14
- 発表場所
  神戸市産業振興センター
- 年月日
  2014-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] グラフェンの成長に及ぼす水素および金属触媒膜厚の影響2013
- 著者名/発表者名
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- 学会等名
  第10回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  龍谷大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3 dimentonal substrate2010
- 著者名/発表者名
  K. ICHIKAWA, M. ATSUE, H. AKAMATSU, Y. URAOKA
- 学会等名
  International Thin-Film Transistor Conference 2010 (ITC10)
- 発表場所
  Egret Himeji
- 年月日
  2010-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substrate2010
- 著者名/発表者名
  K.ICHIKAWA, M.MATSUE, H.AKAMATSU, Y.URAOKA
- 学会等名
  International Thin-Film Transistor Conference 2010
- 発表場所
  イーグレ姫路(兵庫)
- 年月日
  2010-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] 三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- 著者名/発表者名
  市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
- 学会等名
  2009年秋季応用物理学会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- 著者名/発表者名
  市川和典松江将博赤松浩浦岡行治
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  奈良先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] 三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- 著者名/発表者名
  市川和典, 松江将博, 西敬生, 山本伸一, 浦岡行治
- 学会等名
  2009年秋季応用物理学会
- 発表場所
  富山大(富山)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価2009
- 著者名/発表者名
  市川和典, 松江将博, 赤松浩, 浦岡行治
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  奈良先端大(奈良)
- 年月日
  2009-12-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20860086
[学会発表] プロセスガスの制御による単層および多層CVDグラフェンの作り分け技術
- 著者名/発表者名
  松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行
- 学会等名
  第11回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  龍谷大学
- 年月日
  2014-10-31 – 2014-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] グラフェンを用いたフラッシュメモリの実証研究
- 著者名/発表者名
  市川　和典
- 学会等名
  STARCワークショップ
- 発表場所
  新横浜国際ホテル南館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] グラフェン－歴史・現状・将来－
- 著者名/発表者名
  市川和典
- 学会等名
  電気情報通信学会　ソサイエティ大会
- 発表場所
  徳島大学
- 年月日
  2014-09-23 – 2014-09-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] 熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
- 著者名/発表者名
  市川　和典
- 学会等名
  第 1回出雲薄膜材料デバイスミニ研究会
- 発表場所
  島根大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039
[学会発表] 電子デバイス応用に向けたグラフェンの合成条件の評価
- 著者名/発表者名
  松原　暉，市川　和典
- 学会等名
  平成24年度分高専連携教育研究プロジェクト　学生成果報告会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25871039

1. 藤井達生 (10222259)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 須田善行 (70301942)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
3. 大島多美子 (00370049)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
4. 中西真 (10584085)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 高田潤 (60093259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 浦岡行治 (20314536)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 中西真 (10284085)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 池田直 (00222894)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 沖本洋一 (50356705)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

市川 和典 Ichikawa Kazunori

研究課題

研究成果

共同研究者

超高速省電力メモリへの応用を指向した電子強誘電体薄膜の作製とドメイン構造制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

NiCO3とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの高移動度と高オンオフ比の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

トランジスタとメモリ機能を有する転写フリーグラフェンデバイスの高性能化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

欠陥への電子捕獲により動作するグラフェンメモリの原理解明と性能向上に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子価制御による機能性鉄チタン複合酸化物薄膜の開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

三次元基板を用いた低温ポリシリコンTFTフラッシュメモリの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 熱CVD グラフェンの基礎と転写フリーグラフェンMOSFET の電気特性評価2017

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Influence of nickel catalyst film thickness and cooling condition for synthesis of monolayer graphene by thermal chemical vapor deposition at 800 oC2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[学会発表] Ni膜厚の薄膜化によるヘテロ接合型グラフェンへの影響と炭化時間依存性2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 炭素導入量の変化によるグラフェン合成後の物性評価2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 900℃の熱 CVD で合成したグラフェンの炭化時間依存性2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] グラフェン合成後における Ni 薄膜の酸素濃度依存性2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Ni 触媒の酸化によるヘテロ接合型グラフェン TFT の高性能化2021

著者名/発表者名

市川和典 Ichikawa Kazunori