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Hirayama Masaki  平山 昌樹

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HIRAYAMA Masaki  平山 昌樹

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Researcher Number 70250701
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Affiliation (Current) 2022: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2010 – 2014: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授
2002 – 2005: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教授
2002: 東北大学, 未来化学技術共同研究センター, 客員助教授
1998 – 2001: 東北大学, 大学院・工学研究科, 助手
Review Section/Research Field
Principal Investigator
電子デバイス・機器工学 / Electron device/Electronic equipment / Electronic materials/Electric materials / 複合化集積システム
Except Principal Investigator
Electronic materials/Electric materials / Science and Engineering / Engineering / 電子デバイス・機器工学
Keywords
Principal Investigator
マイクロ波プラズマ / シリコン窒化膜 / プラズマ / マイクロ波 / 強誘電体 / ラジアルラインスロットアンテナ / microwave plasma / STNO / フェーズドアレイアンテナ / 誘電体アンテナ … More / 金属基板 / PDA / バランスドCMOS / 高誘電率薄膜 / BST / 低消費電力携帯端末 / フェーズドアレーアンテナ / プリント配線基盤 / マイクロ波励起高密度プラズマ / プラズマCVD / 有機EL / 保護膜 / 高密度プラズマ / プラズマ酸化 / バッファ層 / 低温プラズマ酸化 / Kr / O_2 / 低誘電率層間絶縁膜 / 高誘電率膜 / 半導体 / プロセス / high-density plasma / ferroelectric / plasma oxidation / buffer layer / silicon nitride film / 強誘電体膜 / 不揮発性メモリ / 直接窒化 / 直接酸化 / ゲート絶縁膜 / LSI / 有機金属ガス / バリア膜 / 酸素ラジカル / パリア膜 / high-k film / non volatile memory / silicon nitride / direct nitridation / direct oxidation / radial line slot antenna … More
Except Principal Investigator
LSI / SOI / プラズマプロセス / 気体分離配線 / 陽極化成 / CVD / BED / 1 / シリコン / MOSFET / 半導体製造プロセス / 半導体製造装置 / MOSトランジスタ / シリコン表面平坦化 / 面方位 / ラフネス / シリサイド / 3次元構造 / 金属基板SOI / ウルトラクリーンプロセス / Xeプラズマ / シリサイド反応 / 多孔質シリコン / エピタキシャル / gas isolated interconnect / metal gate / high-permittivity gate insulator / metal-substrate SOI / ベクトル量子化 / コードブック空間情報処理 / 画像圧縮 / 顔画像認識 / 実時間処理 / LSI設計 / 高速情報処理 / SS-CDMAフレキシブルワイヤレスネットワーク / システムオンチップ / 高精度トランジスタモデリング / 高精細静止画像圧縮 / フレキシブルワイヤレスネットワーク / 近似同期CDMA方式 / パケットSS-CDMA方式 / 顔認識 / 話者認識 / チャネル多重 / Vector Quantization / Codebook Spectrum / Image Compression / Face Recognition / Real-Time Processing / LSI Design / Ta メタルゲート / 相互コンダクタンス / FD-SOI MOSFET / 界面 / トラップ準位 / 低周波ノイズ / BPSG / 無水HF / 銅配線 / 金属基板 / Ta metal gate / gas-isolated-interconnects / mutual conductance / interface / trap level / low frequency noise / 小規模生産ライン / 段階投資 / マイクロ波プラズマ / ガス供給システム / バックポンプ / RLSA / シャワープレート / クラスターツール / 半導体生産 / エッチング / profitable mini-line / step-by-step investment / microwave plasma / plasma process / gas distribution system / back pump / Si(110)面 / Si_3N_4ゲート絶縁膜 / Balanced-CMOS集積回路 / fノイズ / 室温5工程洗浄 / システムLSI / チャネル移動度 / マイクロ波励起高密度プラズマ / Si(110) / CMOS / Si(110)surface / Si_3N_4 gate insulator / Balanced-CMOS / f noise / Room Temperature 5 step Cleaning / System LSI / Channel mobility / Microwave-excited high-density plasma Less
  • Research Projects

    (10 results)
  • Co-Researchers

    (8 People)
  •  Study on fabrication process of 3-D structured MOS transistor having atomically flat gate insulator/Si interface

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      2010 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
    • Review Section
      Science and Engineering
      Engineering
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  仕事関数制御透明電極を用いたトップエミッション超高寿命高効率有機ELディスプレイPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      平山 昌樹
    • Project Period (FY)
      2004 – 2005
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  フェーズドアレーアンテナと金属基板マイクロ波デバイスを用いた超低消費電力携帯端末Principal Investigator

    • Principal Investigator
      平山 昌樹
    • Project Period (FY)
      2002 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  Ultra-High-Speed and High-Precision Integration Circuit Using Si(110) Surface Metal Substrate SOI Balanced-CMOS

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      2002 – 2003
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      電子デバイス・機器工学
    • Research Institution
      TOHOKU UNIVERSITY
  •  Ultra-High-Speed Real-Time Processing Circuit and Algorithm

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      2000 – 2002
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Review Section
      Science and Engineering
    • Research Institution
      TOHOKU UNIVERSITY
  •  Development of ultra-high-speed LSI with gas-isolated-interconnects and Ta metal gate transistors on SOI substrate

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      2000 – 2001
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  Plasma process technology controlling dissociation of process gas for realizing step-by-step investment semiconductor manufacturing

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      2000 – 2001
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  Study for low-temperature formation of high-quality STNO high-k films for non-volatile memoriesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIRAYAMA Masaki
    • Project Period (FY)
      2000 – 2001
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      複合化集積システム
    • Research Institution
      Tohoku University
  •  Metal-substrate SOI integrated circuits technologies for 10GHz clock operation

    • Principal Investigator
      OHMI Tadahiro
    • Project Period (FY)
      1998 – 1999
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      TOHOKU UNIVERSITY
  •  Research of low-k/high-k dielectric films growth utilizing microwave exited plasmaPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIRAYAMA Masaki
    • Project Period (FY)
      1998 – 1999
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Electronic materials/Electric materials
    • Research Institution
      TOHOKU UNIVERSITY
  • 1.  OHMI Tadahiro (20016463)
    # of Collaborated Projects: 8 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 2.  KOTANI Koji (20250699)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 3.  SUGAWA Shigetoshi (70321974)
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 4.  伊野 和英
    # of Collaborated Projects: 2 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  GOTO Tetsuya (00359556)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 6.  SUWA Tomoyuki (70431541)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  TSUBOUCHI Kazuo (30006283)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 8.  MIURA Michiko (70291482)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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