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Hirose Kazuyuki  廣瀬 和之

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HIROSE Kazuyuki  廣瀬 和之

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Researcher Number 00280553
Other IDs
Affiliation (Current) 2025: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 名誉教授
Affiliation (based on the past Project Information) *help 2015 – 2019: 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授
2014: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授
2010 – 2011: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授
2010: 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 准教授
2007 – 2009: Japan Aerospace Exploration Agency, 宇宙科学研究本部, Assistant Professor … More
2006: 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 教授
2006: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教授
2004 – 2006: 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教授
2004 – 2005: ISAS, JAXA, Dep.of Spacecraft Engineering, Associate Prof., 宇宙科学研究本部・宇宙探査工学研究系, 助教授
2004: 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 教授
2003: 東京都立大学, 宇宙科学研究所・衛星応用工学研究系, 助教授
2003: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙探査工学研究系, 助教授
2003: 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教授
2002: 宇宙科学研究所, 衛星応用工学系, 助教授
2002: 宇宙科学研究所, 衛生応用工学研究系, 助教授
2000: Institute of Space & Astronautical Science, Research Division for Space Applications, Associate Professor, 衛星応用工学研究系, 助教授
1998 – 2000: 宇宙科学研究所, 衛星応用工学系, 助教授
1999: 宇宙科学研究所, 衛星応用工学研究系, 助教授 Less
Review Section/Research Field
Principal Investigator
Thin film/Surface and interfacial physical properties / Thin film/Surface and interfacial physical properties
Except Principal Investigator
Astronomy / Electron device/Electronic equipment / Condensed matter physics I / 表面界面物性 / Astronomy / Science and Engineering
Keywords
Principal Investigator
光電子分光 / 界面 / MOSFET / HfO_2 / SiO_2 / LSI / SiO2 / シリコン酸化膜 / 第一原理計算 / 表面 … More / シリコン / 誘電率 / 電子・電気材料 / 超薄膜 / 誘電体物性 / X線 / 表面・界面物性 / 分光 / X線光電子 / 帯電 / 表面ポテンシャル / SiO2/Si / 電子輸送 / 励起電子 / X線光電子分光 / 表面電位 / 帯電補償 / 絶縁体薄膜 / x-ray photoelectron spectroscopy / defects / dielectric constant / gate oxide / 欠陥 / 高誘電率 / ゲート絶縁膜 / 欠陥準位 / アモルファス / defect / XANES / XPS / amorphous / interface / 第一原理計 / 酸化膜S / 薄膜 / 酸化膜 … More
Except Principal Investigator
SQUID / マイクロマシーニング / 超伝導量子干渉素子(SQUID) / 超伝導遷移センサー(TES) / ボロメータ / カロリメータ / X線分光器 / 放射線検出器 / ソフトエラー / 放射線 / X線検出器 / SETs / Combinational Circuits / VLSIs / Radiation / Design for Testability / Scan Designs / Single-Event Effects / Soft Errors / SET / 論理回路 / VLSI / テスト容易化設計 / スキャン設計 / シングルイベント効果 / X-ray photoelectron spectroscopy / Phase transition / Crystal structure / X-ray diffraction / High-k film / Synchrotron radiation / 光電子分光 / 構造相転移 / 結晶構造 / X線 / 高誘電率絶縁膜 / シンクロトロン放射光 / titanium-gold bilayer / MEMS / transition-edge sensor(TES) / bolometer / micro calorimeter / Energy dispersive X-ray detector / X-ray imaging spectroscopy / 方射線検出器 / チタン-金薄膜 / X線分光検出器 / X線撮像分光観測 / oxidation mechanism / elastic scattering / interface structure / first principle molecular orbital calculation / interface dipole / interface states / surface roughness / silicon oxide / 酸化反応 / 酸化膜の層状成長 / 原子スケール / 価電子帯 / 光電子回折 / 非弾性散乱 / 界面構造 / Si-SiO_2 / ダイポール相互作用 / 価電子帯オフセット / 酸化速度 / 活性酸素原子 / 酸化機構 / 弾性散乱 / 第一原理分子軌道計算 / 界面原子構造 / 界面ダイポール / 界面準位 / 表面粗さ / シリコン酸化膜 / micromachining / Imaging / SQUID array amp. / bolometers / microcalorimeters / Superconductors / Spectrometer / infrared / X-ray / Detectors / マイクロマシ-ニング / チタン薄膜 / 熱 / 電子デバイス・機器 / 結晶成長 / MBE / 光学赤外線天文学 / 光赤外線天文学 / 表面活性常温接合 / 赤外線検出器 / 表面活性化常温接合 / 分子線エピタキシー / 赤外線天文学 / 超電導遷移端出器 / 科学衛生 / ブラックホール / 宇宙観測 / 超伝導遷移端出器 / 科学衛星 / エネルギー分解能 / 低温検出器 / マイクロカロリメータ / X線天文学 Less
  • Research Projects

    (13 results)
  • Research Products

    (151 results)
  • Co-Researchers

    (19 People)
  •  Study on excited-electron transport through Si oxide thick films relating with charge-up compensation during XPS measurementPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIROSE KAZUYUKI
    • Project Period (FY)
      2017 – 2019
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      Japan Aerospace EXploration Agency
  •  XPS Study on ultra thin SiO2 film formed on Si substrates with several surface orientationsPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      Hirose Kazuyuki
    • Project Period (FY)
      2014 – 2016
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      Japan Aerospace EXploration Agency
  •  Radiation-induced increase in local temperature and its effects on soft error tolerance

    • Principal Investigator
      KOBAYASHI Daisuke
    • Project Period (FY)
      2012 – 2014
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  Study on dielectric constant of ultrathin SiO2 by using XPS and first-principles calculationPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIROSE Kazuyuki
    • Project Period (FY)
      2009 – 2011
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  Development of next generation far-infrared detector

    • Principal Investigator
      WADA Takehiko
    • Project Period (FY)
      2008 – 2010
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Astronomy
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  Study on dielectric constant of ultrathin films in gate structuresPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIROSE Kazuyuki
    • Project Period (FY)
      2006 – 2008
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  LSI Test Technology for Evaluating Soft-Error-Rates in Combinational Logic Circuits

    • Principal Investigator
      KOBAYASHI Daisuke
    • Project Period (FY)
      2006 – 2007
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Electron device/Electronic equipment
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  Phase transition of high-dielectric insulating films studied by extremely asymmetric X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy

    • Principal Investigator
      AKIMOTO Koichi
    • Project Period (FY)
      2004 – 2006
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • Research Field
      Condensed matter physics I
    • Research Institution
      Nagoya University
  •  XPS Study of electrical defects in thin HfAlOx films formed on Si substratesPrincipal Investigator

    • Principal Investigator
      HIROSE Kazuyuki
    • Project Period (FY)
      2003 – 2005
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • Research Field
      Thin film/Surface and interfacial physical properties
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  精密X線ドップラー分光で探るブラックホールのダイナミクス

    • Principal Investigator
      大橋 隆哉
    • Project Period (FY)
      2002 – 2006
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • Review Section
      Science and Engineering
    • Research Institution
      Tokyo Metropolitan University
  •  Micro calorimeter array for space research

    • Principal Investigator
      MITSUDA Kazuhisa
    • Project Period (FY)
      2002 – 2004
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • Research Field
      Astronomy
    • Research Institution
      Japan Aerospace Exploration Agency
  •  Studies on Carrier Trap Levels at Ultrathin SiO_2/Si Interface and Its Relation with Microscopic Structures

    • Principal Investigator
      HATTORI Takeo
    • Project Period (FY)
      1998 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • Research Field
      表面界面物性
    • Research Institution
      Musashi Institute of Technology
  •  Development of X-ray and infrared detectors using micromachining technologies

    • Principal Investigator
      MITSUDA Kazuhisa
    • Project Period (FY)
      1997 – 2000
    • Research Category
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • Research Field
      Astronomy
    • Research Institution
      Institute of Space and Astronautical Science

All 2019 2018 2017 2016 2015 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2004 2003 Other

All Journal Article Presentation Book

  • [Book] X線光電子分光による誘電率の推定法2016

    • Author(s)
      廣瀬和之, 小林大輔
    • Total Pages
      6
    • Publisher
      技術情報協会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Book] 正しい電気特性の測定、評価とデータ解釈2015

    • Author(s)
      廣瀬和之、その他45名
    • Total Pages
      600
    • Publisher
      技術情報協会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Book] 次世代ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術と膜・界面の物性科学2012

    • Author(s)
      廣瀬和之(共著)
    • Publisher
      (株)エヌ・ティー・エス
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Book] 次世代ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術と膜・界面の物性科学2012

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Total Pages
      300
    • Publisher
      (株)エヌ・ティー・エス
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] Time-Domain Study on Reproducibility of Laser-Based Soft-Error Simulation2017

    • Author(s)
      H. Itsuji, D. Kobayashi, N.E. Lourenco, and K. Hirose
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 56

    • NAID

      210000147576

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Journal Article] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011

    • Author(s)
      H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
    • Journal Title

      Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

      Pages: 20-21

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価2011

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理

      Volume: 80 Pages: 942-947

    • NAID

      10029794218

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 光電子分光の基礎第3回SiO_2/Si界面の電子状態の研究への適用例2011

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学会結晶分科会クリスタルレターズ

      Volume: 85 Pages: 7-16

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011

    • Author(s)
      関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理

      Volume: 16 Pages: 127-130

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2011

    • Author(s)
      関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Journal Title

      第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-

      Pages: 77-80

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 光電子分光の基礎第4回SiO_2/Si界面の原子構造の研究への適用例2011

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      結晶工学ニュース

      Volume: 86 Pages: 3-12

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 光電子分光の基礎第3回SiO 2/Si界面の電子状態の研究への適用例2011

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      結晶工学ニュース

      Volume: 85 Pages: 7-16

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011

    • Author(s)
      H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 51(4)

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理

      Volume: 16 Pages: 131-134

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Journal Title

      第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-

      Pages: 157-160

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] Si-SiO_2系の形成・構造・物性2010

    • Author(s)
      服部健雄, 廣瀬和之
    • Journal Title

      表面科学 31

      Pages: 30-34

    • NAID

      10026319264

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] Si-SiO_2系の形成・構造・物性2010

    • Author(s)
      服部健雄,廣瀬和之
    • Journal Title

      表面科学

      Volume: 31 Pages: 30-34

    • NAID

      10026319264

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010

    • Author(s)
      五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Journal Title

      第15回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-

      Pages: 193-196

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] XPS time-dependent measurement of SiO_2/Si and HfAlOx/Si interfaces2010

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 176

      Pages: 46-51

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 光電子分光の基礎第1回歴史・原理・スペクトル解析2010

    • Author(s)
      服部健雄, 廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学会結晶分科会クリスタルレターズ

      Volume: 83 Pages: 5-15

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] XPS time-dependent measurement of SiO_2/Si and HfAlOx/Si interfaces2010

    • Author(s)
      K. Hirose
    • Journal Title

      Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

      Volume: 176 Pages: 46-51

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2010

    • Author(s)
      五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 15

      Pages: 175-178

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Journal Article] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009

    • Author(s)
      五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第14回

      Pages: 175-178

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] 新しい×PS評価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Journal Title

      応用物理学会薄膜表面・物理分科会ニュースレター 132

      Pages: 14-18

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Journal Title

      Journal of Physics:Conference Series 100

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X線光電子分光法を用いた誘電率の推定法2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学関係連合講演会予稿集(シンポジウム) 第0分冊

      Pages: 129-129

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] 新しいXPS詳価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理 第13回

      Pages: 31-36

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] 新しいXPS評価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学会薄膜表面・物理分科会ニュースレター 132巻

      Pages: 14-18

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds2008

    • Author(s)
      K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, H. Nohira
    • Journal Title

      Applied Physics Letters Vol. 93

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
    • Journal Title

      Journal of Physics : Conference Series Vol. 100

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Correlation between the dipole moment induced at the Slater transition state and the optical dielectric constant of Si and Al compounds2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 93

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] 新しいXPS評価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理- 第13回

      Pages: 31-36

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X線光電子分光法を用いた誘電率の推定法2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Journal Title

      応用物理学関係連合講演会予稿集(シンポジウム) 0分冊

      Pages: 129-129

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      Journal of Physics : Conference Series 100

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Photoelectron spectroscopy studies of SiO_2/Si interfaces2007

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Nohira, K. Azuma, T. Hattroi
    • Journal Title

      Progress in Surface Science Vol. 82

      Pages: 3-54

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Photoelectron spectroscopy studies of Sio_2/Si interfaces2007

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      Progress in Surface Science 82

      Pages: 3-54

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] High-k gate dielectric films studied by extremely asymmetric x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy2007

    • Author(s)
      Y. Itoh, K. Akimoto, H. Yoshida, T. Emoto, D. Kobayashi, K. Hirose
    • Journal Title

      Journal of Physics : Conference Series Vol. 83

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Valence charges for ultrathin SiO_2 films formed on Si(100)2006

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      J de Physique IV 132

      Pages: 83-83

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] 硬X線光電子分光法によるSiO_2/Si界面の誘電率の評価2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト、平成18年度第2回ナノテクワークショップ

      Pages: 40-44

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
    • Journal Title

      IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology

      Pages: 368-371

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 89

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006

    • Author(s)
      鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学会分科会シリコンテクノロジー No.82-2

      Pages: 55-60

    • NAID

      110004757013

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      IEEE 2006 Int. Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology

      Pages: 368-371

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Valence charges for ultrathin SiO_2 films formed on Si(100).2006

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      J de Physique IV 132

      Pages: 83-86

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Valence Charges for ultrathin SiO2 films formed on Si(100)2006

    • Author(s)
      K.Hirose 他
    • Journal Title

      Journal de Physique IV 1332

      Pages: 83-86

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16340088
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds2006

    • Author(s)
      K.Hirose 他
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 89

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16340088
  • [Journal Article] Valence Charges for ultrathin SiO2 films formed on Si(100)2006

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      Journal de Physique IV 1332

      Pages: 83-86

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16340088
  • [Journal Article] XPSによる薄膜・界面の分析2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      応用物理学会結晶工学分科会第11回結晶工学セミナー

      Pages: 17-24

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constants for Si compounds2006

    • Author(s)
      K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
    • Journal Title

      Applied Physics letters Vol. 89

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constant for Si compounds2006

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 89

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16340088
  • [Journal Article] Valence Charges for ultrathin Si0_2 films formed on Si (100), Valence Charges for ultrathin Si0_2 films formed on Si (100)2006

    • Author(s)
      K.Hirose 他
    • Journal Title

      Journal de Physique IV 1332

      Pages: 83-86

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-16340088
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interfaces2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成18年度第2回ナノテクワークショップ

      Pages: 40-44

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films2006

    • Author(s)
      T. Endo, K. Hirose, K. Shiraishi
    • Journal Title

      Technical Report of IEICE, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)

      Pages: 271-276

    • NAID

      110007519658

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Journal Title

      2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices -Science and Technology-

      Pages: 25-26

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] Valence charges for ultrathin SiO_2 films formed on Si(100)2006

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      J de Physique IV 132

      Pages: 83-86

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
    • Journal Title

      2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device-Science and Technology-

      Pages: 25-26

    • Peer Reviewed
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Journal Article] XPS analysis of carrier trapping phenomena in ultrathin SiO_2 film formed on Si substrate2004

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      Applied Surface Science 234

      Pages: 202-206

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] XPS analysis of carrier trapping phenomena in ultrathin Si0_2 film formed on Si substrate.2004

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 234-1/4

      Pages: 202-206

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] XPS時間依存測定法によるHfAIOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価2004

    • Author(s)
      廣瀬和之 他
    • Journal Title

      シリコンテクノロジー 61-2

      Pages: 48-53

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] XPS時間依存測定法によるHfAIOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価2004

    • Author(s)
      廣瀬和之 他
    • Journal Title

      極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 第9回

      Pages: 271-276

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Application of XPS time-dependent measurement to the analysis of charge trapping phenomena in HfAlOx films2004

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      Applied Surface Science 237

      Pages: 4111-415

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Application of XPS time-dependent measurement method to analysis of charge trapping nhenomena in HfAlOx film.2004

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 237-1/4

      Pages: 411-415

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Application of XPS time-dependent measurement method to analysis of charge trapping phenomena in HfAlOx film2004

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 237・1-4

      Pages: 411-415

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] XPS analysis of carrier trapping phenomena in ultrathin SiO_2 film formed on Si substrate2004

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 234・1-4

      Pages: 202-206

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Analysis of body-tie effects on SEU resistance of advanced FD-SOI SRAMs2004

    • Author(s)
      K.Hirose et al.
    • Journal Title

      IEEE transactions on nuclear science 51

      Pages: 3349-3353

    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Dielectric constant of ultrathin SiO_2 film estimated from Auger parameter.2003

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Physical Review B 67-19

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Characterization of dielectric properties of ultrathin SiO_2 film formed on Si substrate2003

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 216・1-4

      Pages: 351-355

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Characterization of dielectric properties of ultrathin SiO_2 film formed on Si substrate.2003

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Applied Surface Science 216-1/4

      Pages: 351-355

    • Description
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Journal Article] Dielectric constant of ultrathin SiO_2 film estimated from Auger parameter2003

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Journal Title

      Physical Review B 67・19

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-15560025
  • [Presentation] XPS study on film thickness dependence of surface charge-up and resistance of SiO2 films on Si2019

    • Author(s)
      K. Ushimaru, T. Harie, D. Kobayashi, T. Yamamoto, and K. Hirose
    • Organizer
      2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF 2019)
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05068
  • [Presentation] X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interfaces of advanced MOSFETs2018

    • Author(s)
      K. Hirose and D. Kobayashi
    • Organizer
      International Conference on Electronics, Communications and Networks (CECNet 2018)
    • Invited / Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05068
  • [Presentation] 絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマ CVD SiO2 膜に対する XPS による表面帯電評価2018

    • Author(s)
      牛丸晃太, 張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2018 第65回応用物理学会春季学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05068
  • [Presentation] 低照射線量率下のSiO2/Si界面準位生成量に与える膜中Si-H基量の影響2017

    • Author(s)
      東口紳太郞, 牧野高紘, 大島武, 小林大輔, 廣瀬和之
    • Organizer
      2017年 第64回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県 横浜市
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 赤外パルスレーザ照射によるSiO2/Si界面準位形成2017

    • Author(s)
      野村啓太, 井辻宏章, 小林大輔, 廣瀬和之
    • Organizer
      2017 第78回応用物理学会秋期学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05068
  • [Presentation] X線照射によるSiO2表面帯電の自己補償機構の解明に向けた表面電位測定:表面放出電子数を一定に制御した場合2017

    • Author(s)
      張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2017 第78回応用物理学会秋期学術講演会
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-17K05068
  • [Presentation] X線照射によるSiO2表面帯電の自発的補償機構の解明に向けた試料電流測定2017

    • Author(s)
      張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2017年 第64回応用物理学会春期学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県 横浜市
    • Year and Date
      2017-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 宇宙用半導体デバイス~日本に残すべき耐環境性技術~2017

    • Author(s)
      廣瀬和之, 小林大輔
    • Organizer
      電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイスの物理-(第22回研究会)
    • Place of Presentation
      静岡県 三島市
    • Year and Date
      2017-01-20
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 第一原理計算を用いた絶縁破壊電界の推定2016

    • Author(s)
      山口記功, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      第26回日本MRS年次大会
    • Place of Presentation
      神奈川県 横浜市
    • Year and Date
      2016-12-19
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 第一原理計算を用いた SiC 多形における回復率の検討2016

    • Author(s)
      山口 記功, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2016年 第77回応用物理学会秋期学術講演会
    • Place of Presentation
      新潟県 新潟市
    • Year and Date
      2016-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] X 線照射による SiO2 表面帯電の自発的補償機構2016

    • Author(s)
      張江貴大, 津吹優太, 岡田啓太郎, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2016年 第77回応用物理学会秋期学術講演会
    • Place of Presentation
      新潟県 新潟市
    • Year and Date
      2016-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] Evaluation of Dielectric Constant Deduced from Relaxation Energy at SiO2/Si interfaces2015

    • Author(s)
      M. Moriya, Y. Amano, K. Umeda, D. Kobayashi, T. Yamamoto, H. Nohira, and K. Hirose
    • Organizer
      2nd International Symposium on Computational Materials and Biological Sciences
    • Place of Presentation
      名古屋大学
    • Year and Date
      2015-09-01
    • Int'l Joint Research
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] X線光電子分光法におけるチャージアップの帯電補償に関する研究2015

    • Author(s)
      津吹優太、小林大輔、廣瀬和之
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] ゲート絶縁膜の絶縁破壊電界の推定法-X線光電子分光と第一原理計算-2012

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      第36回CUTEセミナー
    • Place of Presentation
      津
    • Year and Date
      2012-02-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2012

    • Author(s)
      渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
    • Place of Presentation
      三島
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いた欠陥を持つSiO_2の絶縁破壊電界の推定2012

    • Author(s)
      関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Organizer
      第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • Place of Presentation
      三島
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] ゲート絶縁膜の絶縁破壊電界の推定法-X線光電子分光と第一原理計算-2012

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      第36回CUTEセミナー
    • Place of Presentation
      三重県、津市(招待講演)
    • Year and Date
      2012-02-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] Estimation of breakdown electric-field strength while reflecting local structures of SiO_2 gate dielectrics using first-principles molecular orbital calculation technique2011

    • Author(s)
      H. Seki, Y. Shibuya, D. Kobayashi, H. Nohira, K. Yasuoka, and K. Hirose
    • Organizer
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Nagoya
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSiO_2の局所構造を反映した絶縁破壊電界の推定2011

    • Author(s)
      関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011

    • Author(s)
      石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • Place of Presentation
      東京
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      渋谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
    • Place of Presentation
      東京都目黒区
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2多形の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      渋谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] XPS time-dependent measurement on the trap density at ultrathin SiO_2/Si interfaces : comparison to(100),(110), and(111) Si orientations2011

    • Author(s)
      K. Hirose
    • Organizer
      13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(13th ICFSI)
    • Place of Presentation
      Praha
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011

    • Author(s)
      石原由梨, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 上野和良, 廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] XPS time-dependent measurement on the trap density at ultrathin SiO_2/Si interfaces : comparison to (100), (110), and (111) Si orientations2011

    • Author(s)
      K.Hirose
    • Organizer
      13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (13th ICFSI)
    • Place of Presentation
      Seville, Spain
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011

    • Author(s)
      関洋, 澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 泰岡顕治, 廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川県厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電解の推定2011

    • Author(s)
      関洋,澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011

    • Author(s)
      関洋,渋谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • Place of Presentation
      東京
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSi化合物の静的誘電率推定2011

    • Author(s)
      澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2011

    • Author(s)
      五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
    • Place of Presentation
      三島市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi(Al)化合物の局所的な絶縁破壊電界の推定法2011

    • Author(s)
      関洋, 渋谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理
    • Place of Presentation
      東京
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価2011

    • Author(s)
      石原由梨,五十嵐智,小林大輔,野平博司,上野和良,廣瀬和之
    • Organizer
      シリコンテクノロジー研究会
    • Place of Presentation
      名古屋市
    • Year and Date
      2011-07-04
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] Estimation technique for optical dielectric constant of polymorphous SiO_2 through first-principles molecular orbital calculation2010

    • Author(s)
      K.Hirose, D.Kobayashi, S.Igarashi, H.Nohira
    • Organizer
      12th International Conference on Modern Materials and Technologies
    • Place of Presentation
      Montecatini Terme, Italy
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2010

    • Author(s)
      五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第15回研究会
    • Place of Presentation
      三島
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010

    • Author(s)
      関洋,澁谷寧浩,野平博司,小林大輔,泰岡顕治,廣瀬和之
    • Organizer
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] Estimation technique f or optical dielectric constant of polym orphous SiO_2 through first-principles mo lecular orbital calculation2010

    • Author(s)
      K. Hirose, D. Kobayashi, S. Igarashi, and H. Nohira
    • Organizer
      12th International Conference on Modern Materials and Technologies
    • Place of Presentation
      Mon tecatini Terme
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] SiO_2/Si界面の誘電率のSi面方位依存性についての考察2010

    • Author(s)
      五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      平塚市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] シリコン技術2010

    • Author(s)
      平本俊郎, 一木隆範, 井谷俊郎, 内田建, 小田中紳二, 金田千穂子, 坂本邦博, 新宮原正三, 高橋庸夫, 辰巳哲也, 廣瀬和之, 三浦喜直, 水野文二, 宮崎誠一, 森伸也
    • Organizer
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      平塚市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理分子軌道計算を用いたSi・Al化合物の絶縁破壊電界の推定2010

    • Author(s)
      関洋, 澁谷寧浩, 野平博司, 小林大輔, 泰岡顕治, 廣瀬和之
    • Organizer
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎県長崎市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010

    • Author(s)
      澁谷寧浩,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 格子分極起因の誘電率推定法についての考察2010

    • Author(s)
      澁谷寧浩, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      2010年秋季第71画応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎県長崎市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] Estimation technique f or optical dielectric constant of Si an d Al compounds2009

    • Author(s)
      K. Hirose, S. Igarashi, D. Kobayashi, and H. Nohira
    • Organizer
      11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
    • Place of Presentation
      Nara
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] Estimation technique for optical dielectric constant of Si and Al compounds2009

    • Author(s)
      廣瀬和之, 五十嵐智, 小林大輔, 野平博司
    • Organizer
      11th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure(ICESS-11)
    • Place of Presentation
      Nara
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009

    • Author(s)
      五十嵐智,小林大輔,野平博司,廣瀬和之
    • Organizer
      2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山市
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2多形間の誘電率の違いについての検討2009

    • Author(s)
      五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
    • Organizer
      第55回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      つくば
    • Year and Date
      2009-03-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 光電子分光法と第一原理計算による誘電率の推定法2009

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • Place of Presentation
      文京区本郷
    • Year and Date
      2009-01-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2009

    • Author(s)
      五十嵐智、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第14回
    • Place of Presentation
      三島
    • Year and Date
      2009-01-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 第一原理計算を用いたSiO_2/Si界面の誘電率推定2009

    • Author(s)
      五十嵐智, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      2009年秋期第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-21360025
  • [Presentation] 光電子分光法と第一原理計算による誘電率の推定法2009

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • Place of Presentation
      本郷
    • Year and Date
      2009-01-09
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      つくば
    • Year and Date
      2008-09-23
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 新しいXPS評価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
    • Place of Presentation
      三島
    • Year and Date
      2008-01-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] X線光電子分光法を用いた誘電率の推定法2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      応用物理学関係連合講演会シンポジウム
    • Place of Presentation
      船橋
    • Year and Date
      2008-03-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Relationship between the dipole moment induced in photoemission process and the optical dielectric constant2008

    • Author(s)
      K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
    • Organizer
      Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Science and Technology
    • Place of Presentation
      Ookayama
    • Year and Date
      2008-11-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Relationship between the dipole moment induced in photo emission process and the optical dielectric constant2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      Dielectric Thin Films for Future ULSI devices : Science and Technology
    • Place of Presentation
      目黒区大岡山
    • Year and Date
      2008-11-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      SiO2 2008
    • Place of Presentation
      Saint-Etienne, France
    • Year and Date
      2008-06-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] X線光電子分光法を用いた誘電率の推定法2008

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Organizer
      応用物理学関係連合講演会(シンポジウム)
    • Place of Presentation
      船橋
    • Year and Date
      2008-03-29
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 新しいXPS評価手法を用いた極薄SiO_2/Si界面の研究2008

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第13回
    • Place of Presentation
      三島
    • Year and Date
      2008-01-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008

    • Author(s)
      K. Hirose, D. Kobayashi, H. Suzuki, S. Igarashi, H. Nohira
    • Organizer
      Solid State Device and Materials
    • Place of Presentation
      Tsukuba
    • Year and Date
      2008-09-23
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 第一原理計算を用いた絶縁膜の誘電率推定2008

    • Author(s)
      五十嵐智、鈴木治彦、小林大輔、野平博司、廣瀬和之
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      春日井市
    • Year and Date
      2008-09-02
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] First-principles calculation of the Slater transition state for estimating optical dielectric constants of Si and Al dielectric compounds2008

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Suzuki, D. Kobayashi, H. Nohira
    • Organizer
      SiO_2 2008
    • Place of Presentation
      Saint-Etienne
    • Year and Date
      2008-06-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 極端に非対称なX線回折法と光電子分光法の併用による絶縁膜-半導体界面の物性評価2007

    • Author(s)
      秋本晃一、廣瀬和之
    • Organizer
      第127回結晶工学分科会研究会
    • Place of Presentation
      目白
    • Year and Date
      2007-07-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of is and 2p levels for dielectric compounds2007

    • Author(s)
      廣瀬 和之
    • Organizer
      13th I-ternational Conrence on Surface Science
    • Place of Presentation
      ストックホルム
    • Year and Date
      2007-07-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Relationship between optical dielectric constant and XPS relative chemical shift of 1s and 2p levels for dielectric compounds2007

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Suzuki, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattroi
    • Organizer
      13^<th> International Conference on Surface Science
    • Place of Presentation
      Stockholm
    • Year and Date
      2007-07-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 放射線によるシリコンエラー2007

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      第68回応用物理学会学術講演会シンポジウム
    • Place of Presentation
      札幌
    • Year and Date
      2007-09-06
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Al酸化物・窒化物における相対ケミカルシフトと誘電率の関係の検証2006

    • Author(s)
      鈴木治彦、松田徹、野平博司、高田恭考、池永英司、小林大輔、小林啓介、服部健雄、廣瀬和之
    • Organizer
      第67回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      草津
    • Year and Date
      2006-08-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 硬X線光電子分光法によるSi_2/Si界面の誘電率の評価2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト、平成18年度第2回ナノテクワークショップ
    • Place of Presentation
      播磨
    • Year and Date
      2006-11-13
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films2006

    • Author(s)
      T. Endo, K. Hirose, K. Shiraishi
    • Organizer
      Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
    • Place of Presentation
      Sendai
    • Year and Date
      2006-07-05
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 宇宙環境における半導体デバイスの課題2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      電子情報通信学会研究会
    • Place of Presentation
      徳島
    • Year and Date
      2006-12-12
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] XPSによる薄膜・界面の分析2006

    • Author(s)
      廣瀬和之
    • Organizer
      応用物理学会結晶工学分科会第11回結晶工学セミナー
    • Place of Presentation
      目白
    • Year and Date
      2006-10-26
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] 極端に非対称なX線解析法とX線光電子分光法による高誘電率絶縁膜の研究2006

    • Author(s)
      伊藤勇希、秋本晃一、吉田広徳、榎本貴志、廣瀬和之、小林大輔、生田目俊秀、鳥海明
    • Organizer
      第67回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      草津
    • Year and Date
      2006-08-30
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties of AlN/Al_2O_3 Films2006

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Suzuki, T. Matsuda, Y. Takenaga, H. Nohira, E. Ikenaga, D. Kobayashi, T. Hattori
    • Organizer
      2006 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device -Science and Technology-
    • Place of Presentation
      Kawasaki
    • Year and Date
      2006-11-08
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] X-ray photoelectron spectroscopy study on dielectric properties at gate insulator film/Si interface2006

    • Author(s)
      K. Hirose, H. Nohira, D. Kobayashi, T. Hattori
    • Organizer
      IEEE 2006 Int. Conf. Solid-State and Integrated Circuit Technology
    • Place of Presentation
      Shanghai
    • Year and Date
      2006-10-25
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定2006

    • Author(s)
      鈴木治彦、長谷川覚、野平博司、服部健雄、山脇師之、鈴木伸子、小林大輔、廣瀬和之
    • Organizer
      応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー研究会
    • Place of Presentation
      広島
    • Year and Date
      2006-06-22
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-18360026
  • [Presentation] XANESから推定したSiO2/Si界面の物性評価

    • Author(s)
      森谷真帆, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーションの適用可能性

    • Author(s)
      小林大輔, 伊藤大智, 廣瀬和之
    • Organizer
      第 62 回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海 大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560435
  • [Presentation] Photoemission and molecular orbital calculation study on atomic structures and physical properties at (SiO2-Si)-interfaces

    • Author(s)
      K. Hirose and D. Kobayashi
    • Organizer
      18th Research Workshop on Nucleation Theory and Applications
    • Place of Presentation
      Joinx Institute for Nuclear Research in Dubna, Russia
    • Year and Date
      2014-04-12 – 2014-04-20
    • Invited
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討

    • Author(s)
      若尾周一郎, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーション

    • Author(s)
      小林大輔, 伊藤大智, 廣瀬和之
    • Organizer
      第 75 回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学札幌 キャンパス(北海道札幌市)
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-24560435
  • [Presentation] SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価

    • Author(s)
      森谷真帆, 天野裕士, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之
    • Organizer
      2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • [Presentation] Zr Lα線源を用いたAESによるSiO2/Si界面構造の評価

    • Author(s)
      天野裕司, 小林大輔, 野平博司, 廣瀬和之
    • Organizer
      2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • Data Source
      KAKENHI-PROJECT-26390072
  • 1.  KOBAYASHI Daisuke (90415894)
    # of Collaborated Projects: 6 results
    # of Collaborated Products: 74 results
  • 2.  NOHIRA Hiroshi (30241110)
    # of Collaborated Projects: 5 results
    # of Collaborated Products: 58 results
  • 3.  HATTORI Takeo (10061516)
    # of Collaborated Projects: 4 results
    # of Collaborated Products: 9 results
  • 4.  FUJIMOTO Ryuichi (20280555)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 5.  MITSUDA Kazuhisa (80183961)
    # of Collaborated Projects: 3 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 6.  WADA Takehiko (50312202)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 7.  KANEDA Hidehiro (30301724)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 8.  SHOJI Shuji (00171017)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 9.  SHIMIZU Hirohiko (50249900)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 10.  MURAKAMI Hiroshi (40135299)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 11.  AKIMOTO Koichi (40262852)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 12.  SAITO Hirobumi (80150051)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 13.  大橋 隆哉 (70183027)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 14.  石田 学 (20249931)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 15.  石崎 欣尚 (10285091)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 16.  山崎 典子 (20254146)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 17.  田島 道夫 (30216965)
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 18.  WATANABE Kentaroh
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results
  • 19.  KORTE Piet De
    # of Collaborated Projects: 1 results
    # of Collaborated Products: 0 results

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