Takeyama Akinori 武山昭憲

Researcher Number	50370424
Other IDs
Affiliation (Current)	2025: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員
Affiliation (based on the past Project Information) *help	2024 – 2025: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2022 – 2023: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2021: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員 2020: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常)
Review Section/Research Field	Principal Investigator Basic Section 31010:Nuclear engineering-related Except Principal Investigator Broad Section C / Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Keywords	Principal Investigator 金属酸化物 / 極限半導体デバイス / 極限環境 / 原子スイッチ / 耐放射線 / 高温 / ガンマ線 Except Principal Investigator 耐放射線 / CMOS集積回路 / ワイドバンドギャップ半導体 … More / 高温 / SiC / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 電子デバイス / 耐放射線デバイス / 高温動作 / シリコンカーバイド半導体 / 極限環境エレクトロニクス Less

原子スイッチによる極限環境用デジタル回路の実現Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  武山昭憲
- Project Period (FY)
  2024 – 2026
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Review Section
  
  Basic Section 31010:Nuclear engineering-related
- Research Institution
  National Institutes for Quantum Science and Technology
Research on SiC Extreme-Envionment Electronics for Exploring Human's New Frontiers
- Principal Investigator
  
  黒木伸一郎
- Project Period (FY)
  2024 – 2028
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- Review Section
  
  Broad Section C
- Research Institution
  Hiroshima University
原子スイッチによる極限半導体デバイスの実現Principal Investigator
- Principal Investigator
  
  武山昭憲
- Project Period (FY)
  2021 – 2024
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Review Section
  
  Basic Section 31010:Nuclear engineering-related
- Research Institution
  National Institutes for Quantum Science and Technology
Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications
- Principal Investigator
  
  Kuroki Shin-Ichiro
- Project Period (FY)
  2020 – 2022
- Research Category
  
  Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- Review Section
  
  Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
- Research Institution
  Hiroshima University

All 2023 2022 2021 2020

All Journal Article Presentation

[Journal Article] Influence of Gate Depletion Layer Width on Radiation Resistance of Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors2023
- Author(s)
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, Takeshi Ohshima
- Journal Title
  
  Quantum Beam Science
  
  Volume: 7巻 Issue: 4 Pages: 31-31
- DOI
  10.3390/qubs7040031
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Journal Article] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023
- Author(s)
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- Journal Title
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  Volume: 44 Issue: 1 Pages: 100-103
- DOI
  10.1109/led.2022.3226494
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Journal Article] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022
- Author(s)
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
- Journal Title
  
  Journal of Applied Physics
  
  Volume: 131 Issue: 24 Pages: 244503-244503
- DOI
  10.1063/5.0095841
- Peer Reviewed
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Journal Article] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022
- Author(s)
  Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- Journal Title
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  Volume: 43 Issue: 10 Pages: 1713-1716
- DOI
  10.1109/led.2022.3200124
- Peer Reviewed / Open Access
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] ガンマ線照射した4H-SiC JFETのしきい値電圧シフトに空乏層電荷が及ぼす影響2023
- Author(s)
  武山昭憲、牧野高紘、田中保宣、黒木伸一郎、大島武
- Organizer
  先進パワー半導体分科会　第10回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023
- Author(s)
  Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Vuong Van Cuong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima
- Organizer
  7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (IEEE EDTM2023)
- Invited / Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- Author(s)
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- Organizer
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- Author(s)
  堤将之, 目黒達也, 武山昭憲, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- Organizer
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022
- Author(s)
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- Organizer
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- Author(s)
  堤将之、目黒達也、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- Organizer
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- Author(s)
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- Organizer
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022
- Author(s)
  武山昭憲, 牧野高紘, 田中保宣, 黒木伸一郎, 大島武
- Organizer
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] Output Characteristics of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Pixel Device for Radiation Hardend CMOS Image Sensors2022
- Author(s)
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- Organizer
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] Operating Characteristics of 4H-SiC 3T/4T- Active Pixel Sensors2022
- Author(s)
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohsima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- Organizer
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性2021
- Author(s)
  黒木伸一郎, 西垣内健汰, 目黒達也, 武山　昭憲, 大島　武, 田中保宣
- Organizer
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- Author(s)
  黒木伸一郎, 目黒達也, 西垣内健汰, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- Organizer
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 19 回研究会　「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- Author(s)
  大島　武, 武山　昭憲, 牧野　高紘, 黒木　伸一郎, 田中　保宣
- Organizer
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2021
- Author(s)
  黒木　伸一郎, 志摩　拓真, 目黒　達也, Vuong Van Cuong, 武山　昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 児島　一聡, 田中　保宣
- Organizer
  電子情報通信学会総合大会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション2021
- Author(s)
  武山　昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 黒木伸一郎 , 田中保宣
- Organizer
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] 耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性2021
- Author(s)
  目黒達也, 堤将之, 武山昭憲, 大島　武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- Organizer
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究2021
- Author(s)
  牧野　高紘, 武山　昭憲, 小野田　忍, 土方泰斗, 大島　武
- Organizer
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- Author(s)
  大島武, 武山昭憲、牧野高紘、黒木伸一郎、田中保宣
- Organizer
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2021
- Author(s)
  Shin-Ichiro Kuroki, Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Takeyama Akinori, Ohshima Takeshi, Yasunori Tanaka
- Organizer
  13th Europian Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020-2021)
- Int'l Joint Research
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- Author(s)
  黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣
- Organizer
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第19回研究会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] シリコンカーバイド（SiC）極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から医療応用まで2021
- Author(s)
  黒木伸一郎, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- Organizer
  文部科学省共同利用・共同研究拠点生体医歯工学共同研究拠点　令和2年度成果報告会
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2021
- Author(s)
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 児島一聡, 田中保宣
- Organizer
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- Invited
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[Presentation] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020
- Author(s)
  武山昭憲，清水奎吾, 牧野高紘, 山崎雄一, 大島武, 黒木伸一郎, 田中保宣
- Organizer
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[Presentation] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素プロセス2020
- Author(s)
  目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- Organizer
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- Data Source
  KAKENHI-PROJECT-20H00252

1. 牧野高紘 (80549668)

# of Collaborated Projects: 3 results

# of Collaborated Products: 10 results
2. Kuroki Shin-Ichiro (70400281)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 18 results
3. 田中保宣 (20357453)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 17 results
4. 児島一聡 (40371041)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 2 results
5. 大島武 (50354949)

# of Collaborated Projects: 2 results

# of Collaborated Products: 17 results
6. 竹内浩造 (00870255)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
7. 坂本敬太 (60867985)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results
8. 坂口将尊 (70626796)

# of Collaborated Projects: 1 results

# of Collaborated Products: 0 results

Takeyama Akinori 武山 昭憲

Research Projects

Research Products

Co-Researchers

原子スイッチによる極限環境用デジタル回路の実現Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Research on SiC Extreme-Envionment Electronics for Exploring Human's New Frontiers

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

原子スイッチによる極限半導体デバイスの実現Principal Investigator

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

Research on Silicon-Carbide IoT Platform for Harsh Environment Applications

Principal Investigator

Project Period (FY)

Research Category

Review Section

Research Institution

[Journal Article] Influence of Gate Depletion Layer Width on Radiation Resistance of Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors2023

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Journal Article] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022

Author(s)

Journal Title

DOI

Data Source

[Presentation] ガンマ線照射した4H-SiC JFETのしきい値電圧シフトに空乏層電荷が及ぼす影響2023

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022

Author(s)

Organizer

Data Source

[Presentation] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022

Author(s)

Organizer

Data Source

Takeyama Akinori 武山昭憲

[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022

[Presentation] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022

[Presentation] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション2021