吉田豊信 YOSHIDA Toyonobu

研究者番号	00111477
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2007年度 – 2012年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 2008年度: 東京大学, 大学院・光学系研究所, 教授 2006年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 1995年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 … もっと見る 2000年度: 東京大学, 大学院・工学研究科, 教授 1989年度 – 1994年度: 東京大学, 工学部, 教授 1988年度: 東京大学, 工学部・金属工学科, 教授 1988年度: 東京大学, 工学部金属工学科, 教授 1987年度: 東京大学, 工学部, 助教授 1986年度: 東大, 工学部, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者材料加工・処理 / 材料加工・処理 / 金属製錬・金属化学 / 無機材料・物性 / 金属生産工学研究代表者以外金属生産工学 / 無機材料・物性 / プラズマ理工学
キーワード	研究代表者その場計測 / プラズマフラッシュ蒸発法 / SOFC / 発光分光分析 / cBN / ハイブリッドプラズマ / 単一溶射粒子 / 酸化物超伝導体 / 低圧ICP / 原子状酸素 … もっと見る / 誘導結合式プラズマ / フリーラジカル / プラズマ / 質量分析 / ダイヤモンド / マイクロ波プラズマジェット / プラズマ加工 / ドーピング / プラズマプロセス / YSZ / 溶射 / AFM / STM / 一貫製造 / 立方晶窒化ホウ素 / Hybridプラズマ / 粒子速度計測 / 高温固体電解質型燃料電池 / BORON NITRIDE NANO ARRAY / RECTIFICATION CHARACTERISTICS / VISCO-ELASTICITY / WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR / N TYPE DOPINGS / HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS / ELECTRONIC PROPERTIES / CUBIC BORON NITRIDE THIN FILMS / 臨界損傷 / イオンインプランテーション / スパッタリング / ブラズマCVD / 半導体特性 / ワイドギャップ / BNナノアレイ / 整流特性 / 粘弾性 / ワイドギャップ半導体 / n型ドーピング / 高温半導体 / 電子物性 / cBN薄膜 / MICRO-TRENCH / ZIRCONIA / VISCOSITY / SIMULATION / DEFORMATION AND SOLIDIFICATION / SUPER COOLING / IN-SITU MEASUREMENT / PLASMA SPRAYING / アルミナ / 界面熱抵抗 / 急速凝固 / 数値解析 / 大過冷急速凝固 / 急速変形 / ミクロトレンチ / ジルコニア / 粘性 / シミュレーション / 変形・凝固 / 過冷 / プラズマ溶射 / 立法晶窒化硼素 / 運動量スケーリング / 低バイアス化 / 水素 / 運動量輸送 / rBN / 高周波スパッタリング / 低圧ICP-CVD / 核生成・成長過程 / イオン衝撃 / 立方晶窒化硼素 / in-situ測定 / 熱プラズマ / 大気圧 / 一貫作成プロセス / イットリア安定化ジルコニア / 高周波プラズマ溶射法 / 色素レーザ / 表面相互作用 / 窒化ボロン / エキシマレーザ / 高周波プラズマ / レーザCVD / プラズマCVD / 収率 / シーメンス / エピタキシー / 単結晶シリコン / クラスター / シーメンス法 / 太陽電池 / エピタキシャル成長 / シリコン / メゾプラズマ / IVP-CVD / sputtering / wide bandgap / turbostratic boron nitride / ナノインデンテーション / 電気伝導度 / ワイドバンドギャップ / 乱層構造sp2結合窒化ホウ素 / doping / wide band gap / UV emission / hexagonal boron nitride / cubic boron nitride / 先端機能デパイス / 材料加工・処理 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 先端機能デバイス / cBN 薄膜 / 高温耐環境デバイス / ナノインデンター / SPM / プラズマ材料プロセシング / 最大電力密度 / La_<0.9>Sr_<0.1>MnO_3 / Ni-YSZサツメット / 大口径誘導プラズマ / 開放端電圧 / Ni-YSZサ-メット / ハイブリッドプラズマ溶射法 / 減圧溶射 / QMS‐IEA / 二色高温計 / OMASS / SOLA-VOF / プロセシング / semi in-situ評価 / メタン-水素系CVD / ナノプロセシング用基板 / 電気特性 / Hybridブラズマ / 双晶 / 高酸素雰囲気 / 成膜温度制御 / 原料供給機 / プラズマ・フラッシュ蒸発法 / ダイヤモンド薄膜 / 大気圧・低真空環境下 / ナノプロセシング / サ-メット / ガスタイト / Ar-O_2 / 薄膜 / 発光分光法 / 高圧高温相 / バイアススパッタリング / 低圧気相合成 / パウダ-フィ-ダ / プラズマ診断 / 高速成膜 / 高Tc酸化物超伝導体 / 高周波熱プラズマ / 結晶成長制御 / ダイヤモンドCVD / 微細加工 / 走査型トンネル顕微鏡 / ナノテクノロジ- / トンネル電子線 / 酸素プラズマ / 多目的チャンバ- / NiO / LaCoO_3 / ZrO_2 / ハイブリッドプラズマ溶射 … もっと見る研究代表者以外 PCB / Equilibrium Calculation / Plasma Processing / Acetylene / Dioxin / 平衡計算 / プラズマプロセッシング / アセチレン / ダイオキシン / Vapor reaction processing / Liquid reaction processing / Solid reaction processing / Functional inorganic materials / 気相合成プロセス / 液相合成プロセス / 固相合成プロセス / 機能無機材料 / 放電素過程 / 高温プラズマ / 気体レーザー / スペースプ / 半導体プロセ / プラズマ生成 / 放電プラズマ隠す

ウエーハ等価薄膜太陽電池の直接製造を可能とするメゾプラズマ次世代シーメンス法開発研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  東京大学
高温耐環境cBN薄膜デバイス創製研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  東京大学
耐熱・耐環境ナノcBN薄膜デバイス創製研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  東京大学
放電プラズマ現象とその応用に関する企画調査
- 研究代表者
  
  河合良信
- 研究期間 (年度)
  2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  プラズマ理工学
- 研究機関
  九州大学
単一溶射粒子の急速変形・大過冷急速凝固過程のその場計測、及び数値解析研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  東京大学
ダイオキシン無発生・アセチレン転化を可能とするPCBのプラズマクラッキング法開発
- 研究代表者
  
  真保良吉
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  武蔵工業大学
プラズマ環境AFMの開発とそのプラズマ材料表面プロセス原子スケール制御への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東京大学
核生成・成長過程独立制御による高品位cBNプラズマ合成研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  材料加工・処理
- 研究機関
  東京大学
誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程のその場計測研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
ハイブリッドプラズマ溶射法による高性能SOFCの要素開発と集積化研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  東京大学
誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程の伝熱モデリングとその場計測研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカル制御研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程の伝熱モデリングとその場計測研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
機能無機材料と創製のプロセスの最適化
- 研究代表者
  
  島田昌彦
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東北大学
Hybridプラズマ溶射法による高温固体電解質型燃料電池の一貫製造プロセス開発研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
大気圧・低真空環境下でのSTMナノプロセシング研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
ハイブリッドプラズマ溶射法による高温固体電解質型燃料電池の一貫製造プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
STMを用いた大気圧・低真空環境下でのナノプロセシング開発研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
プラズマ・フラッシュ蒸発法による高Jc高温酸化物超伝導膜の高速堆積研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
高周波プラズマ溶射法による高温固体電解質型燃料電池の一貫製造プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
STMを用いた原子・分子マニピュレ-タ-の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
マイクロ波プラズマジェットの圧力制御及び特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
熱プラズマ・フラッシュ蒸発法による高Jc高温超伝導酸化物膜の高速堆積研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
CーBN気相合成研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究機関
  東京大学
熱プラズマによる高温固体電解質型燃料電池の一貫製造プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
マイクロ波を用いた高効率反応性熱プラズマ発生及び特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
高周波プラズマ溶射法による高温固体燃料電池の一貫作成プロセス開発研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
マイクロ波同軸変換方式による高効率反応性熱プラズマの発生法及び特性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学
レーザ照射低圧高密度プラズマ環境下での高圧高温相薄膜の堆積過程に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田豊信
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  金属製錬・金属化学
- 研究機関
  東京大学

[図書] "Plasma processing of nano crystalline semiconductive cubic boron nitride thin films" in "New Industrial Plasma Technology" edited by Y. Kawai
- 著者名/発表者名
  K. Nose and T. Yoshida
- 出版者
  Wiley-VCH社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Cavity ring down spectroscopy measurement of H(n=2) density in Mesoplasma for high rate silicon epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S.D.Wu,H.Inoue,M.Kambara,and T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Nanocluster dynamics in fast rate epitaxy under mesoplasma condition2013
- 著者名/発表者名
  L. W. Chen, Y. Shibuta, M. Kambara, and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Chem. Phys. Lett.
  
  巻: 564 ページ: 47-53
- DOI
  10.1016/j.cplett.2013.02.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017, KAKENHI-PROJECT-23656143
[雑誌論文] Super high-Rate Epitaxial Silicon Thick Film Deposition from Trichlorosilane by Mesoplasma Chemical Vapor Deposition2013
- 著者名/発表者名
  S.D.Wu,M.Kambara,T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Plasma Chem Plasma Process
  
  巻: 33 ページ: 433-451
- URL
  http://dx.doi.org/10.1007/s11090-013-9439-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Nanocluster dynamics in fast rate epitaxy under mesoplasma condition2013
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen,Y.Shibuta,M.Kambara,and T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Chem.Phys.Lett.
  
  巻: 564 ページ: 47-53
- URL
  http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2013.02.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Molecular dynamics simulation of Si nanoclusters in hihg rate and low temperature epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  L. W. Chen, Y. Shibuta, M. Kambara, and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 111 号: 12 ページ: 123301-6
- DOI
  10.1063/1.4729057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017, KAKENHI-PROJECT-23656143
[雑誌論文] Molecular dynamics simulation of Si nanoclusters in high rate and low temperature epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen,Y.Shibuta,M.Kambara,and T.Yoshida
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys.
  
  巻: 111 ページ: 123301-123306
- URL
  http://dx.doi.org/10.1063/1.4729057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma chemical vapor deposition2011
- 著者名/発表者名
  J.Fukuda,M.Kambara,and T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 6759-6762
- URL
  http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.216
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Effects of magnesium doping on growth and electric conductivity of nanocrystalline cubic boron niteride thin films, J. Phys.2009
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Nose, M. Kambara, T. Yoshida
- 雑誌名
  
  D-Applied physics 42[5]
  
  ページ: 555304-555304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Evolution of Surface Morphology With Hydrogen Dilution During Silicon Epitaxy by Mesoplasma CVD2009
- 著者名/発表者名
  J.M.A.Diaz, M.Kambara, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE 37
  
  ページ: 1723-1729
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Effects of magnesium doping on growth and electric conductivity of nanocrystalline cubiv boron niteride thin films2009
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Nose, M. Kanbara, T. Yoshida
- 雑誌名
  
  J. Phys.D-Applied physics 42[5]
  
  ページ: 55304-55304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Evolution of surface morphology with hydrogen dilution during silicon epitaxy by mesoplasma CVD2009
- 著者名/発表者名
  J.M.A.Diaz,M.Kambara,and T.Yoshida
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Plasma Science
  
  巻: 37 号: 9 ページ: 1723-1729
- DOI
  10.1109/tps.2009.2024780
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[雑誌論文] Direct nucleation of cubic boron nitride on silicon substrate2007
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  DIAMOND ＆ RELATED MATERIALS 16
  
  ページ: 642-644
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Effects of Si impurity on the nucleation and growth of cubic boron nitride thin films2007
- 著者名/発表者名
  H. Oba , K. Nose and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Surf. Coat. Technol 201
  
  ページ: 5502-5502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Direct nucleation of cubic boron nitride on silicon substrate2007
- 著者名/発表者名
  H.S. Yang, C. Iwamoto, T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Diamond Related Mater 16[3]
  
  ページ: 642-642
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Semiconducting properties of zinc-doped cubic boron nitridethin films2007
- 著者名/発表者名
  K. Nose and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 102
  
  ページ: 63711-63711
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Semiconducting properties of zinc-doped cubic boron nitride thin films2007
- 著者名/発表者名
  K. Nose, T. Yoshida
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Effects of Sl impurity on the nucleation and growth of cubic boron nitride thin films2007
- 著者名/発表者名
  H.Oba, K.Nose, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  SUFRACE ＆ COATING TECUNOLOGY 201
  
  ページ: 5502-5505
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] T. YoshidaElectric conductivity of boron nitride thin films enhanced by in situ doping of zinc2006
- 著者名/発表者名
  K. Nose, H. Oba, T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 89[11]
  
  ページ: 112124-112124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Effects of Si impurity on the nucleation and growth of cubic boron nitride thin films2006
- 著者名/発表者名
  Oba, H, Nose, K, Yoshida, T, et al.
- 雑誌名
  
  SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY in press
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Electric conductivity of boron nitride thin films enhanced by in situ doping of zinc2006
- 著者名/発表者名
  K.Nose, H.Oba, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS 89
  
  ページ: 112124-112124
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin film2005
- 著者名/発表者名
  H. Yang, C. Iwamoto, and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 483(1-2)
  
  ページ: 218-221
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin2005
- 著者名/発表者名
  Yang, H, Iwamoto, C, Yoshida, T
- 雑誌名
  
  THIN SOLID FILMS 483・1-2
  
  ページ: 218-221
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Peculiar deformation characteristics of turbostratic boron nitride thin films2005
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Electrical characterization of p-type cubic boron nitride/n-type silicon heterojunction diodes2005
- 著者名/発表者名
  Nose, K, Yang, HS, Yoshida, T
- 雑誌名
  
  DIAMOND AND RELATED MATERIALS 14・8
  
  ページ: 1297-1301
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Defect-induced electronic conduction of tBN2005
- 著者名/発表者名
  K. Nose, HS. Yang, H. Oba, and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  thin films, Diamond Related Mater. 14[11-12]
  
  ページ: 1960-1963
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Mechanical properties of boron nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition2005
- 著者名/発表者名
  H.S. Yang and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Surf. Coat. Technol 200[1-4]
  
  ページ: 984-987
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Electrical characterization of p-type cubic boron nitride / n-type silicon heterojunction diodes2005
- 著者名/発表者名
  K.Nose, H.S.Yang, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Mechanical properties of boron nitride films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition2005
- 著者名/発表者名
  Yang, HS, Yoshida, T
- 雑誌名
  
  SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 200・1-4
  
  ページ: 984-987
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] Electrical characterization of p-type cubic boron nitride/n-type silicon heterojunction diodes2005
- 著者名/発表者名
  K. Nose, HS. Yang, and T. Yoshida
- 雑誌名
  
  Diamond Related Mater 14[8]
  
  ページ: 1297-1301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[雑誌論文] High-resolution transmission electron microscopy of as-deposited boron nitride on the edge of ultrathin Si flake2004
- 著者名/発表者名
  H.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 95(5)
  
  ページ: 2337-2341
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Rectification properties of layered boron nitride films on silicon2003
- 著者名/発表者名
  K.Nose, K.Tachibana, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83(5)
  
  ページ: 943-945
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Dynamic and atomistic deformation of sp^2-bonded boron nitride nanoarrays2003
- 著者名/発表者名
  C.Iwamoto, H.S.Yang, S.Watanabe, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 83(21)
  
  ページ: 4402-4404
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Interface engineering of cBN films deposited on silicon substrates2003
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 94(2)
  
  ページ: 1248-1251
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Mass spectrometric syudy of low-pressure inductively coupled plasma for chemical vapor deposition of cubic boron nitride films2003
- 著者名/発表者名
  H.Yang, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Science and Technology of Advanced Materials 4
  
  ページ: 613-616
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Mass spectrometric study of low-pressure inductively coupled plasma for chemical vapor deposition of cubic boron nitride films2003
- 著者名/発表者名
  H.Yang, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Science and Technology of Advanced Materials 4
  
  ページ: 613-616
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Interface engineering of cBN films deposited on silicon substrates2003
- 著者名/発表者名
  H.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 94(2)
  
  ページ: 1248-1251
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Nanostructures of the turbostratic BN transition layer in cubic BN thin films deposited by low-pressure inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition2002
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 91(10), Part 1
  
  ページ: 6695-6699
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] High-quality cBN thin films prepared by plasma chemical vapor deposition with time-dependent biasing technique2002
- 著者名/発表者名
  H.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 407
  
  ページ: 67-71
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] High-quality cBN thin films prepared by plasma chemical vapor deposition with time-dependent biasing technique2002
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 407
  
  ページ: 67-71
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Direct growth of c-BN on a mono-structured transition layer by plasma-enhanced chemical vapor deposition2002
- 著者名/発表者名
  C.Iwamoto, H.S.Yang, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials 11
  
  ページ: 1854-1857
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Ion implantation effects on the structure and nanomechanical properties of vapor deposited cubic boron nitride films2002
- 著者名/発表者名
  Y.Yamada-Takamura, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B 20(3)
  
  ページ: 936-939
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Ion implantation effects on the structure and nanomechanical properties of vapor deposited cubic boron nitride films2002
- 著者名/発表者名
  Y.Yamada-Takemura, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B 20(3)
  
  ページ: 936-939
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Nanostructures of the turbostratic BN transition layer by plasma-enhanced chemical vapor deposition2002
- 著者名/発表者名
  H.S.Yang, C.Iwamoto, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 91(10)
  
  ページ: 6695-6699
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Molecular dynamics study of the role of ion bombardment in cubic boron nitride thin film deposition2001
- 著者名/発表者名
  H.Koga, Y.Nakamura, S.Watanabe, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Surface and Coating Technology 142-144
  
  ページ: 911-915
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Dynamic and atomistic deformation of sp2-bonded boron nitride nanoarrays2001
- 著者名/発表者名
  H.Koga, Y.Nakamura, S.Watanabe, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Science and Technology of Advanced Materials 2
  
  ページ: 349-356
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Molecular dynamics study of deposition mechanism of cubic boron nitride2001
- 著者名/発表者名
  H.Koga, Y.Nakamura, S.Watanabe, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  Science and Technology of Advanced Materials 2
  
  ページ: 349-356
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355028
[雑誌論文] Fabrication of Ni-YSZ Cermet Electrode for SOFC by Hybrid Plasma Splaying and Its Electrical Characterization1999
- 著者名/発表者名
  R.Shimpo, Y.Uehara, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  International Union of Pure and Applied Chemistry, SPC 14, Praha, Czerch
  
  ページ: 2115-2120
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11450284
[雑誌論文] Fabrication of Ni-YSZ Cermet Electrode for SOFC by Hybrid Plasma Splaying and Its Electrical Characterization1999
- 著者名/発表者名
  R.Shimpo, Y.Uehara, T.Yoshida
- 雑誌名
  
  International Union of Pure and Applied Chemistry (Praha, Czerch) SPC 14
  
  ページ: 2115-2120
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11450284
[産業財産権] 熱プラズマ CVD によるシリコン薄膜の堆積方法及びその装置2011
- 発明者名
  吉田豊信他 3 名
- 産業財産権番号
  2000-238074
- 出願年月日
  2011-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Lateral epitaxial overgrowth of silicon on SiO2 patterned substrate by mesoplasma chemical vapor deposition2013
- 著者名/発表者名
  Y. Imamura, L.W. Chen, M. Kambara, T. Yoshida
- 学会等名
  IC-Plants 2013
- 発表場所
  Gifu,Gero Synergy Center
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Nano-cluster assisted high rate and high yield Si epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  M. Kambara, L.W.Chen, S.D. Wu, T. Yoshida, (Invited)
- 学会等名
  Asia Core program UT-UT-SNU symposium
- 発表場所
  Tokyo,TOKYO DOME HOTEL
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Enhanced materials yield of epitaxial Si film deposition from SiHCl3 by H2 in mesoplasma CVD2013
- 著者名/発表者名
  S.D. Wu, M. Kambara, T. Yoshida
- 学会等名
  日本金属学会春季大会
- 発表場所
  東京・東京理科大学神楽坂キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] メゾプラズマによるウエハ等価エピタキシャル厚膜高速成長2012
- 著者名/発表者名
  神原淳、吉田豊信
- 学会等名
  第62回マテリアルズテーラリング研究会 (招待講演)
- 発表場所
  軽井沢・（財）加藤科学振興会軽井沢研修所
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] ナノクラスター支援メゾプラズマCVDによるパターン基板上高速単結晶Si厚膜堆積技術2012
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  応用物理学会春期大会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovation of plasma spray technology2012
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  12th European Plasma Conference, High-tech plasma processes 12 (Plenary lecture)
- 発表場所
  Bologna, Italy
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Improved material efficiency in the Si deposition from SiHCl3 under me soplasma condition2012
- 著者名/発表者名
  M.Kambara, S.D.Wu, T.Yoshida
- 学会等名
  TMS 2012
- 発表場所
  Orland, USA
- 年月日
  2012-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovation of plasma spray technology2012
- 著者名/発表者名
  T.Yoshida
- 学会等名
  <12>^ European Plasma Conference, HTPP-12 (Plenary lecture)
- 発表場所
  Bologna,Italy.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Super High Rate Deposition of Epitaxial Si Films from TCS by Mesoplasma CVD2012
- 著者名/発表者名
  S.D.Wu, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  金属学会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2012-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Nano-cluster assisted high rate and high yield silicon epitaxy by mesoplasma CVD2012
- 著者名/発表者名
  M. Kambara, L.W.Chen, S.D. Wu, T. Yoshida
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) (Invited)
- 発表場所
  Orlando, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] メゾプラズマCVDによるエピタキシャル成長の高速･高収率化2012
- 著者名/発表者名
  神原淳、Wu Sudong、陳豊文、吉田豊信
- 学会等名
  応用物理学会　秋季大会
- 発表場所
  愛媛・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Nanocluster dynamic simulation during high rate epitaxial deposition under mesoplasma condition2012
- 著者名/発表者名
  L. W. Chen, Y. Shibuta, M. Kambara, and T. Yoshida
- 学会等名
  11th APCPST&25th SPSM
- 発表場所
  Kyoto,Kyoto University ROHM plaza
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Mesoplasma CVD for fast rate and high yield Si Epitaxy (Plenary lecture)2012
- 著者名/発表者名
  M.Kambara,L.W.Chen,S.D.Wu,T.Yoshida
- 学会等名
  IUMRS-ECEM 2012
- 発表場所
  Yokohama.
- 年月日
  2012-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Mesoplasma CVD for fast rate and high yield Si Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  M. Kambara, L.W.Chen, S.D. Wu, T. Yoshida
- 学会等名
  IUMRS-ECEM 2012 (Plenary lecture)
- 発表場所
  Yokohama,PACIFICO YOKOHAMA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Molecular Dynamics Simulation of Si Nano-Clusters in Mesoplasma High Rate And Low Temperature Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2011-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] High rate and high yield epitaxial silicon deposition from SiHCl3 under mesoplasma condition2011
- 著者名/発表者名
  S.D.Wu, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  ISPC-20
- 発表場所
  Philadelphia, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Molecular Dynamics Study of Nanoclusters' Role in Mesoplasma Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  IUMRS 2011
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Cluster assisted mesoplasma CVD for high rate and high yield silicon epitaxy (invited)2011
- 著者名/発表者名
  M.Kambara,L.W.Chen,S.D.Wu,T.Yoshida
- 学会等名
  Thermec 2011
- 発表場所
  Quebec,Canada.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Mesoplasma processing for ultrahigh rate and high yield deposition of epitaxial Si thick film from SiHCl_32011
- 著者名/発表者名
  S.D.Wu, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  PE 25^<th>(プラズマエレクトロニクス)
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma themical vapor deposition2010
- 著者名/発表者名
  J.Fukuda, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  APCPST2010 (Asia-pacific conference on Plasma Science Technology)
- 発表場所
  Busan (Korea)
- 年月日
  2010-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovation of Plasma Spray Technology (Plenary)2010
- 著者名/発表者名
  T.Yoshida
- 学会等名
  3^ PLACIA&PLAM
- 発表場所
  Nagoya.
- 年月日
  2010-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] High rate and high yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology2010
- 著者名/発表者名
  M.Kambara, J.Fukuda , S.Wu, L.W.Chen, T.Yoshida
- 学会等名
  GEC-ICRP2010 (Gaseous Electronics Conference)
- 発表場所
  Paris (France)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Molecular dynamics simulation of Si nanoclusters in mesoplasma epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  L.W.Chen, Y.Shibuta, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  第7回金属学会ヤングメタラジスト研究交流会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovative Plasma Spray Technology for advanced coatings2010
- 著者名/発表者名
  T.Yoshida
- 学会等名
  35^<th> ICACC (International conference and exposition on advanced ceramics and composites)
- 発表場所
  Daytona Beach (USA)(Invited)
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovation of Plasma Spray Technology (Plenary)2010
- 著者名/発表者名
  T.Yoshida
- 学会等名
  3^<rd> PLACIA & PLAM (Int.Symp.of Plasma Center for Industrial Appl., Plasma Appl Monodzukuri)
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2010-11-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Innovative Plasma Spray Technology for advanced coatings (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  T.Yoshida
- 学会等名
  <35>^ ICACC (Int.Conf.Adv. Ceram.Compo.)
- 発表場所
  Daytona Beach,USA.
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] High yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology2010
- 著者名/発表者名
  M.Kambara , T.Yoshida
- 学会等名
  SCSI (Silicon for the Chemical and Solar Industry
- 発表場所
  Alesund (Norway)
- 年月日
  2010-06-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] High yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology (oral)2010
- 著者名/発表者名
  M.Kambara and T.Yoshida
- 学会等名
  SCSI (Silicon for Chem.Solar Ind.)
- 発表場所
  Alesund, Norway.
- 年月日
  2010-06-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] A NEW ROUTE FOR HIGH RATE AND LOW TEMPERATURE EPITAXY BY CLUSTER ASSISTED MESOPLASMA CVD(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  M.Kambara, J.M.A.Diaz, T.Yoshida
- 学会等名
  Thermec 2009
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2009-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Effect of substrate transfer on silicon epitaxy during mesoplasma CVD2009
- 著者名/発表者名
  K.Iwamoto, M.Yoshioka, J.M.A.Diaz, M.Kambara, T.Yoshida
- 学会等名
  International conference on plasma surface engineering(AEPSE2009)
- 発表場所
  Busan, KOREA
- 年月日
  2009-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Feasibility study of mesoplasma CVD for direct production of high pure Si thin films from trichlorosilane2009
- 著者名/発表者名
  M.Kambara, J.Fukuda, T.Yamamoto, T.Yoshida
- 学会等名
  Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] A new route for high rate and low temperature epitaxy by cluster assisted mesoplasma CVD (Invited)2009
- 著者名/発表者名
  M.Kambara,J.M.A.Diaz,T.Yoshida
- 学会等名
  Thermec
- 発表場所
  Berlin,Germany.
- 年月日
  2009-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21226017
[学会発表] Some issues of the plasma processing and characterization of nanocrystalline BN thin film(inbited)2008
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  HTPP-10
- 発表場所
  Patras Greece
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Some issues of the plasma2008
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  processing and characterization of nanocrystalline BN thin film, HTPP-10
- 発表場所
  Patras, Greece,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] ICP-CVD法によるhBN薄膜堆積における結晶構造制御応物学会/春季2008
- 著者名/発表者名
  十倉祐紀、神原淳、吉田豊信
- 学会等名
  27a-S-4
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Plasma processing of nano-crystalline seniconductive cBN thin filns (invited)2008
- 著者名/発表者名
  T Yoshida
- 学会等名
  3^rd Int.School of Advanced Plasma Tech
- 発表場所
  Varenna, Itaky
- 年月日
  2008-07-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Plasma processing of nano-crystalline semiconductive cBN thin films2008
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  3^<rd> Int. School of Advanced Plasma Tech
- 発表場所
  Varenna, Italy
- 年月日
  2008-07-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Some issues on the plasma sutface engineering for the last 20 years2007
- 著者名/発表者名
  T, Yoshida
- 学会等名
  lntemational workshop on adv.thin films and surface tech.
- 発表場所
  Shawwan
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] ZnドープcBN薄膜の電気伝導性に与えるB/N組成比の影響2007
- 著者名/発表者名
  野瀬健二, 吉田豊信
- 学会等名
  第54回応用物理学会, I-498,27-p-M-12
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Processing and Characterization of nano-crystalline cBN films2007
- 著者名/発表者名
  T, Yoshida
- 学会等名
  Doyama Sympo.
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] X-Ray Diffraction Study Of Cubic-and Hexagonal-Boron-Nitride Thin Films Grown byInductively-Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition2007
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, S. Hirano, K. lnaba, K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  18thInt.Symp.on Plasma Chem.
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2007-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Processing and Characterization of nano-crystalline cBN films2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  Doyama Symposium,
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-02-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Toward a new era of plasma surface engineering2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  AEPSE 2007
- 発表場所
  Nagasaki
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] 位相制御RFバイアススパッタリングによる立方晶窒化ホウ素薄膜の堆積と電気伝導性制御2007
- 著者名/発表者名
  野瀬健二, 吉田豊信
- 学会等名
  ニューダイヤモンドフォーラム
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2007-06-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] X-Ray DiffractionStudy of Cubic- andHexagonal-Boron-Nitride Thin FilmsGrown by Inductively-Coupled PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition2007
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura, S. Hirano, K. Inaba, K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  18^<th> Int. Symposium on Plasma Chem.
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2007-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Processing and Characterization of nano-crystalline cBN films2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  台湾薄膜科学技術会議2007年会
- 発表場所
  Taipei, Dec
- 年月日
  2007-12-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Semiconductingcubic boron nitride thin films preparedby in-situ sputter-doping,2007
- 著者名/発表者名
  K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  18^<th> Int. Symposium on Plasma Chem
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2007-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Semiconducting cubic boron nitride thin films prepared by in-situ sputter-doping2007
- 著者名/発表者名
  K, Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  18th lnt.Symp.on Plasma Chem.
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2007-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Some issues on the plasma surface engineering for the last 20 years2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  International workshop on adv. thin films and surface tech
- 発表場所
  Shawwan
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Processing and Characterization of nano-crystalline cBN films2007
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  台湾薄膜科学技術会議2007年会
- 発表場所
  Taipei
- 年月日
  2007-12-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] 時間依存バイアス法によるcBN核生成制御2006
- 著者名/発表者名
  野瀬健二, 吉田豊信
- 学会等名
  応物学会/春季,22p-zp-13
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2006-03-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Vapor phase deposition of cBN thin films,Vapor phase deposition of cBN thin films2006
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  Iketani-Conference
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Preparation of High Conductive Cubic Boron Nitride Thin Films by in-situ Zinc Doping2006
- 著者名/発表者名
  K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  Materials Research Society Fall meeting
- 年月日
  2006-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] ICP-CVD法によるcBN核生成・成長に及ぼす動的ガス組成費の影響2006
- 著者名/発表者名
  野瀬健二, 十倉祐紀, 中村圭輔, 吉田豊信
- 学会等名
  応物学会/秋季29p-X-9
- 発表場所
  滋賀
- 年月日
  2006-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Boron ion implantation for direct cBN nucleation on Si2005
- 著者名/発表者名
  K. Nakamura and T. Yoshida
- 学会等名
  The 5^<th> Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, WeP509
- 発表場所
  China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Effects of Si impurity on the growth and nucleation of cubic boron nitride thinm films2005
- 著者名/発表者名
  H. Oba, K. Nose and T. Yoshida
- 学会等名
  The 5th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, ThP509
- 発表場所
  China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Gallium Nitride in Court, Boron Nitride in Lab2005
- 著者名/発表者名
  K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  Tinsghua University- University of Tokyo Student Forum 2005
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2005-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] スパッタおよびCVDによるcBN薄膜堆積と電気伝導特性評価2005
- 著者名/発表者名
  野瀬健二, 吉田豊信
- 学会等名
  応物学会/秋季シンポジウム講演
- 発表場所
  徳島(No9132, 8p-N-8)
- 年月日
  2005-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Non- ohmic conduction up to 770 K in BN thin films deposited by phase- regulated RF bias sputtering in an ultra- high vacuum ambient2005
- 著者名/発表者名
  K. Nose, H. Oba, T. Yoshida
- 学会等名
  The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology, 16-2
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2005-04-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Zinc-doped nano-crystalline boron nitride thin films with semiconducting properties2005
- 著者名/発表者名
  K. Nose, H. Oba, T. Yoshida
- 学会等名
  The 3rd International symposium on Frontier of Nanochemistry and Nanomaterials
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2005-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] cBN films2005
- 著者名/発表者名
  T. Yoshida
- 学会等名
  UT Forum
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Electronic conduction in as-deposited nano-crystalline boron nitride thin films2004
- 著者名/発表者名
  K. Nose, H. Oba and T. Yoshida
- 学会等名
  International conference of new diamond science and technology ICNDST-9
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2004-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] The fabrication of n-type cBN thin films with sputter-doping of Si2004
- 著者名/発表者名
  H. Oba, K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  The 7th Asian-Pacific conference on Plasma Science Technology, 30P-9
- 発表場所
  Fukuoka
- 年月日
  2004-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009
[学会発表] Plasma Surface Engineering2004
- 著者名/発表者名
  Zarzar Matsushita, K. Nose, T. Yoshida
- 学会等名
  Garmisch
- 発表場所
  Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106009

1. 寺嶋和夫 (30176911)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 真保良吉 (40154398)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
3. 幾原雄一 (70192474)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 神原淳 (80359661)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 35件
6. 田中康規 (90303263)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 澁田靖 (90401124)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
8. 島田昌彦 (80029701)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 金丸文一 (40029848)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 曽我直弘 (80026179)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 児島弘直 (90020346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 若槻雅男 (50114153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 山本剛久 (20220478)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 作田忠裕 (80135318)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 河合良信 (10038565)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 佐藤徳芳 (40005252)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 酒井洋輔 (20002199)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 橘邦英 (40027925)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 後藤俊夫 (50023255)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 山本良一 (10107550)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 明石和夫 (00013095)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 津田統 (10242041)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 納富啓

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 岩田友夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

吉田 豊信 YOSHIDA Toyonobu

研究課題

研究成果

共同研究者

ウエーハ等価薄膜太陽電池の直接製造を可能とするメゾプラズマ次世代シーメンス法開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高温耐環境cBN薄膜デバイス創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

耐熱・耐環境ナノcBN薄膜デバイス創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

放電プラズマ現象とその応用に関する企画調査

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一溶射粒子の急速変形・大過冷急速凝固過程のその場計測、及び数値解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ダイオキシン無発生・アセチレン転化を可能とするPCBのプラズマクラッキング法開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

プラズマ環境AFMの開発とそのプラズマ材料表面プロセス原子スケール制御への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

核生成・成長過程独立制御による高品位cBNプラズマ合成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程のその場計測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

ハイブリッドプラズマ溶射法による高性能SOFCの要素開発と集積化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

単一溶射粒子の変形・急冷凝固過程の伝熱モデリングとその場計測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカル制御研究代表者

研究代表者

吉田豊信 YOSHIDA Toyonobu