川崎宏治 KAWASAKI Koji

研究者番号	10234056
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2007年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教 2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手 2004年度: 東京工業大学, 助手 1993年度 – 2003年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 2001年度: 大阪大学, 理学部, 助手 … もっと見る 2000年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学, 助手 2000年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・(文部科学教官)助手 1999年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究所, 助手 1994年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手 1993年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究所, 助手 1992年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助手 1992年度: 東京工業大学, 総理工, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 表面界面物性 / 応用物理学一般 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系 / 表面界面物性 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者 MBE / GaN / 量子ドット / 選択成長法 / 単一電子トランジスタ / 窒化物 / AlGaN / 自然形成 / Ga液滴 / CaF_2 … もっと見る / その場観察 / 表面改質 / 電子ビーム / CARBONNANOTUBE / NITRIDE SEMICONDUCTOR / INFRARED CONTROL / SPIN / SINGLE-ELECTRON / QUANTUM DOTS / AlN / 赤外光 / 電子スピン / クーロンブロッケード / 単一電子スピン / 半導体量子ドット / カーボンナノチューブ / 窒化物半導体 / 赤外制御 / スピン / 単一電子 / resonant tunneling / Coulomb diamond / single-electron transistor / vertical coupled quantum dots / selective area growth / quantum pillar / nitride / アンモニア / 負性微分抵抗 / 共鳴トンネルダイオード / ナノ構造 / 量子相関素子 / 結合量子ドット / 共鳴トンネル / クーロンダイヤモンド / AIGaN / 垂直型結合量子ドット / 選択成長 / 量子ピラー / 超格子 / 深紫外 / 縱型発光素子 / 位置制御 / 液滴エピタキシー / 分子線エピタキシー / 窒化ガリウム / 表面エネルギー / 量子サイズ効果 / フォトルミネセンス / 三次元量子ドット / 光デバイス / 自然形成法 / GaAs / P / F脱離 / 電子線照射 / 表面光吸収分光法 / 光の干渉効果 / その場制御 / 原子オーダー / 弗素原子 / 表面光吸収法 / 弗化物 … もっと見る研究代表者以外 CaF_2 / 弗化物 / 電子ビーム / 自然形成 / 表面改質 / MOCVD / 位置制御 / 量子ドット / フッ化物 / ヘテロエピタキシー / p型 / AlGaN / ワイドバンドギャップ / CdF_2 / GaAs / ZnSe / 単電子 / ガリウム / 無機レジスト / シリコン / 双晶 / ローテーショナル・ツイン / temperature modulation technique / boron oxide material / flax crystal growth technique / anti-surfactant method / hetero nonlinear photonic crystal / vertical type Deep UV LED / two light beam in-situ monitoring system / deep UV LED / LED / ドーピング / Al N / ナノテクノロジー / 半導体発光デバイス / 深紫外 / 低転位化 / レーザーリフトオフ / 低転移化 / 縦型LED / 結晶成長 / 深紫外線 / Al GaN / p型ZnO / フラックス法 / 高効率深紫外波長変換 / 非線型フォトニック結晶 / 量子ドットAlInGaN / 表面核生成機構 / 良質AlGaN / 縦型深紫外LED / 温度変調結晶成長法 / ボロン酸化物 / フラックス結晶成長法 / アンチサーファクタント / ヘテロ非線形フォトニック結晶 / 縦型深紫外発光素子 / 2光束その場観測システム / 深紫外半導体発光素子 / Hall-effect measurement / Co-doping / Mg-doping / Alternating supply method / Wide bandgap / Deep UV-LED / パルス供給法 / ホール濃度 / サファイヤ / GaN / 不純物対 / 第一原理計算 / MBE / 窒化物半導体 / 高濃度P型 / 交互供給コドーピング / 紫外半導体レーザ / 紫外LED / III族窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / 交互供給成長法 / 貫通転位密度 / コドーピング / Mgドーピング / 交互供給法 / MOCVD法 / 深紫外LED / multiwall nanotube / Coulomb blockade / tunnelingphenomena / conduction / nanotuber / carbon / 化学修飾 / パルス光励起 / 吸収スペクトル / 金属電極 / スピン / カーボンナノチューブ / 多層ナノチューブ / クーロンブロッケイド / トンネル現象 / 電気伝導 / ナノチューブ / カーボン / integration / quantum devices / resonant tunneling / Fluoride / 超薄膜 / 集積化 / 量子効果デバイス / 共鳴トンネル / Micromanipulation Technogoly / Spatial Phase Control Regions / Spontaneous Emission Life Time / Spontaneous Emission Control / Photonic Crystals / 選択結晶成長 / リングレーザー / 無しきい値レーザー / マイクロマニピュレーション法 / マイクロマニピュレイション法 / 位相制御領域 / 自然放出寿命 / 自然放出光制御 / フォトニック結晶 / interface control / heteroepitaxy / ionicity / エピタキシャル成長 / 半導体 / ヘテロ界面 / SrF_2 / IV-V族化合物 / II-VI族化合物 / 分子線エピタキシ- / イオン性度制御層 / 界面制御 / ヘテロエピタキシ- / イオン性度 / トンネル接合 / 金属ドットアレイ / 多重トンネル接合 / クーロンブロッケード / 金属ドット / 微細加工 / 量子構造 / 自己組織的形成 / X線CTR法 / 二段階成長 / 界面 / 電子線 / ブル-スタ-角 / P偏光 / P(リン) / その場観察 / 表面光吸収法隠す

AlGaN系縦型高効率深紫外発光デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2007
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  立命館大学
   東京工業大学
窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治, 青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  東京工業大学
交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用
- 研究代表者
  
  平山秀樹, 青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人理化学研究所
   東京工業大学
窒化物量子ピラー選択成長による垂直型結合量子ドット作製に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
カーボンナノチューブにおけるスピン伝導の制御
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
   理化学研究所
表面エネルギー変調による高均一サイズ窒化ガリウム量子ドットの自然形成研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  東京工業大学
位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(B)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
   理化学研究所
エピタキシャル弗化物ヘテロ構造による集積化量子効果素子の研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
弗化物中の埋込ガリウムヒ素三次元量子ドット構造の物性と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
エピタキシャル沸化物による超微細加工技術の研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
光の干渉効果を用いた表面光吸収分光法による表面改質エピタキシ-のその場観察研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
弗化物上InP電子ビーム表面改質エピタキシ-のその場制御研究代表者
- 研究代表者
  
  川崎宏治
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
イオン性度制御層によるイオン性結晶と共有結合性結晶の界面制御エピタキシ-の研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明
- 研究代表者
  
  古川静二郎, 筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
- 研究代表者
  
  古川静二郎
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2007 2006 2005 2002

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K.Kawasaki, Y.Kumagai, A.Koukits, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth, 298
  
  ページ: 336-336
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Vertical AIGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting 322nm fabricated by the laser lift-off technique2007
- 著者名/発表者名
  K. Kawasaki, Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 261114-261116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032004
[雑誌論文] Vertical AlGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting at 322 nm fabricated by the laser lift-off technique2006
- 著者名/発表者名
  K.Kawasaki, C.Koike, Y.Aoyagi, M.Takeuchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89・25
  
  ページ: 261114-261114
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Vertical AIGaN deep ultraviolet light a mitting diode emitting at 322 nmfabricated by the laser lift-off technique2006
- 著者名/発表者名
  K.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 89
  
  ページ: 261114-261116
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Vertical AlGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting at 322nm fabricated by the laser lift-off technique2006
- 著者名/発表者名
  K. Kawasaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
  
  ページ: 261114-261114
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] 深紫外窒化物系発光デバイス2006
- 著者名/発表者名
  川崎宏治
- 雑誌名
  
  光学 35
  
  ページ: 264-253
- NAID
  10017484853
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[雑誌論文] Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy2002
- 著者名/発表者名
  Koji Kawasaki, Ikuo Nakamatsu, Hideki Hirayama, Kazuo Tsutsui, Yoshinobu Aoyagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 243
  
  ページ: 129-133
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205015
[雑誌論文] Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy2002
- 著者名/発表者名
  Koji Kawasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 243
  
  ページ: 129-133
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205015
[産業財産権] 「加熱プレス機」2007
- 発明者名
  川崎宏治, 青柳克信
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2007-018879
- 出願年月日
  2007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207
[産業財産権] レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置2005
- 発明者名
  川崎宏治, 青柳克信
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2005-342734
- 出願年月日
  2005-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15GS0207

1. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 0件
2. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 4件
3. 平山秀樹 (70270593)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 古川静二郎 (60016318)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
5. 佐々木公洋 (40162359)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 武内道一 (60284585)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 瀬川勇三郎 (30087473)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 藤井研一 (10189988)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 塚越一仁 (50322665)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 安食博志 (60283735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 神田晶申 (30281637)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 石橋幸治 (30211048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 井上振一郎 (20391865)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 松本祐司 (60302981)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 鯉沼秀臣 (70011187)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 松村英樹 (90111682)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 岩井荘八 (40087474)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 前田瑞夫 (10165657)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 荒川泰彦 (30134638)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 新谷紀雄

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 田昭治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

川崎 宏治 KAWASAKI Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

AlGaN系縦型高効率深紫外発光デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物量子ピラー選択成長による垂直型結合量子ドット作製に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

表面エネルギー変調による高均一サイズ窒化ガリウム量子ドットの自然形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

弗化物中の埋込ガリウムヒ素三次元量子ドット構造の物性と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

光の干渉効果を用いた表面光吸収分光法による表面改質エピタキシ-のその場観察研究代表者

研究代表者

川崎宏治 KAWASAKI Koji