小杉亮治 Kosugi Ryouji

研究者番号	10356991
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員 2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分15020:素粒子、原子核、宇宙線および宇宙物理に関連する実験 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者以外検出器 / 放射線耐性 / ダイヤモンド / シリコンカーバイド / 荷電粒子検出器 / ピクセル検出器 / ワイドギャップ半導体 / ミューオン・電子転換過程 / ASIC / SiC … もっと見る / 半導体検出器 / 移動度劣化 / しきい値シフト / 界面水素 / チャネルドーピング / 界面窒素 / EDMR / ESR / しきい値電圧 / MOS界面 / 電流検出ESR法 / ESR法 / 電界効果トランジスタ / 界面欠陥 / 酸化膜界面 / 炭化ケイ素 / 閾値変動 / チャネル移動度 / 電子スピン共鳴分光 / 界面準位 / MOSFET / 4H-SiC / パワーエレクトロニクス隠す

ミューオン・電子転換過程の高感度探索に向けたシリコンカーバイド検出器の開発
- 研究代表者
  
  岸下徹一
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分15020:素粒子、原子核、宇宙線および宇宙物理に関連する実験
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英 / 梅田享英 / 藤ノ木享英(梅田享英))
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学

すべて 2023 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Hybrid SiC Pixel Detector for Charged-Particle Beam Monitor2023
- 著者名/発表者名
  Kishishita Tetsuichi、Kosugi Ryoji、Fujita Yowichi、Fukao Yoshinori、Kojima Kazutoshi、Masumoto Keiko、Nishiguchi Hajime、Tanaka Manobu M.、Tanaka Yasunori
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: - 号: 6 ページ: 1-1
- DOI
  10.1109/tns.2023.3265318
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22526
[雑誌論文] Development of SiC super-junction (SJ) devices by multi-epitaxial growth2014
- 著者名/発表者名
  R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Itoh, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, H. Okumura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 845-850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 414-417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 ページ: 55-60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013
- 著者名/発表者名
  梅田享英, 岡本光央, 小杉亮治, 原田信介, 荒井亮, 佐藤嘉洋, 牧野高紘, 大島武, 奥村元
- 雑誌名
  
  シリコンテクノロジー（応用物理学会分科会）
  
  巻: 161 ページ: 98-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、阿部裕太、Y.-W. Zhu、岡本光央、小杉亮治、原田信介、春山盛善、小野田忍、大島武
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本暢恒、小杉亮治、岡本光央、原田信介
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance2015
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, R. Arai, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Development of SiC super-junction (SJ) devices by multi-epitaxial growth2013
- 著者名/発表者名
  R. Kosugi, Y. Sakuma, K. Kojima, S. Itoh, A. Nagata, T. Yatsuo, Y. Tanaka, H. Okumura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Sato, R. Kosugi, M. Okamoto), S. Harada, H. Okumura
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定
- 著者名/発表者名
  鹿児山陽平、岡本光央、小杉亮治、原田信介、牧野高紘、大島武、梅田享英
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by Capacitively Detected Magnetic Resonance
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価
- 著者名/発表者名
  棚井創基、村上功樹、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、大島武、梅田享英
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
- 著者名/発表者名
  荒井亮、梅田享英、佐藤嘉洋、岡本光央、原田信介、小杉亮治、奥村元、牧野高紘、大島武
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  224th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
- 著者名/発表者名
  梅田享英、佐藤嘉洋、佐久間由貴、小杉亮治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054

1. 藤ノ木享英 (10361354)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 岡本光央 (60450665)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
3. 原田信介 (20392649)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
4. 岸下徹一 (80789165)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
5. 深尾祥紀 (80443018)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 梅田享英

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 14件

小杉 亮治 Kosugi Ryouji

研究課題

研究成果

共同研究者

ミューオン・電子転換過程の高感度探索に向けたシリコンカーバイド検出器の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Hybrid SiC Pixel Detector for Charged-Particle Beam Monitor2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Development of SiC super-junction (SJ) devices by multi-epitaxial growth2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Development of SiC super-junction (SJ) devices by multi-epitaxial growth2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by Capacitively Detected Magnetic Resonance

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価

著者名/発表者名

小杉亮治 Kosugi Ryouji