藤ノ木享英 (梅田享英) Fujinoki Takahide

… 別表記

藤ノ木享英 Fujinoki Takahide

梅田享英

藤ノ木享英(梅田享英) フジノキタカヒデ

梅田享英 UMEDA Takehide

研究者番号	10361354
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授 2012年度 – 2016年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 准教授 2013年度 – 2015年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授 2007年度: 筑波大学, 大学院・図書館情報メディア研究科, 准教授 2006年度: 筑波大学, 大学院図書館情報メディア研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 筑波大学, 大学院・図書館情報メディア研究科, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野研究代表者以外結晶工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード	研究代表者 MOS界面 / 炭化ケイ素 / 電子スピン共鳴分光 / MOSFET / 4H-SiC / 電子スピン共鳴 / MOS界面欠陥 / GaN / 第一原理計算 / 窒化ガリウム … もっと見る / ワイドギャップ半導体 / 移動度劣化 / ESR / 界面欠陥 / 閾値変動 / 界面準位 / パワーエレクトロニクス / シリコン / 2値現象 / Variable Retention Time / DRAM / 電流検出電子スピン共鳴 / IV族系半導体 / 炭素ダングリングボンド / PbCセンター / BVセンター / スピン欠陥 / 電流検出型電子スピン共鳴 / 電流検出 / ダイヤモンド / スピン依存チャージポンピング / 電流検出型電子スピン共鳴分光 / SiC / ダングリングボンド / しきい値シフト / 界面水素 / チャネルドーピング / 界面窒素 / EDMR / しきい値電圧 / 電流検出ESR法 / ESR法 / 電界効果トランジスタ / 酸化膜界面 / チャネル移動度 / 空孔-酸素複合欠陥 / フッ素 / 双安定性 / 微細MOSFET / 点欠陥 / 集積回路 / 結晶欠陥 / シリコン集積回路 … もっと見る研究代表者以外半導体物性 / 放射線 / 光物性 / 格子欠陥 / 結晶工学 / 炭化ケイ素 / 量子コンピュータ / 移動度キラー / 局在 / 界面 / 電子状態計算 / 有効質量近似 / 界面処理 / DFT / 虚時間発展法 / SiC-MOS / 界面欠陥 / SiC / 量子エレクトロニクス / 量子センシング / 単一光源欠陥中心 / 量子コンピューティング / 新機能材料 / スピン / 欠陥エンジニアリング / スピン緩和 / 燐ドナー / パルス電子スピン共鳴 / シリコン / ダイヤモンド / 電子スピン隠す

界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英)
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
ワイドギャップ半導体（SiCおよびGaN）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定研究代表者
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英)
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
炭化ケイ素中の高輝度単一発光中心のフォトン・スピン制御
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
   国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明研究代表者
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英 / 梅田享英 / 藤ノ木享英(梅田享英))
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
電流検出電子スピン共鳴法によるシリコン微細デバイスの2値現象の観察研究代表者
- 研究代表者
  
  梅田享英
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
半導体電子スピン系量子コンピュータの要素技術の開発
- 研究代表者
  
  磯谷順一
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
微細電子デバイス中の点欠陥に対する超高感度電子スピン共鳴スペクトロスコピーの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  梅田享英
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 電流検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための＋αの研究技術2023
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 93 ページ: 120-124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[雑誌論文] Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2023
- 著者名/発表者名
  Sometani Mitsuru、Nishiya Yusuke、Kondo Ren、Inohana Rei、Zeng Hongyu、Hirai Hirohisa、Okamoto Dai、Matsushita Yu-ichiro、Umeda Takahide
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 11 号: 11 ページ: 111119-111124
- DOI
  10.1063/5.0171143
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Negatively charged boron vacancy center in diamond2022
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, K. Watanabe, H. Hara, H. Sumiya, S. Onoda, A. Uedono, I. Chuprina, P. Siyushev, F. Jelezko, J. Wrachtrup, J. Isoya
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 105 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.105.165201
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[雑誌論文] Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 6 ページ: 064001-064001
- DOI
  10.1063/5.0078189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-20J15088
[雑誌論文] Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000 )/ SiO2 interfaces with wet oxidation2020
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 15 ページ: 151602-151602
- DOI
  10.1063/1.5116170
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2020
- 著者名/発表者名
  Umeda T.、Kobayashi T.、Sometani M.、Yano H.、Matsushita Y.、Harada S.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 7 ページ: 071604-071604
- DOI
  10.1063/1.5143555
- NAID
  120007003559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4HSiC(0001)/SiO2 interfaces2020
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 127 号: 14 ページ: 145301-145301
- DOI
  10.1063/1.5134648
- NAID
  120007132646
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Nearly degenerate ground state of phosphorus donor in diamond2020
- 著者名/発表者名
  C. Shinei , H. Kato, H. Watanabe, T. Makino, S. Yamasaki, S. Koizumi, T. Umeda
- 雑誌名
  
  Physical Review Materials
  
  巻: 4 号: 2
- DOI
  10.1103/physrevmaterials.4.024603
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[雑誌論文] Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2020
- 著者名/発表者名
  E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 17 ページ: 171602-171602
- DOI
  10.1063/5.0002944
- NAID
  120007132633
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, M. Okamoto, T. Yamasaki, N. Tajima, J. Nara, T. Ohno, H. Yano, S. Harada, and T. Umeda
- 雑誌名
  
  J. Applied Physics
  
  巻: 125 号: 6 ページ: 065302-065302
- DOI
  10.1063/1.5066356
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03830, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Abe, Y. Hijikata, T. Umeda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 8 ページ: 083105-083105
- DOI
  10.1063/1.5099327
- NAID
  120007132685
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Onoda, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 281-284
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, G.-W. Kim, T. Okuda, M. Sometani, T. Kimoto, S. Harada
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 6 ページ: 061605-061605
- DOI
  10.1063/1.5041059
- NAID
  120007127942
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 112 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4994241
- NAID
  120007133812
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Interface defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An electrically-detected-magnetic-resonance study2017
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 号: 1 ページ: 147-153
- DOI
  10.1149/08001.0147ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] A silicon Carbide Room-Temperature Single-Photon Source2014
- 著者名/発表者名
  S. Castelletto, B. C. Johnson, V. Ivády, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nature Materials
  
  巻: 13 号: 2 ページ: 151-156
- DOI
  10.1038/nmat3806
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 414-417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 ページ: 55-60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013
- 著者名/発表者名
  梅田享英, 岡本光央, 小杉亮治, 原田信介, 荒井亮, 佐藤嘉洋, 牧野高紘, 大島武, 奥村元
- 雑誌名
  
  シリコンテクノロジー（応用物理学会分科会）
  
  巻: 161 ページ: 98-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima. T. Umeda
- 雑誌名
  
  IEEE conference publication, Proceedings of 2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2012)
  
  巻: 1 ページ: 217-218
- DOI
  10.1109/commad.2012.6472328
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10F00802, KAKENHI-PROJECT-24656025
[雑誌論文] 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム〜単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象2007
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 雑誌名
  
  応用物理 76
  
  ページ: 1037-1040
- NAID
  10019855429
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18760229
[雑誌論文] Single silicon vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in dynamic random access memories2006
- 著者名/発表者名
  T.Umeda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
  
  ページ: 253504-253504
- NAID
  120007131777
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18760229
[学会発表] 4H-SiC(11-20)面（a面） MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価2023
- 著者名/発表者名
  近藤蓮、染谷満、渡部平司、梅田享英
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation2023
- 著者名/発表者名
  M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita,T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques2023
- 著者名/発表者名
  R. Kondo, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] a面4H-SiC MOS界面の室温～低温ESR/EDMR評価2023
- 著者名/発表者名
  近藤蓮、曽弘宇、染谷満、平井悠久、渡部平司、梅田享英
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１０回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] SiC 中点欠陥およびMOS 界面欠陥とデバイスへの影響2022
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第９回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] EDMRとCV測定の組み合わせによるSiO2/SiC界面欠陥のエネルギーレベルの推定2022
- 著者名/発表者名
  染谷満、西谷侑将、近藤蓮、猪鼻伶、曾弘宇、平井悠久、岡本大、松下雄一郎、梅田享英
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] Electrical detection of Tv2a-type VSi centres in SiC-MOSFET2021
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] C面窒化4H-SiC/SiO2界面の電流検出型電子スピン共鳴分光2019
- 著者名/発表者名
  成ケ澤雅人，比嘉栄斗，染谷満，畠山哲夫，原田信介，梅田享英
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study2019
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, T. Kobayashi, Y. Matsushita, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 電流検出電子スピン共鳴分光（EDMR）2019
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 学会等名
  学振145委員会「結晶加工と評価技術」第162回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Carbon Pb center (the PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2019
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価2019
- 著者名/発表者名
  比嘉栄斗，染谷満，原田信介，矢野裕司，梅田享英
- 学会等名
  第6回先進パワー半導体分科会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御22019
- 著者名/発表者名
  阿部裕太，梅田享英，岡本光央，原田信介，佐藤真一郎，山﨑雄一，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study2019
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, T. Umeda, Y. Matsushita
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] The effect of γ-ray irradiation on optical properties of single photon sources in 4H- SiC MOSFET2019
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Identifications of major and minor interface defects at C-face 4H-SiC/SiO2 interfaces with wet oxidation2019
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2019
- 著者名/発表者名
  E. Higa, M. Sometani, S. Harada, H. Yano, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] C面４H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥：EDMR分光からの知見2019
- 著者名/発表者名
  梅田享英，鹿児山陽平，富田和輝，阿部裕太，岡本光央，畠山哲夫，原田信介
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥（PbCセンター）2018
- 著者名/発表者名
  梅田享英、神成田亘平、奥田貴史、木本暢恒、染谷満、原田信介
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングのESR定量2018
- 著者名/発表者名
  梅田享英，染谷満，原田信介
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] SiC-MOS界面欠陥の起源：電子スピン共鳴分光の最新の結果より2018
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahigh-temperature oxidation2018
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, T. Hosoi, T. Okuda, T. Kimoto, M. Sometani, S. Harada, H. Watanabe
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出2018
- 著者名/発表者名
  鹿児山陽平、梅田享英、染谷満、原田信介、畠山哲夫
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源の探索2018
- 著者名/発表者名
  阿部裕太，梅田享英，原田信介，佐藤真一郎，山﨑雄一，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence from Nitrogen-Vacancy Centers in Silicon Carbide2018
- 著者名/発表者名
  S.-I. Sato, Y. Abe, T. Umeda, T. Ohshima
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Interface carbon defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 interfaces detected by electron spin resonance2017
- 著者名/発表者名
  G.-W. Kim, T. Okuda, T. Kimoto, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性2017
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、岡本光央、小野田忍、大島武、春山盛善、加田渉、花泉修、小杉亮治、原田信介、梅田享英
- 学会等名
  2017年　第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Oxidation-process dependence of Single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, M. Okamoto, S. Onoda, T. Ohshima, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, Y. Kagoyama, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御2017
- 著者名/発表者名
  梅田亨英, 阿部裕太, 岡本光央, 原田信介, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Interface defects related to threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs: An EDMR study2017
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
- 学会等名
  232nd Electrochemical Society Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネル中の単一光子源に対する水素の影響2017
- 著者名/発表者名
  阿部裕太, 岡本光央, 小野田忍, 大島武, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 原田信介, 鹿児山陽平, 梅田亨英
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、阿部裕太、Y.-W. Zhu、岡本光央、小杉亮治、原田信介、春山盛善、小野田忍、大島武
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価2016
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、梅田享英、岡本光央、小杉亮治、原田信介、波多野睦子、岩崎孝之、小野田忍、大島武、春山盛善、加田渉、花泉修
- 学会等名
  2016年　第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英，阿部裕太，Y.-W. Zhu，岡本光央，小杉亮治，原田信介，春山盛善，牧野高紘，小野田忍，大島武
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本暢恒、小杉亮治、岡本光央、原田信介
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の酸化膜界面依存性の共焦点顕微鏡評価2016
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、岡本光央、小杉亮治、原田信介、波多野睦子、岩崎孝之、小野田忍、春山盛善、加田渉、花泉修、大島武、梅田享英
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Microscopic difference between dry and wet oxidations of C-face 4H-SiC MOSFFETs studied by electrically detected magnetic resonance2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, M. Okamoto, S. Harada, R. Arai, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance Study on Interface Defects Responsible forThreshold‐Voltage Shift in C‐face 4H‐SiC MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, R. Arai, S.J. Ma, G.W. Kim, M. Okamoto, H. Yoshioka, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] ESR study on hydrogen passivation of intrinsic defects in p-type and semi-insulating 4H-SiC2015
- 著者名/発表者名
  K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance2015
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, R. Arai, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] ESR study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in P-type and Semi-insulating 4H-SiC2015
- 著者名/発表者名
  K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
- 発表場所
  Giardini Naxos (Sicily, Italy)
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H‐SiC中の点欠陥はどこまで分かっているか？：バルク結晶とMOS界面2014
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 学会等名
  第2回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2014-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima and T. Umeda
- 学会等名
  2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Univ. of Melbourne (Melbourne, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima and T. Umeda
- 学会等名
  2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  University of Melbourne (Melbourne, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] フッ素注入による欠陥制御を行ったDRAMセルの電子スピン共鳴分光評価2007
- 著者名/発表者名
  大崎純一・梅田享英・小此木堅祐・大湯静憲
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18760229
[学会発表] シリコンカーバイド（4H-SiC）中の格子欠陥の評価：電子スピン共鳴（ESR）法と、第一原理計算の対応
- 著者名/発表者名
  梅田享英
- 学会等名
  第24回格子欠陥フォーラム
- 発表場所
  かんぽの宿恵那（恵那市）
- 年月日
  2014-09-11 – 2014-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Study on Interface Defects in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistors
- 著者名/発表者名
  G.W. Kim, S.J. Ma, R. Arai, M. Okamoto, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima, T. Umeda
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
- 著者名/発表者名
  梅田享英、佐藤嘉洋、佐久間由貴、小杉亮治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  224th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
- 著者名/発表者名
  荒井亮、梅田享英、佐藤嘉洋、岡本光央、原田信介、小杉亮治、奥村元、牧野高紘、大島武
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Sato, R. Kosugi, M. Okamoto), S. Harada, H. Okumura
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価
- 著者名/発表者名
  棚井創基、村上功樹、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、大島武、梅田享英
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] SiC中の単一発光源となる欠陥の探索
- 著者名/発表者名
  大島武，小野田忍，牧野高紘，岩本直也，B. C. Johnson，A. Lohrmann，T. Karle，J. C. McCallum，S. Castelletto，梅田享英，佐藤嘉洋，朱煜偉，V. Ivády，A. Gali，春山盛善，加田渉，花泉修
- 学会等名
  2014年　第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定
- 著者名/発表者名
  鹿児山陽平、岡本光央、小杉亮治、原田信介、牧野高紘、大島武、梅田享英
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by Capacitively Detected Magnetic Resonance
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054

1. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 19件
2. 原田信介 (20392649)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 35件
3. 岡本光央 (60450665)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 21件
4. 松下雄一郎 (90762336)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
5. 磯谷順一 (60011756)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
6. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
7. 小杉亮治 (10356991)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
8. 小野田忍 (30414569)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
9. 水落憲和 (00323311)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 波多野睦子 (00417007)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 牧野俊晴 (20360258)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 五十嵐信行 (40771100)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 染谷満 (60783644)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
14. 吉岡裕典 (60712528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 大野隆央

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
17. JOHNSON Brett

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

藤ノ木 享英 (梅田 享英) Fujinoki Takahide

藤ノ木 享英 Fujinoki Takahide

梅田享英

藤ノ木 享英(梅田享英) フジノキ タカヒデ

梅田 享英 UMEDA Takehide

研究課題

研究成果

共同研究者

界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドギャップ半導体（SiCおよびGaN）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素中の高輝度単一発光中心のフォトン・スピン制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電流検出電子スピン共鳴法によるシリコン微細デバイスの2値現象の観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体電子スピン系量子コンピュータの要素技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

微細電子デバイス中の点欠陥に対する超高感度電子スピン共鳴スペクトロスコピーの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 電流検出ESRによるSiC中の欠陥検出のための＋αの研究技術2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Negatively charged boron vacancy center in diamond2022

著者名/発表者名

雑誌名

藤ノ木享英 (梅田享英) Fujinoki Takahide

藤ノ木享英 Fujinoki Takahide

藤ノ木享英(梅田享英) フジノキタカヒデ

梅田享英 UMEDA Takehide