松下雄一郎 Matsushita Yu-ichiro

研究者番号	90762336
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任准教授 2025年度: 東京科学大学, 総合研究院, 特任准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任准教授 2022年度 – 2024年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 2019年度 – 2022年度: 東京工業大学, 物質・情報卓越教育院, 特任准教授 2019年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 2018年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任講師 2016年度 – 2017年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学研究代表者以外中区分29:応用物理物性およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連
キーワード	研究代表者界面 / SiC / DFT / 酸化 / 単一光子光源 / 界面欠陥 / 第一原理計算 / 移動度キラー / 局在 / 電子状態計算 … もっと見る / 有効質量近似 / 界面処理 / 虚時間発展法 / 量子コンピュータ / SiC-MOS / 密度汎関数理論 / ダングリングボンド / Pbcセンタ / 点欠陥 / α-Ga2O3 / 移動度 / SiC/SiO2 / 欠陥 / 界面物性 / 基礎物理学 / POCl3 / MOSデバイス / 界面準位 / 炭素欠陥 / 炭化ケイ素 … もっと見る研究代表者以外 MOS界面 / 単一光子源 / 炭化ケイ素(SiC) / 炭化ケイ素 / スピン欠陥 / 垂直磁気異方性磁化膜 / 円偏光 / スピン電流注入 / 単一光子源(SPS) / 偏光 / スピン電流 / 量子暗号通信 / 炭化ケイ素(SiC)半導体 / もつれ光子対 / GaN / IV族系半導体 / 電子スピン共鳴 / 炭素ダングリングボンド / PbCセンター / BVセンター / MOSFET / 4H-SiC / 電流検出型電子スピン共鳴 / 電流検出 / 窒化ガリウム / ダイヤモンド / スピン依存チャージポンピング / 電流検出型電子スピン共鳴分光 / 第一原理計算 / 電子スピン共鳴分光 / ワイドギャップ半導体 / MOS界面欠陥 / 室温 / スピン操作 / 欠陥 / リチウム / ベリリウム / 複合欠陥 / 二次元物質 / イオン照射 / hBN / 光検出磁気共鳴 / 高温イオン照射 / 窒化ホウ素 / 機械学習 / 深層学習 / 原子反応 / デバイス界面 / エピタキシャル成長 / パワーエレクトロニクス / HPC / コンピューティクス / 密度汎関数理論 / 量子論隠す

炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  埼玉大学
炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明研究代表者
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
2次元材料窒化ホウ素への室温でスピン操作・読み出し可能な新規スピン欠陥の創製
- 研究代表者
  
  山崎雄一
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英)
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響研究代表者
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
量子論コンピューティクスによるパワー半導体界面形成機構と電子物性の解明
- 研究代表者
  
  押山淳
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
第一原理量子論によるSiC/SiO2界面形状と電子物性の相関研究代表者
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
   東京大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices2023
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Yu-ichiro Matsushita, Takeshi Ohshima
- 総ページ数
  19
- 出版者
  CRC Press
- ISBN
  9780367188269
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[図書] "SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"2023
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
- 総ページ数
  464
- 出版者
  Taylor & Francis, CRC
- ISBN
  9780367188269
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[図書] "SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"2023
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
- 総ページ数
  464
- 出版者
  Taylor & Francis, CRC
- ISBN
  9780367188269
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[雑誌論文] Temperature and size dependence of energy barrier for magnetic flips in L10 FePt nanoparticles: A theoretical study2024
- 著者名/発表者名
  Tran Hung Ba、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia
  
  巻: 242 ページ: 115947-115947
- DOI
  10.1016/j.scriptamat.2023.115947
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Systematic study on the dependence of the warm-start quantum approximate optimization algorithm on approximate solutions2024
- 著者名/発表者名
  Okada Ken N.、Nishi Hirofumi、Kosugi Taichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 14 号: 1 ページ: 1167-1175
- DOI
  10.1038/s41598-023-50406-8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Quadratic acceleration of multistep probabilistic algorithms for state preparation2024
- 著者名/発表者名
  Nishi Hirofumi、Kosugi Taichi、Nishiya Yusuke、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review Research
  
  巻: 6 号: 2
- DOI
  10.1103/physrevresearch.6.l022041
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Skyrmions in van der Waals centrosymmetric materials with Dzyaloshinskii?Moriya interactions2024
- 著者名/発表者名
  Tran Hung Ba、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia
  
  巻: 239 ページ: 115799-115799
- DOI
  10.1016/j.scriptamat.2023.115799
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Annealing for prediction of grand canonical crystal structures: Implementation of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>-body atomic interactions2024
- 著者名/発表者名
  Couzini? Yannick、Nishiya Yusuke、Nishi Hirofumi、Kosugi Taichi、Nishimori Hidetoshi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review A
  
  巻: 109 号: 3 ページ: 032416-032427
- DOI
  10.1103/physreva.109.032416
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] First-quantized adiabatic time evolution for the ground state of a many-electron system and the optimal nuclear configuration2024
- 著者名/発表者名
  Nishiya Yusuke、Nishi Hirofumi、Couzini? Yannick、Kosugi Taichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review A
  
  巻: 109 号: 2 ページ: 022423-022433
- DOI
  10.1103/physreva.109.022423
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Qubit encoding for a mixture of localized functions2024
- 著者名/発表者名
  Taichi Kosugi, Shunsuke Daimon, Hirofumi Nishi, Yu-ichiro Matsushita
- 雑誌名
  
  arXiv
  
  巻: arXiv:2404.18529 ページ: 1-21
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Optimized Synthesis of Circuits for Diagonal Unitary Matrices with Reflection Symmetry2024
- 著者名/発表者名
  Huang Xinchi、Kosugi Taichi、Nishi Hirofumi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of the Physical Society of Japan
  
  巻: 93 号: 5 ページ: 054002-054015
- DOI
  10.7566/jpsj.93.054002
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Effect of nitrogen introduced at the SiC/SiO<sub>2</sub>interface and SiC side on the electronic states by first-principles calculation2023
- 著者名/発表者名
  Tachiki Keita、Nishiya Yusuke、Iwata Jun-Ichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 6 ページ: 061005-061005
- DOI
  10.35848/1347-4065/acd9ff
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Exhaustive search for optimal molecular geometries using imaginary-time evolution on a quantum computer2023
- 著者名/発表者名
  Kosugi Taichi、Nishi Hirofumi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  npj Quantum Information
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 112-122
- DOI
  10.1038/s41534-023-00778-6
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Channel Attention for Quantum Convolutional Neural Networks2023
- 著者名/発表者名
  Gekko Budiutama, Shunsuke Daimon, Hirofumi Nishi, Ryui Kaneko, Tomi Ohtsuki, Yu-ichiro Matsushita
- 雑誌名
  
  arXiv
  
  巻: arXiv:2311.02871 Search... ページ: 1-6
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Dzyaloshinskii?Moriya interactions in Nd2Fe14B as the origin of spin reorientation and the rotating magnetocaloric effect2023
- 著者名/発表者名
  Tran Hung Ba、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Applied Materials Today
  
  巻: 32 ページ: 101825-101825
- DOI
  10.1016/j.apmt.2023.101825
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment2023
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y. Nishiya, Y.-i. Matsushita, K. Harii, Y. Masuyama, Y. Hijikata, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 032006-032006
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292, KAKENHI-PROJECT-20K05352, KAKENHI-PROJECT-23K22787, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Quadratic acceleration of multi-step probabilistic algorithms for state preparation2023
- 著者名/発表者名
  Hirofumi Nishi, Taichi Kosugi, Yusuke Nishiya, Yu-ichiro Matsushita
- 雑誌名
  
  arXiv
  
  巻: arXiv:2308.03605 ページ: 1-11
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Atomic scale localization of Kohn?Sham wavefunction at SiO2/4H?SiC interface under electric field, deviating from envelope function by effective mass approximation2023
- 著者名/発表者名
  Yoshioka Hironori (吉岡裕典); Iwata Jun-Ichi (岩田潤一); Matsushita Yu-ichiro (松下雄一郎)
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 122 号: 22 ページ: 222104-222114
- DOI
  10.1063/5.0151547
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Optimal scheduling in probabilistic imaginary-time evolution on a quantum computer2023
- 著者名/発表者名
  Nishi Hirofumi、Hamada Koki、Nishiya Yusuke、Kosugi Taichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review Research
  
  巻: 5 号: 4 ページ: 043048-043061
- DOI
  10.1103/physrevresearch.5.043048
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] First-quantized eigensolver for ground and excited states of electrons under a uniform magnetic field2023
- 著者名/発表者名
  Kosugi Taichi、Nishi Hirofumi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 6 ページ: 062004-062004
- DOI
  10.35848/1347-4065/acddc0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2023
- 著者名/発表者名
  Sometani Mitsuru、Nishiya Yusuke、Kondo Ren、Inohana Rei、Zeng Hongyu、Hirai Hirohisa、Okamoto Dai、Matsushita Yu-ichiro、Umeda Takahide
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 11 号: 11 ページ: 111119-111124
- DOI
  10.1063/5.0171143
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Imaginary-time evolution using forward and backward real-time evolution with a single ancilla: First-quantized eigensolver algorithm for quantum chemistry2022
- 著者名/発表者名
  Kosugi Taichi、Nishiya Yusuke、Nishi Hirofumi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review Research
  
  巻: 4 号: 3 ページ: 033121-033131
- DOI
  10.1103/physrevresearch.4.033121
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Insight into anisotropic magnetocaloric effect of CrI32022
- 著者名/発表者名
  Tran Hung Ba、Momida Hiroyoshi、Matsushita Yu-ichiro、Shirai Koun、Oguchi Tamio
- 雑誌名
  
  Acta Materialia
  
  巻: 231 ページ: 117851-117851
- DOI
  10.1016/j.actamat.2022.117851
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states2022
- 著者名/発表者名
  Nanataki Fugo、Shiraishi Kenji、Iwata Jun-ichi、Matsushita Yu-ichiro、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 106 号: 15 ページ: 155201-155201
- DOI
  10.1103/physrevb.106.155201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Effect of magnetocrystalline anisotropy on magnetocaloric properties of an AlFe2B2 compound2022
- 著者名/発表者名
  Tran Hung Ba、Momida Hiroyoshi、Matsushita Yu-ichiro、Sato Kazunori、Makino Yukihiro、Shirai Koun、Oguchi Tamio
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 105 号: 13 ページ: 134402-134409
- DOI
  10.1103/physrevb.105.134402
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-20K05303, KAKENHI-PROJECT-21H04553
[雑誌論文] Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces2021
- 著者名/発表者名
  Hijikata Yasuto、Komori Shota、Otojima Shunsuke、Matsushita Yu-Ichiro、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 20 ページ: 204005-204005
- DOI
  10.1063/5.0048772
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Implementation of quantum imaginary-time evolution method on NISQ devices by introducing nonlocal approximation2021
- 著者名/発表者名
  Nishi Hirofumi、Kosugi Taichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  npj Quantum Information
  
  巻: 7 号: 1
- DOI
  10.1038/s41534-021-00409-y
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2020
- 著者名/発表者名
  Umeda T.、Kobayashi T.、Sometani M.、Yano H.、Matsushita Y.、Harada S.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 7 ページ: 071604-071604
- DOI
  10.1063/1.5143555
- NAID
  120007003559
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Construction of Green's functions on a quantum computer: Quasiparticle spectra of molecules2020
- 著者名/発表者名
  Kosugi Taichi、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Physical Review A
  
  巻: 101 号: 1 ページ: 1-12
- DOI
  10.1103/physreva.101.012330
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface2019
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 14 ページ: 145302-145302
- DOI
  10.1063/1.5100754
- NAID
  120007016409
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] First-Principles Study of Oxygen-Related Defects on 4H-SiC Surface: The Effects of Surface Amorphous Structure2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsushita, Y. Furukawa, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 464 ページ: 451-454
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2018.09.072
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Theoretical prediction of strain-induced carrier effective mass modulation in 4H-SiC and GaN2019
- 著者名/発表者名
  Kuroiwa Yuichiro、Matsushita Yu-ichiro、Harada Kou、Oba Fumiyasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 11 ページ: 112102-112102
- DOI
  10.1063/1.5122215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01318, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18J22930
[雑誌論文] Native point defects and carbon clusters in 4H-SiC: A hybrid functional study2019
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Harada Kou、Kumagai Yu、Oba Fumiyasu、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 125 号: 12 ページ: 125701-125701
- DOI
  10.1063/1.5089174
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18J22930
[雑誌論文] Energetics and electronic structure of native point defects in α-Ga2O32019
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Gake Tomoya、Kumagai Yu、Oba Fumiyasu、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 9 ページ: 091001-091001
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab3763
- NAID
  210000156850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] First-Principles Prediction of Densities of Amorphous Materials: The Case of Amorphous Silicon2018
- 著者名/発表者名
  Furukawa Yoritaka、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of the Physical Society of Japan
  
  巻: 87 号: 2 ページ: 024701-024701
- DOI
  10.7566/jpsj.87.024701
- NAID
  40021463317
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Microscopic mechanism of carbon annihilation upon SiC oxidation due to phosphorus treatment: Density functional calculations combined with ion mass spectrometry2018
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Matsushita Yu-ichiro、Okuda Takafumi、Kimoto Tsunenobu、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 12 ページ: 121301-121301
- DOI
  10.7567/apex.11.121301
- NAID
  210000136420
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03873
[雑誌論文] Unfolding energy spectra of double-periodicity two-dimensional systems: Twisted bilayer graphene and MoS2 on graphene2018
- 著者名/発表者名
  Matsushita Yu-ichiro、Nishi Hirofumi、Iwata Jun-ichi、Kosugi Taichi、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Physical Review Materials
  
  巻: 2 号: 1 ページ: 010801-010806
- DOI
  10.1103/physrevmaterials.2.010801
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Structural determination of phosphosilicate glass based on first-principles molecular dynamics calculation2018
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Matsushita Yu-ichiro、Kimoto Tsunenobu、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 1 ページ: 011001-011001
- DOI
  10.7567/1347-4065/aae89b
- NAID
  210000135187
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873
[雑誌論文] Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, T. Horii, Y. Furukawa, Y. Matsushita, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  J. Phys. Commun.
  
  巻: 2 号: 11 ページ: 111003-111003
- DOI
  10.1088/2399-6528/aaede4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Structural stability and energy levels of carbon-related defects in amorphous SiO2 and its interface with SiC2018
- 著者名/発表者名
  Matsushita Yu-ichiro、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 12 ページ: 125701-125701
- DOI
  10.7567/jjap.57.125701
- NAID
  210000149880
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873
[雑誌論文] First-Principles Prediction of Densities of Amorphous Materials: The case of Amorphous Silicon2017
- 著者名/発表者名
  Yoritaka Furukawa and Yu-ichiro Matsushita
- 雑誌名
  
  arXiv:1704.06107
  
  巻: 1 ページ: 1-5
- NAID
  40021463317
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] First-principles calculations that clarify energetics and reactions of oxygen adsorption and carbon desorption on 4H-SiC (11-20) surface2017
- 著者名/発表者名
  Han Li, Yu-ichiro Matsushita, Mauro Boero, and Atsushi Oshiyama
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 121 号: 7 ページ: 3920-3928
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.6b11942
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] A novel intrinsic interface state controlled by atomic stacking sequence at interfaces of SiC/SiO22017
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita and A. Oshiyama
- 雑誌名
  
  arXiv:1704.07094
  
  巻: 1 ページ: 1-5
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] A Novel Intrinsic Interface State Controlled by Atomic Stacking Sequence at Interfaces of SiC/SiO22017
- 著者名/発表者名
  Matsushita Yu-ichiro、Oshiyama Atsushi
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: 17 号: 10 ページ: 6458-6463
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.7b03490
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, and Atsushi Oshiyama
- 雑誌名
  
  arXiv:1703.08063
  
  巻: 1 ページ: 1-14
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Analysis of single and composite structural defects in pure amorphous silicon: A first-principles study2017
- 著者名/発表者名
  Furukawa Yoritaka、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of Non-Crystalline Solids
  
  巻: 473 ページ: 64-73
- DOI
  10.1016/j.jnoncrysol.2017.07.031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Periodicity-Free Unfolding Method of Electronic Energy Spectra2017
- 著者名/発表者名
  Kosugi Taichi、Nishi Hirofumi、Kato Yasuyuki、Matsushita Yu-ichiro
- 雑誌名
  
  Journal of the Physical Society of Japan
  
  巻: 86 号: 12 ページ: 124717-124717
- DOI
  10.7566/jpsj.86.124717
- NAID
  210000134639
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Comprehensive Study on Band-Gap Variations in sp3-Bonded Semiconductors: Roles of Electronic States Floating in Internal Space2017
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
- 雑誌名
  
  Journal of the Physical Society of Japan
  
  巻: 86 号: 5 ページ: 054702-054709
- DOI
  10.7566/jpsj.86.054702
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[雑誌論文] Mechanisms of initial oxidation of 4H-SiC (0001) and (000-1) surfaces unraveled by first-principles calculations2017
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
- 雑誌名
  
  arXiv 1612.00189
  
  巻: 1 ページ: 1-28
- 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[産業財産権] 量子計算機、計算手法2024
- 発明者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 権利者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2024-072398
- 出願年月日
  2024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[産業財産権] 量子計算機、計算手法2023
- 発明者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 権利者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2023-127421
- 出願年月日
  2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[産業財産権] 計算、および計算機アルゴリズム2021
- 発明者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 権利者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[産業財産権] 計算、および計算機アルゴリズム2021
- 発明者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 権利者名
  小杉太一、西紘史、松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[産業財産権] Quantum computer, non-transitory computer readable media storing program, quantum calculation method, and quantum circuit2021
- 発明者名
  松下雄一郎、小杉太一
- 権利者名
  松下雄一郎、小杉太一
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- 取得年月日
  2023
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[産業財産権] 量子計算機、量子計算方法及びプログラム2021
- 発明者名
  西紘史、小杉太一、松下雄一郎
- 権利者名
  西紘史、小杉太一、松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[産業財産権] 量子計算機、量子計算方法及びプログラム2020
- 発明者名
  松下雄一郎, 小杉太一, 西紘史
- 権利者名
  松下雄一郎, 小杉太一, 西紘史
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2020
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[産業財産権] 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法2019
- 発明者名
  松下雄一郎
- 権利者名
  松下雄一郎
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Multiscale simulations toward magnetic loss and magnetic recording2023
- 著者名/発表者名
  Hung Tran, Yu-Ichiro Matsushita
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Imaginary-time evolution with a single ancilla: first-quantized eigensolver for electronic structure calculation in quantum chemistry2023
- 著者名/発表者名
  Yusuke Nishiya, Taichi Kosugi, Hirofumi Nishi, Yu-Ichiro Matsushita
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Origin of spin reorientation in Nd2Fe14B permanent magnet2023
- 著者名/発表者名
  Yu-Ichiro Matsushita, Hung Tran
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Geometric optimization based on first-quantized Hamiltonian using imaginary-time evolution on a quantum computer2023
- 著者名/発表者名
  Yu-Ichiro Matsushita, Hirofumi Nishi, Taichi Kosugi
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation2023
- 著者名/発表者名
  M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita,T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] Improving success probability of imaginary-time evolution on a quantum computer2023
- 著者名/発表者名
  Hirofumi Nishi, Taichi Kosugi, Yusuke Nishiya, Yu-Ichiro Matsushita
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Skyrmions in van der Waals centrosymmetric materials2023
- 著者名/発表者名
  Hung Tran, Yu-Ichiro Matsushita
- 学会等名
  APS March Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H04553
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成2022
- 著者名/発表者名
  鈴木哲太，山崎雄一，谷口尚，渡邊賢司, 松下雄一郎，増山雄太，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05352
[学会発表] EDMRとCV測定の組み合わせによるSiO2/SiC界面欠陥のエネルギーレベルの推定2022
- 著者名/発表者名
  染谷満、西谷侑将、近藤蓮、猪鼻伶、曾弘宇、平井悠久、岡本大、松下雄一郎、梅田享英
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00340
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  Tetta Suzuki, Yuichi Yamazaki, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Yusuke Nishiya, Yu-ichiro Matsushita, Kazuya Harii, Yuta Masuyama, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  International conference on diamond and carbon materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05352
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] ２次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定2021
- 著者名/発表者名
  鈴木哲太,，山崎雄一，谷口尚，渡邊賢司，松下雄一郎, 針井一哉，圓谷志郎，増山雄太，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05352
[学会発表] An-intio studies on SiC/SiO2: identification of interface states and a theoretical approach to reduce the interface-state density2021
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Theoretical study for Reduction of Interface State Density in SiC-MOSFETs2021
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  International Meeting on Thin Film Interfaces and Composite Crystals, Okayama (2021).
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process2021
- 著者名/発表者名
  Tsunenobu Kimoto, Keita Tachiki, Takuma Kobayashi, and Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Quantum algorithms for Green’s functions and linear response functions on quantum computers2020
- 著者名/発表者名
  Taichi Kosugi, Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  第81回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 量子コンピュータを用いた分子の線形応答関数の計算2020
- 著者名/発表者名
  小杉太一, 松下雄一郎
- 学会等名
  第75回日本物理学会年次大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗，松下　雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Structural and Electronic Properties of Native Point Defects in α-Ga2O32019
- 著者名/発表者名
  Takuma Kobayashi, Tomoya Gake, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba, Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 結合クラスター理論による準粒子スペクトル計算：古典と量子コンピュータ上での実装と適用2019
- 著者名/発表者名
  松下雄一郎
- 学会等名
  第29回日本MRS年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Ab-initio study on 4H-SiC(0-33-8)/SiO2 interface structures and its electronic structures2019
- 著者名/発表者名
  Yuichiro Matsushita, Tetsuo Hatakeyama
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC酸化膜中の窒素関連欠陥の構造とその電子状態2019
- 著者名/発表者名
  松下雄一郎、小林拓真
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] りん処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構2019
- 著者名/発表者名
  小林拓真、松下雄一郎、奥田貴史、木本恒暢、押山淳
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 結合クラスター法による分子のグリーン関数の解析2019
- 著者名/発表者名
  小杉太一, 松下雄一郎
- 学会等名
  2019年日本物理学会秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 第一原理計算によるSiC/SiO2界面近傍の炭素関連欠陥の構造同定2019
- 著者名/発表者名
  小林拓真、松下雄一郎
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 結合クラスター理論と自己エネルギー汎関数理論に基づく原子の電子状態の比較2018
- 著者名/発表者名
  小杉太一, 西紘史, 古川頼誉, 松下雄一郎
- 学会等名
  日本物理学会　第73回年次大会（2018年）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[学会発表] 角度分解光電子分光と第一原理計算を用いた層状強磁性V1/3NbS2の電子構造の研究2018
- 著者名/発表者名
  吉田訓, 松下雄一郎, 岩田潤一, 厳正輝, 坂野昌人, 下志万貴博, 堀場弘司, 小野寛太, 組頭広志, 長鶴徳彦, 高阪勇輔, 井上克也, 秋光純, 石坂香子
- 学会等名
  日本物理学会　第73回年次大会（2018年）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[学会発表] Quasiparticle spectra based on wave function theory: Application of coupled-cluster theory and self-energy functional theory2018
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  21st Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (ASIAN-21)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Coupled-cluster理論に基づくグリーン関数による周期系の電子状態計算2018
- 著者名/発表者名
  古川頼誉, 小杉太一, 西紘史, 松下雄一郎
- 学会等名
  日本物理学会　第73回年次大会（2018年）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[学会発表] 第一原理計算によるSiC酸化膜界面の伝導帯端の揺らぎ　-SiC MOS界面の構造特定に向けて2018
- 著者名/発表者名
  松下雄一郎
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第12回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響2017
- 著者名/発表者名
  松下雄一郎
- 学会等名
  第30期CAMMフォーラム
- 発表場所
  アイビーホール（東京）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[学会発表] Floating Electron states in SiC and its impact on the SiC electronic devices2017
- 著者名/発表者名
  Yu-ichiro Matsushita
- 学会等名
  2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
- 発表場所
  総合文化センター（奈良）
- 年月日
  2017-11-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075
[学会発表] 第一原理計算によるアモルファスの密度決定手法の提案2017
- 著者名/発表者名
  古川頼誉, 松下雄一郎
- 学会等名
  日本物理学会　2017年秋季大会プログラム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18075

1. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 13件
2. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 13件
3. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 5件
4. 藤ノ木享英 (10361354)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 針井一哉 (00633900)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
6. 山崎雄一 (10595060)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
7. 櫻井鉄也 (60187086)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 牧野俊晴 (20360258)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 五十嵐信行 (40771100)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 磯谷順一 (60011756)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 染谷満 (60783644)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
13. 原田信介 (20392649)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 吉岡裕典 (60712528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
15. 大場史康

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
16. 梅田享英

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

松下 雄一郎 Matsushita Yu-ichiro

研究課題

研究成果

共同研究者

炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

2次元材料窒化ホウ素への室温でスピン操作・読み出し可能な新規スピン欠陥の創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

量子論コンピューティクスによるパワー半導体界面形成機構と電子物性の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

第一原理量子論によるSiC/SiO2界面形状と電子物性の相関研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices2023

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[図書] "SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"2023

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[図書] "SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"2023

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[雑誌論文] Temperature and size dependence of energy barrier for magnetic flips in L10 FePt nanoparticles: A theoretical study2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Systematic study on the dependence of the warm-start quantum approximate optimization algorithm on approximate solutions2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

松下雄一郎 Matsushita Yu-ichiro