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佐道 泰造  Taizoh SADOH

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20274491
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2025年度: 九州大学, 総合理工学研究院, 教授
2019年度 – 2024年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授
2016年度 – 2017年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授
2015年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 准教授
2012年度 – 2015年度: 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 … もっと見る
2013年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 准教授
2012年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授研究者番号
2007年度 – 2011年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授
2006年度: 九州大学, システム情報科学研究院, 助教授
2006年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教授
2000年度 – 2006年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助教授
1999年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究科, 助教授
1998年度: 九州大学, 大学院システム情報科学研究科, 助教授
1997年度: 九州大学, 大学院・システム情報科学研究科, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性・結晶工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 … もっと見る / 小区分26040:構造材料および機能材料関連 / 応用物性・結晶工学 / 薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 隠す
キーワード
研究代表者
結晶成長 / トランジスタ / 半導体 / 集積回路 / 薄膜トランジスタ / シリコンゲルマニウム / ディスプレイ / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / シリコン … もっと見る / イオンビーム / Ⅳ族系ヘテロ半導体 / 電気・電子材料 / Ⅳ族系ヘテロ材料 / IV族系ヘテロ材料 / IV族系ヘテロ半導体 / Thin-film transistor / Silicon-germanium / Display / Integrated circuit / Electronic device / Oxidation / Crystallization / Silicidation / Rradiation-induced defect / Ion-beam / Silicon / 酸化 / シリサイド / 照射誘起欠陥 / Si系ヘテロ材料 / 溶融成長 / SiGe / ヘテロ半導体 / 照射欠陥 … もっと見る
研究代表者以外
電子デバイス・機器 / 集積回路 / 結晶成長 / ディスプレイ / 半導体 / シリコン / silicon / 強磁性体 / スピントランジスタ / 薄膜トランジスタ / シリコンゲルマニウム / SiGeSn / SiSn / GeSn / 高圧相変態 / 電気特性 / 構造およびミクロ組織解析 / 電子ビーム結晶化 / アモルファスGeSn / 電子ビーム / 結晶化 / アモルファス / Semiconducting silicide / Crystal Growth / Opto-electronic integrated circuit / Optical communication / Opto-device / Electronic device / シリサイド半導体 / 光・電気集積回路 / 光通信 / オプトデバイス / crystal growth / display / large-scale integrated circuit / electron device / solid-phase crystallization / ion beam / 固相成長 / イオン線 / Si系ヘテロ半導体 / Si系ヘテロ半導体 / 電気・電子材料 / エピタキシャル成長 / 次世代 LSI / Si 系スピントランジスタ / フレキシブル / シリコンゲルマニウ / システムオンパネル / 多結晶シリコン / シリコン薄膜 / レーザーアニール / 金属誘起固相結晶化 / ナノインプリント / スピントロニクス / マイクロマシン / エッチング / LIGA / リソグラフィ / LSI / シンクロトロン放射光 隠す
  • 研究課題

    (26件)
  • 研究成果

    (428件)
  • 共同研究者

    (12人)
  •  絶縁膜上における極薄半導体膜の固相成長の探求と次世代トランジスタへの展開研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2029
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      九州大学
  •  高圧相変態を利用した新奇SiGeSn混晶の創製と環境親和型素子への展開

    • 研究代表者
      生駒 嘉史
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分26:材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  絶縁膜上における極薄半導体膜の高品位形成と三次元トランジスタへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      九州大学
  •  電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価

    • 研究代表者
      仲村 龍介
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分26040:構造材料および機能材料関連
    • 研究機関
      滋賀県立大学
  •  絶縁膜上における高キャリア移動度半導体の非熱平衡プロセスと超高速集積回路への応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  直接遷移型GeSnを用いた高性能トンネル型トランジスタの創製研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  絶縁膜上におけるGeSn結晶の低温成長と三次元LSI超高速トランジスタへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Geバンド構造の直接遷移化による超高性能トンネル型トランジスタの創製研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Siプラットフォームにおける絶縁分離型GeSn結晶の非熱平衡固相成長

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  多機能ハイブリッド集積回路を可能とする異種材料混載化技術の創出

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2013
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  絶縁膜上における歪み単結晶Geの高品位形成と超高速トランジスタへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ハーフメタル強磁性体/Si界面の原子層制御による室温動作スピントランジスタの創出

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造, 権丈 淳
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  フレキシブル基板上におけるSiGe結晶の超高移動度化とトランジスタ応用

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上におけるSiGe結晶の高歪み化・方位制御とトランジスタの高速・高信頼化研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  強磁性シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      九州大学
  •  ナノインプリント・シーディングによる単結晶シリコン薄膜の形成に関する研究

    • 研究代表者
      浅野 種正
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上における歪みSiGe結晶の創製と薄膜トランジスタの超高移動度化研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  シリサイド半導体の格子歪み制御による1・5μm帯発光の高効率化と波長多重化

    • 研究代表者
      権丈 淳
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ガラス上に於けるSiGe局所結晶の低温方位制御とデバイス応用

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  ヘテロ半導体におけるドライプロセス誘起欠陥の挙動解明と制御研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の局在制御による新機能探索研究

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      九州大学
  •  過剰空孔の導入及びその緩和過程制御による擬似単結晶シリコン形成技術の研究

    • 研究代表者
      宮尾 正信
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  Si結晶中の照射誘起欠陥の動的挙動の解明とプロセス応用研究代表者

    • 研究代表者
      佐道 泰造, 鶴島 稔夫
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  九州シンクロトロン放射光のエレクトロニクス応用研究に関する調査研究

    • 研究代表者
      黒木 幸令
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Thinning Combined with Post-Annealing2023

    • 著者名/発表者名
      Koga Taishiro、Nagano Takaya、Moto Kenta、Yamamoto Keisuke、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials

      巻: - ページ: 873-874

    • DOI

      10.7567/ssdm.2023.ps-11-04

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [雑誌論文] Grain Enlargement of Ultrathin Si Films on Insulators by Sn-Doping2023

    • 著者名/発表者名
      Hanafusa Yuki、Okamoto Kota、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials

      巻: - ページ: 871-872

    • DOI

      10.7567/ssdm.2023.ps-11-03

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [雑誌論文] Ultra-High Concentration Doping by Excimer Laser Annealing Using Solid-Diffusion Source2023

    • 著者名/発表者名
      Aoki Ren、Katayama Keita、Nakamura Daisuke、Yabuta Hisato、Ikenoue Hiroshi、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials

      巻: - ページ: 883-884

    • DOI

      10.7567/ssdm.2023.ps-11-09

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [雑誌論文] Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing2023

    • 著者名/発表者名
      Katayama Keita、Ikenoue Hiroshi、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 160 ページ: 107433-107433

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107433

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [雑誌論文] Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (<20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation2023

    • 著者名/発表者名
      Nagano Takaya、Hara Ryutaro、Moto Kenta、Yamamoto Keisuke、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 165 ページ: 107692-107692

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107692

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186, KAKENHI-PROJECT-23K13674
  • [雑誌論文] Solid-Phase Crystallization Characteristics of Interface-Modulated Sn- Doped Ge Thin Films on Insulator with Capping2022

    • 著者名/発表者名
      Nagano Takaya、Hara Ryutaro、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices

      巻: 29 ページ: 114-115

    • DOI

      10.23919/am-fpd54920.2022.9851292

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [雑誌論文] レーザープロセスを用いたIV族系半導体の結晶成長とドーピング2021

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 片山慶太, 池上浩, 白谷正治
    • 雑誌名

      シリコンテクノロジー(応用物理学会シリコンテクノロジー分科会)

      巻: 231 ページ: 22-25

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [雑誌論文] Layer-exchange crystallization for low-temperature (450°C) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator2020

    • 著者名/発表者名
      Gao Hongmiao、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 117 号: 17 ページ: 172102-172102

    • DOI

      10.1063/5.0020489

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [雑誌論文] Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≦50 nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization2019

    • 著者名/発表者名
      Xu Chang、Gong Xiangsheng、Miyao Masanobu、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 号: 4 ページ: 042101-042101

    • DOI

      10.1063/1.5096798

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [雑誌論文] Low-Temperature (~250°C) Gold-Induced Lateral Growth of Sn-Doped Ge on Insulator Enhanced by Layer-Exchange Reaction2019

    • 著者名/発表者名
      Sadoh Taizoh、Sakai Takatsugu、Matsumura Ryo
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 8 号: 10 ページ: P609-P614

    • DOI

      10.1149/2.0281910jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [雑誌論文] Novel growth techniques of group-IV based semiconductors on insulator for next-generation electronics2017

    • 著者名/発表者名
      Masanobu Miyao and Taizoh Sadoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DA06-05DA06

    • DOI

      10.7567/jjap.56.05da06

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [雑誌論文] Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400 °C) Si-seeded-pulse-laser annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Sadoh T.、Kurosawa M.、Heya A.、Matsuo N.、Miyao M.
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 8-11

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.10.033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [雑誌論文] Low-temperature (<200 oC) solid-phase crystallization of high substitutional Sn concentration (>10%) GeSn on insulator enhanced by weak laser irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      Moto Kenta、Sugino Takayuki、Matsumura Ryo、Ikenoue Hiroshi、Miyao Masanobu、Sadoh Taizoh
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 7 号: 7 ページ: 075204-075204

    • DOI

      10.1063/1.4993220

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-17J00544
  • [雑誌論文] Low-Temperature Formation of Large-Grain (≧10μm) Ge at Controlled-Position on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Diffusion-Barrier Patterning2016

    • 著者名/発表者名
      R. Aoki, Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 5 号: 3 ページ: P179-P182

    • DOI

      10.1149/2.0161603jss

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 75 号: 10 ページ: 105-108

    • DOI

      10.1149/07510.0105ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [雑誌論文] High Sn-concentration (~8%) GeSn by low-temperature (~150 °C) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh , A. Ooato, J.-H. Parkb, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 20-23

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.09.069

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, Jong-Hyeok Park, R. Aoki, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 3S1 ページ: 03CB01-03CB01

    • DOI

      10.7567/jjap.55.03cb01

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Low-Temperature Growth of Orientation-Controlled Large-Grain Ge-Rich SiGe on Insulator at Controlled-Position for Flexible Electronics2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 75 号: 10 ページ: 95-103

    • DOI

      10.1149/07510.0095ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [雑誌論文] High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thickness- dependent low-temperature solid-phase crystallization2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, Y. Kai, R. Matsumura, K. Moto, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 109 号: 23

    • DOI

      10.1063/1.4971825

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [雑誌論文] Low-temperature (≦300℃) formation of orientation-controlled large-grain (≧10μm) Ge-rich SiGe on insulator by gold-induced crystallization2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 3-6

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.10.057

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [雑誌論文] Pulse number controlled laser annealing for GeSn on insulator structure with high substitutional Sn concentration2016

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 108 号: 26

    • DOI

      10.1063/1.4955059

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [雑誌論文] Low-temperature (≦300℃) formation of orientation-controlled large-grain (≧10μm) Ge-rich SiGe on insulator by gold-induced crystallization2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 3-6

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Ultra-low temperature (&#8804;300&#8201;°C) growth of Ge-rich SiGe by solid-liquid-coexisting annealing of -GeSn/c-Si structures2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Chikita, R. Matsumura and M. Miyao
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 118 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.4929878

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Thickness Dependent Solid-Phase Crystallization of Amorphous GeSn on Insulating Substrates at Low Temperatures (&#8804;250&#9702;C)2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, M. Sasaki, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: 4 号: 12 ページ: 95-97

    • DOI

      10.1149/2.0021512ssl

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] High quality, giant crystalline-Ge stripes on insulating substrate by rapid-thermal-annealing of Sn-doped amorphous-Ge in solid-liquid coexisting region2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Kai, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 5 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.4922266

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Low-temperature (~180 ℃) position-controlled lateral solid-phase crystallization of GeSn with laser-anneal seeding2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 107 号: 26

    • DOI

      10.1063/1.4939109

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Seeding Effects of Sn/a-Ge Island Structures for Low-Temperature Lateral-Growth of a-GeSn on Insulator2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 5 号: 2 ページ: 76-79

    • DOI

      10.1149/2.0241602jss

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976, KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-26630133, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Sn-induced low-temperature (~150℃) crystallization of Ge on insulator2014

    • 著者名/発表者名
      A. Ooato, T. Suzuki, J. -H. PARK, M. Miyao, T. Sadoh
    • 雑誌名

      Thin solid films

      巻: 557 ページ: 155-158

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.123

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J06549, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] In-depth analysis of high-quality Ge-on-insulator structure formed by rapid-melting growth2014

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.557 ページ: 139-142

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.035

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Dynamic analysis of rapid-melting growth using SiGe on insulator2014

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura , Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.557 ページ: 125-128

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.129

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [雑誌論文] (111)-oriented large-grain (≥50 μm) Ge crystals directly formed on flexible plast ic substrate by gold-induced layer-exchange crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      J. -H. Park, M. Miyao, T. Sadoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 2 ページ: 020302-020302

    • DOI

      10.7567/jjap.53.020302

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J06549, KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates2014

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 116 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4901262

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J04434, KAKENHI-PROJECT-25289089, KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [雑誌論文] Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 557 ページ: 135-138

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.127

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J04434, KAKENHI-PROJECT-23360138, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Ultra-high-speed lateral solid phase crystallization of GeSn on insulator combined with Sn-melting-induced seeding2014

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 20

    • DOI

      10.1063/1.4902344

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J04366, KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Giant-Lateral-Growth of SiGe Stripes on Insulating-Substrate by Self-Organized-Seeding and Rapid-Melting-Growth in Solid-Liquid Coexisting Region2014

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: Vol.3, No.5 号: 5 ページ: 61-64

    • DOI

      10.1149/2.003405ssl

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [雑誌論文] High carrier mobility in orientation-controlled large-grain (~50 μm) Ge directly formed on flexible plastic by nucleation-controlled gold-induced-crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, K. Kasahara, K. Hamaya, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 25

    • DOI

      10.1063/1.4885716

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J06549, KAKENHI-PROJECT-25289089, KAKENHI-PROJECT-25889041, KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [雑誌論文] Large-grain SiGe-on-insulator with uniform Si concentration by segregation-free rapid-melting growth2014

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 10

    • DOI

      10.1063/1.4895512

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [雑誌論文] Laterally-Graded Doping into Ge-on-Insulator by Combination of Ion-Implantation and Rapid-Melting Growth2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Mohammad Anisuzzaman, H. Yokoyama, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: Vol.2, No.7 号: 7 ページ: 58-60

    • DOI

      10.1149/2.002307ssl

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.102 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.4794409

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [雑誌論文] (Invited) Hybrid- Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal ---2013

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: Vol.50 号: 5 ページ: 59-70

    • DOI

      10.1149/05005.0059ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127, KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [雑誌論文] Orientation-Control of Ge-Stripes-on-Insulator by Narrowing in Rapid-Melting Growth from Si(111) Seed2013

    • 著者名/発表者名
      M. Anisuzzaman, S. Muta, M. Takahashi, Abdul Manaf Hashim, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: Vol.2, No.9 号: 9 ページ: 76-78

    • DOI

      10.1149/2.008309ssl

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Atomically-Coherent-Coalescence of Two Growth-Fronts in Ge Stripes on Insulator by Rapid-Melting Lateral- Crystallization2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: Vol.2, No.3 号: 3 ページ: 54-57

    • DOI

      10.1149/2.005303jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Nucleation-controlled gold-induced-crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (~ 250℃)2013

    • 著者名/発表者名
      J. -H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, T. Sadoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 8

    • DOI

      10.1063/1.4819015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J06549, KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] "Low temperature(1~ 250oC) layer exchange crystallization of Si1? xGex(x=1? 0) on insulator for advanced flexible devices2012

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.520 ページ: 3293-3295

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures2012

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, M.Kurosawa, A.Heya, N.Matsuo, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 号: 8 ページ: 3276-3278

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.088

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09J01769, KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kurasawa, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4705733

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J04434, KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Epitaxial-Template Structure Utilizing Ge-on-Insulator Stripe Arrays with Nanospacing for Advanced Heterogeneous Integration on Si Platform2012

    • 著者名/発表者名
      Abdul Manaf Hashim, Mohamad Anisuzzaman, S. Muta, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.51 号: 6S ページ: 06FF04-06FF04

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06ff04

    • NAID

      210000140769

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth2012

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y Tojo, M Kurosawa, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.101 号: 24

    • DOI

      10.1063/1.4769998

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [雑誌論文] Nano-lithography free formation of high density Ge-on-insulator network for epitaxial template2012

    • 著者名/発表者名
      H. Yokoyama, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.100 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.3691258

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Effects of dose on activation characteristics of P in Ge2012

    • 著者名/発表者名
      M. Anisuzzaman and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.520 号: 8 ページ: 3255-3258

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.076

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Au-Induced Low-Temperature(~ 250oC) Crystallization of Si on Insulator Through Layer-Exchange Process2011

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: Vol.14, No.6 ページ: 232-234

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Chip-size formation of high-mobility Ge strips on SiN films by cooling rate controlled rapid-melting growth2011

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.99 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.3611904

    • NAID

      120005133110

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138, KAKENHI-PROJECT-23860011
  • [雑誌論文] Growth-direction-dependent characteristics of Ge-on-insulator by Si - Ge mixing triggered melting growth2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohta, T. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: Vol.60 号: 1 ページ: 18-21

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.039

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, R.Kato, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 35 号: 5 ページ: 51-54

    • DOI

      10.1149/1.3570776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-09J01769, KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      ページ: 39-42

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Low-Temperature(~ 250oC) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: Vol.14, No.7 ページ: 274-276

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Low-Temperature (~250℃) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, M.Kurosawa, T.Hagihara, K.Toko, M.Miyao
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters Vol.14, No.7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Strained single-crystal GOI (Ge on Insulator) arrays by rapid-melting growth from Si (111) micro-seeds2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sakane, K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: Vol.60 号: 1 ページ: 22-25

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.037

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Au-Induced Low-Temperature (~250℃) Crystallization of Si on Insulator Through Layer-Exchange Process : Jong-Hyeok Park2011

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, M.Miyao, T.Sadoh
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters Vol.14, No.6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Dehydrogenation-Enhanced Large Strain (~1.6%) in Si Pillars Covered by Si_3N_4 Stress Liners2011

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, et al.
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 14

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Dehydrogenation-Enhanced Large Strain(~1.6%) in Si Pillars Covered by Si 3N 4 Stress Liners2011

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters Vol.14, No.4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Source-Drain Engineering Using Atomically Controlled Heterojunctions for Next-Generation SiGe Transistor Applications2011

    • 著者名/発表者名
      K. Hamaya, Y. Ando, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.50 号: 1R ページ: 010101-010101

    • DOI

      10.1143/jjap.50.010101

    • NAID

      210000138174

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127
  • [雑誌論文] Growth-Direction Dependent Rapid-Melting-Growth of Ge-on-Insulator (GOI) and its Application to Ge Mesh-Growth2011

    • 著者名/発表者名
      H. Yokoyama, Y. Ohta, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions, The Electrochemical Society

      巻: Vol.35, No.5 号: 5 ページ: 55-60

    • DOI

      10.1149/1.3570777

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in Si-on-insulator microstructures by polarized microprobe Raman pectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.98, No.1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Mesh-shape-and-size controlled rapid-melting growth for the formation of single-crystalline (100),(110) and (111) Ge networks on insulators2011

    • 著者名/発表者名
      I. Mizushima, K.Toko, Y. Ohta, T. Sakane, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol. 98, No.182107-1-3 号: 18

    • DOI

      10.1063/1.3586259

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [雑誌論文] Formation of single-crystalline Ge stripes on quartz substrates by SiGe mixing-triggered liquid-phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe2010

    • 著者名/発表者名
      M.Itakura, S.Masumori, N.Kuwano, H.Kanno, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.96, No.18

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] (100) Orientation-Controlled Ge Giant-Stripes on Insulating Substrates by Rapid-Melting Growth Combined with Si Micro-Seed Technique2010

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, M.Kurosawa, H.Yokoyama, N.Kawabata, T.Sakane, Y.Ohta, T.Tanaka, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices2010

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, H. Itoh, Y. Maeda
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low-temperature (≦250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique : Jong-Hyeok Park2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, M.Miyao, T.Sadoh
    • 雑誌名

      TENCON 2010-2010 IEEE Region 10

      ページ: 2196-2198

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Tanaka, M. Tanaka, M. Itakura, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Relaxation Mechanism of SiGe-on-Insulator by Oxidation-Induced Ge Condensation with H^+ Irradiation and Postannealing2010

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Journal of The Electrochemical Society Vol.157, No.11

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Low-temperature(. 250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique2010

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 雑誌名

      Proceedings of TENCON 2010-2010 IEEE Region 10 Conference

      ページ: 2196-2198

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Al-induced low-temperature crystallization of Si <1 x>Ge x (0<x<1) by controlling layer exchange process2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Al-induced low-temperature crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by controlling layer exchange process2010

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces2010

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane, K. Hamaya, Y. Ando, Y. Enomoto, K. Yamamoto, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.96,No.16

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed2010

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sakane, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of a full-Heusler alloy Co2FeSi on silicon by low-temperature molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      S. Yamada, K. Yamamoto, K. Ueda, Y. Ando, K. Hamaya, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Effect of atomically controlled interfaces on Fermi-level pinning at metal/Ge interfaces2010

    • 著者名/発表者名
      K. Yamane, K. Hamaya, Y. Ando, Y. Enomoto, K. Yamamoto, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol.96

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1063/1.336870

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127
  • [雑誌論文] High Quality Single-Crystalline Ge-Rich SiGe on Insulator Structures by Si-doping Controlled Rapid Melting Growth2010

    • 著者名/発表者名
      T. Tanaka, K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 3,3

      ページ: 31301-31301

    • NAID

      10027013905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGeat Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Journal of the Korean Physical Society 54,1

      ページ: 451-454

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Indentation-induced low-temperature solid-phase crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on insulator2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94,19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGeat Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, Y.Tsumura, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Journal of the Korean Physical Society Vol.54, No.1

      ページ: 451-454

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] High-quality single-crystal Ge stripes on quartz substrate by rapid-melting-growth2009

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Toko, T. Tanaka, T. Sadoh
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95,2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] "Magnetic properties of epitaxially grown Fe3Si/Ge(111) layers with atomically flat heterointerfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda, . K. Matsuyama, and M. Miyao
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys

      巻: Vol.105, No.7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Magnetic properties of epitaxially grown Fe3Si/Ge(111) layers with atomically flat heterointerfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda,. K. Matsuyama, M. Miyao
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.105,No.7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報

      ページ: 19-21

    • NAID

      110007227256

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Electrical properties of poly-Ge on glass substrate grown by two-step solid-phase crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, I.Nakao, T.Sadoh, T.Noguchi, M.Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics Vol.53

      ページ: 1159-1164

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structures2009

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Ohta, M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48,3

    • NAID

      210000066423

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO 2 Structures2009

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, H.Ohta, M.Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si_<1-x>Ge_x(x : 0-1)on Insulating Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, Y. Tsumira, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95,13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, T.Sadoh, M.Miyaob
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.95, No.13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si <1-x>Ge x (x : 0-1) on Insulating Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, Y.Tsumira, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Tsumira, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48,3

    • NAID

      210000066421

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.94,No.18

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor2009

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K. Toko, M. Miyao
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Defect-free single-crystal Ge island arrays on insulator by rapid-melting growth combined with seed-positioning technique2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sakane, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95,11

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Stress-enhancement in free-standing Si pillars through nonequilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by ultraviolet light irradiation2009

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, T.Sadoh, M.Kurosawa, M.Tanaka, M.Yamaguchi, S.Suzuki, T.Kitamura, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48,3

    • NAID

      210000066426

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Indentation-induced low-temperature solid-phase crystallization of Si <1-x>Ge x (x : 0-1) on insulator2009

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.94, No.19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Electrical properties of poly-Ge on glass substrate grown by two-step solid-phase crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, I. Nakao, T. Sadoh, T. Noguchi, M. Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 53

      ページ: 1159-1164

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGeat Low Temperatures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh and M. Miyao
    • 雑誌名

      J. Korean Phys. Soc Vol.54, No.1

      ページ: 451-454

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO_2 Structures2009

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Ohta, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.48, No.3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報 SDM2009-5

      ページ: 19-21

    • NAID

      110007227256

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Electrical injection and detection of spin-polarized electrons in silicon through an Fe3Si/Si Schottky tunnel barrier2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: Vol.94, No.18

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [雑誌論文] Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation2008

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, T.Tanaka, T.Sadoh, J.Morioka, T.Kitamura, M.Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.16 No.10

      ページ: 189-192

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, K. Ikeda, S. Hata, M. Itakura, H. Nakashima, M. Nishida, and M.Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.16 No.10

      ページ: 219-222

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      Dong Wang, H. Nakashima, M. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao, J. Morioka, T. Kitamura
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517,1

      ページ: 31-33

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Comprehensive study of low temperature (<1000°C) oxidation process in SiGe/SOI structures2008

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, T.Ohka, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 251-253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Low- Temperature Molecular Beam Epitaxy of a Ferromagnetic Full-Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, K. Hamaya, K. Yamamoto, Y. Ando, T. Sadoh, Y. Maeda, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.93, No.11

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Epitaxial Ferromagnetic Fe3Si/ Si(111) Structures with High-Quality Heterointerfaces2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.93, No.13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆, 佐道泰造
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報 SDM2008-17

      ページ: 83-88

    • NAID

      110006792721

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge substrate2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, T. Sadoh, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 422-424

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Abnormal oxidation characteristics of SiGe/SOI structures depending on piled-up Ge fraction at SiO2/SiGe interface2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tanaka, T. Ohka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Glass by Imprint Technique2008

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh T. Asano, M. Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 52,8

      ページ: 1221-1224

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spectroscopy and photoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      Dong Wang, H.Nakashima, M.Tanaka, T.Sadoh, M.Miyao, J.Morioka, T.Kitamura
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 31-33

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Comprehensive study of low temperature (<1000oC) oxidation process in SiGe/SOI structures2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tanaka, T. Ohka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517,1

      ページ: 251-253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy of a Ferromagnetic Full-Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, K. Hamaya, K. Yamamoto, Y. Ando, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.93,No.11

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe3Si/SiGe for spintronics application2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517,No.1

      ページ: 181-183

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      IEICE Transaction on Electronics Vol.E91-C,No.5

      ページ: 708-711

    • NAID

      110006343819

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Glass by Imprint Technique2008

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, H.Kanno, A.Kenjo, T.Sadoh, T.Asano, M.Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics Vol.52, No.8

      ページ: 1221-1224

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H+ irradiation-assisted Ge condensation method2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tanaka, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517,1

      ページ: 248-250

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Stress-relaxation mechanism in ultra-thin SiGe on insulator formed by H^+ irradiation-assisted Ge condensation method2008

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, A.Kenjo, T.Sadoh, M.Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 248-250

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si_<1-x>Ge_x with Whole Ge Fraction on Insulator2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47, No.3

      ページ: 1876-1879

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe3Si/SiGe for spintronics application2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao , K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517, No.1

      ページ: 181-183

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Epitaxial Ferromagnetic Fe3Si/Si(111) Structures with High-Quality Heterointerfaces2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.93,No.13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, K. Ikeda, S. Hata, M. Itakura, H. Nakashima, M. Nishida, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions 16,10

      ページ: 219-222

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Influences of Si Pillar Geometry on SiN-Stressor Induced Local Strain2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254,19

      ページ: 6226-6228

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, K.Toko, K.Ikeda, S.Hata, M.Itakura, H.Nakashima, M.Nishida, M.Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.16, No.10

      ページ: 219-222

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] Influences of Si Pillar Geometry on SiN-Stressor Induced Local Strain2008

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, T.Sadoh, J.Morioka, T.Kitamura, M.Miyao
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol.254, No.19

      ページ: 6226-6228

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [雑誌論文] 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆, 佐道泰造
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報

      ページ: 83-88

    • NAID

      110006792721

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] 縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 雑誌名

      電気学会・電子材料研究会資料 EFM-08-29

      ページ: 31-34

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si_<1-x>Ge_x with Whole Ge Fraction on Insulator2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 47

      ページ: 1876-1879

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge substrate2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, T. Sadoh, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517,No.1

      ページ: 422-424

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation2008

    • 著者名/発表者名
      M. Tanaka, T. Tanaka, T. Sadoh, J. Morioka, T. Kitamura, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions 16,10

      ページ: 189-192

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Low temperature epitaxial growth of Fe3Si on Si(111) substrate through ultra-thin SiO2 films2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517,No.1

      ページ: 425-427

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, M. Miyao
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47,3

      ページ: 1876-1879

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Glass by Imprint Technique2008

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics Vol.52, No.8

      ページ: 1221-1224

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Characterization of Fe3Si/Si Schottky Contact for Future Spin-Transistor: Y.2008

    • 著者名/発表者名
      Kishi, M. Kumano, K. Ueda, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.16No.10

      ページ: 277-280

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] 縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      都甲薫, 佐道泰造宮尾正信
    • 雑誌名

      電気学会・電子材料研究会資料

      ページ: 31-34

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Ando, K. Yamamoto, M. Kumano, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.16No.10

      ページ: 273-276

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low Temperature Formation of Multi-Layered Structures of Ferromagnetic Silicide Fe3Si and Ge2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      Applied Surface Science Vol.254,No.19

      ページ: 6215-6217

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成~電界印加効果、触媒種効果~2008

    • 著者名/発表者名
      萩原貴嗣, 都甲薫, 佐道泰造
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報 SDM2008-17

      ページ: 101-105

    • NAID

      110006792724

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成~電界印加効果、触媒種効果~2008

    • 著者名/発表者名
      萩原貴嗣, 都甲薫, 佐道泰造
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報

      ページ: 101-105

    • NAID

      110006792724

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Ni-imprint induced solid-phase crystallization in Sil-xGex(x:0-1) on insulator2007

    • 著者名/発表者名
      K.ToKo, H. Kanno, A. Kenjo, T.Sadoh, T.Asano and M.Miyao
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360025
  • [雑誌論文] Ge-channel thin-film transistor with Schottky source/drain fabricated by low-temperature processing2007

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 46(3B)

      ページ: 1250-1253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] 強磁性体シリサイド/半導体積層構造の低温エピタキシャル成長-Si系スピントロノクスの創出を目指して-2007

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 熊野守, 安藤裕一郎, 上田公二, 権丈淳, 宮尾正信
    • 雑誌名

      九州大学中央分析センター報告 第25号

      ページ: 7-11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Effect of Fe/Si Ratio on Epitaxial Growth of Fe3Si on Ge Substrate2007

    • 著者名/発表者名
      M. Kumano, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.11,No.6

      ページ: 481-486

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Comparative Study of Al-Induced Crystallization for Poly-Si and Ge on Insulating Film2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions 11,6

      ページ: 395-402

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Ni-Imprint Induced Solid-Phase Crystallization in Si_<1-x>Ge_x(x : 0-1) on Insulator2007

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett Vol.91, No.4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe3Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.11,No.6

      ページ: 473-480

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価2007

    • 著者名/発表者名
      平岩佑介, 安藤裕一郎, 熊野守, 上田公二, 佐道泰造, 宮尾正信, 鳴海一雅, 前田佳均
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報 SDM2007-230

      ページ: 35-38

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique2007

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T.Sadoh, T.Asano and M.Miyao
    • 雑誌名

      Dig.Tech.Papers, The 14th Int.Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices

      ページ: 275-278

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360025
  • [雑誌論文] Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 ED2007-101

      ページ: 221-224

    • NAID

      110006343819

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe_3Si/SuGe]_n(n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application2007

    • 著者名/発表者名
      T., Sadoh, et. al.
    • 雑誌名

      ECS Transactions 11

      ページ: 473-480

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Axial orientation of molecular-beam-epitaxy-grown Fe3Si/Ge hybrid structures and its degradation2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Maeda, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.91,No.17

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Formation of Fe3Si/Ge/Fe3Si Multi-Layer by Double Heteroepitaxy on High Quality Fe3Si/Ge Substrate for Spintronics Application2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.11,No.6

      ページ: 487-492

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, M. Miyao
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 561-565

      ページ: 1181-1184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Comparative Study of Al-Induced Crystallization for Poly-Si and Ge on Insulating Film2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 雑誌名

      ECS Transactions Vol.11, No.6

      ページ: 395-402

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] Ge-channel thin-film transistor with Schottky source/drain fabricated by low-temperature processing2007

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46(3B)

      ページ: 1250-1253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with Nice Schottky Source/Drain2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, et. al.
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 561-565

      ページ: 1181-1184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [雑誌論文] Influence of Substrate Orientation on Low-Temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, R. Kizuka, H. Takeuchi, A. Kenjo, T. Sadoh,., M. Miyao
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.515,No.22

      ページ: 8250-8253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo and M. Miyao
    • 雑誌名

      Materials Science Forum Vol.561-565

      ページ: 1181-1184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [雑誌論文] スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe3Si)/SiGeの低温形成2006

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 上田公二, 熊野守, 宮尾正信
    • 雑誌名

      電気材料研究会資料 EFM-06-17

      ページ: 11-14

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low-temperature formation (<500℃) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, et al.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 89(19)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe_3Si on Si (111) Substrate2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45(4B)

      ページ: 3598-3600

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Low-temperature formation (<500℃) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89(19)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe_3Si on Si (111) Substrate2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45(4B)

      ページ: 3598-3600

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe_3Si on Ge2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89(18)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] スピントロニクス用強磁性シリサイド (Fe_3Si)/SiGeの低温形成2006

    • 著者名/発表者名
      佐道 他
    • 雑誌名

      電気学会・電気材料研究会資料 EFM-06-17

      ページ: 11-14

    • NAID

      10018312331

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Low-temperature formation (<500℃) of poly-Ge thin-film transistor with NiGe Schottky source/drain2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89(19)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe_3Si on Si(111) Substrate2006

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45(4B)

      ページ: 3598-3600

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Atomically controlled molecular beam epitaxy of ferromagnetic silicide Fe3Si on Ge2006

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kumano, R. Kizuka, K. Ueda, A. Kenjo, M. Miyao
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. Vol.89,No.18

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxy of Fe_3Si Film on Si Substrate2005

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Tech. Dig. 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices

      ページ: 27-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価2005

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造 他
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技報 2005-13

      ページ: 23-26

    • NAID

      10015723880

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Positon Control of Nucleation in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Ge Layer Insertion2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      MRS Symp.Proc. 796

      ページ: 39-43

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360169
  • [雑誌論文] Enhanced crystal nucleation in a-Si on SiO_2 by local Ge doping2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 464-465

      ページ: 99-102

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360169
  • [雑誌論文] Strain in β-FeSi_2 modulation by Ge segregation in solid-phase growth of [a-Si/a- FeSiGe]_n stacked structure2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237

      ページ: 146-149

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Positon control of Nucleation in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Ge Layer Insertion2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh et al.
    • 雑誌名

      MRS Symp.Proc. Vol.796

      ページ: 39-43

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360169
  • [雑誌論文] Lattice Strain Engineering of β-FeSi_2 by Ge Doping2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Tech. Dig. 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices

      ページ: 243-246

    • NAID

      110003175625

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Formation of SiGe/β-FeSi_2 Superstructures from Amorphous Si/FeSiGe Layers2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 461

      ページ: 77-80

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Ge-dependent Morphological Change in Poly-SiGe Formed by Ni-mediated Crystallization2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 224(1-4)

      ページ: 227-230

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360010
  • [雑誌論文] Formation of SiGe/β-FeSi_2 Superstructures from Amorphous Si/FeSiGe Layers2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 461

      ページ: 77-80

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Formation of β-FeSi_<2-x>Ge_x by Ge-Segregation-Controlled Solid-Phase Growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n, Multilayered Structure2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43(4B)

      ページ: 1879-1881

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Formation of β-FeSi_<2-x> Ge_x by Ge-Segregation-Controlled Solid-Phase Growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n Multilayered Structure2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43(4B)

      ページ: 1879-1881

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Strain in β-FeSi_2 modulation by Ge segregation in solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n stacked structure2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh 他
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237

      ページ: 146-149

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [雑誌論文] Strain in β-FeSi_2 modulation by Ge segregation in solid-phase growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n stacked structure2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh et al.
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 2372

      ページ: 146-149

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560277
  • [学会発表] High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Thinning Combined with Post-Annealing2023

    • 著者名/発表者名
      Taishiro Koga, Takaya Nagano, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Effects of Capping Layers on Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films on Insulators2023

    • 著者名/発表者名
      Ryu Hashimoto, Taishiro Koga, Takaya Nagano, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Growth Characteristics of Sn-Doped Si Thin-Filmson Insulator2023

    • 著者名/発表者名
      Yuki Hanafusa, Kota Okamoto, and Taizoh. Sadoh
    • 学会等名
      2023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] 基板に成膜したアモルファスGe薄膜への低エネルギー電子ビーム照射による爆発的結晶化2023

    • 著者名/発表者名
      坂元響,仲村龍介,柳澤淳一,佐道泰造
    • 学会等名
      2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K23083
  • [学会発表] Ultra-High Concentration Doping by Excimer Laser Annealing Using Solid-Diffusion Source2023

    • 著者名/発表者名
      Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hisato Yabuta, Hiroshi Ikenoue, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] 絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用2023

    • 著者名/発表者名
      佐道 泰造
    • 学会等名
      第41回シリサイド系半導体研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] 絶縁膜上におけるIV族系半導体薄膜の低温固相成長2023

    • 著者名/発表者名
      古賀 泰志郎, 花房 佑樹, 茂藤 健太, 山本 圭介, 佐道 泰造
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Post-Annealing for Thin-Film Transistor Application2023

    • 著者名/発表者名
      T. Koga, T. Nagano, K. Moto, K. Yamamoto, and T. Sadoh
    • 学会等名
      30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Sn-Doped Si Thin-Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Hanafusa, K. Okamoto, and T. Sadoh
    • 学会等名
      30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Grain Enlargement of Ultrathin Si Films on Insulators by Sn-Doping2023

    • 著者名/発表者名
      Yuki Hanafusa, Kota Okamoto, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2023 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Formation of pn Junctions by Doping Using Excimer Laser Annealing2023

    • 著者名/発表者名
      Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hisato Yabuta, Hiroshi Ikenoue, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      The 12th Asia-Pacific Laser Symposium
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget2023

    • 著者名/発表者名
      R. Aoki, K. Katayama, D. Nakamura, H. Ikenoue, and T. Sadoh
    • 学会等名
      30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Improved Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Thin Films (< 50 nm) on Insulator by a-Si Capping2022

    • 著者名/発表者名
      Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Solid-Phase Crystallization Characteristics of SiSn Thin Film on Insulating Substrates2022

    • 著者名/発表者名
      Kota Okamoto, Tomohiro Kosugi, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化2022

    • 著者名/発表者名
      霜田 音吉, コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ, 野口 隆, 梶原 隆司, 佐道 泰造, 岡田 竜弥
    • 学会等名
      第69回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] (Invited) Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Ge Ultra-thin Films for Advanced TFT2022

    • 著者名/発表者名
      Taizoh Sadoh, Takaya Nagano, Taishiro Koga, Kenta Moto, and Keisuke Yamamoto
    • 学会等名
      The 29th International Display Workshops
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] 界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板の固相成長特性2022

    • 著者名/発表者名
      永野 貴弥, 原 龍太郎, 千代薗 修典, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第69回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin (<50nm) Films on Insulator by a-Si Capping in Solid-Phase Crystallization2022

    • 著者名/発表者名
      Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Ultrathin Large Grain Si Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Sn-Doping2022

    • 著者名/発表者名
      Kota Okamoto, Tomohiro Kosugi, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Solid-Phase Crystallization Characteristics of Interface-Modulated Sn-Doped Ge Thin Films on Insulator with Capping2022

    • 著者名/発表者名
      Takaya Nagano, Ryutaro Hara, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04186
  • [学会発表] Effect of Sn doping to Solid-Phase Crystallization of Si thin film on Insulator2021

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kosugi, Kota Okamoto, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin Films on Insulator by Capping-Enhanced Solid-Phase Crystallization2021

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro Hara, Masanori Chiyozono, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2021 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Crystallization of SiN Capped InSb Films on Glass by Rapid Thermal Annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Otokichi Shimoda, Yuki Sawama, C. J. Koswaththage, Takashi Noguchi, Takashi Kajiwara, Taizoh Sadoh, and Tatsuya Okada
    • 学会等名
      The 21st International Meeting on Information Display
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of High-Sn Concentration SiSn on Insulator2021

    • 著者名/発表者名
      K. Okamoto, T. Kosugi, and T. Sadoh
    • 学会等名
      28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] レーザープロセスを用いたIV族系半導体の結晶成長とドーピング2021

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 片山慶太, 池上浩, 白谷正治
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第231回研究集会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換成長法によるn型GeSn低温形成2021

    • 著者名/発表者名
      河原 聡, 劉 森, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Low-Temperature Crystallization of Group-IV Semiconductors on Insulator for Advanced Electronics2021

    • 著者名/発表者名
      Taizoh SADOH
    • 学会等名
      4th International Conference on Circuits, Systems and Simulation & 4th International Conference on Consumer Electronics and Devices
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] a-SiキャップによるSn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上2021

    • 著者名/発表者名
      原 龍太郎, 千代薗修典, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換法によるSn添加n型Geの低温形成2021

    • 著者名/発表者名
      河原 聡, 劉 森, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 急速熱処理法によるInSb薄膜/ガラス基板の結晶成長2021

    • 著者名/発表者名
      梶原 隆司, 霜田 音吉, 岡田 竜弥, チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー, 野口 隆, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] a-Siキャップ付加による界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上2021

    • 著者名/発表者名
      原 龍太郎, 千代薗 修典, 茂藤 健太, 山本 圭介, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 界面変調固相成長法で形成したSn添加多結晶Ge極薄膜/絶縁基板の電気特性に与えるアニール効果2021

    • 著者名/発表者名
      千代薗 修典, 原 龍太郎, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 絶縁基板上におけるSi薄膜の固相成長に与えるSn添加効果2021

    • 著者名/発表者名
      小杉 智浩, 岡本 紘汰, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Improved Carrier Mobility of Poly-Ge Ultrathin Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization2021

    • 著者名/発表者名
      R. Hara, M. Chiyozono, and T. Sadoh
    • 学会等名
      28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials-
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換成長法によるSiGe/絶縁膜基板の低温成長2021

    • 著者名/発表者名
      永野貴弥,河原聡,劉森,佐道泰造
    • 学会等名
      2021年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 高Sn濃度SiSn薄膜/絶縁膜の低温固相成長特性の膜厚依存性2021

    • 著者名/発表者名
      岡本 紘汰, 小杉 智浩, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第68回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi触媒によるn型Ge薄膜の低温形成2020

    • 著者名/発表者名
      劉 森, 公 祥生, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板の界面変調型固相成長に与えるa-Si キャップ効果2020

    • 著者名/発表者名
      原 龍太郎, 千代薗 修典, 佐道 泰造
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of SiSn on Insulator - Effects of Sn Concentration and Film Thickness -2020

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kosugi, Kazuki Yagi, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (50 nm) by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization Combined with Thinning2020

    • 著者名/発表者名
      M. Chiyozono, X. Gong, and T. Sadoh
    • 学会等名
      27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 絶縁基板上におけるSiSn薄膜の低温固相成長特性2020

    • 著者名/発表者名
      小杉 智浩, 八木 和樹, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第67回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 界面変調型固相成長法で形成したSn添加多結晶Ge極薄膜/絶縁基板の粒界障壁解析2020

    • 著者名/発表者名
      千代薗 修典, 公 祥生, 徐 暢, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第67回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換成長法によるGeSn/絶縁基板の低温形成2020

    • 著者名/発表者名
      河原 聡, 劉 森, 佐道 泰造
    • 学会等名
      2020年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Low-Temperature Solid-Phase Crystallization Combined with a-Si Under-Layer for High Sn Concentration GeSn Film without Sn-Segregation2020

    • 著者名/発表者名
      Yuta Tan, Daiki Tsuruta, Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (~20 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization2020

    • 著者名/発表者名
      Masanori Chiyozono, Xiangsheng Gong, Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2020 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 高Sn濃度GeSn/絶縁基板の低温固相成長(~200℃)に与える下地変調効果2020

    • 著者名/発表者名
      丹 優太, 鶴田 太基, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Growth Characteristics of SiSn on Insulator by Solid Phase Crystallization2020

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kosugi, Kazuki Yagi, Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      5th Asian Applied Physics Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換成長法によるn型Ge/絶縁基板の低温形成2020

    • 著者名/発表者名
      劉 森, 公 祥生, 高 洪ミョウ, 佐道 泰造
    • 学会等名
      第67回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] SiSn Film on Insulator by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization2020

    • 著者名/発表者名
      T. Kosugi, K. Yagi, T. Sadoh
    • 学会等名
      27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 界面変調によるSn添加極薄Ge薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上2019

    • 著者名/発表者名
      公 祥生, 徐 暢, 佐道 泰造
    • 学会等名
      電子情報通信会九州支部 学生会講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] GeSn/絶縁基板の低温固相成長に与える下地変調効果2019

    • 著者名/発表者名
      丹 優太,鶴田 太基,公 祥生,佐道 泰造
    • 学会等名
      半導体材料・デバイスフォーラム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] 非晶質シリコン層挿入によるスズ添加ゲルマニウム薄膜の特性向上2019

    • 著者名/発表者名
      公 祥生, 徐 暢, 佐道 泰造
    • 学会等名
      電気・情報関係学会九州支部連合会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Low-Temperature Bi-Induced Layer Exchange Crystallization for Formation of n-Type Ge on Insulator2019

    • 著者名/発表者名
      Xiangsheng Gong, Sen Liu, Hongmiao Gao, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] Bi誘起層交換法によるn型Ge/絶縁基板の低温成長2019

    • 著者名/発表者名
      劉 森,公 祥生, 高 洪ミョウ, 佐道 泰造
    • 学会等名
      半導体材料・デバイスフォーラム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] High Carrier Mobility Sn-Doped Ge Thin-Films (≦50 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature2019

    • 著者名/発表者名
      Xiangsheng Gong, Chang Xu, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Materials and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K21976
  • [学会発表] (Invited) Low-Temperature Crystallization of Group-IV Semiconductors on Insulator Using Catalysis2018

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Miyao, and I. Tsunoda
    • 学会等名
      International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Formation of n-Type Ge on Insulator by Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization2017

    • 著者名/発表者名
      H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Workshop on Junction Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] Thickness-Dependent Substitutional-Sn-Concentration in GeSn-on-Insulator by Weak- Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (180°C)2017

    • 著者名/発表者名
      T. Sugino, K. Moto, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] (招待講演)触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成 - 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して -2017

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造,宮尾正信,角田功
    • 学会等名
      応用物理学会 秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of n-Type Ge on Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization2017

    • 著者名/発表者名
      Hongmiao Gao, Masanobu Miyao, and Taizoh Sadoh
    • 学会等名
      International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator at Low-Temperature (180°C) - Thickness-Dependent High Substitutional-Sn-Concentration -2017

    • 著者名/発表者名
      T. Sugino, K. Moto, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Workshop on Junction Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of n-Type Ge/Insulator by Sb-Induced Layer Exchange Crystallization2017

    • 著者名/発表者名
      H. Gao, R. Aoki, M. Sasaki, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] Low-Temperature Sb-Induced Layer Exchange Crystallization for Slef-Limiting Formation of n-Type Ge/Insulator2017

    • 著者名/発表者名
      H. Gao, R. Aoki, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid-State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] High Substitutional-Sn-Concentration GeSn-on-Insulator by Weak-Laser-Irradiation-Enhanced Solid-Phase Crystallization at Low-Temperature (~170°C)2017

    • 著者名/発表者名
      T. Sugino, K. Moto, R. Matsumura, H. Ikenoue, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid-State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] 18.Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding2016

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2016
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] 21.Cooling Rate Dependent High Substitutional Sn Concentration (>10%) in GeSn Crystals on Insulator by Pulsed Laser-Annealing2016

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME 2016& 230th ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14234
  • [学会発表] Low Temperature (~150oC) Au-Induced Lateral Growth of a-GeSn on Insulator2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sakai, R. Matsumura , T. Sadoh and M. Miyao
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of GeSn Crystals with High Sn Concentration on Insulating Substrate by Pulsed Laser-Annealing2016

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue and M. Miyao
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Thickness-Controlled Low-Temperature (~380°C) Solid-Phase Crystallization of Sn-Doped Poly-Ge/Insulator for High Carrier Mobility (~320 cm2/Vs)2016

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, T. Sadoh, Y. Kai, R. Matsumura, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2016
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Low-Temperature Growth of Orientation-Controlled Large-Grain Ge-Rich SiGe on Insulator at Controlled-Position for Flexible Electronics2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, R. Aoki, T. Tanaka, J. H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science, PRiME 2016& 230th ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate2015

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M.u Miyao
    • 学会等名
      2015 International Electron Devices and Materials Symposium
    • 発表場所
      Tainan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Melting Sn Induced Low-Temperature Seeding for Position Controlled Giant GeSn Crystal Arrays2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Orientation-controlled large-grain SiGe on insulator by gold-induced crystallization at low-temperature for flexible opto-electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park R. Aoki, M. Miyao
    • 学会等名
      The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)2015

    • 著者名/発表者名
      R. Aoki, J-H Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      2015 International Electron Devices and Materials Symposium
    • 発表場所
      Tainan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge for High Non-Equilibrium Substitutional Sn-Concentration GeSn2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2015
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] High Sn-Concentration (~8%) GeSn by Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] High Sn-Concentration (~8%) GeSn by Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Motreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Gold-induced low-temperature (≦300℃) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M. Miyao
    • 学会等名
      The 228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix
    • 年月日
      2015-10-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Low temperature solid phase crystallization of GeSn on insulator for flexible electronics2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, M. Sasaki, H. Chikita, M. Miyao, T. Sadoh
    • 学会等名
      The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Gold-induced low-temperature (≦300℃) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M. Miyao
    • 学会等名
      The 228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix
    • 年月日
      2015-10-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Low-Temperature (≦300℃) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≧10μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (&#8804;400°C)2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Crystallization of GeSn on insulating substrates by lateral solid-phase crystallization technique2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      34th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Shiga
    • 年月日
      2015-07-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Low-Temperature (~150°C) Solid-Phase Epitaxy of a-GeSn/c-Ge for High Non-Equilibrium Substitutional Sn-Concentration GeSn2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2015
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      2015-08-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)2015

    • 著者名/発表者名
      R. Aoki, J-H Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      2015 International Electron Devices and Materials Symposium
    • 発表場所
      Tainan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Gold-induced low-temperature (≦300℃) growth of quasi-single crystal SiGe on insulator for advanced flexible electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, M. Miyao
    • 学会等名
      The 228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix
    • 年月日
      2015-10-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Effects of Diffusion-Barrier-Patterning on Formation of Position-Controlled Ge-on- Insulator by Gold-Induced Crystallization at Low Temperatures (≦300℃)2015

    • 著者名/発表者名
      R. Aoki, J-H Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      2015 International Electron Devices and Materials Symposium
    • 発表場所
      Tainan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03976
  • [学会発表] Large Single-Crystal Ge-on-Insulator by Thermally-Assisted Si-Seeded-Pulse-Laser Annealing (≦400℃)2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao
    • 学会等名
      the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Laser-Anneal Seeded Solid-Phase Crystallization for Ultra-Low Temperature Growth of Germanium-Tin2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      24th International Materials Research Congress
    • 発表場所
      Cancun
    • 年月日
      2015-08-16
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Sige-on-Insulator with Uniform Lateral Composition2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      24th International Materials Research Congress
    • 発表場所
      Cancun
    • 年月日
      2015-08-16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Sn-precipitation-suppressed solid-phase epitaxy of GeSn on Ge at low-temperatures (~150°C)2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J. -H. ParkH. M. Miyao
    • 学会等名
      The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Low-Temperature (≦300℃) Formation of Orientation-Controlled Large-Grain (≧10μm) Ge-Rich SiGe on Insulator by Gold-Induced Crystallization2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, R. Aoki, and M. Miyao
    • 学会等名
      the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Thickness dependent solid phase crystallization of amorphous GeSn on insulating substrates2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, M. Sasaki, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Quasi-Single Crystal SiGe on Insulator by Au-Induced Crystallization for Flexible Electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J-H Park, R. Aoki, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2015-07-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Orientation-controlled large-grain SiGe on insulator by gold-induced crystallization at low-temperature for flexible opto-electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park R. Aoki, M. Miyao
    • 学会等名
      The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Sn-precipitation-suppressed solid-phase epitaxy of GeSn on Ge at low-temperatures (~150°C)2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, A. Ooato, J. -H. ParkH. M. Miyao
    • 学会等名
      The 11th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2015-05-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Ultra-low temperature (~180°C) solid-phase crystallization of GeSn on insulator triggered by laser-anneal seeding2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix
    • 年月日
      2015-10-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Analysis and control of Si segregation phenomena to achieve uniform-SiGe crystals on insulator by rapid-melting growth2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      2015 International Electron Devices and Materials Symposium
    • 発表場所
      Tainan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Low Temperature (<200oC) position controlled Solid Phase Crystallization of GeSn combined with Laser Anneal Seeding2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Montreal
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Non-thermal equilibrium formation of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) crystals on insulator by pulsed laser annealing2015

    • 著者名/発表者名
      K. Moto, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix
    • 年月日
      2015-10-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Quasi-Single Crystal SiGe on Insulator by Au-Induced Crystallization for Flexible Electronics2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J-H Park, R. Aoki, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding2015

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai1, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2015
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      2015-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Dynamic control of lateral crystallization for Group IV mixed-crystal semiconductor on insulating substrate2014

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] (Invited) Orientation-Controlled Large-Grain SiGe Crystal on Flexible Substrate by Low -Temperature Metal-Induced Crystallization2014

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      仙台
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Influences of Sn on low-temperature crystallization of a-GeSn mixed or a-Ge/Sn stacked layer on crystal substrate2014

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kinoshita, A. Ooato, T. Sadoh and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Dynamic control of lateral crystallization for Group IV mixed-crystal semiconductor on insulating substrate2014

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Melting-Induced-Mixing in a-Ge/Sn/c-Ge Structures for Sn-Doped Ge Films2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kinoshita, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, T. Nishimura, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Recent Progress of Rapid- Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurator2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh and M. Miyao
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Sendai
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth for Giant-Single-Crystal SiGe on Insulator2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE-17
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] 3-Dimensionally-Graded SiGe-on-Insulator Stacked Structures by Successive Rapid -Melting Growth2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Narrowing-Induced Orientation-Stabilization in Rapid-Melting Growth of Ge-on- Insulator2013

    • 著者名/発表者名
      S. Muta, M. Anisuzzaman, A.M.Hashim, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference in Asia 2013, IUMRS-ICA
    • 発表場所
      Bangalore, India
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of SiGe Crystals by Partial-Melting Method in a-GeSn /Si(100) Structure2013

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, Y. Kinoshita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn/Si(100) Structure for Low Temperature Epitaxial Growth of SiGe2013

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] (Invited) Hybrid-Formation of Single-Crystalline Ge(Si,Sn)-on-Insulator Structures by Self-Organized Melting-Growth2013

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, R. Matsumura, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2013
    • 発表場所
      福岡
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Recent Progress of Rapid-Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurator2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      仙台
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Single-Crystalline SiGe Stripes on Insulating Substrate by Segregation-Free Rapid -Melting-Growth2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Segregation-Free Giant Single-Crystalline SiGe-on-Insulator by Super-Cooling-Controlled Rapid-Melting Growth2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2013, SSDM2013
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] (Invited) Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao
    • 学会等名
      The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Recent Progress of Rapid-Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurator2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Sendai
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127
  • [学会発表] High-Quality Hybrid-GeSn/Ge Stacked-Structures by Low-Temperature -Induced-Melting Growth2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kinoshita, R. Matsumura, T. Sadoh, T. Nishimura and M. Miyao
    • 学会等名
      The Electrochemical Society, 224th ECS Meeting
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of Orientation-Controlled Thin (~50 nm) Ge(111)-on-Insulator by Rapid- Melting Growth Combined with Narrow-Striping2013

    • 著者名/発表者名
      S. Muta, M. Anisuzzaman, .M.Hashim, and T. Sadoh
    • 学会等名
      26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Low-Temperature (~300℃) Epitaxial-Growth of SiGe(Sn) on Si-Platform by Liquid-Solid Coexisting Annealing2013

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Tojo, Y. Kinoshita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2013
    • 発表場所
      福岡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, M. Miyao
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-8
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Hybrid-Formation of Single-Crystalline Ge(Si,Sn)-on-Insulator Structures by Self-Organized Melting-Growth2013

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, R. Matsumura, M. Kurosawa, K. Toko, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials2013, SSDM2013
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Segregation-Free Giant Single-Crystalline SiGe-on-Insulator by Super-Cooling-Controlled Rapid-Melting Growth2013

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2013
    • 発表場所
      福岡
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal ---2012

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh
    • 学会等名
      PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012
    • 発表場所
      awaii, U.S.A
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127
  • [学会発表] Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting-Growth2012

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012
    • 発表場所
      Hawaii
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Laterally Graded SiGe-on-Insulator with Universal Si Profile by Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth2012

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2012, SSDM2012
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process2012

    • 著者名/発表者名
      R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      PRiME 2012, ECS Pacific RIM Meeting 2012
    • 発表場所
      Hawaii
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] A u誘起層交換成長法による大粒径G e(1 1 1)結晶/絶縁膜の形成:界面酸化膜挿入効果2012

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      E-MRS 2012 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656209
  • [学会発表] AlC初期過程におけるSi <0.5>Ge <0.5>薄膜の微細構造解析2011

    • 著者名/発表者名
      犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会,27p-BA-3
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 金属誘起反応を用いたSi <1-x>Ge x/絶縁膜(x : 0~1)の低温結晶成長2011

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, 朴鍾, 都甲薫, 宮尾正信
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会,24p-BK-10
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Advanced Hetero-epitaxial Growth based on SiGe for Multifunctional Devices2011

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, T. Sadoh, and K. Hamaya
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films 2011, ICTF-15, 11/8
    • 発表場所
      Kyoto
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360138
  • [学会発表] Low-temperature(~ 250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics2011

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, T. Sadoh
    • 学会等名
      AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices
    • 発表場所
      Daejeon, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] 次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si <1-x>Ge x(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250^0C):朴鍾2011

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会,24a-P2-8
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Au-catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator2011

    • 著者名/発表者名
      J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal
    • 発表場所
      Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] 次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~ 250oC)2011

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強2011

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 黒澤昌志, 部家彰, 松尾直人, 宮尾正信
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会,25a-P3-22
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] "Lateral-liquid phase epitaxy of(101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      219th ECS Meeting, The Electrochemical Society, Montreal
    • 発表場所
      Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex(x=1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices2011

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~ 250oC)2011

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造,黒澤昌志,川畑直之,朴鍾.,都甲薫,宮尾正信
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] "Single-crystalline(110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh and M. Miyao
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of(111) Si1-xGex(0<x<1) on Insulator by Al-Induced Crystallization2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      AWAD2011, 2011 Asia Pacific Workshop on Fundametals and Applications of advanced semiconductor devices
    • 発表場所
      Daejeon, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Interfacial Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si on Insulator for Epitaxial Template2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics,29-30
    • 発表場所
      Sendai, Japan (Jan.)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム:2010

    • 著者名/発表者名
      川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会SDM2010
    • 発表場所
      沖縄
    • 年月日
      2010-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeシキシング誘起横方向Geエピタキシヤル成長2010

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会,18a-D-8
    • 発表場所
      湘南
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Strained Single-Crystal GOI (Ge on Insulator) Arrays by Rapid-Melting Growth from Si (111) Micro-Seeds2010

    • 著者名/発表者名
      T.Sakane, K.Toko, T.Tanaka, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      5th ISTDM2010, 8-2
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Al誘起層交換法によるSiGe 結晶の配向成長機構2010

    • 著者名/発表者名
      川畑直之, 黒澤昌志, 朴鍾, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会,15p-ZD-2
    • 発表場所
      長崎
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] "Low-temperature(. 250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique2010

    • 著者名/発表者名
      J. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature(. 250oC) for Flexible Electronics2010

    • 著者名/発表者名
      J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      Nanotech Malaysia 2010 : Conference on Enabling Science and Nanotechnology
    • 発表場所
      Kuala Lumpur, Malaysia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Novel Growth-techniques of SiGe-based Hetero-structures for Post-scaling Devices2010

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, T. Sadoh, and K. Hamaya
    • 学会等名
      ICSI7 2011
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360127
  • [学会発表] SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator)2010

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sadoh, M. Miyao
    • 学会等名
      5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, JAPAN(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [学会発表] インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成2010

    • 著者名/発表者名
      坂根尭, 都甲薫, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会SDM2010
    • 発表場所
      沖縄
    • 年月日
      2010-04-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Al誘起結晶化Si <0.5>Ge <0.5>薄膜の微細構造解析2010

    • 著者名/発表者名
      犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会,18p-TM-4
    • 発表場所
      湘南
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御2010

    • 著者名/発表者名
      川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会,18p-TN-12
    • 発表場所
      湘南
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)2010

    • 著者名/発表者名
      朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, N.Kawabata, K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      5th ISTDM2010, 8-5
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Orientation-controlled poly-SiGe on insulator by Aluminum-induced crystallization2010

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      ITC' 10 5A-3, 28-29
    • 発表場所
      Himeji, Japan, (Jan.)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構2010

    • 著者名/発表者名
      川畑直之,黒澤昌志,朴鍾.,佐道泰造,宮尾正信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21656005
  • [学会発表] Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor2009

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, T. Tanaka, Y. Ohta, K. Toko, M. Miyao
    • 学会等名
      AWAD2009
    • 発表場所
      Busan, Korea(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [学会発表] UV照射アニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強2009

    • 著者名/発表者名
      田中貴規, 田中政典, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信, 山口真典, 鈴木信二, 北村徳秀
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,30p-E-9
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV Semiconductor Spintronic Devices2009

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, H. Itoh, Y. Maeda
    • 学会等名
      ICSI-6
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Orientation-Controlled poly-Si on glass by Al-induced layer exchange technique2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting, Q7-3
    • 発表場所
      Boston, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] インプリント法による非晶質Siの方位制御結晶化とGeの歪ヘテロエピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      坂根尭, 都甲薫, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-T-6
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会, SDM-7
    • 発表場所
      鳥栖
    • 年月日
      2009-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Improvement of Electrical Characteristics of Poly-Ge by Two-Step Solid-Phase Crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, I. Nakao, K. Toko, T. Noguchi, and M. Miyao
    • 学会等名
      ITC' 09, Palaiseau
    • 発表場所
      Palaiseau, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Si/Ge多層構造のAl誘起層交換成長とSi-Geミキシング2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,30a-TF-10
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] AIC法で作製したSi_<0.5>Ge_<0.5>薄膜の微細構造解析2009

    • 著者名/発表者名
      犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-T-5
    • 発表場所
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Si/Ge多層構造のAl誘起層交換成長とSi-Geミキシング2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会, 30a-TF-10
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Al-Induced Low Temperature Crystallization of Si <1-x>Ge x (0<x<1) by Interfacial Al Oxide Layer Control2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      ICSI-6, 657524
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 2段熱処理固相成長法による多結晶Geの高品質形成2009

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] (招待講演)Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor2009

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, et al.
    • 学会等名
      AWAD2009
    • 発表場所
      韓国・プサン
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [学会発表] 金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 萩原貴嗣, 黒澤昌志, 都甲薫, 権丈淳
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-3
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] インプリント法による非晶質Siの方位制御結晶化とGeの歪ヘテロエピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      坂根尭, 都甲薫, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-6
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Formation of Single Crystalline Ge on Insulator by Liquid-Phase Epitaxy from Ni-Imprint-Induced Si Seed2009

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sakane, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      ITC' 09, Palaiseau
    • 発表場所
      France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] 金属触媒誘起横方向成長法による多結晶Geの極低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 萩原貴嗣, 黒澤昌志, 都甲薫, 権丈淳
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-T-3
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] 界面酸化膜制御によるSi_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)混晶のAl誘起層交換成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会, 30a-TF-9
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会,SDM-7
    • 発表場所
      鳥栖
    • 年月日
      2009-04-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 界面酸化膜制御によるSi <1-x>Ge x(0≦x≦1)混晶のAl誘起層交換成長2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,30a-TF-9
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Orientation control of large grain poly-Si on glass by interfacial oxide layer controlled Al-induced crystallization2009

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      SSDM2009, H-8-4
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] AIC法で作製したSi <0.5>Ge <0.5>薄膜の微細構造解析2009

    • 著者名/発表者名
      犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会,1a-T-5
    • 発表場所
      筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 強磁性ホイスラー合金の原子層制御エピタキシャル成長とSiGeスピントロニクス2008

    • 著者名/発表者名
      宮尾正信, 浜屋宏平, 上田公二, 安藤裕一郎, 佐道泰造, 能崎幸雄, 松山公秀, 伊藤博介, 前田佳均
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] ナノインデント誘起固相成長法によるSGOIの方位制御2008

    • 著者名/発表者名
      都甲薫, 萩原隆嗣, 佐道泰造
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CH-8
    • 発表場所
      愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Effects of Si-Layer Thickness on Solid-Phase Crystalization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Ohta, M. Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, 3-2
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 : 電界印加効果、触媒種効果2008

    • 著者名/発表者名
      萩原貴嗣, 都甲薫, 佐道泰造
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会SDM, 12-21
    • 発表場所
      沖縄
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV- Semiconductor Spintronic Applications (invited)2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, and Y. Maeda
    • 学会等名
      IUMRS-ICA, ZI-4
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      電子材料研究会, EFM-08-29
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2008-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Low Temperature Solid-Phase Crystallization of a-Ge on Glass Substrate for Advanced Thin-Film Transistor2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, T. Noguchi, and M. Miyao
    • 学会等名
      ITC '08, LTPS-P29
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Effects of Si-Layer Thickness on Solid-Phase Crystalization of Stacked Ge/Si/SiO 2 Structure2008

    • 著者名/発表者名
      T.Sadoh, H.Ohta, M.Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, 3-2
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 絶縁膜上におけるSiGe成長とデバイス応用2008

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 都甲薫
    • 学会等名
      電気学会電子材料研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-08-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Formation of SiGe Quasi-Single Crystal Grain on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, K. Ikeda, S. Hata, M. Itakura, H. Nakashima, M. Nishida, and M. Miyao
    • 学会等名
      ECS-PRiME 2008, E15-23-2396
    • 発表場所
      Hawaii, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization of SiGe on Insulator2008

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Z-07
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Ge Fraction Dependence of Al-Induced Crystallization of SiGe at Low-Temperature2008

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      ITC '08, LTPS-2-1
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Interfacial-Oxide Controlled Al-Induced Crystallization of Si_<1-x>Ge_x(x : 0-1)on Insulating Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, P-16
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Position Control of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, P-15
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] ガラス基板上における非晶質Geの低温固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      佐道泰造, 都甲薫, 中尾勇兼, 野口隆, 宮尾正信
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-G-3
    • 発表場所
      千葉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] SiGeのAl誘起層交換成長に与える界面酸化膜効果2008

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 津村宜孝, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-G-1
    • 発表場所
      千葉
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Low-Temperature(111)-Oriented SiGe Growth on Insulating Substrate by Al-Induced Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, Y. Tsumura, M. Kurosawa, and M. Miyao
    • 学会等名
      4th ISTDM 2008, S3-04
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Interfacial-Oxide Controlled Al-Induced Crystallization of Si <1-x>Ge x (x : 0-1) on Insulating Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M.Kurosawa, Y.Tsumura, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, P-16
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Kishi, K. Hamaya, Y. Maeda, M. Miyao
    • 学会等名
      NSC-JST Nano Device Workshop, Sn. 2-1
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Electrical Properties of Poly-Ge on Glass Substrate Grown by Two-Step Solid-Phase Crystallization2008

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, I. Nakao, T. Sadoh, T. Noguchi, and M. Miyao
    • 学会等名
      4th ISTDM 2008, S2-04
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Position Control of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization:2008

    • 著者名/発表者名
      K.Toko, T.Sadoh, M.Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 08, P-15
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560011
  • [学会発表] 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長2008

    • 著者名/発表者名
      中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆, 佐道泰造
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 SDM, 12-18
    • 発表場所
      沖縄
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Si/Ge多層構造に於けるAl誘起層交換成長とSi/Ge相互拡散2008

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 津村宜孝, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会, 2a-CH-10
    • 発表場所
      愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Materials Innovation for Advanced TFT : Why and How?2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, T. Sadoh, Y. Maeda
    • 学会等名
      The 4th International Thin-Film Transistor Conference
    • 発表場所
      Seoul, Korea(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360011
  • [学会発表] ナノインデント法で結晶化させたSi薄膜の微細構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      村田大輔, 板倉賢, 西田稔, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      日本金属学会九州支部
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2008-06-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization of SiGe on Insulator2008

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Z-07
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV-Semiconductor Spintronic Applications2008

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, Y. Maed
    • 学会等名
      IUMRS-ICA 2008
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] High-Performance Poly-Ge Thin-Film Transistor with NiGe Schottky Source/Drain2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao
    • 学会等名
      PRICM 6, 9-4-5
    • 発表場所
      Jeju Island, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Atomically Controlled Hetero-Epitaxy of Fe3Si/SiGe for Spintronics Application (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Andoh, and Y. Maeda
    • 学会等名
      ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S7-I27
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Recent Progress in Low-Temperature Epitaxy of Silicon Based Heterostructures for Novel Devices (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, H. Kanno, K. Ueda and T. Sadoh
    • 学会等名
      2007 MRS Spring Meeting, F8-3
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Low-Temperature Fabrication of Advanced Thin-Film Transistor with Ge Channel and Schottky Source/Drain2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, H. Kamizuru, A. Kenjo, and M. Miyao
    • 学会等名
      ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, S6-O12
    • 発表場所
      Marseille France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Atomically Controlled Hetero-Epitaxy of Fe3Si/SiGe for Spintronics Application2007

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Andoh, Y. Maeda
    • 学会等名
      ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Al誘起層交換成長法による多結晶SiGe薄膜の低温形成2007

    • 著者名/発表者名
      津村宜孝, 権丈淳, 佐道泰造. 宮尾正信
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会, IIa-2
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Catalytic Effect of Ni in Crystallization of Amorphous SiGe Films by Imprint Technique2007

    • 著者名/発表者名
      K. Toko, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, T. Asano, and M. Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 07 , 9-4
    • 発表場所
      Awaji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Recent Progress in Low-Temperature Epitaxy of Silicon Based Heterostructures for Novel Devices2007

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, H. Kanno, K. Ueda, T. Sadoh
    • 学会等名
      2007 MRS Spring Meeting, F8-3
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Nucleation Controlled Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Si1-xGex with Whole Ge Fraction on Insulator2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, S. Masumori, M. Itakura, N. Kuwano, and M. Miyao
    • 学会等名
      AM-FPD 07 , 9-5
    • 発表場所
      Awaji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] 絶縁膜上におけるSiGeのAl誘起層交換成長2007

    • 著者名/発表者名
      津村宜孝, 中尾勇兼, 権丈淳, 佐道泰造, 宮尾正信
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会6a-P10-28
    • 発表場所
      札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Comparative Study of Al-Induced Crystallization for Poly-Si and Ge on Insulating Film2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsumura, I. Nakao, H. Kanno, A. Kenjo, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      212th ECS Meeting, 1294
    • 発表場所
      Washington D.C. , U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] RBS study of epitaxial growth of ferromagnetic Fe3Si on Ge (invited)2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, K. Ueda, T. Sadoh, M. Miyao, and Y. Maeda
    • 学会等名
      European MRS 2007 Spring Meeting, B-13-1
    • 発表場所
      Strasburg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063018
  • [学会発表] Position Controlled Solid-Phase Crystallization of SiGe by Ni-Imprint Technique2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, K. Toko, H. Kanno, T. Asano, and M. Miyao
    • 学会等名
      ICSI-5, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 21P 1-29
    • 発表場所
      Marseille France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560316
  • [学会発表] Self-Organized Technologies of Group-IV Based Hetero-Semiconductors on Insulator for Multi-Functional Devices

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, Jong-Hyeok Park, and T. Sadoh
    • 学会等名
      The International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      Croatia
    • 年月日
      2014-10-13 – 2014-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of Large Grain Ge single crystal on Insulating substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-Ge(Sn)

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Kai, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The Electrochemical Society, 225th ECS Meeting
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Orientation-Controlled Large-Grain SiGe on Flexible Substrate by Nucleation-Controlled Gold-Induced Crystallization

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Low-Temperature Gold-Induced Crystallization of Orientation Controlled Sige on Plastic for Flexible Electronics

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh and M. Miyao
    • 学会等名
      The International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      Croatia
    • 年月日
      2014-10-13 – 2014-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Self-Organized Crystallization of Group IV Mixed-Crystal Semiconductors on Insulating Substrate for Advanced Thin-Film-Transistors

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering
    • 発表場所
      Malta
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of Quasi-Single-Crystal Ge on Plastic by Nucleation-Controlled Au-Induced Layer-Exchange Growth for Flexible Electronics

    • 著者名/発表者名
      Jong-Hyeok Park, M. Miyao, and T. Sadoh
    • 学会等名
      The 21th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2014-07-02 – 2014-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Segregation-Controlled Rapid-Melting Growth for Large-Grain and Uniform -Composition SiGe on Insulator

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, Y. Kai, H. Chikita, R. Matsumura, and M. Miyao
    • 学会等名
      JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of Large-Grain Ge-Based Group-IV Crystals on Insulator by Seedless Rapid-Melting Growth in Solid-Liquid-Coexisting Temperature Region

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, Y. Kai, H.Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Formation of Large Grain Ge on Insulator Structure by Liquid-Solid Coexisting Annealing of a-GeSn

    • 著者名/発表者名
      Y. Kai, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Low-Temperature Formation of Atomically-Controlled GeSn Thin-Films on SiGe Virtua-Substrate by Liquid-Solid Coexisting Annealing

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering
    • 発表場所
      Malta
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Ultralow-Temperature Catalyst-Induced-Crystallization of SiGe on Plastic for Flexible Electronics

    • 著者名/発表者名
      T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-06-02 – 2014-06-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630133
  • [学会発表] Composite-Structures of Single-Crystalline Ge(SiSn) and Amorphous Insulator on Si Platform for Multi-Functional Transistors by Self-Organized Processing

    • 著者名/発表者名
      M. Miyao, R. Matsumura, H. Chikita, and T. Sadoh
    • 学会等名
      The Twenty-second Annual International Conference on Composites-Nano Engineering
    • 発表場所
      Malta
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Self-organized-seeding process for melt-back lateral-growth of group-IV mixed-crystal on insulator

    • 著者名/発表者名
      R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-06-02 – 2014-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Sn-enhanced low-temperature crystallization of a-GeSn/c-Si Stacked Structure for high-quality SiGe on Si platform

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kinoshita, A. Ooato, T. Sadoh, and M. Miyao
    • 学会等名
      7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-06-02 – 2014-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • [学会発表] Melting-Sn Induced Seeding-Processing for Low-Temperature Lateral-Crystallization of a-GeSn on Insulating Substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Chikita, R. Matsumura, Y. Kai, T. Sadoh,and M. Miyao
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289089
  • 1.  宮尾 正信 (60315132)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 171件
  • 2.  権丈 淳 (20037899)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 8件
  • 3.  浜屋 宏平 (90401281)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 15件
  • 4.  鶴島 稔夫 (10236953)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  浅野 種正 (50126306)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  黒木 幸令 (40234596)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  日高 昌則 (50037298)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  柿本 浩一 (90291509)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  仲村 龍介 (70396513)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 10.  石丸 学 (00264086)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  生駒 嘉史 (90315119)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  河野 正道 (50311634)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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