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福井 孝志  FUKUI Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30240641
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2015年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 名誉教授
2014年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 教授
2013年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 特任教授
2011年度 – 2012年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 教授
2007年度 – 2010年度: 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 … もっと見る
2005年度 – 2006年度: 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授
2005年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 教授
2004年度 – 2005年度: 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授
2001年度 – 2003年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
1992年度 – 2000年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 教授
1996年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センタ, 教授
1996年度: 量子界面エレクトロニクス研究センター, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 物理系 / 電子材料工学 / マイクロ・ナノデバイス / 数物系科学 / 理工系
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 応用光学・量子光工学
キーワード
研究代表者
結晶成長 / 量子ドット / 近藤効果 / 単電子トランジスタ / 選択成長 / 有機金属気相成長 / GaAs / Semiconductor / 半導体 / 化合物半導体 … もっと見る / ナノワイヤ / 単電子メモリー / 2分岐決定ダイアグラム / 相補型単電子インバータ / 量子ナノ構造 / Single Electron Circuit / Single Electron Transistor / Quantum Dot Network / Quantum Wire / Quantum Dot / Masked Substrate / Selective Area Growth / MOVPE Growth / クーロンブロッケード / 単電子素子 / 論理回路 / クーロンギャップ / クーロン振動 / 単電子素子・回路 / 単電子回路 / 量子ドットネットワーク / 量子細線 / マスク基板 / MOCVD / Quantum Dots / Crystal Growth / 有機金属気相成長法 / Quantum dot / Cryxtal growth / LED / 半導体ナノワイヤ / 太陽電池 / 発光ダイオード / 単電子輸送 / 半導体物性 / 単電子メモリ / 磁性体 / 1次元物性 / フォトニック結晶 / カゴメ格子 … もっと見る
研究代表者以外
選択成長 / 有機金属気相成長 / 量子ドット / GaAs / MBE / dynamics of life / self organization / pattern / dissipative structure / nonlinear oscillation / single electron / quantum nano / reaction-diffusion system / 生命ダイナミクス / 自己組織化 / パターン / 散逸構造 / 非線形振動 / 単電子 / 量子ナノ / 反応拡散系 / InGaAs / ナノ構造 / MOCVD / トリメチルガリウム / 原子層エピタキシ / オージェ電子分光 / 化合物半導体 / Photonic Bands / Line defect / Point / Light Extraction Efficiency / Photoluminescence / Photonics Crystal Slabs / Selective Area Growth / MOVPE Growth / Photonics Crystals / whispering gallery mode / 点欠陥共振器 / 線欠陥導波路 / 時間領域差分(FDTD)法 / フォトニックバンド / 線欠陥・点欠陥導入構造 / 光取り出し効率 / フォトルミネセンス / フォトニック結晶スラブ / フォトニック結晶 / トンネル現象 / 反応拡散 / oxynitride film / ECR plasma / ultrathin insulator / hydrogen-terminated surface / Fermi level pinning / interface state / surface state / UHV-based system / contactless C-V / 原子スケール表面制御 / トンネル絶縁膜 / 極薄絶縁膜 / 半導体自由表面 / 非接触C-V / 酸窒化膜 / ECRプラズマ / 極博絶縁膜 / 水素終端シリコン表面 / フェルミ準位ピンニング / 表面プロセス / 表面・界面準位 / 超高真空一貫システム / 非接触・C-V / Quantum wire laser / Nano Sturcture / Nano Fabication / Selective growth / Self-organized growth / Coupled Quantum Dots / Quantum Dot / Single electron devices / 表面修飾 / 再成長 / ドット形成過程 / 表面エネルギー / 表面吸着 / 成長モード / 量子細線レーザー / 微細加工 / 自己形成 / 結合量子ドット / 単電子デバイス / MIS structure / Interface State / Inp / solid state TWA / 磁性薄膜 / ヘテロ界面 / MIS構造 / 界面準位 / InP / 固体進行波素子 / マンガン砒素 / ガリウムインジウム砒素 / インジウム燐 / スピンエレクトロニクス / III-V族化合物半導体 / 強磁性体 / 顕微フォトルミネセンス / ヘテロ構造 / 単一光子光源 / 半導体ナノワイヤ / ワイス振動 / 層状物質 / TEM / 電子波干渉素子 / C_<60> / ルミネセンス / 量子細線 / ファンデァワールス成長 / 水素ラジカル / MOMBE / 反射電子線回折 / 有機金属 隠す
  • 研究課題

    (20件)
  • 研究成果

    (297件)
  • 共同研究者

    (32人)
  •  化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      北海道大学
  •  化合物半導体ナノワイヤによる高効率太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤエレクトロニクスの創成研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      数物系科学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  有機金属気相選択成長法によるガリウムヒ素単電子メモリの作製と評価研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体ナノワイヤを用いた単一光子光源の研究

    • 研究代表者
      本久 順一
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  半導体・強磁性体複合型ナノワイヤを用いた縦型ナノスピントランジスタの研究

    • 研究代表者
      原 真二郎
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  反応拡散ダイナミクスを利用して情報処理を行う結合量子ドット集積デバイス

    • 研究代表者
      雨宮 好仁
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      北海道大学
  •  有機金属気相選択成長によるフォトニック結晶の作製とデバイス応用に関する研究

    • 研究代表者
      本久 順一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  量子ドット集積体と反応拡散アーキテクチャを組み合わせた情報処理デバイスの開拓

    • 研究代表者
      雨宮 好仁
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単一電子入力・単一電子出力型記憶素子の研究研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2005
    • 研究種目
      学術創成研究費
    • 研究機関
      北海道大学
  •  高密度半導体量子ドット構造の形成と評価の研究研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 2000
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      物理系
    • 研究機関
      北海道大学
  •  単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓

    • 研究代表者
      川辺 光央
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1999
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      筑波大学
  •  超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発

    • 研究代表者
      長谷川 英機
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  量子半導体プロセス技術

    • 研究代表者
      中島 尚男
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

    • 研究代表者
      大野 英男
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

    • 研究代表者
      大野 英男
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      北海道大学
  •  選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究研究代表者

    • 研究代表者
      福井 孝志
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学
  •  固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作

    • 研究代表者
      赤澤 正道
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      北海道大学

すべて 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Handbook of Crystal Growth, Vol I Chapter 18 "Growth of Semiconductor Nanocrystals"2015

    • 著者名/発表者名
      Tomioka K, Fukui T.
    • 総ページ数
      46
    • 出版者
      Elsevier
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [図書] ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開2013

    • 著者名/発表者名
      福井孝志
    • 総ページ数
      241
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [図書] Semiconductor Nanowire and Their Optical Applications, edited by G-C. Yi2012

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 総ページ数
      36
    • 出版者
      Wiley
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Crystal phase transition to green emission wurtzite AlInP by crystal structure transfer2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 3 ページ: 035502-035502

    • DOI

      10.7567/apex.9.035502

    • NAID

      210000137834

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-14J01389
  • [雑誌論文] Selective-area growth of InAs nanowires on Ge and vertical transistor application2015

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: 15 号: 11 ページ: 7253-7257

    • DOI

      10.1021/acs.nanolett.5b02165

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-14J01389
  • [雑誌論文] InGaAs axial-junction nanowaire-array solar cells2015

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Chen, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T,Fukui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 1 ページ: 015201-015201

    • DOI

      10.7567/jjap.54.015201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J01520, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core-shell nanowires by Selective-area MOVPE2015

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 411 ページ: 71-75

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.10.024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J01389, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Surrounding-Gate Tunnel FET Using InAs/Si Heterojunction2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 雑誌名

      ECS Transaction

      巻: 69 ページ: 109-118

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Application of free-standing InP nanowire arrays and their optical properties for resource-saving solar cells2015

    • 著者名/発表者名
      M. Chen, E. Nakai, K. Tomioka, and T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 1 ページ: 012301-012301

    • DOI

      10.7567/apex.8.012301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J01520, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions2014

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      ECS Transaction

      巻: 61 ページ: 81-89

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth2014

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Physs D: Applied Physics

      巻: 47 号: 39 ページ: 394001-394001

    • DOI

      10.1088/0022-3727/47/39/394001

    • NAID

      120005512025

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池2014

    • 著者名/発表者名
      福井孝志、吉村正利、中井栄治、冨岡克広
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 41 ページ: 29-34

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Current increment of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction2014

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 7

    • DOI

      10.1063/1.4865921

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Indium Phoshide Core-Shell Nanowire Array Solar Cells with Lattice-Mismatched Window Layer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 24

    • DOI

      10.1063/1.4847355

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J01867, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] GaAs/InGaP Core-Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 5R ページ: 055002-055002

    • DOI

      10.7567/jjap.52.055002

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J01867, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Indium Phosphide Core-Shell Nanowire Array Solar Cells with Lattice-Mismatched Window Layer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 6 号: 5 ページ: 052301-052301

    • DOI

      10.7567/apex.6.052301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J01867, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Bimolecular interlayer scattering of electrons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Masumoto, K. Goto, S. Tomimoto, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF LUMINESCENCE

      巻: 133 ページ: 135-137

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2011.09.036

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-23340084, KAKENHI-PROJECT-23656009, KAKENHI-PUBLICLY-24102702
  • [雑誌論文] Sub 60 mV/decade Switch Using an InAs Nanowire-Si Heterojunction and Turn-on Voltage Shift with a Pulsed Doping Technique2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: 13 号: 12 ページ: 5822-5826

    • DOI

      10.1021/nl402447h

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs2013

    • 著者名/発表者名
      Y. J. Hong, J.W.Yang, W. H. Lee, R. S. Ruoff, K. S. Kim, T. Fukui
    • 雑誌名

      Advanced Materials

      巻: 25 号: 47 ページ: 6847-6853

    • DOI

      10.1002/adma.201302312

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Indium-Rich InGaP Nanowires Formed on InP(111)A Substrates by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Fumiya Ishizaka, Keitaro Ikejiri, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 4S ページ: 04CH05-04CH05

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04ch05

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J01477, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] 半導体ナノワイヤデバイスの新展開-縦型トランジスタ応用2013

    • 著者名/発表者名
      冨岡 克広、福井 孝志
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌C

      巻: J96-C ページ: 221-230

    • NAID

      110009657215

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Energy state of InGaAs quantum dots on SiO2-patterned vicinal substrate2012

    • 著者名/発表者名
      Hyo Jin Kim, Junichi Mothohisa and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 7 号: 1 ページ: 1-5

    • DOI

      10.1186/1556-276x-7-104

    • NAID

      120003994107

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] GaAs nanowire growth on polycrystalline silicon thin films using selective-area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology

      巻: 24 号: 11 ページ: 115304-115304

    • DOI

      10.1088/0957-4484/24/11/115304

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J01477, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] A III-V nanowire channel on Si for high-performance vertical transistors2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
    • 雑誌名

      Nature

      巻: 488 号: 7410 ページ: 189-192

    • DOI

      10.1038/nature11293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Position-Controlled III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, M. Yoshimura, et al.
    • 雑誌名

      AMBIO

      巻: 41 (Supplement 2) 号: S2 ページ: 119-124

    • DOI

      10.1007/s13280-012-0266-5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J01867, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] van der Waals Epitaxy of InAs Nanowires Vertically Aligned on Single-Layer Graphene2012

    • 著者名/発表者名
      Young Joon Hong, Wi Hyoung Lee, Yaping Wu, Rodney S.Ruoff, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: 12(in press) 号: 3 ページ: 1431-1436

    • DOI

      10.1021/nl204109t

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01363, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Vibrational modes of GaAs hexagonal nanopillar arrays studied with ultrashort optical pulses2012

    • 著者名/発表者名
      Hirotaka Sakuma, Motonobu Tomoda, Paul H.Otsuka, Osamu Matsuda, Oliver B.Wright, Takashi Fukui, Katsuhiro Tomioka, Istvan A.Veres
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS

      巻: 100 号: 13

    • DOI

      10.1063/1.3696380

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-10F00795, KAKENHI-PROJECT-22246012, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] 半導体ナノワイヤデバイス応用の新展開2012

    • 著者名/発表者名
      冨岡 克広、福井 孝志
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 81 ページ: 59-64

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Longitudinal ana transverse exciton-spin relaxation in a single InAsP quantum dot embedded inside a standing InP nanowire using photoluminescence spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      笹倉弘理
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 85 号: 7

    • DOI

      10.1103/physrevb.85.075324

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560001, KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-24560001
  • [雑誌論文] Bidirectional Growth of Indium Phosphide Nanowires2012

    • 著者名/発表者名
      Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, and Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: 12 号: 9 ページ: 4770-4774

    • DOI

      10.1021/nl302202r

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J01477, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] III-V Nanowires on Si Substrate: Selective-Area Growth and Device Applications (Invited)2011

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, T. Tanaka, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui
    • 雑誌名

      IEEE J. Select. Topics Quan. Electron.

      巻: 17 号: 4 ページ: 1112-1129

    • DOI

      10.1109/jstqe.2010.2068280

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-23360129
  • [雑誌論文] Selective-area growth of III-V nanowires and their applications (review paper)2011

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, K. Ikejiri, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui
    • 雑誌名

      J. Mater. Res.

      巻: 26 号: 17 ページ: 2127-2141

    • DOI

      10.1557/jmr.2011.103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-23360129
  • [雑誌論文] Ferromagnetic MnAs Nanocluster Composites Position-Controlled on GaAs (111)B Substrates toward Lateral Magnetoresistive Devices2011

    • 著者名/発表者名
      K. Komagata, S. Hara, S. Ito, and T. Fukui
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 6S ページ: 06GH01-06GH01

    • DOI

      10.1143/jjap.50.06gh01

    • NAID

      210000070719

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-23360129
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of a GaAs Quantum Well Buried in GaAsP/GaAs Vertical Heterostructure Nanowires by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      S. Fujisawa, T. Sato, S. Hara, J. Motohisa, K. Hiruma, and T. Fukui
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 50 号: 4S ページ: 04DH03-04DH03

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04dh03

    • NAID

      210000070340

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Polarized photoluminescence from single wurtzite InP/InAs/InP core-multishell nanowires2011

    • 著者名/発表者名
      Masumoto, Y. Hirata, Y. Mohan, P. Motohisa, J. Fukui, T
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS

      巻: 98 号: 21

    • DOI

      10.1063/1.3592855

    • NAID

      120007130884

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007, KAKENHI-PROJECT-23340084, KAKENHI-PROJECT-23656009
  • [雑誌論文] Controlled van der Waals Heteroepitaxy of InAs Nanowires on Carbon Honeycomb Lattices2011

    • 著者名/発表者名
      Young Joon Hong, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 5 号: 9 ページ: 7576-7584

    • DOI

      10.1021/nn2025786

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01363, KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Zinc Blende and Wurtzite Crystal Phase Mixing and Transition in Indium Phosphide Nanowires2011

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, Y. Kitauchi, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
    • 雑誌名

      Nano Lett.

      巻: 11 号: 10 ページ: 4314-4318

    • DOI

      10.1021/nl202365q

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [雑誌論文] Lattice-mismatched InGaAs nanowires formed on GaAs(111)B by selective-area MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

      巻: VOL.315 ページ: 148-151

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, E.Sano, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express VOL.3

    • NAID

      10027013579

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters Vol.10

      ページ: 1639-1644

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Vertical Surrounding Gate Transistors using single InAs Nanowires Grown on Si Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol.3

    • NAID

      10027013579

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Analysis of twin defects in GaAs nanowires and tetrahedral and their correlation to GaAs(111)B surface reconstructions in selective-area metal organic vapour-phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      H.Yoshida, K.Ikejiri, T.Sato, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth VOL.312

      ページ: 51-57

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth and characterization of InGaAs nanowires formed on GaAs(111)B by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: VOL.49

    • NAID

      210000068312

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Structural transition in indium phosphide nanowires2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kitauchi, Y.Kobayashi, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui, J.Motohisa
    • 雑誌名

      NANO LETTERS

      巻: VOL.10 ページ: 1699-1703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] GaAs/AlGaAs core multishell nanowire-based light-emitting diodes on Si2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 雑誌名

      NANO LETTERS

      巻: VOL.10 ページ: 1639-1644

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs quantum well buried in AlGaAs/GaAs heterostructure nanowires2010

    • 著者名/発表者名
      A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

      巻: VOL.312 ページ: 3592-3598

    • NAID

      120002678122

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Single GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowire lasers2009

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara, T. Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters 9

      ページ: 112-116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Single GaAs/GaAsP Coaxial Core-Shell Nanowire Lasers2009

    • 著者名/発表者名
      B.Hua, J.Motohisa, Y.Kobayashi, S.Hara, T.Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters Vol.9

      ページ: 112-116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111) substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology 20

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Transient band-bending in InP/InAs/InP core-multishell nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      K. Goto, S. Tomimoto, B. Pal, Y. Masumoto, R Mohan, J. Motohisa and T.Fukui
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: 205-208

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] One- and two-dimensional spectral diffusions in InP/InAs/InP core-multishell nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      K.Goto, M.Ikezawa, S.Tomimoto, B.Pal, Y.Masumoto, P.Mohan, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics VOL.48

    • NAID

      210000066714

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure2009

    • 著者名/発表者名
      L.Yang, J.Motohisa, T.Fukui, L.X.Jia, L.Zhang, M.M.Geng. P.Chen, Y.L.Liu
    • 雑誌名

      Optics Express VOL.17

      ページ: 9337-9346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Magnetic domain characterization of anisotropic-shaped MnAs nanoclusters position-controlled by selective-area metal-organic vaporphase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      S.Ito, S.Hara, T.Wakatsuki, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters VOL.94

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth direction control of ferromagnetic MnAs grown by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T.Wakatsuki, S.Hara, S.Ito, D.Kawamura, T.Fukui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics VOL.48

    • NAID

      210000066648

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth of Core-Shell InP Nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Goto, K. Nozaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express vol. 2

    • NAID

      10025085293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Single GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowaire lasers2009

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters vol. 9

      ページ: 112-116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth of core-shell InP nanowires for photovoltaic application by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Goto, K. Nozaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10025085293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth of Core-Shell InP nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      H.Goto, N.Nosaki, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Express Vol.2

    • NAID

      10025085293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Formation of InP and InGaAs air-hole arrays on InP(111) substrates by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese journal of applied physics 47

      ページ: 3354-3358

    • NAID

      210000064731

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Microcavity structures in single GaAs nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 5

      ページ: 2722-2725

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Spectroscopy and imaging of GaAs-InGaAs-GaAs heterostructured nanowires grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fukui, Y. Kobayashi, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 5

      ページ: 2743-2745

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well2008

    • 著者名/発表者名
      L. Yang, J. Motohisa, K. Tomioka, J. Takeda, T. Fukui M.M. Geng, L.X. Jia, L. Zhang and Y.L. Liu
    • 雑誌名

      Nanotechnology 19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth characteristics of GaAs nanowires obtained by selective-area metal-organic vapour-phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, K. Hiruma, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology 19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成2008

    • 著者名/発表者名
      冨岡克弘、佐藤拓也、原真二郎、本久順一、福井孝志
    • 雑誌名

      表面科学 29

      ページ: 726-730

    • NAID

      10024407649

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Type-II behavior in wurtzite InP/InAs/InP core-multishell nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      B. Pal, K. Goto, Y. Mosumoto, P. Mohan, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Metal-organic vapor phase epitaxial growth condition dependences of MnAs nanocluster formation on GaInAs (111)A surfaces2008

    • 著者名/発表者名
      H. Iguchi, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese journal of applied physics 47

      ページ: 3253-3256

    • NAID

      210000064709

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Control of InAs nanowire growth directions on Si2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Nano Letters 8

      ページ: 3475-3480

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] SA-MOVPE of InGaAs nanowires and their compositions studied by micro-PL measurement2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 5111-5113

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Characterization of Fabry-Perot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. Motohisa, Y. Ding, S. Hara, T. Fukui
    • 雑誌名

      Applied physics letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Self-assembled formation of ferromagnetic MnAs nanoclusters on GalnAs/InP (111) B layers by metal-organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, T.Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298

      ページ: 612-615

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Aharonov-Bohm oscillations in photoluminescence from charged exciton in quantum tubes2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsumura, S. Nomura, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese journal of applied physics 46

    • NAID

      120007138780

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Crystallographic structure of InAs nanowires studied by transmission electron microscopy2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese journal of applied physics 46

    • NAID

      210000063794

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Electrical Characterizations of InGaAs Nanowire-Top-Gate Field-Effect Transistors by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka and T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol. 46

      ページ: 7562-7568

    • NAID

      40015705160

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Growth of highly uniform InAs nanowire arrays by selective-area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, T.Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298

      ページ: 644-647

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Observation of microcavity modes and waveguides in InP nanowires fabricated by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ding, J. Motohisa, B. Hua, S. Hara, T. Fukui
    • 雑誌名

      Nano letters 7

      ページ: 3598-3602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Mechanism of catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ikejiri, T.Fukui
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298

      ページ: 616-619

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Photonic crystal slabs with hexagonal air holes fabricated by selective area metal organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      L.Yang, T.Fukui
    • 雑誌名

      SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL 133 (2)

      ページ: 288-293

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Electrical characteristics of InGaAs nanowire-top-gate field effect transistors by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka, T. Fukui
    • 雑誌名

      Japanese journal of applied physics 46

      ページ: 7562-7568

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Semiconductor Nanowires and Their Application to Nanodevices (in Japanese)2006

    • 著者名/発表者名
      Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Oyo Buturi 75

      ページ: 296-302

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Hexagonal Ferromagnetic MnAs Nanocluster Formation on GaInAs/InP (111)B Layers by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters (AIP) 89

      ページ: 113111-113111

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360142
  • [雑誌論文] Catalyst-free selective area MOVPE of semiconductor nanowires2006

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE 6370

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656019
  • [雑誌論文] Size-dependent photoluminescence of hexagonal nanopillars with single InGaAs/GaAs quantum wells fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      L.Yang, T.Fukui
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 89 (20)

      ページ: 203110-203110

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Hexagonal ferromagnetic MnAs nanocluster formation on GaInAs/InP (111)B layers by metal-organic vapor phase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, T.Fukui
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 89 (11)

      ページ: 113111-113111

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [雑誌論文] Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Air Holes Fabricated by Selective Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      Lin Yang, Junichi Motohisa, Junichiro Takeda, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A (To be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Optical Atoms, Their Application in Waveguides2005

    • 著者名/発表者名
      L.Yang, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys Vol.44, No.4B

      ページ: 2531-2536

    • NAID

      10015704763

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Photoluminescnce from single hexagonal nano-wire grown by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, J.Motohisa, J.Noborisaka, J.Takeda, T.Fukui
    • 雑誌名

      Inst.Phys.Conf.Ser. No 184

      ページ: 393-398

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] MnAs nanocluster formation on GaInAs/InP(111) layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      S.Kara, T.Fukui
    • 雑誌名

      2005 MRS Fall Meeting Abstracts (MRS) Symposium EE7.35

      ページ: 760-760

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656100
  • [雑誌論文] Suggested procedure for the use of the effective-index method for high-index-contrast photonic crystal slabs2005

    • 著者名/発表者名
      Lin Yang, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Opt.Eng. 44

      ページ: 78002-78002

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Controlled growth of highly uniform, axial/radial direction-defined, individually addressable InP nanowire arrays2005

    • 著者名/発表者名
      Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology 16

      ページ: 2903-2907

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Jinichiro Noborisaka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 86

      ページ: 213102-213102

    • NAID

      120000960844

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of freestanding GaAs/AlGaAs core-shell nanowires and AlGaAs nanotubes by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      J.Noborisaka, J.Motohisa, S.Hara, T.Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters (AIP) Vol.87, No.9

      ページ: 93109-93109

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656100
  • [雑誌論文] Selective-area MOVPE fabrication of GaAs? hexagonal air-hole arrays on GaAs?(111)B substrates using flow-rate modulation mode2005

    • 著者名/発表者名
      Junichiro Takeda, Masashi Akabori, Junichi Motohisa, Richard N?tzel, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology 16

      ページ: 2954-2957

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Photoluminescence from single hexagonal nano-wire grown by selective area MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      S.Hara.J.Motohisa, J.Noborisaka, J.Takeda, T.Fukui
    • 雑誌名

      Institute of Physics Conference Series (IOP) No.184

      ページ: 393-398

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656100
  • [雑誌論文] Selective area MOVPE growth of InP and InGaAs pillar structures for InP-based two-dimensional photonic crystals2004

    • 著者名/発表者名
      M.Inari, J.Takeda, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Physica E Vol.21, No.2-4

      ページ: 620-624

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs two-dimensional air-hole arrays on GaAs (111)A substrates using selective-area MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      Junichiro Takeda, Masaru Inari, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Volume 272, 1-4

      ページ: 570-575

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates2004

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa J.Noborisaka, J.Takeda, M.Inari, T.Fukui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth v 272, n 1-4

      ページ: 180-185

    • NAID

      120000954504

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Realization of InAs?-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Volume 84, Issue 14

      ページ: 2664-2666

    • NAID

      120000956837

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Growth and optical properties of 2D photonic crystals based on hexiagonal GaAs/AIGaAs pillar arrays by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa Takeda, M.Inari, T.Fukui
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Proc. Vol.797

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Growth of GaAs?/AlGaAs hexagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE2004

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, J.Takeda, M.Inari, J.Noborisaka, T.Fukui
    • 雑誌名

      Physica E v 23, n 3-4

      ページ: 298-304

    • NAID

      120000958778

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] InGaAs nano-pillar array formation on partially masked InP (111)B by selective area metal-organic vapour phase epitaxial growth for two-dimensional photonic crystal application2003

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, J.Takeda, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Nanotechnology Vol.14, No.10

      ページ: 1071-1074

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Single-electron AND/NAND logic circuits based on a self-organized dot network2003

    • 著者名/発表者名
      F.Nakajima, Y.Miyoshi, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.13

      ページ: 2680-2682

    • NAID

      120000953010

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Fabrication of semiconductor Kagome lattice structure by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      P.Mohan, F.Nakajima, M.Akabori, J.Motohisa, T.Fukui
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.4

      ページ: 689-691

    • NAID

      120000952950

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [雑誌論文] Promising low-damage fabrication method for the photonic crystals with hexagonal or triangular air holes : selective area metal organic vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Lin Yang, Junichi Motohisa, Junichiro Takeda, Takashi Fukui
    • 雑誌名

      Optics Express Vol.13, No.26

      ページ: 10823-10832

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206030
  • [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタ2015

    • 発明者名
      冨岡 克広、福井 孝志
    • 権利者名
      冨岡 克広、福井 孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-193196
    • 出願年月日
      2015-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子2014

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 権利者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-08-12
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] 発光素子およびその製造方法2014

    • 発明者名
      4. 福井孝志、平谷佳大
    • 権利者名
      4. 福井孝志、平谷佳大
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-027399
    • 出願年月日
      2014-02-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子2014

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 権利者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-10-31
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] トンネル効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子2014

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 権利者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-08-13
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] III-V族化合物半導体ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子2014

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 権利者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-10-31
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子2013

    • 発明者名
      2. 冨岡 克広、福井 孝志
    • 権利者名
      2. 冨岡 克広、福井 孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-168048
    • 出願年月日
      2013-08-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] 発光素子およびその製造方法2013

    • 発明者名
      1. 福井孝志、石坂文哉、冨岡克広
    • 権利者名
      1. 福井孝志、石坂文哉、冨岡克広
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-138894
    • 出願年月日
      2013-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] III-V族化合物ナノワイヤ、電界効果トランジスタおよびスイッチ素子2013

    • 発明者名
      2. 冨岡 克広、福井 孝志
    • 権利者名
      2. 冨岡 克広、福井 孝志
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-226675
    • 出願年月日
      2013-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [産業財産権] 半導体装置及び半導体装置の製造法2010

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志、本久順一、原真二郎
    • 権利者名
      北海道大学
    • 産業財産権番号
      2010-040019
    • 出願年月日
      2010-02-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 発光素子および製造方法2009

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志
    • 権利者名
      北海道大学
    • 産業財産権番号
      2009-273561
    • 出願年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法2009

    • 発明者名
      冨岡克広、福井孝志、田中智隆
    • 権利者名
      北海道大学
    • 産業財産権番号
      2009-227564
    • 出願年月日
      2009-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 太陽電池、カラーセンサ、ならびに発光素子および受光素子の製造方法2009

    • 発明者名
      比留間健之、本久順一、福井孝志
    • 権利者名
      北海道大学
    • 産業財産権番号
      2009-272140
    • 出願年月日
      2009-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法2009

    • 発明者名
      後藤肇、福井孝志、本久順一、比留間健之
    • 権利者名
      本田技研工業(株)、北海道大学
    • 産業財産権番号
      2009-295806
    • 出願年月日
      2009-12-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 多接合太陽電池の製造方法2008

    • 発明者名
      後藤肇、本久順一、福井孝志
    • 権利者名
      (株)本田技術研究所、北海道大学
    • 出願年月日
      2008-09-03
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008

    • 発明者名
      比留間 健之、原 真二郎、本久 順一、福井 孝志
    • 権利者名
      北海道大学
    • 出願年月日
      2008-10-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 半導体構造物の製造方法2008

    • 発明者名
      冨岡克弘、福井孝志、本久順一、原真二郎
    • 権利者名
      北海道大学
    • 出願年月日
      2008-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008

    • 発明者名
      比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志
    • 権利者名
      北海道大学
    • 出願年月日
      2008-10-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008

    • 発明者名
      比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志
    • 権利者名
      北海道大学
    • 出願年月日
      2008-10-17
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] ナノワイヤ太陽電池の構造と作製方法2008

    • 発明者名
      後藤肇、大橋智昭、本久順一、福井孝志
    • 権利者名
      (株)本田技術研究所、北海道大学
    • 出願年月日
      2008-07-16
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2007

    • 発明者名
      比留間健之・福井孝志・本久順一・原 真二郎
    • 権利者名
      北海道大学
    • 産業財産権番号
      2007-214119
    • 出願年月日
      2007-08-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Structural and Optical Properties of Wurtzite AlInP Grown on Wurtzite InP Nanowires2015

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka1, Y. Hiraya, K. Tomioka, T. Fukui
    • 学会等名
      2015 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Sheraton Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Growth of AlGaP and AlInP on GaN Substrates Toward Transferring Wurtzite Structure2015

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2015
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2015-06-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V nanowire channel on Si: From high-performance Vertical FET to steep-slope device2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 学会等名
      2015 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2015 VLSI-TSA)
    • 発表場所
      Ambassador Hotel Hsinchu, Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2015-04-27
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Semiconductor nanowire array grown by selective area epitaxy and their applications2015

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
    • 学会等名
      The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015
    • 発表場所
      Honolulu Convention Center, Hawaii, USA
    • 年月日
      2015-12-15
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-Area Growth of Vertical InAs Nanowires on Ge(111)2015

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
    • 学会等名
      2015 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West, San Francisco, California, USA
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires Grown by Selective Area MOVPE and Their Device Applications2015

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
    • 学会等名
      5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2015-09-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 学会等名
      228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix Convention Center, Phoenix, Arizona, USA
    • 年月日
      2015-10-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Recent progress in vertical TFET using III-V/Si heterojunction2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 学会等名
      Steep Transistors Workshop
    • 発表場所
      University of Notre Dame, Notre Dame, USA
    • 年月日
      2015-10-05
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Growth and Characterization of Wurtzite InP/AlInP Core-Shell Nanowires2015

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka1, Y. Hiraya, K. Tomioka, T. Fukui
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center, Sapporo Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Free-Standing InP Nanowire Array and Their Optical Properties toward Resource Saving Solar Cells2015

    • 著者名/発表者名
      MuYi Chen, Eiji Nakai, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
    • 学会等名
      2015 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West, San Francisco, California, USA
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Heterogeneous integration of vertical III-V nanowires on Si and Ge and their applications2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 学会等名
      The 20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy and The 17th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Big Sky resort Hotel, Big Sky, Montana, USA
    • 年月日
      2015-08-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center, Sapporo Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Steep Turn-On Property of Vertical Tunnel FET Using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, F. Ishizaka, T. Fukui, J. Motohisa
    • 学会等名
      2015 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Sheraton Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertical III-V nanowire transistors for future low-power switches2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      12th Sweden - Japan QNANO Workshop,
    • 発表場所
      Hjortviken, Hindas, Sweden
    • 年月日
      2015-09-24
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertically Aligned Semiconductor Nanowire Array and Their Applications2015

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, F. Ishizaka and K. Tomioka
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2015
    • 発表場所
      University of California Santa Barbara, Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2015-06-28
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] InGaAs nanowire FETs on Si and steep subthreshold-slope transistors2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013)
    • 発表場所
      Hakodate Kokusai Hotal, Hakodate, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Wurtzite InP/GaP core-shell nanowires toward direct band gap transition2013

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 5th International Conference on One-dimensional Nanomaterials (ICON2013)
    • 発表場所
      Imperial Palase Hotel, Annecy, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Highly Conductive InAs Nanowire Vertical Transistors on Si2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      MRS spring meeting 2013
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center, San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] ITO/p-InP Heterojunction NW-Array Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      TUM-IAS Focus Workshop
    • 発表場所
      Technische Universitat Munchen, Munich, Germany,
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      TMU-IAS Focus Workshop
    • 発表場所
      Technische Universitat Munchen, Munich, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertical III-V Nanowire-Channel on Si2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      224th ECS meeting
    • 発表場所
      Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V nanowire channels on Si; vertical FET applications2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      2013 Silicon nanoelectronics Workshop (SNW 2013)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, KYoto, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      IUMRS ICAM
    • 発表場所
      Qingdao International Convention Center, Qingdao, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Nanowire/Si Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V/Si Heterojunctions for Steep Subthreshold-Slope Transistor2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      Third Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems
    • 発表場所
      University of California Berkeley Banato Hall, Berkeley, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Demonstration of P-Channel Tunnel FET Using Zn-Doped InAs Nanowire/Si Heterojunction and Doping Effect2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      MRS fall meeting 2013
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si: From high-performance vertical FET to steep-slope switch2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      2013 International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Washington Hilton, Washington DC, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Growth of Wurtzite InP/GaP Core-shell Nanowires by Selective-area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
    • 発表場所
      Laforet, Biwako, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyoto, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowires and their photovoltaic device applications2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai Fumiya Ishizaka and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      12th International Conference on Atomically Controlled Surface, Interface and Nanostructures(ACSIN-12)
    • 発表場所
      Tsukuba Convention Center, Tsukuba, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective area growth of III-V semiconductor nanowires and their photovoltaic and electron device applications2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai Fumiya Ishizaka and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      Nanowires 2013
    • 発表場所
      Weizman Institute of Science, Rehovot, Israel
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si and their applications2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
    • 発表場所
      Kobe Convantion Center, Kobe, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] InGaAs axial junction nanowire array solar cells with AlInP passivation layer2013

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 5th International Conference on One-dimensional Nanomaterials (ICON2013)
    • 発表場所
      Imperial Palase Hotel, Annecy, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      2013 Conference on Lasers and Electro-Optics (CREO:2013)
    • 発表場所
      San Jose Convention Center, San Jose , USA,
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] ITO/p-InP Hetero-Junction NW-Array Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 2013 Europe Material Research Society (E-MRS) Spring Meeting
    • 発表場所
      Cogress Center, Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] High-performance III-V nanowire transistors on silicon2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      The Sweden-Japan Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics(QNANO2013)
    • 発表場所
      東京大学(東京)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of InGaAs Axial Junction Nanowire Array Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2013)
    • 発表場所
      Roiton Sapporo, Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Gate-first process and EOT-scaling of III-V nanowire-based vertical transistors on Si2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      71st Device Research Conference (DRC 2013)
    • 発表場所
      Notre Dame University, Notre Dome, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Zn-compensating effect of channel of InGaAs nanowire/Si heterojunction tunnel FET and steep-turn on switching property2013

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      E-MRS 2013 Spring Meeting
    • 発表場所
      Congress Center, Strasbourg, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication of ITO/p-InP hetero-junction nanowire-array solar cells2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 32st Electronic Materials Symposium (EMS-32)
    • 発表場所
      Laforet Biwko, Shiga, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2012

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Metal- Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI),
    • 発表場所
      Paradise Hotel Busan(KOREA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Bi-directional growth of Zn-doped InP nanowires by selective-area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2012

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Keitaro Ikejiri, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      the 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
    • 発表場所
      The University of Queensland(Australia)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Realization of steep-slope behavior in tunnel FETs using InAs nanowire/Si heterojunction2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS spring meeting
    • 発表場所
      San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] InGaP Nanowires grown by Selective-Area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka, K. Ikejiri, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012),
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] GaAs core-shell nanowire array solar cells on masked GaAs (111)B substrates2012

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      9th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS)
    • 発表場所
      Eindhoven University of Technology(Netherlands)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] InP/AlInP core-multishell nanowire array solar cells2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 39th Internal Symposium on Compound Semiconductor
    • 発表場所
      University of Calfornia Santa Barbara(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells2012

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Takahito Endo, Eiji Nakai and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      MRS 2012 Fall meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center Boston(USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] First demonstration of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS 2012 Fall meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Steep-slope tunnel field-effect transistors using III-V nanowire/Si heterojunction2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      IEEE VLSI symposia
    • 発表場所
      Hilton Hawaian Village(USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Bi-directional growth of InP nanowires by selective-area MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
    • 発表場所
      The University of Queensland(Australia)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Flexible InP nanowire array obtained by epitaxial growth and peeling off process for solar cell application2012

    • 著者名/発表者名
      T. Endo, E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    • 発表場所
      神戸メリケンパークオリエンタルホテル(神戸市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] First demonstration of tunnel field-effect transistor using InGaAs/Si junction2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] GaAs/InGaP core-multishell nanowire array solar cells by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T.Fukui
    • 学会等名
      MRS 2012 Fall meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of GaAs-InGaP core-multishell nanowires on Si substrate toward solar water splitting devices2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • 発表場所
      Paradise Hotel Busan(KOREA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si and their applications2012

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, T. Fukui
    • 学会等名
      25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    • 発表場所
      神戸メリケンパークオリエンタルホテル(神戸市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowires and their electronics and photonic device applications2011

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
    • 学会等名
      Japan-Sweden QNANO Workshop
    • 発表場所
      Clarion Hotel Visby (Sweden)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertical In0.7Ga0.3As Nanowire Surrounding-Gate Transistors with High-k Gate Dielectric on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M, Yoshimura, and T. Fukui
    • 学会等名
      2011 IEEE International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Hilton Washington(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Heteroepitaxy of vertical InAs nanowires on thin graphitic films2011

    • 著者名/発表者名
      Y. J. Hong and T. Fukui
    • 学会等名
      the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of GaAs Nanowires on Poly-Si by Selective-Area MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, K. Tomioka, S. Imai, and T. Fukui
    • 学会等名
      The 38th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Maritim pro Arte Hotel, Berlin(Germany)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] GaAs and related III-V nanowires formed by using selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy and their applications to optoelectronics2011

    • 著者名/発表者名
      K.Hiruma, S.Fujisawa, K.Ikejiri, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      473rd Wilhelm and Else Heraeus Seminar on III-V Nanowires : Growth, Properties, and Applications
    • 発表場所
      Physikzentrum, Bad Honnef, Germany(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Tunnel field-effect transistor using InAs nanowire/Si heterojunction2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      The 15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
    • 発表場所
      Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication of InP Nanowire Array Solar Cells using Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, K. Tomioka, E. Nakai, and T. Fukui
    • 学会等名
      JSPS-RSAS Joint Conference “Capturing the Sun”
    • 発表場所
      Royal Swedish Academy of Science, Stockholm(Sweden)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Growth of GaAs Nanowires on Poly-Si by Selective-Area MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, K. Tomioka, S. Imai, and T. Fukui
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Semiconductor nanowires and their photovoltaic applications2011

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, M. Yoshimura, and K. Tomioka
    • 学会等名
      JSPS-RSAS Joint Conference on Capturing the Sun
    • 発表場所
      Royal Swedish Academy of Science, Stockholm(Sweden)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of InGaAs nanowire vertical surrounding-gate transistor on Si2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Takashi Fukui
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires on Si: Selective Area MOVPE and Their Device Applications2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shijiroh Hara, Kenji Hiruma, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      MRS spring meeting
    • 発表場所
      San Fransisco's Moscone West Convention Hall(USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication and Optical Property of GaAs Nanowire Array for Solar Cell Applications2011

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka and T. Fukui
    • 学会等名
      the 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      ANAホテル(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication of Vertical In0.7Ga0.3As Nanowire Surrouding-Gate Transistors with High-k Gate Dielectric on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui
    • 学会等名
      24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      ANAホテル(京都市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of InGaAs/InP/InAlAs Core-Multishell Nanowire-Based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      MRS 2011 Fall meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center, Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Controlled van der Waals heteroepitaxy of InAs nanowires on carbon honeycomb lattices2011

    • 著者名/発表者名
      Y. J. Hong and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center, Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Compound-Semiconductor Nanowire Solar Cells2011

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      長良川国際会議場(岐阜市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Fabrication of III-V Nanowire-based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
    • 学会等名
      the 220th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center, Boston(USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Tunnel Field-Effect Transistors using InAs Nanowire/Si Heterojunction2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター(名古屋市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Integration of InGaAs Nanowires-based vertical surrounding-gate FETs on Si2011

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, and Takashi Fukui
    • 学会等名
      The 15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications
    • 発表場所
      Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Mechanism on structural transition of InP nanowires by selective-area MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      K. Ikejiri, Y. Kitauchi, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
    • 学会等名
      2011 Materials Research Society Fall Meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center, Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V compound semiconductor nanowires and their electrical and optical applications2011

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, M. Yoshimura, E. Nakai and K. Tomioka
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Advanced Materials and Devices
    • 発表場所
      Ramada Plaza JeJu Hotel(Korea)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Characterization of InP nanowire array solar cells using selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Haynes Convention Center, Boston(USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires on Si2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, M.Yoshimura, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
    • 発表場所
      Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth and characterization of core-multishell GaAs nanowire array solar cell2010

    • 著者名/発表者名
      S.Soundeswaran, K.Tomioka, T.Sato, M.Yoshimura, T.Sato, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Nanomaterials
    • 発表場所
      Mahatma Gandhi University, Kottayam, Kerala, India
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of III-V semiconductor core-shell nanowires by SA-MOVPE and their device applications2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      2010 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
    • 発表場所
      The Australian National University, Canberra, Australia(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication and characterization of InAs tubular channel FETs using core-shell nanowires grown by SA-MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, J.Motohisa, E.Sano, S.Hara, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
    • 発表場所
      Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selective-Area MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
    • 発表場所
      Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area MOVPE growth and optical properties of single InAsP quantum dots embedded in InP NWs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth mechanism of III-V semiconductor nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Beijing International Convention Center, Beijing, China(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth mechanism of III-V semiconductor nanowires in selectve-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth and Characterization of GaAsP Nanowires on GaAs(111)B Substrate by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      S.Fujisawa, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      University of Tokyo, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of GaAs/InAs axial nanowires on Si by selective-area MOVPE with re-growth method2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowire formation using catalyst-free MOVPE and applications to optoelectronic devices2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hiruma, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      The 12th Nanowire Research Society Meeting & Nano Korea 2010 Satellite Session
    • 発表場所
      KINTEX, Goyang, Korea(招待講演)
    • 年月日
      2010-08-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective-area MOVPE and their device applications2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      Material Research Society 2010 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs core-multishell nanowire-based light-emitting-diode array on Si substrate2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      SPIE Infrared Remote Sensing and Instrumentation XVIII
    • 発表場所
      San Diego Convention Center, San Diego, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Ferromagnetic MnAs nanocluster composites position controlled on GaAs(111)B substrates toward lateral magneto-resistive devices2010

    • 著者名/発表者名
      K.Komagata, S.Hara, S.Ito, T.Fukui
    • 学会等名
      The 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010)
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kokura, Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of III-V Semiconductor Nanowires by SA-MOVPE and their Applications to Photonic and Photovoltaic Devices2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective area MOVPE and their device applications2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      Material Research Society (MRS) 2010 Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West and Marriott Hotel, San Francisco, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires-from Crystal Growth to Device Applications2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
    • 発表場所
      Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires on Si(111) substrate2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, M.Yoshimura, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      Material Research Society (MRS) 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center and Sheraton Hotel, Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowires and core-shell nanowires and their device applications2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices
    • 発表場所
      Beijing International Convention Center, Beijing, China(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Integration of III-V NW-based vertical FETs on Si and device concept for tunnel FET using III-V/Si heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Tanaka, T.Fukui
    • 学会等名
      Material Research Society (MRS) 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center and Sheraton Hotel, Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Catalyst-Free and Position-Controlled Formation of III-V Semiconductor Nanowires for Optical Device applications(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, J.Motohisa, K.Tomioka, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] GaAs/AlGaAs heterostructure nanowires with a GaAs quantum well formed by selective-area metal organic vapor-phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hiruma, A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      5th Nanowire Growth Workshop 2010
    • 発表場所
      CNR Building, Rome, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Free-Standing GaAs/AlGaAs Heterostructure Nanowires with a GaAs Quantum Well Formed by Selective-Area Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hiruma, A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Beijing International Convention Center, Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Electrical characterization of InGaAs nanowire MISFETs fabricated by dielectric-first process2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kohashi, T.Sato, K.Tomioka, S.Hara, T.Fukui, J.Motohisa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      University of Tokyo, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Lasing in GaAs-based Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, B.Hua, K.S.K.Varadwaj, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      IEEE photonics society winter topical 2010
    • 発表場所
      Majorca, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area growth and characterization of MnAs nanocluster composites for lateral magneto-resistive device applications2010

    • 著者名/発表者名
      K.Komagata, S.Hara, S.Ito, T.Fukui
    • 学会等名
      Material Research Society (MRS) 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center and Sheraton Hotel, Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Vertical Surrounding Gate Field Effect Transistors using InAs Nanowires grown on Si substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2009 Material Research Society(MRS)Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-based Light-Emitting Diode Arrays on Si2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2009)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of tubular InAs nanowires for FET applications2009

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, J.Motohisa, S.Haza, E.Sano, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      4th Nanowire Growth Workshop
    • 発表場所
      Paris, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires Grown and Their Device Applications(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      The 13th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy(EWMOVPE-XIII)
    • 発表場所
      Ulm, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Structural Transition of InP Nanowires Grown by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kitauchi, J.Motohisa, K.Tomioka, Y.Kobayashi, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-Area Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy of Anisotropic-Shaped Ferromagnetic MnAs Nanoclusters for Magneto-Resistive Device Applications2009

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, S.Ito, T.Wakatsuki, T.Fukui
    • 学会等名
      The 13th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy(EWMOVPE-XIII)
    • 発表場所
      Ulm, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Position Controlled Growth of III-V Semiconductor Core-shell Nanowires Grown by Selective Area MOVPE and Their Device Applications(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      The 2009 Material Reseach Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Highly Polarized Lasing Emission in Single GaAs/AlGaAs/GaAs core-shell Nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      S.K.Vazadwaj, J.Motohisa, S.Soundeswaran, T.Sato, B.Hua, M.van Kouwen, V.Zwiller, S.Haza, T.Fukui
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterials
    • 発表場所
      Atlanta, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Structural Characterizations of Ferromagnetic MnAs Nanoclusters on Si(111)Substrate by Selective-Area MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Morita, S.Hara, S.Ito, T.Fukui
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2009)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication and electrical characterization of InAs tubular channel nanowire FETs2009

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, J.Motohisa, S.Hara, E.Sano, T.Fukui
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanostructures and Nano-Devices
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Heterepitaxy of III-V nanowires on Si and optical application2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      Intemational Workshop on Photons and Spins in Nanostructures(IWPSN)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Analysis of the twin defects occurring in GaAs nanowires grown by selective-area metal-organic Vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshida, T. Sato, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of Axial Heterostructures in III-V Nanowires by Selective-area MOVPE with Regrowth Method2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, Y.Kobayashi, J.Motohisa, S.Hara, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowires : From growth to device applications(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanoteclmology Conference(MNC2009)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] InAs Nanowire Vertical Surrounding Gate FET on Si Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Magnetic Anisotropy in Position-Controllable MnAs Nanoclusters on Semiconductor Substrates by Selective-Area Metal-Orgmic Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      S.Hara, S.Ito, T.Wakatsuki, T.Fukui
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Magnetism(ICM2009)
    • 発表場所
      Karlsruhe, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Position controlled growth and optical properties of III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective-area MOVPE and their device applications2009

    • 著者名/発表者名
      J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui
    • 学会等名
      The SPIE Photonics West Conferences 2009
    • 発表場所
      San Jose, California, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-based Light-Emitting Diode Arrays on Si2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2009 Material Research Society(MRS)Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth and Characterization of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selecrive-Area MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and their applications(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      The XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
    • 発表場所
      New Delhi, India
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication of a GaAs quantum well embedded in AlGaAs/GaAs hetero-structure nanowires by selective-area MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      4th Nanowire Growth Workshop
    • 発表場所
      Paris, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Structural transition of InP nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kitauchi, K.Tomioka, Y.Kobayashi, S.Hara, T.Fukui, J.Motohisa
    • 学会等名
      the 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-14)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111)substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterials
    • 発表場所
      Atlanta, U.S.A.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Analysis of twin development during selective growth of GaAs nanowires by using catalyst-free metal organic vapor-phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      K.Hiruma, H.Yoshida, K.Ikejiri, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      4th Nanowire Growth Workshop
    • 発表場所
      Paris, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of p/n-doped GaAs-AlGaAs Core-multi-shell Nanowire Array on Si(111)by Selective-area MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      K.Tomioka, Y.Kobayashi, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Catalyst-free growth and FET application of (InGa)As nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      The 66th Device Research Conference
    • 発表場所
      Santa Barbara, California, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Position-controlled growth of GaAs nanowires on Si(111) by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Structural and magnetic characterizations of Ferromagnetic MnAs/GaAs nanoclusters formed by selective-area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      S. Hara, T. Wakatsuki, S. Ito, D. Kawamura and T. Fukui
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Metal-organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of III-V Semiconductor Nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
    • 学会等名
      The 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Near-Infrared lasers in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      2008 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area MOVPE of InP/InGaAs air-hole arrays on InP for photonic crystal applications2008

    • 著者名/発表者名
      J. Motohisa, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth direction control and magnetic characterizations of MnAs grown by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      T. Wakatsuki, S. Hara, S. Ito and T. Fukui
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires and their photoluminescence characterization2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa and T. Fukui
    • 学会等名
      The 27 th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Izu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Magnetic domain characterization of MnAs nanoclusters on GaAs(111)B surfaces by selective-area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      S. Ito, S. Hara, T. Wakatsuki and T. Fukui
    • 学会等名
      The 21 st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Fabrication and optical characterization of InGaAs nanowires by selective-area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of III-V semiconductor nanowires2008

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
    • 学会等名
      The 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Rio de Janeiro, Brazil
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Epitaxial III-V semiconductors : nanowires and nanotubes2008

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
    • 学会等名
      The 4th Asian Confrence on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth and Optical Properties of InP/InAs Multi-Core Shell Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
    • 学会等名
      2008 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco,USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor epitaxial nanowires and their applications2008

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara, K. Hiruma and J. Motohisa
    • 学会等名
      The 16 th Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Endotaxial nanoclustering of MnAs in lattice-mismatched semiconductor layers during metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      S. Hara, H. Iguchi and T. Fukui
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Electronic Materials
    • 発表場所
      Sydney, Australia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth mechanism of GaAs nanowires using catalyst-free selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiruma, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
    • 学会等名
      2008 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Vertical III-V nanowire growth on Si substrate by selective-area MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
    • 学会等名
      2008 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Competitive growth process of tetrahedrons and hexagons during nanowire formation by metal-organic vapor phase epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiruma, K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
    • 学会等名
      The third International Workshop on Nanowire Growth Mechanisms
    • 発表場所
      Duisburg, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] InP and InP/InAs multi-core shell nanowires grown by selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, Premila. Mohan, J. Motohisa
    • 学会等名
      International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova,Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V Semiconductor Nanowires and Their Device Applications2007

    • 著者名/発表者名
      S. Hara, J. Motohisa, T.Fukui
    • 学会等名
      The 2007 International Symposium on Advanced Silicon-Based Nano-Devices(ISASN 2007)
    • 発表場所
      Tokyo,Japan
    • 年月日
      2007-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth Characteristics of III-V Semiconductor Nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiruma, S. Hara, J. Motohisa, Takasi Fukui
    • 学会等名
      The Second International Conference on One-dimensional Nanomaterials(ICON 2007)
    • 発表場所
      Malmo,Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Formation and characterization of Fabry-Perot cavities in single GaAs nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      B. Hua, J. motohisa, S. hara, T. Fukui
    • 学会等名
      The 34th international conference on compound semiconductors
    • 発表場所
      Kyoto,Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor hetero-structure nanowires by selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2007)
    • 発表場所
      Tsukuba,Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V semiconductor nanowires and nanotubes grown by slective area metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      J. Motohisa, T. Fukui, S. Hara
    • 学会等名
      Internationl Conference on Nano Science and Technology(ICN+T 2007)
    • 発表場所
      Stockholm,Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Growth of InGaAs nanowires on InP(111)B substrates by selective-area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, J. Noborisaka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
    • 学会等名
      The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Salt Lake,USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] InP/InAs core-multishell heterostructure nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, P. Mohan, J. Motohisa
    • 学会等名
      19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Matsue,Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] III-V compound semiconductor nanowires grown by selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
    • 学会等名
      2nd International Lund Workshop on Nanowire Growth Mechanisms
    • 発表場所
      Lund,Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] InP/InAs core-shell nanowires grown by selective area MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
    • 学会等名
      7th Wilhelm and Else Heraeus Seminar on Semiconducting Nanowires: Physics, Materials and Devices
    • 発表場所
      Bad Honnef,German
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Position-controlled Heteroepitaxial Growth of InAs Nanowires on Lattice-mismatched Substrates by Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, J. Takeda, L. Yang, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
    • 学会等名
      2007 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco,USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18002003
  • [学会発表] Integration of Vertical InAs Nanowires on Ge(111) by Selective-Area MOVPE

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
    • 発表場所
      Tsukuba Conference Center, Tsukuba
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-Area Growth of III-V Nanowires and Their Devices

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Muyi Chen, Takashi Fukui
    • 学会等名
      MRS fall meeting 2014
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, USA
    • 年月日
      2014-11-30 – 2014-12-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of wurtzite InP/AlGaP core-shell nanowires

    • 著者名/発表者名
      J. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      EPFL, Lausanne, Switzerland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertical Tunnel FETs Using III-V Nanowire/Si Heterojunctions

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      225th ECS meeting
    • 発表場所
      Hilton Bonnet Creek、Orland, USA
    • 年月日
      2014-05-12 – 2014-05-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Vertically aligned semiconductor nanowires and their applications

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, E. Nakai, F. Ishizaka and K. Tomioka
    • 学会等名
      42nd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
    • 発表場所
      Snowbird Resort, Utah, USA
    • 年月日
      2015-01-18 – 2015-01-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Semiconductor nanowires and their photovoltaic applications

    • 著者名/発表者名
      T. Fukui, E. Nakai, F. Ishizaka and K. Tomioka
    • 学会等名
      3rd biennial Conference of the Combined Australian Materials Societies
    • 発表場所
      University of Australia, Sydoney, Australia
    • 年月日
      2014-11-26 – 2014-11-28
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] InGaAs axial junction nanowire array solar cells with Sn-doped contact layer

    • 著者名/発表者名
      E. Nakai, M. Yoshimura, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      EPFL, Lausanne, Switzerland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of vertical InAs nanowires on Ge(111)

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Eiji Nakai, Takashi Fukui
    • 学会等名
      17thInternational Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVII)
    • 発表場所
      EPFL, Lausanne, Switzerland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-18
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V semiconductor hetero-structure nanowires and their photonic applications

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, E. Nakai, F. Ishizaka and T. Fukui
    • 学会等名
      WE Heraeus Seminar on III-V Nanowire Photonics
    • 発表場所
      Physikzentrum Bad Honnef, Bad Honnef , Germany
    • 年月日
      2015-03-22 – 2015-03-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of InAs nanowire inside Si(100) and SOI substrates toward tunnel FET applications

    • 著者名/発表者名
      K. Tomioka, F. Ishizaka, and T. Fukui
    • 学会等名
      the 17th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      EPFL, Lausanne, Switzerland
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V nanowires on patterned Si substrates and their applications

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      10th International Workshop on Epitaxial Semiconductor on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS 2014)
    • 発表場所
      Trunseo International Academy, Traunkirchen,Austria
    • 年月日
      2015-07-20 – 2015-07-23
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V nanowire channel and III-V/Si heterojunction for low-power switches

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      IEEE EUROSOI-ULIS 2015
    • 発表場所
      Aula Prodi Piazza San Gionvanni in Monte, Bologna, Italy
    • 年月日
      2014-07-26 – 2014-07-28
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Selective-area growth of III-V nanowires on Si and their applications

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
    • 学会等名
      8th Nanowire Growth Workshop/Nanowire 2014
    • 発表場所
      Strijp-S Eindhoven, Eindhoven, Germany
    • 年月日
      2015-08-25 – 2015-08-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells

    • 著者名/発表者名
      Takashi Fukui1, Eiji Nakai1, MuYi Chen1 and Katsuhiro Tomioka
    • 学会等名
      Topical Meetings on Optical Nanostructures and Advanced Materials for Photovoltaics (PV)
    • 発表場所
      Australian National University, Canberra, Australia
    • 年月日
      2014-12-02 – 2014-12-04
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • [学会発表] Wurtzite InP/AlGaP Core-Shell Nanowires toward Direct Band Gap Transition

    • 著者名/発表者名
      F. Ishizaka, K. Tomioka, and T. Fukui
    • 学会等名
      MRS Spring Meeting 2014
    • 発表場所
      Moscone West, San Francisco, California, USA
    • 年月日
      2014-04-21 – 2014-04-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23221007
  • 1.  本久 順一 (60212263)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 128件
  • 2.  長谷川 英機 (60001781)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  雨宮 好仁 (80250489)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  原 真二郎 (50374616)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 109件
  • 5.  赤沢 正道 (30212400)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  橋詰 保 (80149898)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  藤倉 序章 (70271640)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  葛西 誠也 (30312383)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  浅井 哲也 (00312380)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  大野 英男 (00152215)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  中原 純一郎 (30013527)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  冨岡 克広 (60519411)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 106件
  • 13.  斉藤 俊也 (70241396)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  尾浦 憲治郎 (60029288)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  荒井 滋久 (30151137)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  佐野 栄一 (10333650)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  楊 林 (60374708)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 21.  佐藤 威友 (50343009)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  廣瀬 哲也 (70396315)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  中島 尚男 (20198071)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  浅田 雅洋 (30167887)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  冷水 佐壽 (50201728)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  長田 俊人 (00192526)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  小間 篤 (00010950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  坂井 高正
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  プリミーラ モハン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  HONG YoungJoon
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 4件
  • 32.  OTSUKA Paul
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 3件

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