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矢野 裕司  YANO Hiroshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 40335485
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2021年度 – 2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授
2016年度 – 2019年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授
2013年度: 筑波大学, 数理物質系, 准教授
2011年度 – 2012年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教
2010年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授
2007年度 – 2009年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教
2003年度 – 2006年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21010:電力工学関連 / 理工系
キーワード
研究代表者
MOSFET / 超接合 / 炭化ケイ素 / 界面準位 / MOS構造 / チャネル移動度 / シリコンカーバイド / しきい値電圧変動 / 超接合MOSFET / 相補型インバータ … もっと見る / SiC / MOS界面 / 電子・電気材料 / pMOS / p型MOS / パワーデバイス / 炭化珪素 / リン / しきい値変動 / UMOSFET / トレンチ / 界面遷移層 / NOアニール / CVD酸化膜 / (11-20)面 / 界面準位密度 / MOS … もっと見る
研究代表者以外
バイオミネラリゼーション / フェリチンタンパク / バイオナノプロセス / ボトムアップ / ディスプレイ / 自己組織化 / bio-mineralization / self assemble / bottom-up / Bio-nano process / 薄膜トランジスタ / 量子ドット / 結晶化 / シリコン薄膜 / SiC/SiO2界面 / 引っ張り応力、せん断応力 / アルミ電極と銅電極 / TCADシミュレーション / 電気-熱-応力連成解析 / 負荷短絡破壊 / ゲートもれ電流 / SiCMOS結晶面 / ゲート底部電界保護層 / NIT密度 / Jd-Vgs特性 / 負荷短絡試験 / SiC-MOSFET / 残留ダメージ / 機械応力 / 負荷短絡 / 高信頼性特性 / SiC MOSFET / Ni catalyst / Nano Particle / System On Panel / Display / Metal Induced Crystalization / Poly silicon film / Thin Film Transistor / Ferritin Protein / シリサイド / 固相成長 / ニッケル / Ni触媒 / ナノ粒子 / システムオンパネル / 金属誘起結晶化法 / 多結晶シリコン薄膜 / floating gate transistor / Quntum dot / フローティグゲートトランジスタ / フローティングゲートトランジスタ / plasma treatment / ferritin protein / バイオナノ / プラズマ / バイオメネラリゼーション / 積層シリコン薄膜 / ファイバー / 多結晶 / 三次元素子 / グリーンレーザ / フォトダイオード / 非二次元基板 / 多結晶シリコン / 三次元デバイス / 薄膜フォトダイオード / レーザ結晶化 / トンネル現象 / 電子デバイス・集積回路 / コバルト / MOSデバイス / 走査型トンネル顕微鏡 / ケルビンプローブ顕微鏡 / 走査型プローブ顕微鏡 / クーロンブロケード / 単電子 / MOSトランジスタ / 配置制御 / ナノドット / 不揮発 / フェリチン / 自己組織化材料 / バイオテクノロジー / 微細加工 / 半導体 / 低温結晶化 / 抵抗変化型メモリ / タンパク / メモリ / 半導体デバイス / 生体超分子 隠す
  • 研究課題

    (12件)
  • 研究成果

    (164件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  SiC横型超接合パワーMOSFETによるワンチップ相補型電力変換器の開発研究代表者

    • 研究代表者
      矢野 裕司
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究

    • 研究代表者
      岩室 憲幸
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21010:電力工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発研究代表者

    • 研究代表者
      矢野 裕司
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      筑波大学
  •  異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新研究代表者

    • 研究代表者
      矢野 裕司
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      筑波大学
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  非二次元シリコン基板のレーザ結晶化とそのデバイス応用

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  自己組織化ナノ構造形成プロセス

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      18063015
  •  2次元配列バイオナノドットにおける不規則トンネル伝導と確率共鳴素子への応用

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  超低損失パワーデバイスを目指したSiCトレンチMOS構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      矢野 裕司
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  フェリチンタンパクを用いたバイオナノディスプレイの研究

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  新結晶面を有するSiCのMOS構造電子物性の制御研究代表者

    • 研究代表者
      矢野 裕司
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  半導体ナノスケール加工を実現するためのフェリチンタンパク質の2次元結晶化

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  バイオナノプロセスを用いた量子ドットアレイの自己組織化形成と機能素子への応用

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学

すべて 2024 2023 2022 2020 2019 2018 2017 2016 2014 2013 2012 2011 2009 2008 2007 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-(分担:第2編、第1章、第4節SiCデバイスプロセスにおける新規表面・界面改質技術)2013

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [図書] ポストシリコン半導体 -ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-2013

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司 (他 全57名)
    • 総ページ数
      510
    • 出版者
      エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [図書] SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-2012

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司 (岩室憲幸 監修)
    • 出版者
      S&T出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [図書] 「SiCパワーデバイスの開発と最新動向-普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-」岩室憲幸監修(分担:第2章-第4節MOS界面欠陥の低減技術と高品質化)2012

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 出版者
      S&T出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための+<i>α</i> の研究技術2024

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 93 号: 3 ページ: 179-183

    • DOI

      10.11470/oubutsu.93.3_179

    • ISSN
      0369-8009, 2188-2290
    • 年月日
      2024-03-01
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [雑誌論文] Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs2020

    • 著者名/発表者名
      Nemoto Hiroki、Okamoto Dai、Zhang Xufang、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Hatakeyama Tetsuo、Harada Shinsuke、Iwamuro Noriyuki、Yano Hiroshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 4 ページ: 044003-044003

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab7ddb

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET2019

    • 著者名/発表者名
      Yao Kailun、Yano Hiroshi、Iwamuro Noriyuki
    • 雑誌名

      2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

      巻: ー ページ: 187-190

    • DOI

      10.1109/ispsd.2019.8757607

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors2018

    • 著者名/発表者名
      X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57

    • NAID

      210000149219

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Karamoto, X. Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57

    • NAID

      210000149221

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications2017

    • 著者名/発表者名
      J. An, M. Namai, H. Yano, and N. Iwamuro
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Electron Devices

      巻: 64 号: 10 ページ: 4219-4225

    • DOI

      10.1109/ted.2017.2742542

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] Characterization of Near-Interface Traps at 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces Using a Modified Distributed Circuit Model2017

    • 著者名/発表者名
      X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 10 号: 6 ページ: 064101-064101

    • DOI

      10.7567/apex.10.064101

    • NAID

      210000135889

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [雑誌論文] ゲート酸化膜へのリン導入によるSiC-MOS界面欠陥の低減とMOSFETの高性能化2014

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司,畑山智亮,冬木隆
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 35 号: 2 ページ: 90-95

    • DOI

      10.1380/jsssj.35.90

    • NAID

      130004785041

    • ISSN
      0388-5321, 1881-4743
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Improved Stability of 4H-SiC MOS Device Properties by Combination of NO and POCl3 annealing2013

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Araoka, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 740-742 ページ: 727-732

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.727

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Effect of Interface Localization of Phosphorus on Electrical Properties and Reliability of 4H-SiC MOS Devices2013

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 740-742 ページ: 695-698

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.695

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Characterization of POCl3- and NO-annealed 4H-SiC MOSFETs by Charge Pumping Technique2013

    • 著者名/発表者名
      A. Osawa, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 740-742 ページ: 541-544

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.541

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide2012

    • 著者名/発表者名
      D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 未定

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Effect of POCl3 annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC2012

    • 著者名/発表者名
      R. Morishita, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 未定

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] POCl3 Annealing as a New Method for Improving 4H-SiC MOS Device Performance2012

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 50 号: 3 ページ: 257-265

    • DOI

      10.1149/05003.0257ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果2011

    • 著者名/発表者名
      高上稔充, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 111 ページ: 11-15

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [雑誌論文] Comprehensive study of electroluminescence in multicrystalline silicon solar cells2009

    • 著者名/発表者名
      A.Kitiyanan, A.Ogane, A.Tani, T.Hatayama, H.Yano, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys 106

      ページ: 43717-43717

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      A. Kitiyanan, A. Ogane, A. Tani, T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 106

      ページ: 43717-43717

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Analysis of Anomalous Charge-Pumping Characteristics on 4H-SiC MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      IEEE Transaction Electron Device Vol.55,No.8

      ページ: 2013-2020

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Sim Jung
    • 雑誌名

      J. Yeon Kwon, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47,No.8

      ページ: 6236-6240

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Thermal analysis of degradation in Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO thin film transistors2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.Sim Jung, J.Yeon Kwon
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.47

      ページ: 6236-6240

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Anomalously anisotropic channel mobility on trench sidewalls in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on 8° off substrates2007

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90・4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760254
  • [雑誌論文] Fabrication of Poly-Si Thin-Film Transistors on Quartz Fiber2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Aplied Physics Ltter 91

      ページ: 203518-203518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low temperature poly-Si Thin Film Transistors flash memory with Si nanocrystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Vol.46,No.27

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low-temperature poly-Si TFT flash memory w ith ferritin2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Prakaipetch, Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Ichiro Yamashita
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46,No.34

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, A, Mimura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46,No. 8

    • NAID

      10018902932

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Increased Channel Mobility in 4H-SiC UMOSFETs Using On-Axis Substrates2007

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum 556-557

      ページ: 807-810

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760254
  • [雑誌論文] Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing for High Performance Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Akio Mimura
    • 雑誌名

      IEEE EDL Vol.28,No.5

      ページ: 395-395

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Reliability of low temperature poly-Si Thin Film Transistors with ultrathin gate oxide2007

    • 著者名/発表者名
      Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Tadashi Serikawa
    • 雑誌名

      pn. J. Appl. Phys. Vol.46,No.7A

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low Temperature Poly-Si TFT Flash Memory with Si Nano crystal Dot2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      The proceeding of the 3^<rd> International TFT Conference

      ページ: 340-340

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Reliability Analysis of Ultra-Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46,No. 3B

      ページ: 1303-1303

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low-temperature poly-Si TFT flash memory with ferritin2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Prakaipetch, Punchaipetch, H.iroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Ichiro Yamashita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 1804-806

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Fabrication of Poly-Si Thin-Film Transistors on Quartz Fiber2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka^*, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 203518-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nanodot by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, P.Punchaipetch, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      2005 International Meeting for Future of Electron Device, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-17

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-17(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおけるート酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] High Temperature NO Annealing of Deposited SiO_2 and SiON Films on N-tybe 4H-SiC2005

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 483-485

      ページ: 685-688

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760222
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおける-ト酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      p.punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-18(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-19(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai (未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Plasma Nitridation of Gate Insulator on 4H-SiC2004

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      The 2004 International Meeting for Future Electron Devices, Kansai

      ページ: 61-62

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760222
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-lO

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] リモートプラズマ法によるPLCVDHfSiO膜への窒素プロファイルの制御2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 中村秀碁, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1p_C-7

      ページ: 679-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-11

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Radical Nitridation of Ultra-thin Gate Oxide on Silicon Carbide2004

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      2004 International Symposium on Nano Science and Technology

      ページ: 263-264

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15760222
  • [雑誌論文] 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入2004

    • 著者名/発表者名
      中村秀碁, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-45

      ページ: 57-57

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] プラズマ援用化学気相堆積法を用いて堆積したSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 猪飼順子, 彦野太樹夫, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆, 林司
    • 雑誌名

      第51回応用物理学会関係連合講演会 28p-ZH-2

      ページ: 959-959

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Characterization of 4H-SiC MOSFETs with NO-annealed CVD Oxide

    • 著者名/発表者名
      H.Yano
    • 雑誌名

      Materials Science Forum (掲載予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760254
  • [学会発表] 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析2024

    • 著者名/発表者名
      森海斗, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      電気学会全国大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価2023

    • 著者名/発表者名
      森海斗, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価2023

    • 著者名/発表者名
      円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第10回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress2023

    • 著者名/発表者名
      Yuya Enjoji, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique2023

    • 著者名/発表者名
      Atsuhiro Akiba, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFETの界面特性評価2023

    • 著者名/発表者名
      秋葉淳宏, 矢野裕司
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress2023

    • 著者名/発表者名
      Mitsuki Takahashi, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro
    • 学会等名
      The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K20927
  • [学会発表] Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices2022

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Yano
    • 学会等名
      The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計2022

    • 著者名/発表者名
      森海斗, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係2022

    • 著者名/発表者名
      秋葉淳宏, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み2022

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 学会等名
      結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討2022

    • 著者名/発表者名
      秋葉淳宏, 矢野裕司
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] ACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価2022

    • 著者名/発表者名
      円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価2022

    • 著者名/発表者名
      円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K22810
  • [学会発表] SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析2020

    • 著者名/発表者名
      岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs2020

    • 著者名/発表者名
      Gyozen Sai, Dai Okamoto, Noriyuki Iwamoro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明2019

    • 著者名/発表者名
      周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価2019

    • 著者名/発表者名
      坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析2019

    • 著者名/発表者名
      松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析2019

    • 著者名/発表者名
      松谷優汰,張旭芳,岡本大,岩室憲幸,矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      Xingyan Zhou, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hirosi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析2019

    • 著者名/発表者名
      根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-Channel MOSFET2019

    • 著者名/発表者名
      K. Yao, H. Yano, N. Iwamuro
    • 学会等名
      The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps2019

    • 著者名/発表者名
      Yuta Matsuya, Xufang Zhang, Dai Okamoto, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias2019

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析2019

    • 著者名/発表者名
      根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第6回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides2019

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Mode2019

    • 著者名/発表者名
      X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method2019

    • 著者名/発表者名
      Dai Okamoto, Hiroki Nemoto, Xufang Zhang, Xingyan Zhou, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs2019

    • 著者名/発表者名
      Kailun Yao, 矢野裕司, 岩室憲幸
    • 学会等名
      平成31年 電気学会全国大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析2018

    • 著者名/発表者名
      根本宏樹,岡本大,染谷満,木内祐治,岡本光央,畠山哲夫,原田信介,岩室憲幸,矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析2018

    • 著者名/発表者名
      根本宏樹, 岡本大, 染谷満, 木内祐治, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, Y. Karamoto, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明2018

    • 著者名/発表者名
      周星炎,岡本大,畠山哲夫,染谷満,原田信介,岡本光央,張旭芳,岩室憲幸,矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第5回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析2018

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 学会等名
      第16回環境研究シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Difference of NIT Density Distribution in 4H-SiC MOS Interfaces for Si- and C-faces2018

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第23回研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Nemoto, D. Okamoto, M. Sometani, Y. Kiuchi, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano,
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements2018

    • 著者名/発表者名
      X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Impact of Oxide Thickness on the Density Distribution of Near-interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2017

    • 著者名/発表者名
      X. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性2017

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 学会等名
      第37回ナノテスティングシンポジウム
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface2017

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第22回研究会
    • 発表場所
      東レ研修センター(静岡県・三島市)
    • 年月日
      2017-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Analysis of Fast and Slow Responses of Interface Traps in p-type SiC MOS Capacitors by Conductance Method2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Karamoto, X.Zhang, D. Okamoto, M. Sometani, T. Hatakeyama, S. Harada, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses2017

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析2017

    • 著者名/発表者名
      唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 4H-SiC MOS 界面におけるNIT 密度分布の膜厚依存性2017

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第4回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析2017

    • 著者名/発表者名
      唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成2016

    • 著者名/発表者名
      唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 年月日
      2016-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成2016

    • 著者名/発表者名
      唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors2016

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 年月日
      2016-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2016

    • 著者名/発表者名
      X. F. Zhang, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, N. Iwamuro, and H. Yano
    • 学会等名
      47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2016-12-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors2016

    • 著者名/発表者名
      Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Ryoji Kosugi, Noriyuki Iwamuro, and Hiroshi Yano
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析2016

    • 著者名/発表者名
      岡本大, 張旭芳, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04326
  • [学会発表] Comparative Study of Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with POCl3- and NO- Annealed Gate Oxides2013

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, A. Osawa, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      シーガイア・コンベンションセンター(宮崎県宮崎市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 4H-SiC Si面上における表面ラフネスがMOSFETの電気特性に及ぼす影響2013

    • 著者名/発表者名
      串阪哲也, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館(埼玉県さいたま市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] SiC-MOSデバイスの界面欠陥低減技術2013

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 学会等名
      SEMI FORUM JAPAN 2013
    • 発表場所
      グランキューブ大阪(大阪府大阪市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETの高温下におけるしきい値電圧不安定性の考察2013

    • 著者名/発表者名
      金藤夏子, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館(埼玉県さいたま市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] チャージポンピング法によるSiC-MOS界面特性の評価2013

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館(埼玉県さいたま市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Comparative Study of Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with POCl_3- and NO- Annealed Gate Oxides2013

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, A. Osawa, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      Miyazaki (Japan)
    • 年月日
      2013-10-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] NO/POCl3複合アニール処理したSiC MOSデバイスの電子注入耐性2012

    • 著者名/発表者名
      荒岡幹, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] POCl_3 Annealing as a New Method for Improving 4H-SiC MOS Device Performance2012

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      PRiME 2012 (Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science)
    • 発表場所
      Honolulu (HI, USA)
    • 年月日
      2012-10-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Improved Stability of 4H-SiC MOS Device Properties by Combination of NO and POCl_3 Annealing2012

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Araoka, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2012)
    • 発表場所
      Saint-Petersburg (Russia)
    • 年月日
      2012-09-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] POCl3アニールした4H-SiC MOS構造の高電界ストレスによる電気特性への影響2011

    • 著者名/発表者名
      森下隆至, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果2011

    • 著者名/発表者名
      高上稔充, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Development of 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-Doped Gate Oxide2011

    • 著者名/発表者名
      D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2011)(招待講演)
    • 発表場所
      Cleveland (OH, USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 定電流ストレス印加によるPOCl3アニール4H-SiC熱酸化膜の劣化特性2011

    • 著者名/発表者名
      森下隆至,矢野裕司,岡本大,畑山智亮,冬木隆
    • 学会等名
      平成23年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学 小白川キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Effect of POCl3 annealing on Reliability of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC2011

    • 著者名/発表者名
      R. Morishita, H. Yano, D. Okamoto, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2011)
    • 発表場所
      Cleveland (OH, USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Improved Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on Si Face Utilizing Phosphorus-Doped Gate Oxide2011

    • 著者名/発表者名
      D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      IEEE EDS Kansai Chapter 第11回関西コロキアム電子デバイスワークショップ(招待講演)
    • 発表場所
      大阪大学 中之島センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果2011

    • 著者名/発表者名
      高上稔充, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      奈良先端科学技術大学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] SiCデバイスプロセスの高度化に向けた新規表面・界面改質技術の開発2011

    • 著者名/発表者名
      冬木隆, 矢野裕司, 畑山智亮
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会(招待講演)
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 4H-SiC MOS界面特性におけるNOとPOCl3アニールの組み合わせ効果2011

    • 著者名/発表者名
      荒岡 幹,矢野裕司,畑山智亮,冬木隆
    • 学会等名
      平成23年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学 小白川キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 4H-SiC MOS界面特性におけるNOとPOCl3アニールの組み合わせ効果2011

    • 著者名/発表者名
      荒岡幹, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T, Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-05-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Improvement of interface properties by NH3 pretreatment for 4H-SiC(000-1) MOS structure2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Iwasaki, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 学会等名
      Solid State Device Meeting
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      5th International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Interface Properties of C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures Prepared by Direct Oxidation in Nitric Oxide2009

    • 著者名/発表者名
      D.Okamoto, H.Yano, Y.Oshiro, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuvuki
    • 学会等名
      Solid State Device Meeting
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表]2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwasaki, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Acceleration of Crystal Growth by Pulse Rapid Anneaking using Ni ferritin2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ochi, Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, I. Yamashita
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表]2008

    • 著者名/発表者名
      Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon, Takashi Nakanishi, Mutsumi Kimura
    • 学会等名
      IMFEDK
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2008-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Improvement in Al2O3/Si Interfacial Characteristics by High Pressure Water Annealing2008

    • 著者名/発表者名
      H. Itoh, Y, Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Threshold Voltage Shift in Ga2O3-In2O3-ZnO(ZIGO) Thin Film Transitors under Constant Voltage Stress2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jung, J. Kwon, T. Nakanishi, M. Kimura
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Low temperature poly-Si TFT flash memory with Ferritin Protein2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ichikawa, P. Punchaipetch, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, I. Yamashita, T. Yaegashi, S. Kawabata, M. Yoshimau
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo(招待講演)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] New Synthesis Method using Microwave Thermo Catalysis for Inorganic EL Displays2008

    • 著者名/発表者名
      Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Nobuyoshi Taguchi, R. Sugie, N. Muraki
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Green Laser Anneling Double-Layered X'tallization for System on Panerl2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, A, Mimura
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Sugawara, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jung, J. Kwon, T. Nakanishi, M. Kimura
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] 極薄トンネル酸化膜上バイオナノドットからの電子放出の過渡解析2007

    • 著者名/発表者名
      河北あゆみ、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆
    • 学会等名
      第68 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360173
  • [学会発表] Low Temperature poly-Si TFT Flash memory with Si nano crystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ichikawa, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • 発表場所
      Rome
    • 年月日
      2007-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] micro-PCD Measurement of Double-Layered poly-Si Thin Films Crystallization by Solid Green Lazer Annealing2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, Y. Uraoka, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • 発表場所
      Rome
    • 年月日
      2007-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Crystallization of Double-Layerd silicon Thin Film by Solid Green Laser Annealing for High Performance Thin Film Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, Y. Uraoka, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki, A, Mimura
    • 学会等名
      AMFPD '07
    • 発表場所
      Hyogo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Low Temperature poly-Si TFT Flash memory with Si nano crystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka(他1名、4番目)
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Effect of Interfacial Localization of Phosphorus on Electrical Properties and Reliability of 4H-SiC MOS Devices

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2012)
    • 発表場所
      Saint-Petersburg (Russia)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] リンの局在化が4H-SiC MOSデバイスの電気特性に与える影響

    • 著者名/発表者名
      赤木剛, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察

    • 著者名/発表者名
      金藤夏子, 矢野裕司, 大澤愛, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      奈良先端科学技術大学院大学(奈良県生駒市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] リンを界面に局在化させた4H-SiC MOSデバイスの電気特性と信頼性

    • 著者名/発表者名
      赤木剛, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] SiO2/SiC界面へのリン導入による高品質界面の形成

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 第18回研究会
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] チャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETにおける界面準位密度分布の評価

    • 著者名/発表者名
      大澤愛, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化

    • 著者名/発表者名
      矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会(共催)
    • 発表場所
      機械振興会館(東京都港区)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Improved Stability of 4H-SiC MOS Device Properties by Combination of NO and POCl3 Annealing

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Araoka, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2012)
    • 発表場所
      Saint-Petersburg (Russia)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] Characterization of POCl3-Annealed 4H-SiC MOSFETs by Charge-Pumping Technique

    • 著者名/発表者名
      A. Osawa, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2012)
    • 発表場所
      Saint-Petersburg (Russia)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] POCl3 Annealing as a New Method for Improving 4H-SiC MOS Device Performance

    • 著者名/発表者名
      H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki
    • 学会等名
      PRiME 2012 (Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science)
    • 発表場所
      Honolulu (HI, USA)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] 界面に窒素およびリンを導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察

    • 著者名/発表者名
      金藤夏子, 矢野裕司, 大澤愛, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部第2回講演会
    • 発表場所
      奈良先端科学技術大学院大学(奈良県生駒市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • [学会発表] POCl3アニール処理をした4H-SiC MOSFETのチャージポンピング測定

    • 著者名/発表者名
      大澤愛, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆
    • 学会等名
      平成24年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760283
  • 1.  畑山 智亮 (90304162)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 55件
  • 2.  浦岡 行治 (20314536)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 54件
  • 3.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 26件
  • 4.  岩室 憲幸 (50581203)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 50件
  • 5.  池田 篤志 (90274505)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  山下 一郎
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  山本 伸一 (70399260)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  木村 睦 (60368032)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  岡本 大 (50612181)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 38件
  • 10.  原田 信介 (20392649)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

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