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石川 賢司
ISHIKAWA Kenji
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*注記
研究者番号
50022140
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく)
*注記
2001年度 – 2002年度: 四日市大学, 総合政策学部, 教授
2001年度: 四日市大学, 情報学部, 教授
1995年度 – 2000年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授
1991年度 – 1993年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授
1988年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
/
応用物性
/
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学
/
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
/
電子通信系統工学
/
応用物性
/
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
PZT / BaTiO_3 / PbTiO_3 / 強誘電体 / サイズ効果 / ferroelectrics / 薄膜 / レーザアブレーション / thin film / size effect
…
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/ 表面緩和 / surface relaxation / SrTiO_3 / 圧電アクチュエータ / 超微粒子 / ヒステリレス / セラミック / ヒステリシス / 圧電アクチュエ-タ / PIEZOELECTRIC ACTUATOR / FERROELECTRICS / ULTRA-FINE PARTICLES / HYSTERESIS / SIZE EFFECT / CERAMICS / 原子層制御 / レーザ・アブレーション / laser ablation / atomic layr control / 微粒子 / 低温成長 / 相転移 / fine-particle / finite size effect / PbTiOィイD23ィエD2 / BaTiOィイD23ィエD2 / low temperature growth / ナノ結晶 / 相転移温度 / nano-crystal / phase transition temperature
…
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研究代表者以外
GaAs / LiTaO_3 / LiNbO_3 / 負の電子親和力 / 分子線エピタキシ / 走査トンネル顕微鏡 / scanning tunneling microscope / molecular beam epitaxy / InGaAs / ナノメータサイズ分極反転 / 大容量高密度メモリ / 核形成しきい値 / 広がりしきい値 / P-Eヒステリシスカーブ / チタン酸バリウム / チタン酸鉛 / ナノ結晶粒子 / アルコオキシド法 / 単分散 / X線光電子分光法 / 格子緩和 / サイズ効果 / セリウム酸化物 / ナノ粒子 / 逐次エマルション法 / 表面緩和 / 臨界サイズ / 光カー効果 / 非線形光導波路 / 光スイッチング / 光情報処理 / 光電面 / 走査トンネルの顕微鏡 / ガリウム砒素 / 硫化処理 / 残留ガス吸着 / ヘテロエピタキシ / egative ectron ffinity / CS / photo cathode / surface / sulfur treatment / Photocathode / Negative Electron Affinity / Scanning Tunneling Microscopy / Sulfide Treastment / Residual Gas Adsorption / Molecular Beam Epitaxy / Hetero-epitaxy / 光電子デバイス / メサパターン基板 / 多重量子井戸 / 表面その場観察 / 結晶成長 / 分子線エビタキシ / optoelectronic device / negative electron affinity / mesa patterned substrate / multi quantum well / in situ observation / P-Eヒステリンシスカーブ / コヒーレントディテクション / P-Eヒステリシスカープ / nanometer domain inversion / high densitiy memory / P-E hysteresis curve / threshold of domain nucleation / threshold of domain expansion / coherent detection / 電子ビーム照射 / 電荷分布モデル / LiTaO3 / 調和組成 / 分極反転しきい値 / クーロン相互作用 / ガードリング / Electron Beam Irradiation / Charge Distribution Model / Nanometer Scale Domain Inversion / Second Harmonic Generation / P-E Hysteresis Curve / Threshold of Domain Inversion / Interaction of Coulomb Force
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研究課題
(
10
件)
共同研究者
(
14
人)
研究開始年: 新しい順
研究開始年: 古い順
ペロブスカイト型強誘電体における表面緩和とサイズ効果
研究代表者
研究代表者
石川 賢司
研究期間 (年度)
2000 – 2002
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
四日市大学
静岡大学
ナノメータ分極制御デバイスとコヒーレント検出
研究代表者
皆方 誠
研究期間 (年度)
1999 – 2001
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・機器工学
研究機関
静岡大学
強誘電性ナノ結晶の2次元と3次元配列による誘電特性
研究代表者
恒川 信
研究期間 (年度)
1998 – 1999
研究種目
萌芽的研究
研究分野
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
研究機関
東北大学
高指数面において負の電子親和力を持つ近赤外光電面の開発
研究代表者
皆方 誠
研究期間 (年度)
1997 – 1998
研究種目
国際学術研究
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
静岡大学
強誘電体薄膜・微粒子におけるサイズ効果の研究
研究代表者
研究代表者
石川 賢司
研究期間 (年度)
1997 – 1999
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
静岡大学
ナノメータ分極制御の基礎研究と新しいデバイス応用
研究代表者
皆方 誠
研究期間 (年度)
1997 – 1998
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・機器工学
研究機関
静岡大学
原子層制御して作製した強誘電体薄膜におけるサイズ効果の研究
研究代表者
研究代表者
石川 賢司
研究期間 (年度)
1995 – 1996
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
静岡大学
負の電子親和力を持つGaAs光電面電子状態の走査トンネル顕微鏡による研究
研究代表者
萩野 實
研究期間 (年度)
1992 – 1993
研究種目
一般研究(C)
研究分野
応用物性
研究機関
静岡大学
超微粒子を原料とした低ヒステリシス・線形アクチュエータ
研究代表者
研究代表者
石川 賢司
研究期間 (年度)
1991 – 1992
研究種目
一般研究(C)
研究分野
応用物性
研究機関
静岡大学
非線形導波路の特性とその光機能素子への応用
研究代表者
小楠 和彦
研究期間 (年度)
1988
研究種目
一般研究(C)
研究分野
電子通信系統工学
研究機関
静岡大学
研究課題数: 降順
研究課題数: 昇順
1.
野村 卓志
(90172816)
共同の研究課題数:
7件
共同の研究成果数:
0件
2.
皆方 誠
(80174085)
共同の研究課題数:
4件
共同の研究成果数:
0件
3.
鈴木 久男
(70154573)
共同の研究課題数:
2件
共同の研究成果数:
0件
4.
村上 健司
(30182091)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
5.
萩野 實
(90022128)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
6.
恒川 信
(00023218)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
7.
小楠 和彦
(20022246)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
8.
パリー G.
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
9.
ジョイス B.A.
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
10.
JOYCE Bruce A.
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
11.
PARRY Gareth
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
12.
パリー G
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
13.
符 徳勝
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
14.
FU Desheng
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
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