萩野實 HAGINO Minoru

研究者番号	90022128
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	1992年度 – 1993年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 1986年度 – 1987年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性研究代表者以外応用物性 / 核・宇宙線・素粒子
キーワード	研究代表者 GaAs / 光電面 / 負の電子親和力 / 走査トンネルの顕微鏡 / ガリウム砒素 / 硫化処理 / 残留ガス吸着 / 分子線エピタキシ / ヘテロエピタキシ / 走査トンネル顕微鏡 … もっと見る / egative ectron ffinity / scanning tunneling microscope / molecular beam epitaxy / CS / photo cathode / surface / sulfur treatment / Photocathode / Negative Electron Affinity / Scanning Tunneling Microscopy / Sulfide Treastment / Residual Gas Adsorption / Molecular Beam Epitaxy / Hetero-epitaxy … もっと見る研究代表者以外光電面 / レーザートロン / NEA-GaAs / 高電流密度電子源 / 光電面の劣化 / 残留ガス / 再活性化 / 加熱清浄化温度 / 寿命試験 / 加速器 / アルミ系の材料 / Photocathode / LASERTRON / Life-time test / accelelator 隠す

萩野 實 HAGINO Minoru