野村卓志 NOMURA Takashi

研究者番号	90172816
外部サイト
所属 (現在)	2022年度: 静岡文化芸術大学, 文化政策学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2000年度: 静岡文化芸術大学, 情報学部, 助教授 1995年度 – 1999年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 1991年度 – 1993年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 1986年度 – 1987年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性研究代表者以外応用物性 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 核・宇宙線・素粒子
キーワード	研究代表者 GaAs / GaP / 分子線エピタキシ / 量子ドット構造 / ナノ構造 / ヘテロ成長 / 格子不整合 / Stranski-Krastanov成長 / 格子歪 / 自己形成 / 微細構造 / フィールドエミッタ / 自発的 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る PZT / GaAs / LiTaO_3 / 光電面 / 強誘電体 / サイズ効果 / BaTiO_3 / PbTiO_3 / LiNbO_3 / レーザートロン / 負の電子親和力 / 分子線エピタキシ / 走査トンネル顕微鏡 / scanning tunneling microscope / molecular beam epitaxy / Photocathode / 薄膜 / レーザアブレーション / ferroelectrics / thin film / InGaAs / ナノメータサイズ分極反転 / 大容量高密度メモリ / 核形成しきい値 / 広がりしきい値 / P-Eヒステリシスカーブ / NEA-GaAs / 高電流密度電子源 / 光電面の劣化 / 残留ガス / 再活性化 / 加熱清浄化温度 / 圧電アクチュエータ / 超微粒子 / ヒステリレス / セラミック / ヒステリシス / 圧電アクチュエ-タ / PIEZOELECTRIC ACTUATOR / FERROELECTRICS / ULTRA-FINE PARTICLES / HYSTERESIS / SIZE EFFECT / CERAMICS / 走査トンネルの顕微鏡 / ガリウム砒素 / 硫化処理 / 残留ガス吸着 / ヘテロエピタキシ / egative ectron ffinity / CS / photo cathode / surface / sulfur treatment / Negative Electron Affinity / Scanning Tunneling Microscopy / Sulfide Treastment / Residual Gas Adsorption / Molecular Beam Epitaxy / Hetero-epitaxy / 原子層制御 / レーザ・アブレーション / size effect / laser ablation / atomic layr control / 光電子デバイス / メサパターン基板 / 多重量子井戸 / 表面その場観察 / 結晶成長 / 分子線エビタキシ / optoelectronic device / negative electron affinity / mesa patterned substrate / multi quantum well / in situ observation / 微粒子 / 表面緩和 / 低温成長 / 相転移 / fine-particle / finite size effect / surface relaxation / PbTiOィイD23ィエD2 / BaTiOィイD23ィエD2 / low temperature growth / P-Eヒステリンシスカーブ / コヒーレントディテクション / P-Eヒステリシスカープ / nanometer domain inversion / high densitiy memory / P-E hysteresis curve / threshold of domain nucleation / threshold of domain expansion / coherent detection / 電子ビーム照射 / 電荷分布モデル / LiTaO3 / 調和組成 / 分極反転しきい値 / クーロン相互作用 / ガードリング / Electron Beam Irradiation / Charge Distribution Model / Nanometer Scale Domain Inversion / Second Harmonic Generation / P-E Hysteresis Curve / Threshold of Domain Inversion / Interaction of Coulomb Force / 寿命試験 / 加速器 / アルミ系の材料 / LASERTRON / Life-time test / accelelator 隠す

研究課題
(11件)
共同研究者
(14人)

ナノメータ分極制御デバイスとコヒーレント検出
- 研究代表者
  
  皆方誠
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  静岡大学
高指数面において負の電子親和力を持つ近赤外光電面の開発
- 研究代表者
  
  皆方誠
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  静岡大学
強誘電体薄膜・微粒子におけるサイズ効果の研究
- 研究代表者
  
  石川賢司
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
ナノメータ分極制御の基礎研究と新しいデバイス応用
- 研究代表者
  
  皆方誠
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  静岡大学
自己形成される半導体微細構造を用いたフィールドエミッターアレイ研究代表者
- 研究代表者
  
  野村卓志
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  静岡大学
ヘテロ成長時のアイランドを利用した量子ドット構造形成過程の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  野村卓志
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  静岡大学
原子層制御して作製した強誘電体薄膜におけるサイズ効果の研究
- 研究代表者
  
  石川賢司
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
負の電子親和力を持つGaAs光電面電子状態の走査トンネル顕微鏡による研究
- 研究代表者
  
  萩野實
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  静岡大学
超微粒子を原料とした低ヒステリシス・線形アクチュエータ
- 研究代表者
  
  石川賢司
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  静岡大学
高電流密度電子線源に用いる負の電子親和力GaAs光電子放出材料に関する研究
- 研究代表者
  
  宮尾正大
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  静岡大学
超高エネルギー電子ライナックに用いるレーザー光を用いた高出力マイクロ波発生管開発
- 研究代表者
  
  宮尾正大
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  核・宇宙線・素粒子
- 研究機関
  静岡大学

1. 石川賢司 (50022140)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
2. 皆方誠 (80174085)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 萩野實 (90022128)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 宮尾正大 (80022135)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 村上健司 (30182091)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 鈴木久男 (70154573)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 設楽哲夫 (50132684)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. パリー G.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. ジョイス B.A.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. JOYCE Bruce A.

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. PARRY Gareth

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. パリー G

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 符徳勝

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. FU Desheng

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

野村 卓志 NOMURA Takashi

研究課題

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

自己形成される半導体微細構造を用いたフィールドエミッターアレイ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘテロ成長時のアイランドを利用した量子ドット構造形成過程の制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

野村卓志 NOMURA Takashi