坂上弘之 Sakaue Hiroyuki

研究者番号	50221263
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所属 (現在)	2025年度: 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 助教
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2001年度 – 2004年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助手 2000年度: 広島大学, 工学部, 助手 1990年度 – 1998年度: 広島大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者表面界面物性 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / マイクロ・ナノデバイス / 電子材料工学 / 理工系 / 表面界面物性
キーワード	研究代表者 selective reaction / DMAIH / Al nano-structure / dissolved oxygen concentration / flattening treatment / terrace structure / step / H-terminated Si surface / テラス周期構造 / 昇温脱離法 … もっと見る / 平坦化表面 / アルミニウム選択堆積 / 選択反応 / DMAlH / Al微細構造 / 溶存酸素濃度 / 平坦化処理 / テラス構造 / ステップ / 水素終端シリコン表面 / 赤外反射吸収分光 / X線光電子分光 / エッチング表面反応過程 … もっと見る研究代表者以外エレクトロマイグレーション / SEM / ULSI / XPS / 量子ドット / SET / エレクトロマイブレーション / 抵抗振動 / 結晶粒界 / ボイド / Al配線 / 信頼性 / 自己組織化 / 表面反応 / フッ素ラジカル / 自己停止反応 / デジタルエッチング / 低エネルギエッチング / Raman / carbonization / stabilization / polyacrylonoitrile / anodic oxidation / polymer nanostructure / aluminum nanohole / 炭化構造 / ラマン / 炭化 / 耐炎化 / ポリアクリロニトリル / 陽極酸化 / 高分子ナノ構造体 / アルミナナノホール / spintronics / Coulomb blockade / tunnel junction / quantum dot / nano ferromagnetic materials / porous alumina / 単一電子効果 / トンネリング / 強磁性体 / エピタキシャル成長 / 強磁性 / ナノホール / スピントロニクス / クーロン・ブロッケイド / トンネル接合 / ナノ磁性体 / ポーラスアルミナ / Thiol / Optical device / Conformation / Optical and electrical properties / σ hyper-conjugation / Self-assembled film / Oligosilane / 量子科学計算 / 電子物性 / 金表面 / EL素子 / チオール末端 / HOMO-LUMOギャップ / PLスペクトル / 可視光スペクトル / UV / チオール / 光デバイス / コンフォメーション / 光・電気特性 / σ超共役 / 自己組織化膜 / オリゴシラン / multi-layered film / tunneling barrier / ultra thin film / insulator / semiconductor / Single Electron / トンネル酸化膜 / トレネル酸化膜 / 多層薄膜 / トンネルバリア / 超薄膜 / 絶縁体 / 半導体 / 単一電子トランジスタ / plasma / electron temperature / self-sputtering / sputtering / electromigration / Copper / バリアメタル / プラズマ / 電子温度 / 自己スパッタ / スパッタ / 銅 / Dislocation / Al Interconnect / Nonlinear / Hillock / Void / Resistance Oscillation / Electromigration / ボイド生成消滅モデル / 局所性・非局所性評価 / 抵抗振動現象 / 振動 / アルミニウム配線 / 転位 / 非線型 / ヒロック / Bias sputtering / Time-modulated plasma / Low dielectric constant film / Conformable CVD / Multi-layr Atacked Interlayr / High quality thin film / Digital CVD / 低誘電率薄膜 / トリエチルシラン / 高速成膜 / 高アスペクト比構造 / 誘導結合プラズマ / デジタル法 / バイアススパッタ / 時間変調プラズマ / 低誘電率膜 / コンフォーマルCVD / 積層層間絶縁膜 / 高機能性薄膜 / デジタルCVD / Ion implantation / Self-limitting reaction / Crystal defect / SOI wire / Double gate MOS wire / Atomic layr digital etching / Pseudo-one dimensional quantum effect / Fine Si dot PN junction / 低次元伝導特性 / 極微細Siドット / 擬一次元PN接合 / 磁気抵抗 / 擬一次元系PN接合 / Si細線 / SOI細線 / 二重ゲートMOS細線 / 結晶欠陥 / イオン注入 / 原子層デジタルエッチング / 擬一次元量子効果 / 極微細SiドットPN接合素子 / alloy precipitation / grain boundary / in-situ SEM observation / ECR sputtering / sustained self-sputtering / molecular dynamics simulation / void / elctromigration / スパッタリング / アルミニウム / 表面拡散 / CuAl合金 / 金属薄膜 / マイクロ波プラズマ / エレクトロマイグレ-ション / STM / コンタクト埋め込み / 結晶粒界拡散 / ボイド移動 / 分子動力学計算 / マグネトロンスパッタ / ECRスパッタ / 析出合金 / 分子動力学シミュレーション / 自己維持スパッタ / 高磁場ECRスパッタ / 電子顕微鏡その場観察 / SAM / 電子ビームリソグラフィー / 金電極 / 伝導特性 / 金 / ナノ粒子 / アルカンチオール / DNA / 赤外線CCDカメラ / 走査サーマルプローブ顕微鏡 / 多層配線 / サーモマイグレーション / ジュール発熱 / Cu配線 / 直流パルス電流 / パルス電流 / LSI / 銅配線 / 水素終端 / シリコン / メゾスコピックサイズ / 平坦化 / テラス / 水素終端Si表面 / 微傾斜研磨表面 / 水素終端シリコン表面 / UHV-STM / テラス構造 / ステップ / 平坦化処理 / 出現電圧質量分析法 / 高選択比 / フロロカーボンラジカル / キャピラリ法 / 赤外反射吸収分光 / フォトルミネッセンス測定 / Si微細ドット / ディジタル・エッチング / inーsitu XPS / Si表面反応 / F,Cl / 側壁損傷評価 / 低温エッチング機構 / 原子層 / デジタル・エッチング隠す

自己組織化ナノホールによる量子ドット多重トンネル接合形成とスピントロニクス応用
- 研究代表者
  
  新宮原正三
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  関西大学
   広島大学
自己組織化ナノホールをテンプレートとした炭素ロッド配列構造の形成とエミッタ応用
- 研究代表者
  
  高萩隆行
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
量子ドット-DNA三次元結合体の自己組織形成による新機能素子の探索
- 研究代表者
  
  新宮原正三
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
極微細ハイブリッド多層配線の高信頼化に関する研究
- 研究代表者
  
  新宮原正三
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  広島大学
シリコン原子細線自己組織化膜の形成と発光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  高萩隆行
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
半導体/絶縁体多層超薄膜埋込推積による多重接合単一電子トランジスタの作成と評価
- 研究代表者
  
  新宮原正三 (新官原正三)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
水素終端Si表面のメゾスコピック周期構造の自己組織化と反応特異性の研究
- 研究代表者
  
  高萩隆行
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  広島大学
銅薄膜自己維持スパッタによる高エレクトロマイグレーション耐性多層配線の研究
- 研究代表者
  
  新宮原正三
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
シリコン表面の精密制御によるアルミニウム極微細線の自己組織的形成研究代表者
- 研究代表者
  
  坂上弘之
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  広島大学
水素及びハロゲンラジカルとシリコン表面の単原子反応の制御
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東洋大学
極表面その場分析による金属及び半導体エッチング表面の反応過程観察研究代表者
- 研究代表者
  
  坂上弘之
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
直流電流下エレクトロマイグレーションに誘起された抵抗振動現象の解明と制御
- 研究代表者
  
  新宮原正三 (新官原正三)
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  広島大学
水素及びハロゲンラジカルとシリコン表面の単原子層反応の制御
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
極微細SiドットPN接合素子の作製と擬一次元量子効果の解明
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東洋大学
   広島大学
高速・高均一デジタルCVDを用いたULSI用高機能性薄膜の作成
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東洋大学
   広島大学
電子波デバイス用基板のディジタル・エッチングによる無損傷加工に関する研究
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学
極微細金属配線における高密度電子流に誘起される方向性原子移動現象の解明及び制御
- 研究代表者
  
  新宮原正三
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1993
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  広島大学
電子波デバイス用基板のディジタル・エッチングによる無損傷加工に関する研究
- 研究代表者
  
  堀池靖浩
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  広島大学

すべて 2005

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Contact Resistance Reduction Using Vacuum Loadlock System and Plasma Dry Cleaning2005
- 著者名/発表者名
  H.Miya, S.Shingubara, H.Sakaue, T.Takahagi
- 雑誌名
  
  Japanese J.of Appl.Phys. 44-6A
  
  ページ: 3860-3863
- NAID
  10016441158
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15201034
[雑誌論文] Fabrication of Carbon Nanotube and Nanorod Arrays Using Nanoporous Template2005
- 著者名/発表者名
  S.Huang, T.Shimizu, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 44-7A
  
  ページ: 5289-5291
- NAID
  10016610107
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15201034
[雑誌論文] Fabrication of Carbon Nanotube and Nanorod Arrays Using Nanoporous Template2005
- 著者名/発表者名
  S.Huang, T.Shimizu, H.Sakaue, S.Shingubara, T.Takahagi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44-7A
  
  ページ: 5289-5291
- NAID
  10016610107
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15201034

1. 新宮原正三 (10231367)

共同の研究課題数: 15件

共同の研究成果数: 3件
2. 高萩隆行 (40271069)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 3件
3. 堀池靖浩 (20209274)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
4. 岩渕修一 (40294277)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 進藤春雄 (20034407)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 吉川公麿 (60304458)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 若家富士男 (60240454)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 金子尚史

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 川村剛平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 戸所義博

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

坂上 弘之 Sakaue Hiroyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン表面の精密制御によるアルミニウム極微細線の自己組織的形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

極表面その場分析による金属及び半導体エッチング表面の反応過程観察研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

坂上弘之 Sakaue Hiroyuki