中村淳 Nakamura Jun

研究者番号	50277836
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2012年度: 電気通信大学, 情報理工学(系)研究科, 教授 2011年度 – 2012年度: 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 2010年度: 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 准教授 2007年度 – 2009年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 准教授 … もっと見る 2008年度: 電気通信学部, 電気通信大学, 准教授 2007年度: 電気通信大学, 准教授 2001年度 – 2003年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 理工系研究代表者以外理工系 / 中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野 / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 物性Ⅰ
キーワード	研究代表者第一原理計算 / CO2還元触媒 / CO還元触媒 / グラフェン / GaAs表面 / Mn原子ワイヤ / 走査トンネル顕微鏡 / Ｍｎ原子ワイヤ / 強磁性 / 電子回折法 … もっと見る / 初期吸着構造 / III-V族化合物半導体表面 / ポリタイプ / 局所誘電率 / バンド不連続 / ヘテロ界面 / 超格子 / 表面界面物性 / 電子デバイス / ナノ材料 … もっと見る研究代表者以外 Si / SiO_2 / 局所誘電特性 / AZUL / 水電解 / 酸素還元反応 / アザフタロシアニン / 金属錯体 / 電気化学触媒 / silicon dioxide / hole penetration depth / tunneling barrier / valence band offset / Si酸化膜 / ホール浸入長 / トンネル障壁 / 価電子帯バンドオフセット / GeO2 / high-k膜 / 計算物理学 / 欠陥 / 表面・界面 / 界面欠陥 / .表面・界面物性 / 半導体超微細化 / 計算物性 / スティックスリップ運動 / 高次スリップ運動 / Tomlinsonモデル / ナノコンタクト / 摩擦力顕微鏡 / 摩擦 / 超潤滑 / ナノトライボロジー / 集積エレクトロニクス / ナノメータ・スケール / トランスポート / 第一原理計算 / ナノテクノロジー / シリコン集積回路 / 理論的アセスメント / 微細化限界 / ナノメータ・スケール素子隠す

一酸化炭素還元能を発現させる非平面π共役系原子配列の設計と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  中村淳
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  電気通信大学
二次元錯体配列によるシナジェティック触媒の新展開
- 研究代表者
  
  藪浩
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製研究代表者
- 研究代表者
  
  中村淳
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  電気通信大学
Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  中村淳
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  電気通信大学
ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  電気通信大学
ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  電気通信大学
La酸化物超薄膜/Si界面の原子レベル誘電特性の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  中村淳
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  電気通信大学
ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  電気通信大学
ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築
- 研究代表者
  
  名取研二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁
- 研究代表者
  
  名取晃子
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  電気通信大学

すべて 2024 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Benchmarking pH-field coupled microkinetic modeling against oxygen reduction in large-scale Fe-azaphthalocyanine catalysts2024
- 著者名/発表者名
  Zhang Di、Hirai Yutaro、Nakamura Koki、Ito Koju、Matsuo Yasutaka、Ishibashi Kosuke、Hashimoto Yusuke、Yabu Hiroshi、Li Hao
- 雑誌名
  
  Chemical Science
  
  巻: 15 号: 14 ページ: 5123-5132
- DOI
  10.1039/d4sc00473f
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13703, KAKENHI-PROJECT-22K19077, KAKENHI-PROJECT-23H00301
[雑誌論文] Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions2013
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, and Jun Nakamura
- 雑誌名
  
  Physical Review
  
  巻: B 87 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.87.165301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[雑誌論文] Magnetic properties of a single molecular layer of MnAs on GaAs(110)2013
- 著者名/発表者名
  Motoi Hirayama, Akiko Natori, and JunNakamura
- 雑誌名
  
  Physical Review
  
  巻: B 87 号: 7
- DOI
  10.1103/physrevb.87.075428
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[雑誌論文] First-principles calculations of the dielectric constant for the GeO2 films2011
- 著者名/発表者名
  M.Tamura, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Key Eng.Mat.
  
  巻: 470 ページ: 60-65
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.470.60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22013006
[雑誌論文] n-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film2009
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 27
  
  ページ: 2020-2020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons2009
- 著者名/発表者名
  E.Watanabe, S.Yamaguchi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 80
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Band bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants2009
- 著者名/発表者名
  M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] In-plane strain effect on dielectric properties of the HfO2 thin films2009
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Vac Sci.Technol.B 27
  
  ページ: 2020-2023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field2009
- 著者名/発表者名
  J. Inoue, T. Chiba, A. Natori, J. Nakamura
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 79
  
  ページ: 305206-305206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)2009
- 著者名/発表者名
  M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.B 27
  
  ページ: 2062-2065
- NAID
  10025620814
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Size effects in friction of multiatomic sliding contacts2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001) interface2008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 26
  
  ページ: 1579-1579
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001)interface2008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 26
  
  ページ: 1579-1584
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[雑誌論文] Size effects in friction of multiatomic sliding contacts2008
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Nano-Scale Profile of the Dielectric Constant Near the Si/oxide Interface: A First-Principles Approach2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
  
  ページ: 273-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 46
  
  ページ: 3261-3264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[雑誌論文] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 3261-3261
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si (111)2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  Proc. of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, J. Menendez and C. G. van de Walle (Eds.)(AIP Proceedings) 893
  
  ページ: 5-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Nano-Scale Profile of the Dielectric Constant Near the Si/oxide Interface: A First-Principles Approach2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
- 雑誌名
  
  ECS-Trans. 11
  
  ページ: 173-182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and dynamic superlubricity at torsional resonance2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface:A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, A.Natori
- 雑誌名
  
  ECS Trans. 11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[雑誌論文] Mechanism of velocity saturation of atomic friction and the dynamic superlubricity at torsional resonance2007
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, J. Nakamura, A. N Atori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5591-5594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[雑誌論文] Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, A. Natori
- 雑誌名
  
  Proc. 28th Int. Conf. Semi. Phys. 893
  
  ページ: 5-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[雑誌論文] Mechanism of velocity saturation of atomic friction2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 5591-5594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析2013
- 著者名/発表者名
  加来滋、中村淳、吉野淳二
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces2012
- 著者名/発表者名
  Atsushi Hagiwara, Akihiro Ohtake, and Jun Nakamura
- 学会等名
  American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59)
- 発表場所
  Tampa, USA
- 年月日
  2012-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)2012
- 著者名/発表者名
  Kazuya Okukita and Jun Nakamura
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara
- 年月日
  2012-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)2011
- 著者名/発表者名
  A.Ohtake, M.Hirayama, Y.Kanno, J.Nakamura
- 学会等名
  38th International Symposiutm on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態2011
- 著者名/発表者名
  菅野雄介、大竹晃浩、中村淳
- 学会等名
  日本物理学会第67回年次大会
- 発表場所
  西宮
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films2011
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura
- 学会等名
  15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
- 発表場所
  Kyoto, Japan(招待講演)
- 年月日
  2011-11-10
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22013006
[学会発表] GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価2011
- 著者名/発表者名
  菅野雄介、大竹晃浩、平山基、中村淳
- 学会等名
  日本物理学会2011年秋季大会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2011-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Local Profile of the Dielectric Constant Near the Oxygen Vacancy in the GeO2 Films2011
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura, M.Tamura
- 学会等名
  American Vacuum Society 58th International Symposium & Exhibition (AVS-58)
- 発表場所
  Nashville, USA
- 年月日
  2011-11-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22013006
[学会発表] Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)2011
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ohtake, Motoi Hirayama, Yusuke Kanno, and Jun Nakamura
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-38)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films2010
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-22013006
[学会発表] Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列2010
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩、萩原敦、中村淳
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360020
[学会発表] Ge酸化物超薄膜の誘電特性2009
- 著者名/発表者名
  田村雅大、涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第29回表面科学学術講演会
- 発表場所
  タワーホール船堀
- 年月日
  2009-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film2009
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces(PCSI-36)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, 米国
- 年月日
  2009-01-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces2009
- 著者名/発表者名
  中村淳
- 学会等名
  2^<nd> Int.Workshop on epitaxial growth and fundamental properties of semiconductor nanostructures
- 発表場所
  阿南
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric constant profiles of the thin-films : Alpha- and Beta-quartz phase of(Si or Ge)dioxide2009
- 著者名/発表者名
  中村淳, 涌井貞一, 田村雅大, 名取晃子
- 学会等名
  12^<th> Conf.on the Formation of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Weimer、ドイツ
- 年月日
  2009-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach2009
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  SemiconNano 2009(招待講演)
- 年月日
  2009-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] HfO2超薄膜の誘電特性:結晶構造依存性2009
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] 歪みHfO2薄膜の誘電特性2009
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric constant profiles of the thin-films : alpha- and beta-quartz phases of(Si or Ge)dioxides2009
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura
- 学会等名
  12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-12)
- 発表場所
  Weimar, Germany
- 年月日
  2009-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] 第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット2009
- 著者名/発表者名
  谷内亮介、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces : A first-principles approach(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures(SemiconNano 2009)
- 発表場所
  Anan, Tokushima, Japan
- 年月日
  2009-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] Dielectric properties of the Interface between Si and SiO22008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Santa Fe, NM, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Poly type dependence of permittivity of SiC films2008
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura
- 学会等名
  14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)
- 発表場所
  Dublin, Ir eland
- 年月日
  2008-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO22008
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  14th International Conference on Solid Films and Surface(ICSFS-14)
- 発表場所
  ダブリン,アイルランド
- 年月日
  2008-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋(千葉)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] Polytype dependence on permittivity of SiC2008
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, Y. Iwasaki, S. Wakui, A. Natori
- 学会等名
  ICSFS-14
- 発表場所
  ダブリン,アイルランド
- 年月日
  2008-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] HfO2超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第28回表面科学学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] ナノスケールの摩擦機構:ティップサイズ効果2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会第63回年次大会
- 発表場所
  近畿大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Atomic-scale friction of nanometer-sized cantacts2008
- 著者名/発表者名
  M. Igarashi, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
- 発表場所
  Dublin
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果2008
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会2008年春季大会
- 発表場所
  近畿大学
- 年月日
  2008-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] First- principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC2008
- 著者名/発表者名
  K. Sato, Y. Iwasaki, S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  ISSS-5
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric discontinuity at surfaces and interfaces : a first-principles approach2008
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura
- 学会等名
  International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2008)
- 発表場所
  Colorado, USA
- 年月日
  2008-07-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日大船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Atomic scale friction of nanometer-sized contacts2008
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
- 発表場所
  Dublin
- 年月日
  2008-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] SiC結晶多形の誘電率 ; 第一原理計算による積層構造依存性評価2008
- 著者名/発表者名
  佐藤耕平, 岩崎雄一, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric properties of the ultra-thin La2O3(0001) film2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ryosuke, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5)
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会第63回年次大会
- 発表場所
  東大阪(大阪)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] La2O3(0001)超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  谷内良亮, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第28回表面科学学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2008-11-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算2008
- 著者名/発表者名
  涌井貞一、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  物理学会第63回年次大会
- 発表場所
  近畿大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] La2O3(0001)超薄膜の誘電特性2008
- 著者名/発表者名
  谷内良亮, 中村淳, 名取晃子
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20035005
[学会発表] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22008
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  35th Conf. on the Physics and Semiconductor Interface
- 発表場所
  Santa Fe
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Dielectric properties of the Interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S. Wakui, J. Nakamura, A. Natori
- 学会等名
  5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-5)
- 発表場所
  八王子(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface:A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J.Nakamura, S.Wakui, S.Eguchi, R.Yanai, A.Natori
- 学会等名
  212th ECS
- 発表場所
  Washington DC
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
- 学会等名
  212th Electrochemical society (ECS-212)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale friction2007
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  IVC-17/ICSS-13 and ICN+T
- 発表場所
  Stockholm
- 年月日
  2007-07-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Dielectric properties of the interface between Si and SiO22007
- 著者名/発表者名
  S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  5th Int.Sympo.on Control ofSemiconductor Inter faces
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19026004
[学会発表] Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach2007
- 著者名/発表者名
  J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori
- 学会等名
  212th Electrochemical society (ECS-212)
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560020
[学会発表] 原子スケール摩擦力の速度飽和機構2006
- 著者名/発表者名
  五十嵐正典、中村淳、名取晃子
- 学会等名
  日本物理学会2006年秋季大会
- 発表場所
  千葉大学
- 年月日
  2006-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313
[学会発表] Mechanism of velocity saturation of atomic friction and the dynamical superlubricity at torsional resonance2006
- 著者名/発表者名
  M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori
- 学会等名
  14^<th> Int. Colloqui. on Scanning Probe Microscopy
- 発表場所
  Atagawa
- 年月日
  2006-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540313

1. 名取晃子 (50143368)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 38件
2. 大竹晃浩 (30267398)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
3. 名取研二 (20241789)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 佐野伸行 (90282334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 山部紀久夫 (10272171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 藪浩 (40396255)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 熊谷明哉 (50568433)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. LI HAO

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

中村 淳 Nakamura Jun

研究課題

研究成果

共同研究者

一酸化炭素還元能を発現させる非平面π共役系原子配列の設計と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

二次元錯体配列によるシナジェティック触媒の新展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

La酸化物超薄膜/Si界面の原子レベル誘電特性の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Benchmarking pH-field coupled microkinetic modeling against oxygen reduction in large-scale Fe-azaphthalocyanine catalysts2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Magnetic properties of a single molecular layer of MnAs on GaAs(110)2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] First-principles calculations of the dielectric constant for the GeO2 films2011

中村淳 Nakamura Jun