• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

古川 静二郎  FURUKAWA Seijiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60016318
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1993年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1992年度: 東京工業大学, 総理工, 教授
1991年度 – 1992年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
1991年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
1990年度: 東京工業大学, 大学院総理工, 教授 … もっと見る
1987年度 – 1989年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授
1986年度: 東京工大, 国立大学(その他), 教授
1986年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
1985年度: 東京工業大学, 国立大(その他), 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性 / 表面界面物性
キーワード
研究代表者
弗化物 / GaAs / Ge / ヘテロエピタキシー / MIS device / Fluoride / Heteroepitaxy / 弗化物薄膜エピタキシャル成長 / 砒化ガリウム / CMISトランジスタ … もっと見る / EBEIピタキシー / ゲルマニウム / ひ化ガリウム / ヘテロ構造 / MISデバイス / SOI / シリコン / 二段階成長 / 双晶 / ローテーショナル・ツイン / 界面 / 2段階成長 / (111)面 / ヘテロエピタキシ- / 回転双晶 / ロ-テ-ショナル・ツイン / HBT / 無ひずみ / ひずみ成長 / ヘテロ接合 / シリコン系ヘテロ接合 / 高濃度ド-ピング / 歪成長 / 格子整合 / 熱反応CVD / SiGe / 固相エピタキシャル成長 / イオン注入 … もっと見る
研究代表者以外
GaAs / MOSFET / シリコン / エピタキシャル成長 / ZnSe / CaF_2 / 表面改質 / 弗化物 / RAPID THERMAL ANNEALING / SILICON / GERMANIUM / SOLID PHASE EPITAXY / HETEROSTRUCTURE / OHMIC CONTACT / プラズマ化学気相堆積法 / 炭化シリコン / ヘテロ接合 / オーミックコンタクト / 高温短時間熱処理 / ゲルマニウム / 固相エピタキシャル成長 / ヘテロ構造 / オ-ミックコンタクト / ひ化ガリウム / amorphous Si / silicon-on-insulator / selective doping / lateral solid phase epitaxy / イオン注入 / 選択ドープ構造 / 横方向固相成長 / 選択ドープ法 / 選択ドーピング / 三次元集積回路 / 非晶質シリコン / SOI / 横方向成長 / 固相成長 / interface control / heteroepitaxy / ionicity / 半導体 / ヘテロ界面 / SrF_2 / IV-V族化合物 / II-VI族化合物 / 分子線エピタキシ- / フッ化物 / イオン性度制御層 / 界面制御 / ヘテロエピタキシ- / イオン性度 / 電子線 / ブル-スタ-角 / P偏光 / ヘテロエピタキシー / P(リン) / 電子ビーム / その場観察 / 表面光吸収法 / 量子細線 / 電子ビ-ム / 選択成長 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  イオン性度制御層によるイオン性結晶と共有結合性結晶の界面制御エピタキシ-の研究

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子線直接描画選択成長法による量子細線形成法の研究

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎, 筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  無ひずみシリコン系ヘテロ接合の新しい作製手法とその超高速素子への応用研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ひ化ガリウムへの耐熱性ヘテロ接合オ-ミックコンタクトの研究

    • 研究代表者
      石原 宏
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Siの選択ドープ横方向固相成長に関する研究

    • 研究代表者
      石原 宏
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  格子準整合形ヘテロ構造の電子的挙動と低電力・超高速素子への応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1987
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  • 1.  佐々木 公洋 (40162359)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  筒井 一生 (60188589)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  石原 宏 (60016657)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  川崎 宏治 (10234056)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  浅野 種正 (50126306)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  松村 英樹 (90111682)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  小間 篤 (00010950)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi