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水谷 惟恭  MIZUTANI Nobuyasu

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

水谷 惟泰  ミズタニ ノブヤス

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研究者番号 60016558
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1999年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2002年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科・(材料工学専攻), 教授
2001年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科(材料工学専攻), 教授
1995年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
1997年度: 九州大学, 工学部, 教授
1989年度 – 1992年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
無機材料・物性 / 無機工業化学 / 無機工業化学・無機材料工学 / 無機工業化学・無機材料工学
研究代表者以外
無機材料・物性 / 無機材料・物性 / 複合材料・物性
キーワード
研究代表者
薄膜 / MOCVD / TEM / MOD / スパッタリング / PTC / varistor / thin film / microstructure / バリスタ … もっと見る / 微構造 / SrTiO_3 / ペロブスカイト / PLD / Perovskite / Semiconductor / Lattice parameter / Thin film / Doping / 半導体化 / 半導体 / 格子定数 / ドーピング / growth mechanisim / 半導性 / チタン酸バリウム / Nb,Biドープ / バリスタ特性 / BaTiO_3 / 成長メカニズム / zirconium oxide / zinc oxide / grain boundary / liquid phase / electroceramics / 酸化ジルコニウム / 酸化亜鉛 / 粒界形成ダイナミクス / 液相 / エレクトロセラミックス / thermal change / internal structure / HPC concentration / hydrolysis reaction / mixed solvent / alcohoxide emulsion / particle size control / spherical particles / セラミックス / 単分散粒子 / エマルジョン / 熱的変化 / 内部構造 / HPC濃度 / 加水分解反応 / 混合溶媒 / アルコキシドエマルジョン / 粒径制御 / 球状粒子 / BaSnO_3 / Seebeck coefficient / Hall coefficient / Carrier concentration / Thermoelectric generation / 過剰酵素 / キャリヤ易動度 / 酸素不定比性 / ゼ-ベック係数 / ランタン・銅複酸化物 / ホ-ル係数 / キャリア易動度 / バリウム・スズ複酸化物 / ゼーベック係数 / ホール係数 / 熱電発電 / Heat treatment of reducimg atmosphere / Densification / Liquid phase sintering / High thermal conductivity / Relaxor ferroelectrics / Lead complexーperovskite / Aluminum nitride / Migration of grain boundary phase / 粒界相移動 / 粒界 / 鉛ペロブスカイト / カ-ボン雰囲気還元処理 / 緻密化 / 液相焼結 / 高熱伝導化 / 緩和型誘電体 / 鉛複合ペロブスカイト / 窒化アルミニウム / 粒界層排出 / CeO_2 / ペロブスカイト構造 / 蛍石型構造 / エピタキシャル成長 / リラクサー / パイロクロア / バッファー層 … もっと見る
研究代表者以外
MOCVD / FTIR / 強磁性体 / 強誘電体 / Epitaxial films / High density memory / Layer perovskite ferroelectric thin films / Nanostructure / プローブ / ドメイン / 層状強誘電体 / エピタキシャル成長 / ナノトラック / 超高密度メモリ / 層状強誘電体薄膜 / ナノ構造 / trap / residual carbon / microstructure / Metal-organic raw material / vapor phase reaction / vapor phase deposition / トラップ / 残留炭素 / 微構造 / 有機金属原料 / 気相反応 / 気相分解 / Bi_4Ti_3O_<12>- based / environmental friendly / ferroelectric / Bi_4Ti_O_<12> / Bi_4Ti_3O_<12>基 / 環境適応 / Pb (Zr, Ti) O_3 / Ferroerectlicity / Strain-induced / Pb(Zr,Ti)O_3 / 応力誘起強誘電性 / evaluation and assessment of education / engineers / educational outcomes / accreditation system / accreditation / engineering science education / engineering education / エンジニア / 評価 / 質的保証 / 教育プログラム / 教育成果 / カリキュラム / 技術者 / アクレディテーション / 認定制度 / 教育評価 / 技術者教育 / 工学教育 / Composite Ceramics / Spray Pyrolysis / Ceramic Particle / Coating / サスペンション / 噴霧熱分解 / セラミック微粒子 / コーティング / 残留磁化 / 移動度 / 電界効果トランジスタ / 相互作用 / 直交 / シリコン / エピタキシャル / 積層薄膜 / 分極 / 磁歪 / マルチフェロイック / 薄膜 隠す
  • 研究課題

    (15件)
  • 研究成果

    (38件)
  • 共同研究者

    (12人)
  •  新規な強磁性体制御高移動度MOSトランジスタの開発

    • 研究代表者
      篠崎 和夫
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  強誘電性/強磁性直交積層セラミックス薄膜による新機能創製に関する研究

    • 研究代表者
      脇谷 尚樹
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  MOCVD原料分子の気相中での化学相互作用と強誘電体薄膜の自己組織化

    • 研究代表者
      篠崎 和夫
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ナノ構造をもつ層状強誘電体薄膜を用いた超高蜜度メモリの作製

    • 研究代表者
      舟窪 浩
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  セラミック薄膜における相化学的特異現象の解明とその誘起物性への応用研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  環境にやさしいBi_4Ti_3O_<12>系強誘電体膜の開発-鉛系材料からの転換を目指して-

    • 研究代表者
      舟窪 浩
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  類似多形をもつ複酸化物セラミックスの特定結晶形薄膜の生成研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  MOCVD法による応力誘起強誘電体薄膜合成法の開発

    • 研究代表者
      舟窪 浩
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  バリスタやPTCR特性セラミックス薄膜の成膜技術の確立と特性発現メカニズムの解明研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭 (水谷 惟泰)
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  工学教育プログラムの質の向上を目指す評価・認定システムの開発に関する研究

    • 研究代表者
      大橋 秀雄
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究機関
      工学院大学
  •  エレクトロセラミックスの化学的誘起粒界形成のダイナミクスのその場観察と形成機構研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  多層コーティング・コンポジットセラミック微粒子の製造技術の開発

    • 研究代表者
      篠崎 和夫
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      複合材料・物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  新エマルジョン法による多成分セラミックス単分散粒子合成の実用化研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      無機工業化学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  高効率熱電発電用酸化物セラミックス材料の開発研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      無機工業化学・無機材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  粒界層排出機構によるセラミックスの高機能化研究代表者

    • 研究代表者
      水谷 惟恭
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      無機工業化学・無機材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2006 2005 2004 2003 2002

すべて 雑誌論文 図書

  • [図書] セラミックデータブック2004:電磁石オーロラPLD装置の試作によるセラミックス薄膜の低温合成2004

    • 著者名/発表者名
      脇谷尚樹, 長宗豊和, 篠崎和夫, 水谷惟恭
    • 総ページ数
      5
    • 出版者
      工業製品技術協会(株式会社テクノプラザ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Modification of the Drain Current on a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferrite Gate Oxide2006

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, H.Wada, K.Shimizu, M.Machi, N.Mizutani, K.Shinozaki
    • 雑誌名

      J.Magn.Soc.Jpn. 30

      ページ: 61-64

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Investigation of domain structure and electrical properties of monoclinic epitaxial zirconia buffer layer2006

    • 著者名/発表者名
      Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineerig Materials 301

      ページ: 261-264

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] High-temperature in-situ cross-sectional TEM investigation of crystallization process of YSZ/Si thin films2005

    • 著者名/発表者名
      Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani
    • 雑誌名

      J.Material Research 20

      ページ: 1878-1887

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Stress Control and Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film on Si Substrate with Buffer Layers2005

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Fujito, Naoki Wakiya, Nobuyasu Mizutani, Kazuo Shinozaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 6900-6904

    • NAID

      130004534722

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Stress Control and Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film on Si Substrate with Buffer Layers2005

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Fujito, Naoki Wakiya, Nobuyasu Mizutani, Kazuo Shinozaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 44 [9B]

      ページ: 6900-6904

    • NAID

      130004534722

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Stress Control and Ferroelectric Properties of Lead Ziroconate Titanate (PZT) Thin Film on Si Substrate with Buffer Layers2005

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Fujito, Naoki Wakiya, Nobuyasu Mizutani, Kazuo Shinozaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44[9B]

      ページ: 6900-6904

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Modification of drain current on metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by magnetic field induced by remanent magnetization2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, K.Shimizu, S.Mizukami, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 85

      ページ: 3772-3774

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Effect of Remanent Magnetization of Ferromagnetic Thin Film on I-V Characteristics of MOS Transistor : I-V Characteristics By Epitaxial (Mn,Zn)Fe2O4 Thin Film on Gate Area2004

    • 著者名/発表者名
      K.Shimizu, S.Mizukami, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 165-168

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] In-situ TEM Investigation of Structural Changes in Zirconia/Silicon Heterostructures2004

    • 著者名/発表者名
      Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani
    • 雑誌名

      International Journal of Nanoscience 3[6]

      ページ: 699-705

    • NAID

      130004610113

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Effect of Remanent Magnetization of Ferromagnetic Thin Film on I-V Characteristics of MOS Transistor : I-V Characteristics By Epitaxial (Mn, Zn)Fe_2O_4 Thin Film on Gate Area2004

    • 著者名/発表者名
      K.Shimizu, S.Mizukami, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 165-168

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Effect of Substrate Size on Crystalline Orientation and Electrical Properties of (Bi, La)_4Ti_3O_<12> Thin Films2004

    • 著者名/発表者名
      T.Chiu, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      J.Ceram.Soc.Japan 112

      ページ: 266-270

    • NAID

      110002288204

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Improvement of magnetic properties of (III)-epitaxial nickel-zinc-ferrite thin films deposited on Si platform2004

    • 著者名/発表者名
      Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani
    • 雑誌名

      Key engineering Materials 269

      ページ: 245-248

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Proposal of general rule to prepare epitaxial cetramic thin film at low temperature from the point of crystal chemistry2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, H.Ishigaki, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Ceramic International 30

      ページ: 1247-1251

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Modification of drain current on metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by magnetic field induced by remanent magnetization2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, K.Shimizu, S.Mizukami, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 85

      ページ: 3772-3774

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Orientation Control and Domain Structure of Epitaxial (Ni,Zn)Fe_2O_4 Thin Film for Ferromagnetic Memory Applications2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 169-172

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Orientation Control and Domain Structure of Epitaxial (Ni, Zn)Fe_2O_4 Thin Film for Ferromagnetic Memory Applications2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 169-172

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16656199
  • [雑誌論文] Stress-induced magnetization for epitaxial spinel ferrite films through interface engineering2004

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 85

      ページ: 1199-1201

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656155
  • [雑誌論文] Characterization of defect type and dislocation density in double oxide heteroepitaxial CeO_2/YSZ/Si(001) films2003

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Phys. A76

      ページ: 969-973

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] HRTEM investigation of the 90° domain structure and ferroelectric properties of multi-layered PZT thin films2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 66

      ページ: 708-712

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Improvement of capacitance-voltage (C-V) characteristics of YSZ/Si(001) and ZrO_2/Si thin film by Nb-doping2003

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, T.Moriya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 747

      ページ: 153-158

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Role of the First Atomic Layers in Epitaxial Relationship and Interface Characteristics of SrTiO_3 Films on CeO2/YSZ/Si(001)2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 747

      ページ: 243-254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of SrTiO_3 films on CeO_2/yttria-stabilized zirconia/Si(001) with TiO_2 atomic layer by pulsed-laser deposition2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, N.Wakiya, K.Shnozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 83

      ページ: 4815-4817

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Characterization of defect type and dislocation density in double oxide heteroepitaxial CeO2/YSZ/Si(001) films2003

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, T.Kiguchi, A.Saiki, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied physics A 76

      ページ: 969-973

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Effect of Source Supply Method on Microstructure Development in PZT Thin Films by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition2003

    • 著者名/発表者名
      K.Fujito, N.Wakiya, K.Shinoxaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 53-56

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of SrTiO_3 films on CeO_2/yttria-stabilized zirconia/Si(001) with TiO_2 atomic layer by pulsed-laser deposition2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 83

      ページ: 4815-4818

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Improvement of capacitance-voltage (C-V) characteristics of YSZ/Si(001) and ZrO_2/Si thin film by Nb-doping2003

    • 著者名/発表者名
      N.Wakiya, T.Moriya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 747

      ページ: 153-158

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Control of Crystal Orientations and Its Electrical Properties of PZT/Ru and PZT/RuO2 Thin Films by MOCVD2003

    • 著者名/発表者名
      K.Shinozaki, A.Iwasaki, N.Wakiya, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 768

      ページ: 63-68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Preparation and Semiconducting Properties of Nb-Doped-SrTiO3 Thin Films having Controlled Crystal Orientation By MOCVD2003

    • 著者名/発表者名
      A.Nagato, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 111-114

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Preparation and Semiconducting Properties of Nb-Doped-SrTiO3 Thin films having Controlled Crystal Orientation By MOCVD2003

    • 著者名/発表者名
      A.Nagato, N.Wakiya, K Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 111-114

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Effective Buffer Structures and Dielectric Properties of Epitaxial Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3 Thin Films on Si Substrates2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani, M.Kondo, K.Kurihara
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 65-68

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Role of the First Atomic Layers in Epitaxial Relationship and Interface Characteristics of SrTiO_3 Films on CeO_2/YSZ/Si(001)2003

    • 著者名/発表者名
      T.Yamada, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Wakiya, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 747

      ページ: 243-254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Cjaracterization of defect type and dislocation density in double oxide heteropitaxial CeO_2/YSZ/Si(001) films2003

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics A 76

      ページ: 969-973

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Effect of Source Supply Method on Microstructure Development in PZT Thin Films by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition2003

    • 著者名/発表者名
      K.Fujito, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials 248

      ページ: 53-56

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Control of Crystal Orientations and Its Electrical Properties of PZT/Ru and PZT/RuO_2 Thin Films by MOCVD2003

    • 著者名/発表者名
      K.Shinozaki, A.Iwasaki, N.Wakiya, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 768

      ページ: 63-68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Characterization of defect type and dislocation density in double oxide heteroepitaxial CeO2/YSZ/Si(001) films2003

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, T.Kiguchi, A.Saiki, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      Applied Physics A 76

      ページ: 969-973

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360339
  • [雑誌論文] Effects of deposition temperature on structural defect and electrical resistivity in heteroepitaxial La_<0.5>Sr_<0.5>CoO_3/CeO_2/YSZ films2002

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, A.Saiki, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol. A20

      ページ: 1749-1754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • [雑誌論文] Effects of deposition temperature on sturcutural defect and electrical resistivity in heteroepitaxial La_0.5Sr_0.5CoO_3/CeO_2/YSZ/Si films2002

    • 著者名/発表者名
      C.H.Chen, A.Saiki, N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. A20

      ページ: 1749-1754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450266
  • 1.  篠崎 和夫 (00196388)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 36件
  • 2.  脇谷 尚樹 (40251623)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 38件
  • 3.  桜井 修 (20108195)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  舟窪 浩 (90219080)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  木口 賢紀 (70311660)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 9件
  • 6.  木枝 暢夫 (80169812)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  大橋 秀雄 (90010678)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  山内 睦文 (40115647)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  大中 逸雄 (00029092)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  山本 尚 (10135311)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  平川 兼爾 (30264097)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  増田 淳 (30283154)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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