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松浦 孝  MATSUURA Takashi

ORCIDORCID連携する *注記
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松浦 学  マツウラ マナブ

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研究者番号 60181690
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2003年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
1993年度 – 2001年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
1991年度 – 1992年度: 東北大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子材料工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
ECRプラズマ / ECR Plasma / ラングミュア吸着 / 原子層エッチング / Ultrasmall MOS / Silicon / 分数原子層 / イオン誘起反応 / 自己制限 / Si … もっと見る / 極微細MOS / ゲルマニウム / 低エネルギーAr^+イオン照射 / シリコン / 自己制限型吸着 / Germanium / Low-Energy Ion Irradiation / Chlorine / Self-Limited / Atomic-Layr-Etching / 低エネルギーイオン照射 / 塩素 / 自己制限型 / germanium / Low-Energy-Ar^+ Ion Irradiation / ECR chlorine plasma / Substrate Orientation Dependence / Self-Limited Adsorption / Atomic-Layr Etching / ECR塩素プラズマ / 面方位依存性 / Ion Irradiation / Radical / Adsorption & Reaction / Epitaxy / Etching / Plasma CVD / Selectivity / イオン照射 / ラジカル / 吸着・反応 / エピタキシ / エッチング / プラズマCVD / 選択性 / Nitrogen Addition / Ultraclean / Selective Epitaxy / Anisotropy / Perfect Selectivity / Etching Delay Time / Langmuir's Adsorption / 窒素添加効果 / 超高清浄化 / 選択エピタキシ / 異方性 / 完全選択性 / エッチング遅れ時間 / XPS / 高清浄雰囲気 / 表面吸着・反応 / Arイオン照射 / 励起水素 / Si窒化膜 … もっと見る
研究代表者以外
CVD / 原子層成長 / IV族半導体 / SiGeC / SiGe / 極微細デバイス / Si / ヘテロ構造 / 原子層エッチング / 原子層 / シリコン / HBT / MOS / ドーピング / 水素終端 / SiH_4 / B / P / atomic layer / N / C / Ge / CMOS / SOI / Impurity Doping / GeH_4 / MOSFET / ヘテロデバイス / ゲルマニウム / 高選択異方性エッチング / 不純物拡散 / in-situ不純物ドーピング / CVD低温選択成長 / 不純物ドーピング / 低温ヘテロエピタキシャル成長 / ラングミュア吸着・反応 / W低温選択成長 / 表面水素終端 / ラングミュア吸着 / 一原子層熱窒化 / contact resistance / impurity doping / IV group semiconductor / CDV / IV族半導体結晶 / 半導体接触抵抗 / 金属 / heterostructure / resonant tunneling diode / テヘロ構造 / 共鳴トンネルダイオード / High Selective Anisotropic Etching / Impurity Diffusion / in-situ Impurity Doping / CVD Low-Temperature Selective Growth / hot carrier / low-frequency noise / high speed / low power / hetero-structure / 極浅ソース・ドレイン / チャージポンピング法 / ヘテロ界面準位 / ホットキャリア / 低周波雑音 / 超高速 / 低消費電力 / Low-Temperature Heteroepitaxial Growth / Hydrogen Termination / Atomic-Layer Etching / Atomic-Layer Growth / Ultrasmall Devices / Group IV Semiconductor / Langmuir-type Adsorption and Reaction / 表面処理 / Langmuir-type Adsorption / Low Temperature Selective Deposition of W / Ultra small Devices / Plasma Surface Treatment / Flash Heating CVD / Si-Based Superlattice Devices / Atomically Controlling CVD / Si極薄窒化膜 / ド-ピング制御 / 超微細MOSFET / Langmuir型吸着 / 不純物ド-ピング / プラズマ表面処理 / 瞬時加熱CVD法 / Si系超格子デバイス / 原子制御CVD装置 / Resonant Tunneling / Flash Heating / Chemical Vapor Deposition / Atomic Layr Epitaxy / エピタキシャル成長 / 集積回路 / 共鳴トンネル / 瞬時加熱 / Ultrasmall Device / Heterodevice / Heterostructure / Silicon-Germanium / Silicon / 超微細デバイス / シリコン-ゲルマニウム / ラングミュア型 / ボロン / リン / エピタキシャル / 高精度エッチング / 選択成長 / WF_6 / ド-ピング / タングステン / W低温選択的成長 隠す
  • 研究課題

    (19件)
  • 共同研究者

    (14人)
  •  超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  SiGeとSOIを駆使した超低消費電力極微細Si系CMOSデバイス構成法の研究

    • 研究代表者
      土屋 敏章
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      島根大学
  •  高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体薄膜へのタングステンのデルタド-ピング

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作するIV族半導体極微細デバイス

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si系超格子デバイス作製のための原子制御CVD装置の開発研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si原子層エッチング表面における自己制限型表面吸着・反応素過程に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  垂直極微細加工可能なSiの自己制限型原子層エッチング技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ナノメータ制御されたヘテロ層を有するSi-Ge系超微細デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  極限微細集積回路作製のための原子層成長制御CVD装置の開発研究

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  選択性逆転の可能なプラズマ低温プロセスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ラングミュア吸着層を利用した完全選択性を有する異方性エッチング技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  • 1.  室田 淳一 (70182144)
    共同の研究課題数: 19件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  櫻場 政夫 (30271993)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  小野 昭一 (00005232)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  澤田 康次 (80028133)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  土屋 敏章 (20304248)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  大見 忠弘 (20016463)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  目黒 敏靖 (50182150)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  栗野 浩之 (70282093)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  小柳 光正 (60205531)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  佐藤 武敏
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  中村 直人
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  黒河 治重
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  杉山 直治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  山本 裕司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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