• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

筒井 一生  Tsutsui Kazuo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60188589
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2023年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授
2015年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 教授
2014年度 – 2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授
2009年度 – 2010年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
2008年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科(研究院), 准教授 … もっと見る
2007年度 – 2008年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授
2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授
2004年度 – 2005年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授
1993年度 – 2002年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授
1991年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助教授
1986年度 – 1988年度: 東京工業大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 表面界面物性 / 理工系 / 電子材料工学
研究代表者以外
理工系 / 理工系 … もっと見る / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 応用物性 / 応用光学・量子光工学 / 電子・電気材料工学 隠す
キーワード
研究代表者
弗化物 / CaF_2 / 電子ビーム / 表面改質 / CdF2 / CaF2 / 共鳴トンネル / CdF_2 / 自然形成 / 超薄膜 … もっと見る / 位置制御 / 量子ドット / フッ化物 / シリコン / ヘテロエピタキシー / GaAs / 選択成長 / GaN / FinFET / パワーデバイス / 立体チャネル / SrF2 / MgF2 / 混晶 / resonant tunneling / Fluoride / ZnSe / 電気・電子材料 / 界面制御 / 半導体 / 電子デバイス / ヘテロ構造 / 単電子 / 分子線エピタキシ- / ガリウム / 無機レジスト / Fin FET / 窒化ガリウム / 結晶成長 / GaNデバイス / トランジスタ / 窒化ガリウムGaN / Alloy crystal / Resonant tunneling / Lattice matching / トンネル / 超薄膜ヘテロ / Si / MgF_2 / 格子整合 / band discontinuity / heterosutructures / band enginnering / fluoride alloy system / 弗化カドミウム / 弗化カルシウム / 超薄膜ヘテル / 伝導帯端不連続 / バンドエンジニアリング / 弗化物混晶 / integration / quantum devices / 集積化 / 量子効果デバイス / interface control / heteroepitaxy / ionicity / エピタキシャル成長 / ヘテロ界面 / SrF_2 / IV-V族化合物 / II-VI族化合物 / イオン性度制御層 / ヘテロエピタキシ- / イオン性度 / ボロン / 半導体デバイス / 活性サイト / 半導体の不純物 / 硫化モリブデン / 二硫化モリブデン / 砒素 / 半導体物性 / 二硫化モリブデン(MoS2) / ヒ素(As) / シリコン(Si) / 光電子回折 / 層状物質 / 電子状態 / 原子ホログラフィー / 電気的活性化 / 原子配列構造 / 二硫化モリブデン(MoS2) / ヒ素(As) / シリコン(Si) / 不純物 / 光電子ホログラフィー / 不純物ドーピング / トンネル現象 / 量子井戸 / ニッケルシリサイド / エピタキシャルシリサイド / バッファ層 / 化学反応抑制 / シリサイド / ゲルマニウム / 表面不活性 / トンネル接合 / 金属ドットアレイ / 多重トンネル接合 / クーロンブロッケード / 金属ドット / ガドリニウム / n型伝導 / フッ化カドミウム / 微細加工 / 量子構造 / 自己組織的形成 / X線CTR法 / 双晶 / ローテーショナル・ツイン / 電子線 / ブル-スタ-角 / P偏光 / P(リン) / その場観察 / 表面光吸収法 / 量子細線 / 電子ビ-ム … もっと見る
研究代表者以外
活性サイト / MOSFET / 近接場光 / 先端材料 / 不純物 / 第一原理計算 / 電子回折イメージング / 表面界面ホログラフィー / 蛍光X線ホログラフィー / 光電子ホログラフィー / ドーパント / パワーデバイス / 半導体 / 電子デバイス / 局所機能構造科学 / 機能物質 / 原子分解能ホログラフィー / 歪 / スピン・オン・グラス / 非線形性 / スピンオングラス法 / スパッタ法 / 反転層 / 酸化膜 / 低温プロセス / 酸素ドナー / 格子欠陥 / ホール効果 / ピゾ抵抗効果 / 抵抗の温度特性 / 空孔 / ノンドープ / 水素ラジカル / 水素アニール / 荷電状態 / 欠陥準位 / 結晶欠陥 / 温度依存性 / 結晶歪 / ピエゾ抵抗効果 / ゲルマニウム / 蛍光X線ホログラフィー / 蛍光X線ホログラフィー / amorphous Si / silicon-on-insulator / selective doping / lateral solid phase epitaxy / イオン注入 / エピタキシャル成長 / 選択ドープ構造 / 横方向固相成長 / 選択ドープ法 / シリコン / 選択ドーピング / 三次元集積回路 / 非晶質シリコン / SOI / 横方向成長 / 固相成長 / Waveguide / Exciton / Optical switch / Quantum dot / Photonic integrated circuit / optical near field / 解離 / 堆積 / 導波路 / 励起子 / 光スイッチ / 量子ドット / 光集積回路 / Micromanipulation Technogoly / Spatial Phase Control Regions / Spontaneous Emission Life Time / Spontaneous Emission Control / Photonic Crystals / 選択結晶成長 / リングレーザー / 無しきい値レーザー / マイクロマニピュレーション法 / マイクロマニピュレイション法 / 位相制御領域 / 自然放出寿命 / 自然放出光制御 / フォトニック結晶 / photomask / probe / fiber / near-field / photochemical vapor deposition / 気相化学堆積 / 近接場 / フォトマスク / プローブ / ファイバ / 光化学気相堆積 / ドーバント / 表面・界面 / ホログラフィー / ナノ物質 / 界面 / Niシリサイド / 短チャネル効果 / エネルギー障壁 / drain / Schottky source / しきい値 / 三次元構造MOSFET / 数値解析 / ショットキー接合 / 3次元 / オン電流 / ショットキー / 特性ばらつき / ロバストネス / 3次元構造 / トランジスタ / 感度解析 / シリサイド / FinFET / ダブルゲート / CMOS / ゆらぎ / ばらつき / 2段階成長 / (111)面 / 弗化物 / GaAs / ヘテロエピタキシ- / 回転双晶 / ロ-テ-ショナル・ツイン 隠す
  • 研究課題

    (28件)
  • 研究成果

    (260件)
  • 共同研究者

    (54人)
  •  高移動度二次元正孔ガスpチャネルGaNトランジスタの開発

    • 研究代表者
      星井 拓也
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  p型Geのピエゾ抵抗効果

    • 研究代表者
      松田 和典
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      大阪大学
      徳島文理大学
  •  3D活性サイト科学のプラットフォーム構築による総括と研究支援

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      2019
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      公益財団法人豊田理化学研究所
  •  選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  3D活性サイト科学の海外拠点・国際ネットワーク構築

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  3D活性サイト科学のプラットフォーム構築による総括と研究支援

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  基板表面不活性層を用いたシリコン基板上の高安定な弗化物共鳴トンネル素子の実現研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  3次元構造MOSFETのロバストネス

    • 研究代表者
      岩井 洋
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  完全格子整合による弗化物超薄膜ヘテロ構造デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  近接場光によるナノ光集積回路の動作方式の解明とその為の半導体微粒子の堆積成長

    • 研究代表者
      大津 元一
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  弗化物混晶系バンドエンジニアリングによるヘテロデバイス技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用

    • 研究代表者
      青柳 克信
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2001
    • 研究種目
      特定領域研究(B)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
      理化学研究所
  •  エピタキシャル弗化物ヘテロ構造による集積化量子効果素子の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子線位置制御による高密度極微電極島の自然形成研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  近接場光によるナノ寸法の光化学気相堆積法の確立

    • 研究代表者
      大津 元一
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  n型伝導フッ化カドミウムの分子線エピタキシャル成長の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  エピタキシャル弗化物による超微細加工技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  エピタキシャル沸化物による超微細加工技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  イオン性度制御層によるイオン性結晶と共有結合性結晶の界面制御エピタキシ-の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  電子線直接描画選択成長法による量子細線形成法の研究研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるロ-テ-ショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

    • 研究代表者
      古川 静二郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  表面光吸収法を用いたその場観察による電子ビーム表面改質エピタキシーの機構解明研究代表者

    • 研究代表者
      古川 静二郎, 筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御研究代表者

    • 研究代表者
      筒井 一生
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Siの選択ドープ横方向固相成長に関する研究

    • 研究代表者
      石原 宏
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Jpn. J. Appl. Phys. Selected Topics in Applied Physics “Frontier of active site science: new insights on material functions2019

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Daimon, Koichi Hayashi, Toyohiko Kinoshita, and Kazuo Tsutsui
    • 総ページ数
      200
    • 出版者
      IOP Science
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [雑誌論文] Effects of Hydrogen Radical Treatment on Piezoresistance Coefficients of Germanium2023

    • 著者名/発表者名
      (1)K.Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikawa, S.Nagaoka, N.Mori and K.Tsutui,
    • 雑誌名

      Applied Physics Express,

      巻: 16巻 5号 号: 4 ページ: 82-86

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acc8b4

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K12308, KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [雑誌論文] Peculiar temperature dependence of dynamical sound speed in liquid Se50Te50 by inelastic x-ray scattering2020

    • 著者名/発表者名
      Inui M、Kajihara Y、Tsuchiya Y、Hosokawa S、Matsuda K、Uchiyama H、Tsutsui S、Baron A Q R
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 32 号: 21 ページ: 214003-214003

    • DOI

      10.1088/1361-648x/ab6d8e

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-WRAPUP-19H05451, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-18H01142
  • [雑誌論文] Local structure and atomic dynamics in Fe2VAl Heusler-type thermoelectric material: The effect of heavy element doping2020

    • 著者名/発表者名
      K. Kimura, K. Yamamoto, K. Hayashi, S. Tsutsui, N. Happo, S. Yamazoe, H. Miyazaki, S. Nakagami, J. R. Stellhorn, S. Hosokawa, T. Matsushita, H. Tajiri, A. K. R. Ang, Y. Nishino
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 101 号: 2 ページ: 024302-024302

    • DOI

      10.1103/physrevb.101.024302

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06771, KAKENHI-PROJECT-18K04748, KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-PUBLICLY-19H05126, KAKENHI-WRAPUP-19H05451, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-17K14801, KAKENHI-PROJECT-19H00655
  • [雑誌論文] Detection of collective optic excitations in molten NaI2019

    • 著者名/発表者名
      Hosokawa、Inui、Bryk、Mryglod、Pilgrim、Kajihara、Matsuda、Ohmasa、Tsutsui
    • 雑誌名

      Condensed Matter Physics

      巻: 22 号: 4 ページ: 43602-43602

    • DOI

      10.5488/cmp.22.43602

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-WRAPUP-19H05451, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-18H01142
  • [雑誌論文] Dynamical sound speed and structural inhomogeneity in liquid Te studied by inelastic x-ray scattering2019

    • 著者名/発表者名
      M. Inui, Y. Kajihara, S. Hosokawa, K. Matsuda, Y. Tsuchiya, S. Tsutsui, and A. Q. R. Baron
    • 雑誌名

      Journal of Non-Crystalline Solids X

      巻: 1 ページ: 100006-100006

    • DOI

      10.1016/j.nocx.2018.100006

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-18H01142, KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Nonlinear Piezoresistance Coefficients of Semiconductors2019

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Matsuda, Hiroki Uyama and Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 126 ページ: 1-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [雑誌論文] Analyses of three-dimensional atomic arrangements of impurities doped in Si relating to electrical activity by spectro-photoelectron holography2019

    • 著者名/発表者名
      TSUTSUI Kazuo、MORIKAWA Yoshitada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 010503-1-8 号: 1 ページ: 010503-010503

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab603e

    • NAID

      210000157782

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [雑誌論文] Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing2019

    • 著者名/発表者名
      Shimizu Jun'ichi、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Muneta Iriya、Kuniyuki Kakushima、Tsutsui Kazuo、Ikarashi Nobuyuki、Wakabayashi Hitoshi
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 7 ページ: 2-6

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2854633

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Peculiar atomic dynamics in liquid GeTe with asymmetrical bonding: Observation by inelastic x-ray scattering2018

    • 著者名/発表者名
      M. Inui, A. Koura, Y. Kajihara, S. Hosokawa, A. Chiba, K. Kimura, F. Shimojo, S. Tsutsui, and A. Q. R. Baron
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 97 号: 17 ページ: 174203-174203

    • DOI

      10.1103/physrevb.97.174203

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-PROJECT-16K05478, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PROJECT-16K05521
  • [雑誌論文] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2018

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      J., Ele. Mat.

      巻: 47 ページ: 3497-3497

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [雑誌論文] Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration2018

    • 著者名/発表者名
      Matsuura Kentaro、Shimizu Jun'Ichi、Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Muneta Iriya、Ishihara Seiya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Ogura Atsushi、Wakabayashi Hitoshi
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 1246-1252

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2883133

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Phonon excitations in a single crystal Mg 85 Zn 6 Y 9 with a synchronized long-period stacking ordered phase2018

    • 著者名/発表者名
      S. Hosokawa, J. R. Stellhorn, H. Ikemoto, K. Mimura, K. Wakita, and N. Mamedov
    • 雑誌名

      Acta Materialia

      巻: 146 ページ: 273-279

    • DOI

      10.1016/j.actamat.2017.12.053

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PUBLICLY-16H01553, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-17H03431
  • [雑誌論文] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018

    • 著者名/発表者名
      K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, and H. Wakabayashi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: - 号: 7 ページ: 1-5

    • DOI

      10.1007/s11664-018-6191-z

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing2018

    • 著者名/発表者名
      Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Shimizu Jun’ichi、Muneta Iriya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 7S2 ページ: 07MA04-07MA04

    • DOI

      10.7567/jjap.57.07ma04

    • NAID

      210000149377

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Static and dynamic structures of liquid Ba8Ga16Sn30: a melt of the thermoelectric clathrate compounds2018

    • 著者名/発表者名
      M. Inui, K. Suekuni, Y. Kajihara, S. Hosokawa, T. Takabatake, Y. Nakajima, K. Matsuda, K. Ohara, H. Uchiyama, and S. Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 30 号: 45 ページ: 455101-455101

    • DOI

      10.1088/1361-648x/aae3f3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-18H01142, KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-PROJECT-17K14418, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Viscoelastic anomaly accompanying anti-crossing behaviour in liquid As2Se32018

    • 著者名/発表者名
      M. Inui, A. Q. R. Baron, Y. Kajihara, K. Matsuda, S. Hosokawa, K. Kimura, Y. Tsuchiya, F. Shimojo, M. Yao, S. Tsutsui, D. Ishikawa, and K. Tamura
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 30 号: 28 ページ: 28LT02-28LT02

    • DOI

      10.1088/1361-648x/aacab5

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K18738, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-18H01142, KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-PROJECT-16K05478, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, I. Muneta, K. Matsuura, S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, and H. Wakabayashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 10

    • NAID

      210000135806

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [雑誌論文] Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography2017

    • 著者名/発表者名
      Tsutsui Kazuo、Matsushita Tomohiro、Natori Kotaro、Muro Takayuki、Morikawa Yoshitada、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Wakabayashi Hitoshi、Hayashi Kouichi、Matsui Fumihiko、Kinoshita Toyohiko
    • 雑誌名

      Nano Letters

      巻: 17 号: 12 ページ: 7533-7538

    • DOI

      10.1021/acs.nanolett.7b03467

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105007, KAKENHI-PLANNED-26105013, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-PROJECT-15KK0167, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-PROJECT-17H02911
  • [雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, I. Muneta, K. Matsuura, S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, and H. Wakabayashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 10

    • NAID

      210000135806

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Quantitative analysis of sputter-deposited MoS2 properties on SiO2 substrate roughness2017

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express (APEX)

      巻: 10

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Dispersion relations of the acoustic modes in divalent liquid metals2017

    • 著者名/発表者名
      Inui Masanori、Kajihara Yukio、Kimura Koji、Matsuda Kazuhiro、Miyatake Tetsu、Chiba Ayano、Hosokawa Shinya、Tsutsui Satoshi、Baron Alfred Q. R.
    • 雑誌名

      EPJ Web of Conf.

      巻: 151 ページ: 06002-06002

    • DOI

      10.1051/epjconf/201715106002

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-PROJECT-16K05521, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-PUBLICLY-16H01553, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814, KAKENHI-PROJECT-15K05209
  • [雑誌論文] Impurity effects in the microscopic elastic properties of polycrystalline Mg-Zn-Y alloys with a synchronized long-period stacking ordered phase2017

    • 著者名/発表者名
      S. Hosokawa, K. Kimura, M. Yamasaki, Y. Kawamura, K. Yoshida, M. Inui, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, Y. Kawakita, and S. Itoh
    • 雑誌名

      Journal of Alloys and Compounds

      巻: 695 ページ: 426-432

    • DOI

      10.1016/j.jallcom.2016.10.266

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-16H01701, KAKENHI-PROJECT-26610118, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-PROJECT-16H02404
  • [雑誌論文] Phonon excitations in Pd40Ni40P20 bulk metallic glass by inelastic x-ray scattering2017

    • 著者名/発表者名
      S. Hosokawa, M. Inui, Y. Kajihara, T. Ichitsubo, K. Matsuda, H. Kato, A. Chiba, K. Kimura, K. Kamimura, S. Tsutsui, H. Uchiyama, and A. Q. R. Baron
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 879 ページ: 767-772

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/msf.879.767

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26610118, KAKENHI-PROJECT-15K05209, KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Asymmetrical bonding in liquid Bi disentangled by inelastic X-ray scattering2017

    • 著者名/発表者名
      Inui Masanori、Kajihara Yukio、Munejiri Shuji、Hosokawa Shinya、Chiba Ayano、Ohara Koji、Tsutsui Satoshi、Baron Alfred Q. R.
    • 雑誌名

      EPJ Web of Conf.

      巻: 151 ページ: 06001-06001

    • DOI

      10.1051/epjconf/201715106001

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K05475, KAKENHI-PROJECT-16K05521, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-PUBLICLY-16H01553, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814
  • [雑誌論文] "High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs2017

    • 著者名/発表者名
      Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics:accepted and to be published

      巻: - 号: 1 ページ: 100-105

    • DOI

      10.1021/nl303583v

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Inelastic X-ray scattering on liquid benzene analyzed using a generalized Langevin equation2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshida Koji、Fukuyama Nami、Yamaguchi Toshio、Hosokawa Shinya、Uchiyama Hiroshi、Tsutsui Satoshi、Baron Alfred Q.R.
    • 雑誌名

      Chemical Physics Letters

      巻: 680 ページ: 1-5

    • DOI

      10.1016/j.cplett.2017.05.005

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-PUBLICLY-16H01553, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PROJECT-17H02814
  • [雑誌論文] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs2017

    • 著者名/発表者名
      Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 4 ページ: 0412021-0412024

    • DOI

      10.7567/apex.10.041202

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT2016

    • 著者名/発表者名
      J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability

      巻: 60 ページ: 16-19

    • DOI

      10.1016/j.microrel.2016.02.004

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Chemical and orbital fluctuations in Ba3CuSb2O92016

    • 著者名/発表者名
      Y. Wakabayashi, D. Nakajima, Y. Ishiguro, K. Kimura, T. Kimura, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, K. Hayashi, N. Happo, S. Hosokawa, K. Ohwada, and S. Nakatsuji
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 93

    • NAID

      120006697262

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Takei, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55-4 号: 4 ページ: 040306-040306

    • DOI

      10.7567/jjap.55.040306

    • NAID

      210000146222

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Chemical and orbital fluctuations in Ba3CuSb2O92016

    • 著者名/発表者名
      Y. Wakabayashi, D. Nakajima, Y. Ishiguro, K. Kimura, T. Kimura, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, K. Hayashi, N. Happo, S. Hosokawa, K. Ohwada, and S. Nakatsuji
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 93 号: 24 ページ: 245117-245117

    • DOI

      10.1103/physrevb.93.245117

    • NAID

      120006697262

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H01553, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105008, KAKENHI-PLANNED-26105013, KAKENHI-PROJECT-25286040, KAKENHI-PROJECT-26287080, KAKENHI-PROJECT-16H06285, KAKENHI-PLANNED-26105006, KAKENHI-PROJECT-16H02209
  • [雑誌論文] Chemical and orbital fluctuations in Ba3CuSb2O92016

    • 著者名/発表者名
      Y. Wakabayashi, D. Nakajima, Y. Ishiguro, K. Kimura, T. Kimura, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, K. Hayashi, N. Happo, S. Hosokawa, K. Ohwada, and S. Nakatsuji
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 93 ページ: 245117-245117

    • NAID

      120006697262

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs2015

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 4S ページ: 04DN08-04DN08

    • DOI

      10.7567/jjap.54.04dn08

    • NAID

      210000145087

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25889022, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] A resistive switching device based on breakdown and anodic reoxidization of thin SiO2 on Si-based Electrodes using CeOx buffer layer2014

    • 著者名/発表者名
      M. Hadi, S. Kano, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: 29 ページ: 115030-115030

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [雑誌論文] Reduction of Contact Resistance on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Takei, M. Kamiya, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: - 号: 5 ページ: 1104-1109

    • DOI

      10.1002/pssa.201431645

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 61 ページ: 265-270

    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [雑誌論文] Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 61 ページ: 265-270

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors : Separation of Short Channel Effects2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, P.Ahmet, V.P.Rao, H.Iwai
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49(掲載決定)

    • NAID

      40017085077

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors: Separation of Short Channel Effects2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Koyabashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol.49

      ページ: 44201-44201

    • NAID

      40017085077

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Analysis of Dependence of Short-channel Effects in Double-gate MOSFETs on Channel Thickness2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayasih, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, K. Tsutsui, H. Iwai
    • 雑誌名

      Microelectronics Reliability Vol.50

      ページ: 332-337

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ch, orkar, T. Hattori, H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Trans Vol.16

      ページ: 29-34

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Growth of Ultra Thin Fluoride Heterostructures on Ge(111) for Quantum Devices2009

    • 著者名/発表者名
      Takao Oshita, Keita Takahashi, Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.311

      ページ: 2224-2226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード2009

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 雑誌名

      応用物理 78巻, 第5号

      ページ: 432-436

    • NAID

      10024751771

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      K.Noguchi, W.Hosoda, K.Matano, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A.N.Chandorkar, T.Hattori, H.Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transactions 16

      ページ: 29-34

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Growth of Ultra Thin Fluoride Heterostructures on Ge(lll)for Quantum Devices2009

    • 著者名/発表者名
      T. Oshita, K. Takahashi, K. Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311(7)

      ページ: 2224-2226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルグイオード2009

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 雑誌名

      応用物理 78

      ページ: 432-436

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Growth of Fluoride Quantum Well Heterostructures for Resonant Tunneling Devices on Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Takao Oshita, So Watanabe, Motoki Maeda
    • 雑誌名

      ECS Transaction Vol.13, No.2

      ページ: 253-262

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Analysis of irregular increase in sheet resistance of Ni silicides on transition from NiSi to NiSi_22008

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Ruifei Xiang, Koji Nagahiro, Takashi Shiozawa, Parhat Ahmet, Yasutoshi Okuno, Michikazu Matsumoto, Masafumi Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 85

      ページ: 315-319

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Thermal Stability of Ni-silicide Films on Heavily Doped n^+ and P^+ Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow and Hiroshi Iwai
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering in press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Thermal Stability of Ni silicide Films on Heavily Doped n+ and p+ Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      P. Ahmet, T. Shiozawa, K. Nagahiro, T. Nagata, K. Kakushima, K. Tsutsui, T. Chikyo, H. Iwai
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering Vol.85

      ページ: 1642-1645

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] 弗化物共鳴トンネル素子とそのCMOS集積化への展望2008

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 雑誌名

      電子情報通信学会誌 vol.91, No.2

      ページ: 147-149

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
    • 雑誌名

      IEICE Transactions E90-C

      ページ: 2051-2056

    • NAID

      110007541196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, and H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transaction Vol. 6, No. 4

      ページ: 83-88

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transaction 6

      ページ: 83-88

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobahashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V.Hariharan, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
    • 雑誌名

      SOI Device Technology 13 (ECS Transaction-Chicago) 3(出版予定)(掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, V.R. Manoj, K. Tsutsui, V. Hariharan, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
    • 雑誌名

      IEICE Trans. on Electronics Vol.E90-C

      ページ: 2051-2056

    • NAID

      110007541196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahmet, K. Kakushima and H. Iwai
    • 雑誌名

      ECS Transaction 11

      ページ: 207-213

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, C.R.Manoj, K.Tsutsui, V.Hariharan, K.Kakushima, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics (出版予定)(掲載決定)

    • NAID

      110007541196

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
    • 雑誌名

      IEICE Transactions vol. E90-C, No.10

      ページ: 2051-2056

    • NAID

      110007541196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [雑誌論文] Crystalline structure of epitaxial Ca_xMg_<1-x>F_2 alloys on Si(100) and Si(111) substrates2006

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, N.Matsudo, S.Watanabe, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Crystalline structure of epitaxial Ca_xMg_<1-x>F_2 alloys on Si(100) and Si(111) substrates2006

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, N.Matsudo, S.Watanabe, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates improved by Additional Thermal Oxidation Process2005

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe, M.Maeda, T.Sugisaki, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44・4B

      ページ: 2637-2637

    • NAID

      10022539504

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Surface Modification of Si Substrates by CdF_2 Molecular Beam for Stable Growth of Fluoride Ultra-Thin Heterostructures2005

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, J.Omae, S.Watanabe, Y.Toriumi, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Surface Modification of Si Substrates by CdF_2 Molecular Beam for Stable Growth of Fluoride Ultra-Thin Heterostructures2005

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, J.Omae, S.Watanabe, Y.Toriumi, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 278

      ページ: 643-643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Growth characteristics of ultra-thin epitaxial Ca_xMg_<1-x>F_2 alloys on Si(111) substrates2005

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, N.Matsudo, S.Watanabe, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.285

      ページ: 572-572

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Growth characteristics of ultra-thin epitaxial Ca_xMg_<1-x>F_2 alloys on Si(111) substrates2005

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, N.Matsudo, S.Watanabe, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 285

      ページ: 572-572

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Growth characteristics of ultra-thin epitaxial Ca_xMg_<1-x>F_2 alloys on Si(111) substrates2005

    • 著者名/発表者名
      Motoki Maeda, Natsuko Matsudo, So Watanabe, Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 285

      ページ: 572-578

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Improved by Additional Thermal Oxidation Process2005

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe, M.Maeda, T.Sugisaki, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics vol.44

      ページ: 2637-2637

    • NAID

      10022539504

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Improved by Additional Thermal Oxidation Process2005

    • 著者名/発表者名
      So Watanabe, Motoki Maeda, Tsuyoshi Sugisaki, Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44・4B

      ページ: 2637-2641

    • NAID

      10022539504

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Surface Modification of Si Substrates by CdF_2 Molecular Beam for Stable Growth of Fluoride Ultra-Thin Heterostructures2005

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, J.Omae, S.Watanabe, Y.Toriumi, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth vol.278

      ページ: 643-643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] CdF_2分子線により表面改質したSi(111)基板上への弗化物共鳴トンネルダイオードの製作2004

    • 著者名/発表者名
      大前譲治, 前田元輝, 筒井一生
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集

      ページ: 1231-1231

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] 弗化物共鳴トンネルダイオードにおける酸化効果を用いたCaF_2バリア層の絶縁性向上2004

    • 著者名/発表者名
      渡邊聡, 杉崎剛, 前田元輝, 筒井一生
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集

      ページ: 1240-1240

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Ca_xMg_<1-x>F_2混晶薄膜のSi(111)基板上へのエピキシャル成長2004

    • 著者名/発表者名
      前田元輝, 松土夏子, 渡邊聡, 筒井一生
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集

      ページ: 1240-1240

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] 弗化物3重障壁共鳴トンネルダイオードにおける混晶井戸の有効性2004

    • 著者名/発表者名
      鳴海陽平, 齋藤格広, 渡邊聡, 前田元輝, 筒井一生
    • 雑誌名

      第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集

      ページ: 1223-1223

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Improved by the Additional Thermal Oxidation Process2004

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe, M.Maeda, T.Sugisaki, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Ext.Abs.of 2004 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials

      ページ: 606-607

    • NAID

      10022539504

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16560003
  • [雑誌論文] Fabrication of Buried Active Layer Type Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      S.Watanabe, H.Kambayashi, H.Sekine, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Domestic Conf.of Japan Soc.Applied Physics, Spring Meeting, [in Japanese] (28a-K-1)

      ページ: 933-933

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Si基板上の活性層埋め込み型弗化物共鳴トンネルダイオードの製作2002

    • 著者名/発表者名
      渡邊聡, 神林宏, 関根広志, 筒井一生
    • 雑誌名

      第49回応用物理学関係連合講演会予稿集(講演番号28a-K-1)

      ページ: 933-933

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-Integrated with Si-MOSFETs2002

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Terayama, Hiroshi Sekine, Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Jpn.J.Applied Physics 41(4B)

      ページ: 2598-2601

    • NAID

      110006341219

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Cd-rich Ca_xCd_<1-x>F_2混晶のSi(111)基板上へのエピタキシャル成長2002

    • 著者名/発表者名
      前田元輝, 神林宏, 筒井一生
    • 雑誌名

      第49回応用物理学関係連合講演会予稿集(講演番号27p-YH-2)

      ページ: 1374-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-Integrated with Si-MOSFETs2002

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Terayama, Hiroshi Sekine, Kazuo Tsutsui
    • 雑誌名

      Japanese J. Applied Physics 41(4B)

      ページ: 2598-2601

    • NAID

      110006341219

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Growth Characteristics of Ca_xCd_<1-x>F_2 Films on Si Substrates Using CaF_2 Buffer Layer2002

    • 著者名/発表者名
      H.Kambayashi, T.Gotoh, H.Maeda, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      J.of Crystal Growth vol.237-239

      ページ: 2061-2064

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Cd-rich Ca_xCd_<1-x>F_2 on Si (111) Substrates2002

    • 著者名/発表者名
      M.Maeda, H.Kambayashi, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Domestic Conf.of Japan Soc.Applied Physics, Spring Meeting, [in Japanese] (27p-YH-2)

      ページ: 1374-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Growth Characteristics of Ca_xCd_<1-x>F_2 Films on Si Substrates Using CaF_2 Buffer Layer2002

    • 著者名/発表者名
      H.Kanibayashi, T.Gotoh, H.Maeda, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      J. of Crystal Growth 237-239

      ページ: 2061-2064

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of CaCdF_2 Films grown on Si(111) substrates2001

    • 著者名/発表者名
      H.Kambayashi, H.Maeda, K.Tsutsui
    • 雑誌名

      Domestic Conf.of Japan Soc.Applied Physics, Spring Meeting, [in Japanese] (14a-YB-7)

      ページ: 1052-1052

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [雑誌論文] Si基板上のエピタキシャルCaCdF_2混晶層の電気的特性2001

    • 著者名/発表者名
      神林宏, 前田寛, 筒井一生
    • 雑誌名

      第62回応用物理学会学術講演会予稿集(講演番号14a-YB-7)

      ページ: 1052-1052

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12650304
  • [産業財産権] pチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法2021

    • 発明者名
      星井拓也、筒井一生
    • 権利者名
      星井拓也、筒井一生
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2021-137005
    • 出願年月日
      2021
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Threshold Voltage Shift of P-Ch GaN Misfets with Charge Trapping Insulator2024

    • 著者名/発表者名
      T. Hoshii, T. Toyoda, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, and K. Kakushima
    • 学会等名
      PRiME 2024
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Effects of Hydrogen Radicals Treatment of Piezoresistance Coefficients of Germanium2023

    • 著者名/発表者名
      K.Matsuda, M.Yamamoto, M.Mikawa, S.Nagaoka, K.Tsutsui
    • 学会等名
      International Conference on Physics of Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [学会発表] Geのピエゾ抵抗係数に対する水素処理効果2022

    • 著者名/発表者名
      松田,山本,三河,長岡,谷川,國本,筒井
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:成長窓形成プロセス改善2022

    • 著者名/発表者名
      久恒悠介、太田貴士、佐々木満孝、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
    • 学会等名
      2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] Effect of Atomic Layer Etching using Nitrogen Plasma on Hall Accumulation at MIS Interface of GaN Polarization-Junction Substrate2022

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Shonosuke Kimura, Kuniyuki Kakushima, Hithoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Performance improvements of P-channel GaN HFETs by atomic layer etching using nitrogen plasma2022

    • 著者名/発表者名
      Shonosuke Kimura, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hithoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 横型GaN系FinFETにおける異なるチャネル伝導形態の比較検討2021

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] GaN FinFETの低オン抵抗・高耐圧化に向けたドリフト領域拡幅の検討2021

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 窒素プラズマ ALE による P チャネル GaN HFET の特性向上2021

    • 著者名/発表者名
      木村 匠之介、三浦 克之、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN 系FinFET2021

    • 著者名/発表者名
      筒井一生,濱田拓也,高山 研,金 相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林 整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
    • 学会等名
      電気学会電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] p型Geの異常ピエゾ抵抗係数2021

    • 著者名/発表者名
      松田,筒井,山本,長岡,梶山
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:成長窓形成プロセスの検討2021

    • 著者名/発表者名
      太田 貴士、佐々木 満考、高山 研、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 分極接合基板のC-V特性において二段階変化が起こる要因の解明2021

    • 著者名/発表者名
      鬼村 和志、星井 拓也、松橋 泰平、沖田 寛昌、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生、中島 昭
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04172
  • [学会発表] Geのピエゾ抵抗効果(Ⅰ)2020

    • 著者名/発表者名
      松田和典,生田壮馬,中谷友哉,長岡史郎,筒井一生
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04478
  • [学会発表] 横型GaN FinFETの構造最適化についての検討2020

    • 著者名/発表者名
      久恒 悠介、金 相佑、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良2020

    • 著者名/発表者名
      高山 研、太田 貴士、佐々木 満孝、向井 勇人、濱田 拓也、高橋 言雄、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3D原子イメージング2019

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生、松下 智裕、名取 鼓太朗、小川 達博、室 隆桂之、森川 良忠、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、林 好一、松井 文彦、木下 豊彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Analyses of 3D Atomic Arrangements of Dopants in Si Crystal Using Spectro-photoelectron Holography2019

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui, K. Natori, T. Ogawa, T. Muro, T. Matsuishita, Y. Morikawa, T. Hoshii, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Hayashi, F. Matsui, T. Kinoshita
    • 学会等名
      Materials Research Meeting 2019 (MRM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [学会発表] High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing2019

    • 著者名/発表者名
      Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2019

    • 著者名/発表者名
      濱田 拓也、向井 勇人、高橋 言緒、井手 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] 光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析2019

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] Quantitative evaluation of interfacial charges at GaN/AlGaN interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      13tu Int. Conf. on Nitride Semiconductor (ICNS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析2019

    • 著者名/発表者名
      筒井一生, 松下智裕, 室隆桂之, 森川良忠, 名取鼓太郎, 小川達博, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Evaluation of Interfacial Charges at GaN/AlGaN Interfaces Grown by MOVPE using Triethylgallium2019

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hoshii, Hiromasa Okita, Taihei Matsuhashi, Indraneel Sanyal, Yu-Chih Chen, Ying-Hao Ju, Akira Nakajima, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Jen-Inn Chyi, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討2019

    • 著者名/発表者名
      高山研、向井勇人、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三総、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 放射光X線を用いたTaドープFe2VAlホイスラー型熱電材料のフォノン及び局所構造解析2019

    • 著者名/発表者名
      木村耕治, 山本健太, 林好一, 筒井智嗣, 山添誠司, 宮崎秀俊, 中神秀麻, J. R. Stellhorn, 細川伸也, 松下智裕, 田尻寛男, A. K. R. Ang, 西野洋一
    • 学会等名
      第16回日本熱電学会
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2019

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、清水 淳一、外山 真矢人、大橋 匠、宗田 伊理也、石原 聖也、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減2019

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、濱田 昌也、坂本 拓朗、谷川 晴紀、宗田 伊理也、石原 聖也、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春期学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製2019

    • 著者名/発表者名
      向井勇人、髙山研、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02192
  • [学会発表] 光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3D原子イメージング2019

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] Dopant structure measurements using photoelectron holography and its analysis tools2019

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Kazuo Tsutsui, Takayoshi Yokoya, Fumihiko Matui, and Hiroshi Daimon
    • 学会等名
      The 40th International Conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [学会発表] 3D Atomic Imaging of As Doped in Si by Spectro-Photoelectron Holography2019

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, and Toyohiko Kinoshita
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [学会発表] 光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング2019

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] 光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング2019

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生、松下 智裕、名取 鼓太朗、室 隆桂之、森川 良忠、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、林 好一、松井 文彦、木下 豊彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測2019

    • 著者名/発表者名
      筒井一生、松下智裕、名取鼓太郞、小川達博、室隆桂之、森川良忠、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、木下豊彦
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会/電子情報通信学会SDM研究会(合同開催)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-WRAPUP-19H05451
  • [学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2018

    • 著者名/発表者名
      濱田拓也, 向井勇人, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生
    • 学会等名
      第82回半導体・集積回路シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS2膜の結晶性改善2018

    • 著者名/発表者名
      濱田昌也、松浦賢太郎、谷川晴紀、大橋匠、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in Silicon by spectro-photoelectron holography technique2018

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      Int. Workshop on Junction Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善2018

    • 著者名/発表者名
      五十嵐 智、松浦 賢太朗、濱田 昌也、谷川 晴紀、坂本 拓朗、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減2018

    • 著者名/発表者名
      濱田 拓也、黒岩 宏紀、高橋 言緒、井手 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate2018

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Matsuura, Jun’ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去2018

    • 著者名/発表者名
      谷川 晴紀、松浦 賢太朗、濱田 昌也、坂本 拓朗、宗田 伊理也、星井 拓也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング2018

    • 著者名/発表者名
      向井 勇人、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Three-dimensional atomic imaging of dopants using atomic resolution holography2018

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Fumihiko Matsui, Hiroshi Daimon, Naohisa Happo, Sinya Hosokokawa, Kenji Ohoyama, Kazuo Tsutsui, Takayoshi Yokoya, Kouichi Hayashi
    • 学会等名
      14th Int. Conf. on Electron Spectroscopy and Structure (ICEESS-14)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Atomic Sites of Dopants in Si Visualized by Spectro-Photoelectron Holography2018

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Toyohiko Kinoshita
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs2018

    • 著者名/発表者名
      Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, and Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018

    • 著者名/発表者名
      大橋匠、坂本拓朗、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、石原聖也、日比野祐介、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] フラッシュランプアニールおよびポストアニールで活性/不活性化したSi中Asの軟X線光電子分光による評価2018

    • 著者名/発表者名
      小川 達博、名取 鼓太郎、星井 拓也、仲武 昌史、渡辺 義夫、永山 勉、樋口 隆弘、加藤 慎一、谷村 英昭、角嶋 邦之、若林 整、筒井 一生
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Analyses of 3D Atomic Arrangements of Impurity Atoms Doped in Silicon by Spectro-Photoelectron Holography Technique2018

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, and Toyohiko Kinoshita
    • 学会等名
      18th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Status of photoelectron holography at SPring-8:Experimental setup for time- and space-resolved technique and application to individual atomic imaging of multiple dopant sites2018

    • 著者名/発表者名
      Toyohiko Kinoshita, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Takuo Ohkochi, Hitoshi Osawa, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Kazuo Tsutsui, Kotaro Natori, Yoshitada Morikawa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, 他12名
    • 学会等名
      14th Int. Conf. on Electron Spectroscopy and Structure (ICEESS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film2018

    • 著者名/発表者名
      M. Hamada, K. Matsuura, T. Sakamoto, H. Tanigawa, T. Ohashi, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
    • 学会等名
      IEEE S3S Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2018

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、清水 淳一、外山 真矢人、大橋 匠、宗田 伊理也、石原 聖也、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018

    • 著者名/発表者名
      坂本拓朗、大橋匠、松 賢太朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in Silicon by spectro-photoelectron holography technique2018

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      Int. Workshop on Junction Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [学会発表] Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy2018

    • 著者名/発表者名
      T. Sakamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, Y. Suzuki, N. Ikarashi H. Wakabayashi
    • 学会等名
      IEEE S3S Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017

    • 著者名/発表者名
      大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、日比野祐介、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御2017

    • 著者名/発表者名
      黒岩 宏紀、濱田 拓也、高橋 言緒、井出 利英、清水 三聡、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋、筒井 一生
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] Active dopant concentration in Si(001) with ion-implanted dopant studied by angle resolved photoelectron spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Higa, S.N. Takeda, T. Ebato, M. Yoneda, A. Fujinaka, K. Morita, N. Morimoto, A.K.R. Ang, H. Daimon and K. Tsutsui
    • 学会等名
      The 8th International symposium on surface science(ISSS-8) 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布2017

    • 著者名/発表者名
      小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、角嶋邦之、若林整、筒井一生
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性2017

    • 著者名/発表者名
      外山 真矢人、大橋 匠、松浦 賢太朗、清水 淳一、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係2017

    • 著者名/発表者名
      名取 鼓太郎、筒井 一生、松下 智裕、室 隆桂之、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、林 好一、松井 文彦、森川 良忠、下村 勝、木下 豊彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017

    • 著者名/発表者名
      坂本拓朗、大橋匠、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製2017

    • 著者名/発表者名
      篠原 健朗、宗田 伊理也、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討2017

    • 著者名/発表者名
      渡部拓巳、久永真之祐、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Resistivity Reduction of Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film using Fluorine Gas2017

    • 著者名/発表者名
      Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi,Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      The 17th International Workshop on Junction Technology 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 角度分解光電子分光を用いたサブバンド測定によるイオン打ち込み Si(001) の反転層ポテンシャル勾配及び活性ドーパント濃度の評価2017

    • 著者名/発表者名
      比嘉 友大、武田 さくら、江波戸 達哉、米田 允俊、藤中 秋穂、森田 一帆、森本 夏輝、Ang Artoni Kevin、大門 寛、筒井 一生
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Crystallinity Improvement using Migration Enhancement Method for Sputtered-MoS2 Film2017

    • 著者名/発表者名
      Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山市)
    • 年月日
      2017-02-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET2017

    • 著者名/発表者名
      Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi and Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山市)
    • 年月日
      2017-02-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] トンネル電極を形成したスパッタMoS2膜における電流の障壁膜厚依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早川 直希、宗田 伊理也、大橋 匠、松浦 賢太朗、清水 淳一、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタMoS2膜上ALD-Al2O3膜の成長過程観察2017

    • 著者名/発表者名
      谷川晴紀、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、早川直希、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 表面近傍の活性ドーパント濃度の熱処理依存性2017

    • 著者名/発表者名
      比嘉友大、武田さくら、江波戸達也、米田允俊、藤中秋輔、森田一帆、森本夏輝、Ang Kevin、Tan Xin、大門寛、筒井一生
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing2017

    • 著者名/発表者名
      M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Atomic scale analyses of As doped in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy and spectro-photoelectron holography2017

    • 著者名/発表者名
      Kotaro Natori, Tatsuhiro Ogawa, Takuya Hoshii, Tomohiro Matsushia, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Yoshitada Morikawa, Kuniyuki Kakushima, Fumihiko Matsui, Kouichi Hayashi, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明2016

    • 著者名/発表者名
      武井優典、下田智裕、高橋昌靖、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィーによる評価2016

    • 著者名/発表者名
      名取 鼓太郎、筒井 一生、松下 智裕、室 隆桂之、木下 豊彦、星井 拓也、角嶋 邦之、若林 整、松井 文彦、下村 勝
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生
    • 学会等名
      第10回物性科学領域横断研究会
    • 発表場所
      神戸大学六甲第二キャンパス(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-12-09
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [学会発表] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • 発表場所
      東京大学物性研究所(千葉県柏市)
    • 年月日
      2016-12-21
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化2016

    • 著者名/発表者名
      大橋 匠、松浦 賢太朗、石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋 厚志、若林整
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生, 松下 智裕, 名取 鼓太郎, 室 隆桂之, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 林 好一, 松井 文彦, 木下 豊彦
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • 発表場所
      東京大学物性研究所(柏市)
    • 年月日
      2016-12-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2016

    • 著者名/発表者名
      K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta S. Ishihara, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura and H. Wakabayashi
    • 学会等名
      47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2016-12-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生
    • 学会等名
      第10回物性科学領域横断研究会
    • 発表場所
      神戸大学六甲第二キャンパス(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-12-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上2016

    • 著者名/発表者名
      清水淳一、大橋匠、松浦賢太朗、角嶋邦之、筒井一生、若林整
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成2016

    • 著者名/発表者名
      大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野裕介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター(東京)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • 発表場所
      東京大学物性研究所(千葉県柏市)
    • 年月日
      2016-12-21
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討2016

    • 著者名/発表者名
      黒岩 宏紀、武井 優典、高橋 言緒、井手 利英、清水 三聡、筒井 一生、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03972
  • [学会発表] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Low-Temperature Forming- Gas Annealing for 3D-IC2016

    • 著者名/発表者名
      J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
    • 学会等名
      2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
    • 発表場所
      つくば国際会議場(つくば市)
    • 年月日
      2016-09-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 産業応用技術における3D活性サイトイメージング:半導体中の不純物サイト2016

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 学会等名
      第29回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2016-01-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016

    • 著者名/発表者名
      筒井 一生, 松下 智裕, 名取 鼓太郎, 室 隆桂之, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 林 好一, 松井 文彦, 木下 豊彦
    • 学会等名
      第10回物性科学領域横断研究会
    • 発表場所
      神戸大学(神戸市)
    • 年月日
      2016-12-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上2016

    • 著者名/発表者名
      清水 淳一、大橋 匠、松浦 賢太朗、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 産業応用技術における3D活性サイトイメージング:半導体中の不純物サイト2016

    • 著者名/発表者名
      筒井一生
    • 学会等名
      第29回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
    • 発表場所
      柏の葉カンファレンスセンター(千葉県柏市)
    • 年月日
      2016-01-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明2016

    • 著者名/発表者名
      武井 優典、下田 智裕、高橋 昌靖、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化2016

    • 著者名/発表者名
      大橋 匠、松浦 賢太朗、石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性2015

    • 著者名/発表者名
      下田智裕、武井優典、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上2015

    • 著者名/発表者名
      松浦賢太朗、大橋匠、石原聖也、澤本直美、日比野祐介、須田耕平、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] Introduction of uneven structures under ohmic contacts to reduce contact resistances on AlGaN/GaN HEMTs2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui
    • 学会等名
      IEEE TENCON2015
    • 発表場所
      Macau (China)
    • 年月日
      2015-11-01
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性2015

    • 著者名/発表者名
      下田 智裕、武井 優典、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、岩井 洋
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Lowering Contact Resistances on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers: Effects of Configuration and Size of Lateral Patterns2015

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Takei, Tomohiro Shimoda, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai
    • 学会等名
      2015 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Ohmic contacts formation on AlGaN/GaN HEMTs by introducing uneven AlGaN layer structures2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui
    • 学会等名
      IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
    • 発表場所
      東京工業大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-02-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上2015

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、大橋 匠、石原 聖也、澤本 直美、日比野 祐介、須田 耕平、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Lowering contact resistances on AlGaN/GaN HEMT structures by introducing uneven AlGaN layers: Effects of configuration and size of lateral patterns2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Takei, T. Shimoda, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai
    • 学会等名
      Material Research Society Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston (USA)
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] Ohmic contacts formation on AlGaN/GaN HEMTs by introducing uneven AlGaN layer structures2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui
    • 学会等名
      IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
    • 発表場所
      東京工業大学 すずかけ台キャンパス(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2015-02-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001
  • [学会発表] Introduction of uneven structures under ohmic contacts to reduce contact resistances on AlGaN/GaN HEMTs2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui
    • 学会等名
      IEEE TENCON2015
    • 発表場所
      Macau, China
    • 年月日
      2015-11-01
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Ge基板上の弗化物絶縁膜へのSrF_2層導入による電流リーク制御2011

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 林優士, 萱沼良介, 齊藤昇, 筒井一生
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木市
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge基板上の弗化物絶縁膜へのSrF2層導入による電流リーク制御2011

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 林優士, 萱沼良介, 齊藤昇, 筒井一生
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川(震災により講演会中止)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] シリサイドバッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長2011

    • 著者名/発表者名
      萱沼良介 ,林優士, 齊藤昇, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木市
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] シリサイドバッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長2011

    • 著者名/発表者名
      萱沼良介, 林優士, 齊藤昇, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川(震災により講演会中止)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御2010

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 林優士, 萱沼良介, 齊藤昇, 筒井一生
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎市
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Epitaxial NiSi_2 Buffer Technique for Fluoride Resonant Tunneling Devices on Si2010

    • 著者名/発表者名
      Keita Takahashi, Yuki Yoshizumi, Yuji Fukuoka, Noboru Saito, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御2010

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 林優士, 萱沼良介, 齊藤昇, 筒井一生
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge(111)基板上への弗化物超薄膜の成長と共鳴トンネル素子への応用2010

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚市(東海大学)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs2010

    • 著者名/発表者名
      P. Ahmet, W. Hosoda, K. Noguchi, Y. Ohishi, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Iwai
    • 学会等名
      10th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2010)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      2010-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Epitaxial NiSi_2 Buffer Technique for Fluoride Resonant Tunneling Devices on Si2010

    • 著者名/発表者名
      Keita Takahashi, Yuki Yoshizumi, Yuji Fukuoka, Noboru Saito, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials(SSDM2010)
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Si基板上の弗化物共鳴トンネル素子のためのNiSi_2二段階成長2010

    • 著者名/発表者名
      齊藤昇, 吉住友樹, 福岡佑二, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚市(東海大学)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer2010

    • 著者名/発表者名
      W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
    • 学会等名
      China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC)
    • 発表場所
      上海、中国
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy of Very Thin Fluoride Films on Ge(111) and Its Application to Resonant Tunneling Diodes2010

    • 著者名/発表者名
      Keita Takahashi, Takao Oshita, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      52nd Electronic Materials Conference (EMC2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, USA.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長2010

    • 著者名/発表者名
      齊藤昇, 吉住友樹, 福岡佑二, 萱沼良介, 林優士, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge(111)基板上への弗化物超薄膜の成長と共鳴トンネル素子への応用2010

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Si基板上の弗化物共鳴トンネル素子のためのNiSi_2二段階成長2010

    • 著者名/発表者名
      齊藤昇, 吉住友樹, 福岡佑二, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] 酸化膜中のSiナノワイヤにおけるNi拡散の制御2010

    • 著者名/発表者名
      茂森直登, 新井英明, 佐藤創志, 角嶋クニユキ, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      平塚市
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy of Very Thin Fluoride Films on Ge (111) and Its Application to Resonant Tunneling Diodes2010

    • 著者名/発表者名
      Keita Takahashi, Takao Oshita, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      52nd Electronic Materials Conference (EMC 2010)
    • 発表場所
      Notre Dame, Indiana, USA
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長2010

    • 著者名/発表者名
      齊藤昇, 吉住友樹, 福岡佑二, 萱沼良介, 林優士, 高橋慶太, 筒井一生
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎市
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer In sertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
    • 学会等名
      G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
    • 発表場所
      Tokyo Institute of Technology, Japan
    • 年月日
      2009-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上の弗化物ヘテロ構造の成長2009

    • 著者名/発表者名
      吉住友樹, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge(111)基板上への弗化物超薄膜エピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] FinFETの構造ばらつきによるオン電流のばらつきの検討2009

    • 著者名/発表者名
      小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
    • 学会等名
      2009春季第56回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Ge(lll)基板上への弗化物超薄膜エピタキシヤル成長2009

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      つくば市(筑波大学)
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire2009

    • 著者名/発表者名
      H.Arai, H.Kamimura, S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
    • 学会等名
      216^<th> Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 年月日
      2009-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Ge(111)基板上への弗化物超薄膜エピタキシャル成長と共鳴トンネルダイオード試作2009

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市(富山大学)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Ge(111)基板上への弗化物超薄膜エピタキシャル成長と共鳴トンネルダイオード試作2009

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上の弗化物ヘテロ構造の成長2009

    • 著者名/発表者名
      吉住友樹, 齊藤昇, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市(富山大学)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] 2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化2009

    • 著者名/発表者名
      茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB一MOSFETへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
    • 学会等名
      2009春季第56回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用II2009

    • 著者名/発表者名
      小澤健児, 細田亘, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 服部健雄, 名取研二, 岩井洋
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] エピタキシャルNiSi_2バッファ層を用いたSi基板上への弗化物ヘテロ構造の成長2009

    • 著者名/発表者名
      吉住友樹, 横手善智, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      茨城
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, K.Kakushima, P.Ahmet, V.Ramgopal Rao, K.Tsutsui, H.Iwai
    • 学会等名
      G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
    • 発表場所
      Tokyo Institute of Technology, Japan
    • 年月日
      2009-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008

    • 著者名/発表者名
      又野克哉, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
    • 学会等名
      2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] NiSi2バッファ層を用いたSi基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの検討2008

    • 著者名/発表者名
      横手義智, 高橋慶太, 吉住友樹, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      春日井市(中部大学)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs: Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Ibaraki, Japan
    • 年月日
      2008-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用2008

    • 著者名/発表者名
      細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの検討2008

    • 著者名/発表者名
      横手義智, 高橋慶太, 吉住友樹, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers2008

    • 著者名/発表者名
      Yoshisa Ohishi, Kohei Noguchi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, and Hiroshi Iwai
    • 学会等名
      7th Int. Semiconductor Technology Conference (ECS-ISTC2008)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori and H. Iwai
    • 学会等名
      214th ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] FinFETにおけるショートチャネル効果のフィン幅依存性2008

    • 著者名/発表者名
      小林勇介, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, ラムゴパルラオ, 筒井一生, 岩井 洋
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学船橋キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Ge(111)基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの製作2008

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 横手義智, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会3p-ZQ-14
    • 発表場所
      愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] 高濃度n^+-Si及びp^+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い2008

    • 著者名/発表者名
      アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 長田貴弘, 筒井一生, 杉井信之, 知京豊裕, 服部健雄, 岩井 洋
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学船橋キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, Angada B. Sachidc, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V. Ramgopal Rao and H. Iwai
    • 学会等名
      214th ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Growth of Fluoride Quantum Well Heterostructures for Resonant Tunneling Devices on Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Talao Oshita, So Watanabe, Motoki Maeda
    • 学会等名
      213th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, USA.(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, A.B. Sachid, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
    • 学会等名
      214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Growth of ultra thin fluoride heterostructures on Ge (111) for quantum devices2008

    • 著者名/発表者名
      Takao Oshita, Keita Takahashi, Kazuo Tsutsui
    • 学会等名
      15th Int.Conf.on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Vancouver, Canada.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, K uniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
    • 学会等名
      Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2008-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silicide on N^+-Si by Direct Deposition of Group III Element (A1,B) Thin Film at Ni/Si Interface2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui, T. Shiozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, M. Suzuki, and H. Iwai
    • 学会等名
      Materials for Advanced Metalization (MAM2008)
    • 発表場所
      Dresden, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Ge(lll)基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの製作2008

    • 著者名/発表者名
      高橋慶太, 横手義智, 大下隆生, 筒井一生
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      春日井市(中部大学)
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360004
  • [学会発表] FinFETの閾値変動における短チャネル効果による影響の切り分け2008

    • 著者名/発表者名
      小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
    • 学会等名
      2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A.N. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai
    • 学会等名
      214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008

    • 著者名/発表者名
      野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井 洋
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学船橋キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
    • 学会等名
      211th ECS Meeting
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahment, K. Kakushima and H. Iwai
    • 学会等名
      212th ECS Meeting
    • 発表場所
      Washington D.C., USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討2007

    • 著者名/発表者名
      小林勇介, 角嶋邦之, Ahmet P., Rao V.R., 筒井一生, 岩井 洋
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] 極薄Er層を界面に挿入したNiSi/p-Siショットキー障壁の熱処理温度依存性2007

    • 著者名/発表者名
      野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井 洋
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063009
  • [学会発表] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響

    • 著者名/発表者名
      大賀 一樹、川那子 高暢、角嶋 邦之、片岡 好則、西山 彰、杉井 信之、若林 整、筒井 一生、名取 研二、岩井 洋
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 高温スパッタリング法によるMoS2膜の形成と電気特性

    • 著者名/発表者名
      松浦賢太朗,大橋匠,山口晋平,須田耕平,石原聖也,澤本直美,角嶋邦之,杉井信之,西山彰,片岡好則,名取研二,筒井一生,岩井洋,小椋厚志,若林整
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

    • 著者名/発表者名
      武井 優典、下田 智裕、筒井 一生、齋藤 渉、角嶋 邦之、若林 整、片岡 好則、岩井 洋
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 硬X線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析

    • 著者名/発表者名
      大賀一樹,陳江寧,川那子高暢,角嶋邦之,野平博司,片岡好則,西山彰,杉井信之,若林整,筒井一生,名取研二,岩井洋
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

    • 著者名/発表者名
      馬場 俊之、永久 雄一、川那子 高暢、角嶋 邦之、片岡 好則、西山 彰、杉井 信之、若林 整、筒井 一生、名取 研二、岩井 洋
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析

    • 著者名/発表者名
      武井優典,岡本真里,シン マン,萱沼玲,下田智裕,三井陽平,齋藤渉,筒井一生,角嶋邦之,若林整,片岡好則,岩井洋
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地平坦化による電気特性向上

    • 著者名/発表者名
      大橋 匠、山口 晋平、松浦 賢太朗、須田 耕平、石原 聖也、澤本 直美、角嶋 邦之、杉井 信之、西山 彰、片岡 好則、名取 研二、筒井 一生、岩井 洋、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Dependence of Ti/C Ratio on Ohmic contact with TiC electrode for AlGaN/GaN structure

    • 著者名/発表者名
      M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, K. Natori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito
    • 学会等名
      IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2014)
    • 発表場所
      Knoxville, Tennessee, USA
    • 年月日
      2014-10-13 – 2014-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 大面積MoS2膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、大橋 匠、山口 晋平、須田 耕平、石原 聖也、澤本 直美、角嶋 邦之、杉井 信之、西山 彰、片岡 好則、名取 研二、筒井 一生、岩井 洋、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] 高温スパッタリング法におけるMoS2薄膜化と電気特性

    • 著者名/発表者名
      大橋匠,山口晋平,松浦賢太朗,須田耕平,石原聖也,澤本直美,角嶋邦之,杉井信之,西山彰,片岡好則,名取研二,筒井一生,岩井洋,小椋厚志,若林整
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Low-resistive Contact Formation on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers

    • 著者名/発表者名
      Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, and Hiroshi Iwai
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • [学会発表] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, S. Yamaguchi, K. Matsuura, K. Kakushima, N. Sugii, A. Nishiyama, Y. Kataoka, K. Natori, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura and H. Wakabayashi
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県)
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105014
  • 1.  川崎 宏治 (10234056)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  古川 静二郎 (60016318)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  佐々木 公洋 (40162359)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  角嶋 邦之 (50401568)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 123件
  • 5.  星井 拓也 (20611049)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 39件
  • 6.  大門 寛 (20126121)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  林 好一 (20283632)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 13件
  • 8.  森川 良忠 (80358184)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 5件
  • 9.  福村 知昭 (90333880)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  岩井 洋 (40313358)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 62件
  • 11.  大津 元一 (70114858)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  興梠 元伸 (10251662)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  小林 伸彦 (10311341)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  松下 智裕 (10373523)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 15.  野村 琴広 (20304165)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  山田 容子 (20372724)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  細川 伸也 (30183601)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 18.  佐々木 裕次 (30344401)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  鷹野 優 (30403017)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  郷原 一寿 (40153746)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  若林 裕助 (40334205)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 20件
  • 22.  木下 豊彦 (60202040)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 23.  松井 文彦 (60324977)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 24.  田尻 寛男 (70360831)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 25.  清水 三聡 (10357212)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 13件
  • 26.  中島 昭 (60450657)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 27.  服部 健雄 (10061516)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 17件
  • 28.  パールハット アヘメト (00418675)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 44件
  • 29.  青柳 克信 (70087469)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  瀬川 勇三郎 (30087473)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  平山 秀樹 (70270593)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  石原 宏 (60016657)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  松田 和典 (10192337)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 34.  高橋 敏男 (20107395)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 35.  室 隆桂之 (50416385)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  大山 研司 (60241569)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  武田 さくら (30314537)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 38.  若林 整 (80700153)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 62件
  • 39.  長岡 史郎 (30300635)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 40.  服部 賢 (00222216)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  山田 永 (60644432)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  佐藤 信太郎
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  森 大輔
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 44.  川村 朋晃
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 45.  横森 清
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 46.  新谷 紀雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 47.  乾 雅祝
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 48.  バロン アルフレッド
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 49.  アルフレッド バロン
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 50.  梶原 行夫
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 51.  河村 能人
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 52.  山本 雅史
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 53.  松田 和博
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 54.  西野 洋一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

URL: 

この研究者とORCID iDの連携を行いますか?
※ この処理は、研究者本人だけが実行できます。

Are you sure that you want to link your ORCID iD to your KAKEN Researcher profile?
* This action can be performed only by the researcher himself/herself who is listed on the KAKEN Researcher’s page. Are you sure that this KAKEN Researcher’s page is your page?

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi