井上 直久  Inoue Naohisa

Physica B 376-377

ページ: 101-104

Physica B 376, 377

ページ: 101-104

Physica B (予定)

Semiconductor Silicon 2006 (The Electrochemical Society)

ページ: 453-460

Physica B B376-B377

ページ: 101-104

Semiconductor Silicon 2006 (The Electrochemical Society)

ページ: 461-470

Physica B

Materials Science & Engineering B

Materials Science & Engineering B (予定)

GADEST 2005 (発表予定)

シリコンテクノロジー No.68

ページ: 35-38

Solid State Phenomena 108, 109

ページ: 621-626

Solid State Phenomena 108, 109

ページ: 609-614

Solid State Phenomena 108-109

ページ: 609-614

Solid State Phenomena 108-109

ページ: 621-626

シリコンテクノロジー 68

ページ: 35-38

Silicon technology (in Japanese) No.68

ページ: 35-38

High Purity Silicon VIII

ページ: 69-76

High Purity Silicon VIII (The Electrochemical Society)

ページ: 102-108

Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon materials (JSPS)

ページ: 115-118

High Purity Silicon VIII

ページ: 102-108

Solid State Phenomena 95-96

ページ: 489-494

Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon Materials

ページ: 115-118

Solid State Phenomena 95, 96

ページ: 489-494

High Purity Silicon VIII (The Electrochemical Society)

ページ: 69-76

Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon materials (JSPS)

ページ: 119-122

Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon Materials

ページ: 119-122