岡本光央 Okamoto Mitsuo

研究者番号	60450665
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2019年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員 2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 2013年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者以外移動度劣化 / ESR / MOS界面 / 界面欠陥 / 炭化ケイ素 / 閾値変動 / 電子スピン共鳴分光 / 界面準位 / MOSFET / 4H-SiC … もっと見る / パワーエレクトロニクス / MOS界面欠陥 / GaN / SiC / 第一原理計算 / ダングリングボンド / 電子スピン共鳴 / 窒化ガリウム / ワイドギャップ半導体 / しきい値シフト / 界面水素 / チャネルドーピング / 界面窒素 / EDMR / しきい値電圧 / 電流検出ESR法 / ESR法 / 電界効果トランジスタ / 酸化膜界面 / チャネル移動度隠す

ワイドギャップ半導体（SiCおよびGaN）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英)
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明
- 研究代表者
  
  藤ノ木享英 (梅田享英 / 梅田享英 / 藤ノ木享英(梅田享英))
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000 )/ SiO2 interfaces with wet oxidation2020
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 15 ページ: 151602-151602
- DOI
  10.1063/1.5116170
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, M. Okamoto, T. Yamasaki, N. Tajima, J. Nara, T. Ohno, H. Yano, S. Harada, and T. Umeda
- 雑誌名
  
  J. Applied Physics
  
  巻: 125 号: 6 ページ: 065302-065302
- DOI
  10.1063/1.5066356
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03830, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 112 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4994241
- NAID
  120007133812
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Interface defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An electrically-detected-magnetic-resonance study2017
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 80 号: 1 ページ: 147-153
- DOI
  10.1149/08001.0147ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements2017
- 著者名/発表者名
  T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 4 ページ: 046601-046601
- DOI
  10.7567/apex.10.046601
- NAID
  210000135827
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation2014
- 著者名/発表者名
  M. Okamoto, Y. Makibuchi, M. Araoka, M. Miyazato, N. Sugahara, T. Tsutsumi, Y. Ohnishi, H. Kimura, S. Harada, K. Fukuda, A. Ohtsuki, H. Okumura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 975-978
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 414-417
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013
- 著者名/発表者名
  梅田享英, 岡本光央, 小杉亮治, 原田信介, 荒井亮, 佐藤嘉洋, 牧野高紘, 大島武, 奥村元
- 雑誌名
  
  シリコンテクノロジー（応用物理学会分科会）
  
  巻: 161 ページ: 98-102
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 58 ページ: 55-60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Identifications of major and minor interface defects at C-face 4H-SiC/SiO2 interfaces with wet oxidation2019
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] C面４H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥：EDMR分光からの知見2019
- 著者名/発表者名
  梅田享英，鹿児山陽平，富田和輝，阿部裕太，岡本光央，畠山哲夫，原田信介
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] Interface defects related to threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs: An EDMR study2017
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
- 学会等名
  232nd Electrochemical Society Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02781
[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、阿部裕太、Y.-W. Zhu、岡本光央、小杉亮治、原田信介、春山盛善、小野田忍、大島武
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本暢恒、小杉亮治、岡本光央、原田信介
- 学会等名
  第63回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Microscopic difference between dry and wet oxidations of C-face 4H-SiC MOSFFETs studied by electrically detected magnetic resonance2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, M. Okamoto, S. Harada, R. Arai, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance Study on Interface Defects Responsible forThreshold‐Voltage Shift in C‐face 4H‐SiC MOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, R. Arai, S.J. Ma, G.W. Kim, M. Okamoto, H. Yoshioka, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance2015
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, R. Arai, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
- 発表場所
  Sicily, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
- 著者名/発表者名
  荒井亮、梅田享英、佐藤嘉洋、岡本光央、原田信介、小杉亮治、奥村元、牧野高紘、大島武
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Study on Interface Defects in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistors
- 著者名/発表者名
  G.W. Kim, S.J. Ma, R. Arai, M. Okamoto, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima, T. Umeda
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, Y. Sato, R. Kosugi, M. Okamoto), S. Harada, H. Okumura
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face
- 著者名/発表者名
  T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  224th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET
- 著者名/発表者名
  岡本光央、巻渕陽一、荒岡幹、宮里真樹、須ケ原紀之　、堤岳志、大西泰彦、木村浩、原田信介、福田憲司、大月章弘、奥村元
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館、埼玉県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定
- 著者名/発表者名
  鹿児山陽平、岡本光央、小杉亮治、原田信介、牧野高紘、大島武、梅田享英
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by Capacitively Detected Magnetic Resonance
- 著者名/発表者名
  Y. Kagoyama, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054
[学会発表] Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation
- 著者名/発表者名
  M. Okamoto, Y. Makibuchi, M. Araoka, M. Miyazato, N. Sugahara, T. Tsutsumi, Y. Ohnishi, H. Kimura, S. Harada, K. Fukuda, A. Ohtsuki, H. Okumura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286054

1. 藤ノ木享英 (10361354)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 原田信介 (20392649)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 25件
3. 小杉亮治 (10356991)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
4. 大野隆央

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
5. 梅田享英

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 22件
6. 大島武

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

岡本 光央 Okamoto Mitsuo

研究課題

研究成果

共同研究者

ワイドギャップ半導体（SiCおよびGaN）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000 )/ SiO2 interfaces with wet oxidation2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Interface defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An electrically-detected-magnetic-resonance study2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Identifications of major and minor interface defects at C-face 4H-SiC/SiO2 interfaces with wet oxidation2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] C面４H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥：EDMR分光からの知見2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Interface defects related to threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs: An EDMR study2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

岡本光央 Okamoto Mitsuo