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財満 鎭明  ZAIMA Shigeaki

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

財満 鎮明  ZAIMA Shigeaki

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研究者番号 70158947
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 名城大学, 理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度: 名古屋大学, 未来社会創造機構, 教授
2017年度: 名古屋大学, 学内共同利用施設等, 教授
2015年度 – 2017年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
2014年度: 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授
2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … もっと見る
2013年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授
2011年度 – 2012年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2008年度 – 2010年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授
2007年度 – 2009年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授
2008年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授
2004年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授
2004年度: 名古屋大学, 工学研究科, 教授
2004年度: 国立大学法人名古屋大学, 先端技術共同研究センター, 教授
1997年度 – 2003年度: 名古屋大学, 先端技術共同研究センター, 教授
2001年度: 先端技術共同研究センター, 教授
2001年度: 名古屋大学, 先端技術共同センター, 教授
1991年度 – 1996年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授
1989年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授
1988年度: 名古屋大学, 工学部, 講師 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
薄膜・表面界面物性 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 表面界面物性 / 応用物性 / 工学 / 理工系
研究代表者以外
表面界面物性 … もっと見る / 応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 隠す
キーワード
研究代表者
エピタキシャル成長 / ゲルマニウム / シリコン / シリサイド / epitaxial growth / エネルギーバンド / コンタクト / 結晶工学 / 走査トンネル顕微鏡 / 半導体物性 … もっと見る / CoSi_2 / STM / 走査型トンネル顕微鏡 / Si / ゲルマニウム錫 / 結晶成長 / 表面・界面 / IV族半導体 / ひずみ / 錫 / 表面・界面物性 / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス / 半導体超微細化 / MOSFET / スケーリング則 / シリコンゲルマニウム / ニッケル / 界面 / Scanning Tunneling Microscope / Contact / Surface / Interface / Silicide / Nickel / Carbon / Silicon / 表面物件 / 界面物件 / 表面物性 / 界面物性 / カーボン / twin structure / multiple nucleation and layer growth / two-step growth / TEM / salicide technique / SK成長 / 界面反応過程 / 多層多核成長 / サーファクタント効果 / 反応バリア / 反応機構 / 双晶 / 多核多層成長 / 二段階成長法 / 透過電子顕微鏡 / サリサイド技術 / in-situ real-time observation / STS / HREELS / impurity / Hydrogen atom / Structural relaxation / initial oxidation process of Si / SiOィイD22ィエD2 interface / 高分解能エネルギー損失分充法 / リアルタイム観察 / 分光法 / 高分解能電子エネルギー損失分光法 / 不純物 / 表面吸着水素 / 構造緩和過程 / シリコン初期酸化過程 / SiO_2界面 / H-termination / contact / tunneling spectroscopy / interface / silicide / 水素終端 / トンネル分光法 / dynamic process RHEED oscillation / surface reaction / surface migration / 時間分解測定 / 表面反応 / RHEED振動 / 動的素過程 / 表面泳動 / エレクトロニクス / Ⅳ族半導体 / 集積回路 / LSI / 欠陥 / 高キャリア移動度 / スズ / ゲートスタック / スズ(錫) / CMOS / 歪 / 酸化 / 表面終端 / 格子欠陥 / 半導体工学 / 酸化現象 / 表面・界面物理 / 水素 / 超薄膜 / 特性ばらつき / ナノデバイスインテグリティ / ナノCMOS / デバイス設計・製造プロセス・超薄膜 / 電子デバイス / ポストスケーリング技術 / シリコンULSI / 歪ゲルマニウム / ゲートスタック構造 / ポストスケーリング / シグナルインテグリティ / 三次元構造デバイス / ナノ構造化メモリ / 超々大規模集積回路 / 高角度散乱暗視野走査透過電子顕微鏡 / エピタキシャル / コバルト / カーボン(炭素) / 走査型透過電子顕微鏡 / プラチナ / パラジウム / チタン … もっと見る
研究代表者以外
シリコン / 透過電子顕微鏡 / 高分解能電子エネルギー損失分光法 / 表面反応 / Germanium / Silicon / ゲルマニウム / FIB / その場観察 / ULSI / SiGe / RHEED / HREELS / Ge / 表面偏析 / SiGe混晶膜 / 薄膜成長 / 転位 / 格子欠陥 / 未結合手 / 水素終端シリコン表面 / 高分解能電子エネルギー損失分光 / 多軌道タイトバインディング法 / IV族元素 / ナノリボン / スピン軌道相互作用 / タイトバインディング近似 / 物質合成 / 物質設計 / エッジ状態 / 理論 / 物質創製 / 第一原理計算 / 二次元物質 / スタネン / ゲルマネン / シリセン / Initial Stage / {811} facet / Gas source molecular beam epitaxy / Hreteroepitaxy / In-situ observation / ファセット構造 / 成長初期段階 / 気相成長 / 反射電子回拆法 / {811}面 / 回相界面反応 / 秩序構造 / 固相界面反応 / ガスソ-ス分子線エピタキシャル法 / 反射電子回折法 / 成長初期過程 / Strain structure / Electron microscopy / Semiconductor property / Lattice defect / Crystal growth / Crystal engineering / 高分解能X線回析2次元逆格子マッピング / X線回折 / 欠陥 / ヘテロエピタキシャル / 歪み / 歪構造 / 電子顕微鏡 / 半導体物性 / 結晶成長 / 結晶工学 / Dielectric breakdown / Stress induced leakage current / Gate SiO_2 Films / Metal-oxide-Semiconductor(MOS) / Conductive atomic force microscopy / Scanning tunneling spectroscopy(STS) / Scanning tunneling microscopy(STM) / 電気伝導特性 / HfO_2 / 走査プローブ顕微鏡 / ストレス誘起リーク電流 / 高誘電率材料 / 金属酸化膜 / ゲート絶縁膜 / ストレス誘起欠陥 / 電流スポット / La_2O_3-Al_2O_3複合膜 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / ゲートSiO_2膜 / MOSキャパシタ / 絶縁破壊 / Metal-oxide-Semiconductor / 電荷トラップ / 極薄シリコン酸化膜 / 電流検出型原子間力顕微鏡 / 走査トンネル分光 / 走査型トンネル顕微鏡 / sample holder / degradation / electric field stress / PZT / ferroelectric film / in situ obervation / TEM / 電極 / 電圧ストレス / 試料ホルダー / 劣化 / 電界ストレス / PZT薄膜 / 強誘電体 / Schottky barrier / Si interface / Metal / Contact / 水素終端効果 / 自然酸化膜の抑制 / 水素同時添加効果 / Si(100)成長 / Si構造 / 超低抵抗コンタクト / コンタクト抵抗率 / 界面固相反応 / ショットキ障壁高さ / ショットキコンタクト特性 / Coシリサイド / Si界面 / ショットキー障壁 / Si 界面 / 金属 / コンタクト / SiGe epitaxial films / MBE / local bonding structure / initial oxidation process / H-terminated Si surface / CVD / 反射高速電子線回折 / Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長 / ガスソース分子線エピタキシ- / 表面反応メカニズム / 表面吸着水素 / 中心力ネットワークモデル / 一次元連鎖モデル / シリコン酸化過程 / 分子線エピタキシー / 局所構造 / 初期酸化過程 / 水素終端シリコン / 反射高速電子線回折法 / 化学気相成長 / Two-step growth method / Strain-relaxed Si_<1-x>Ge_x layrs / Band splittings / Impurity doping / Growth of Si_<1-x>Ge_x layrs / 磁気抵抗効果 / 不純物濃度制御 / 歪量子井戸構造 / 東縛励起子発光 / 不純物ドープ / 低温成長 / SiGe薄膜 / 二段階成長法 / 無歪基板形成技術 / バンドスプリット / 不純物ド-ピング技術 / SiGe膜成長 / surface segregation / surface migration / Si epitaxy / hydrogen / high-resolution electron energy loss spectroscopy / 表面反応過程 / ダイハイドライド構造 / 初期酸化 / 表面拡散 / エピタキシャル成長 / 水素 / SiGe thin film / Anderson localization / negative magnetoresistance / 1D-VRH / p-Si wire / 磁気抵抗 / 1次元ホッピング伝導 / 不純物伝導 / 擬1次元キャリア / アンダーソン局在 / 負の磁気抵抗 / 一次元可変領域ホッピング伝導 / p型Si細線 / Thin film growth / Time-dependent measurement / Reaction process / Surface reaction / Vibration-excited spectroscopy / 界面モ-ド / 格子振動 / 時間分解 / 反応素過程 / 振動励起分光 / 異種材料 / 半導体プロセス / チップ搭載チップ / 異分野融合 / モバイル端末 / ヒューマン・インターフェース・デバイス / 超高速・低消費 / 超機能グローバル / 多機能化 / ヘルスケアチップ / 半導体 / インターフェース / 微細加工 / システム / 超機能化 / 集積回路 / インテグレーション / ハイドープ / ボロン / シリサイド / 低温エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ法 / 水素サーファクタント成長 / 固相エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタ / 歪成長 / スパッタ粒子のエネルギーの低減 / スパッタ法のMCシミュレーション / 界面層 / 歪緩和バッファ層 / シリコンゲルマニウムカーボン / Bの高濃度ドープ / 走査トンネル顕微鏡 / 2次元逆格子マッピングX線回折法 / B高濃度ドーピング / 熱電効果 / バッファ層 / 歪緩和 / シリコンゲルマニウムカーボンバッファ層 / シリコンゲルマニウム / 自然酸化 / ラジカル / 気相-固相反応 / 水素終端面 / 水素ラジカル 隠す
  • 研究課題

    (29件)
  • 研究成果

    (647件)
  • 共同研究者

    (37人)
  •  新規IV族系二次元物質の創製

    • 研究代表者
      白石 賢二
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2005
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御

    • 研究代表者
      酒井 朗
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

    • 研究代表者
      近藤 博基, 安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究

    • 研究代表者
      堀池 靖浩
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2004
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
      東京大学
  •  その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究

    • 研究代表者
      酒井 朗
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  反応性エピタキシャル成長によるCoSi_2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎮明 (財満 鎭明)
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明 (財満 鎮明)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎮明 (財満 鎭明)
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  エピタキシャル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究研究代表者

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キャリア系の量子輸送機構の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  時間分解振動励起分光法の開発と半導体薄膜成長素過程の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  固相界面反応を伴うシリコンヘテロエピタキシャル成長機構の解明

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学

すべて 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-2013

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明、中塚理、高木信一(全執筆者57名)
    • 総ページ数
      510
    • 出版者
      株式会社エヌ・ティー・エヌ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [図書] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-(序論 : 財満、2.3. 3節 : 中塚)2013

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明、中塚理(共著者の一部)
    • 総ページ数
      510
    • 出版者
      株式会社エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination2019

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 58 号: SA ページ: SAAD02-SAAD02

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaeb36

    • NAID

      210000135207

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Influence of Sn precursors on Ge1-xSnx growth using metal-organic chemical vapor deposition2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Miki, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 58 号: SA ページ: SAAD07-SAAD07

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaec1a

    • NAID

      210000135228

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process2019

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 12 号: 5 ページ: 051016-051016

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab1969

    • NAID

      210000155747

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-16J10846, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] Formation of ultra-low resistance contact with nickel stanogermanide/heavily doped n+-Ge1-xSnx structure2018

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 33 号: 12 ページ: 124001-124001

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aae624

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Growth and electrical properties of in situ Sb-doped Ge1-xSnx epitaxial layers for source/drain stressor of strained-Ge transistors2018

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 12 ページ: 121303-121303

    • DOI

      10.7567/jjap.57.121303

    • NAID

      210000149846

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FJ02-04FJ02

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fj02

    • NAID

      210000148950

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919, KAKENHI-PROJECT-16J10846
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of heavily doped n+-Ge layers using metal-organic chemical vapor deposition with in situ phosphorus doping2018

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 645 ページ: 57-63

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2017.10.013

    • NAID

      120006473524

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si2018

    • 著者名/発表者名
      S. Gupta, Y. Shimura, O. Richard, B. Douhard, E. Simoen, H. Bender, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Heyns
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 113 号: 19 ページ: 192103-192103

    • DOI

      10.1063/1.5048683

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2018

      巻: 86 号: 7 ページ: 321-328

    • DOI

      10.1149/08607.0321ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919
  • [雑誌論文] Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1? x ? y Sn y ternary alloy interlayer on Ge2018

    • 著者名/発表者名
      Suzuki Akihiro、Nakatsuka Osamu、Sakashita Mitsuo、Zaima Shigeaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 6 ページ: 060304-060304

    • DOI

      10.7567/jjap.57.060304

    • NAID

      210000149097

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03565, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 7S2 ページ: 07MA05-07MA05

    • DOI

      10.7567/jjap.57.07ma05

    • NAID

      210000149378

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructure2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 33 号: 12 ページ: 124018-124018

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aaebb5

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 112 号: 6 ページ: 062104-062104

    • DOI

      10.1063/1.4997369

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-17H04919, KAKENHI-PROJECT-16J10846
  • [雑誌論文] Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 156-161

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.10.024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] In situ phosphorus-doped Ge1-xSnx layers grown using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 32 号: 12 ページ: 124001-124001

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aa90d2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Tech.

      巻: 32 号: 10 ページ: 104008-104008

    • DOI

      10.1088/1361-6641/aa80ce

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Modulation of Fermi level pining position at metal/n-Ge interface by semimetal Ge1-xSnx and Sn interlayers2017

    • 著者名/発表者名
      A. Suzukia, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Semicond. Proc.

      巻: 印刷中 ページ: 162-166

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.12.028

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03565, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate2017

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 151-155

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.12.038

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] EXAFS study of local structure contributing to Sn stability in SiyGe1-y-zSnz2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, M. Fukuda, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 70 ページ: 133-138

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2016.11.013

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Selective growth of Ge1-xSnx epitaxial layer on patterned SiO2/Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, T. Washizu, S. Ike, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 1S ページ: 01AC05-01AC05

    • DOI

      10.7567/jjap.57.01ac05

    • NAID

      210000148543

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 111 号: 19 ページ: 192106-192106

    • DOI

      10.1063/1.4995812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: - ページ: 614-619

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.10.013

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J10705, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2017

      巻: 80 号: 4 ページ: 253-258

    • DOI

      10.1149/08004.0253ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction2016

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2016

      巻: 75 号: 8 ページ: 769-775

    • DOI

      10.1149/07508.0769ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] Determination of a 3D Displacement Field at a Vicinity of a GeSn/Ge Interface by the Phase Retrieval of Electron Rocking Curves2016

    • 著者名/発表者名
      M. Miura, S. Fujinami, K. Saitoh, N. Tanaka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      AMTC Lett.

      巻: 5 ページ: 46-47

    • DOI

      10.1002/9783527808465.emc2016.6141

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer2016

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 4S ページ: 04EB13-04EB13

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04eb13

    • NAID

      120005898483

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15H03565, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)

      巻: 21 ページ: 5-8

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 56 号: 4S ページ: 04CR10-04CR10

    • DOI

      10.7567/jjap.56.04cr10

    • NAID

      210000147682

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 8S2 ページ: 08PC05-08PC05

    • DOI

      10.7567/jjap.55.08pc05

    • NAID

      210000147000

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates2016

    • 著者名/発表者名
      S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 598 ページ: 72-81

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.11.048

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価2016

    • 著者名/発表者名
      金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 116 ページ: 37-41

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 8S2 ページ: 08PE04-08PE04

    • DOI

      10.7567/jjap.55.08pe04

    • NAID

      120005898481

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)

      巻: 21 ページ: 17-20

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property2016

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 56 号: 1S ページ: 01AB05-01AB05

    • DOI

      10.7567/jjap.56.01ab05

    • NAID

      210000147365

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 602 ページ: 7-12

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2015.10.043

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10698, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] Characterization of Shallow-and Deep-Level Defects in Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements2016

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 5 号: 4 ページ: 3082-3086

    • DOI

      10.1149/2.0151604jss

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 116 ページ: 447-459

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長2016

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)

      巻: 21 ページ: 21-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 75 号: 8 ページ: 481-487

    • DOI

      10.1149/07508.0481ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] 金属誘起層交換法によるAg上Si,Ge極薄膜の形成-シリセン,ゲルマネンの創製を目指して-2016

    • 著者名/発表者名
      [1]黒澤昌志,大田晃生,洗平昌晃,財満鎭明
    • 雑誌名

      表面科学

      巻: 37 ページ: 374-379

    • NAID

      130005405053

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03564
  • [雑誌論文] Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 108 号: 5 ページ: 052104-052104

    • DOI

      10.1063/1.4941236

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaha, S. Shibayama, T. Asano, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 108 号: 6 ページ: 061909-061909

    • DOI

      10.1063/1.4941991

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15J10995, KAKENHI-PROJECT-15J11163, KAKENHI-PROJECT-14J10698
  • [雑誌論文] Influence of precursor gas on SiGe epitaxial material quality in terms of structural and electrical defects2016

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 4S ページ: 1-5

    • DOI

      10.7567/jjap.55.04ej11

    • NAID

      210000146374

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 -直接遷移構造化を目指して-2015

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 115 ページ: 35-37

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Mobility Behavior of Polycrystalline Si<sub>1-<i>x</i>-<i>y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>Sn<sub><i>y</i></sub> Grown on Insulators2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 40 号: 4 ページ: 351-354

    • DOI

      10.14723/tmrsj.40.351

    • NAID

      130005113361

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15J11163
  • [雑誌論文] Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction2015

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 号: 18 ページ: 182104-182104

    • DOI

      10.1063/1.4921010

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] Epitaxial Ge1-xSnx Layers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: 4 号: 8 ページ: 59-61

    • DOI

      10.1149/2.0041508ssl

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870261, KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-14J10698, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita
    • 雑誌名

      Science and Technology of Advanced Materials

      巻: 16 号: 4 ページ: 043502-043502

    • DOI

      10.1088/1468-6996/16/4/043502

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 号: 17 ページ: 171908-171908

    • DOI

      10.1063/1.4919451

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation2015

    • 著者名/発表者名
      N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 106 号: 6 ページ: 061107-061107

    • DOI

      10.1063/1.4908121

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J10698, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO22015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid State Electronics

      巻: 110 ページ: 54-58

    • DOI

      10.1016/j.sse.2015.01.005

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J04434, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition2015

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kimihiko, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 106 号: 6 ページ: 061107-061107

    • DOI

      10.1063/1.4908066

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13J10462, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54

    • NAID

      210000145166

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates2015

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 110 ページ: 49-53

    • DOI

      10.1016/j.sse.2015.01.006

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 雑誌名

      ECS Trans. 2015

      巻: 69 号: 10 ページ: 89-98

    • DOI

      10.1149/06910.0089ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605, KAKENHI-PROJECT-15J11163, KAKENHI-PROJECT-14J10698, KAKENHI-PROJECT-14J10705
  • [雑誌論文] High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization2015

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 107 号: 2 ページ: 022103-022103

    • DOI

      10.1063/1.4926507

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870261, KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果2015

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報 IEICE Technical Report

      巻: 115 ページ: 63-68

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline properties2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA11-08KA11

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka11

    • NAID

      210000145540

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [雑誌論文] Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: VOL. 30 ページ: 192-196

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2014.01.031

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性2014

    • 著者名/発表者名
      加藤 公彦, 浅野 孝典, 田岡 紀之, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会「ゲートスタック研究会―材料. プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

      ページ: 37-40

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件2014

    • 著者名/発表者名
      柴山 茂久, 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 田岡 紀之, 中塚 理, 財満 鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

      ページ: 13-16

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate2014

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 雑誌名

      Advanced Materials Research

      巻: VOL. 896 ページ: 245-248

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/amr.896.241

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode2014

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: VOL. 53 号: 4S ページ: 04EA06-04EA06

    • DOI

      10.7567/jjap.53.04ea06

    • NAID

      210000143548

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Large grain growth of Ge-rich Gel-x Snx (x=0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water2014

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: VOL. 104 号: 6 ページ: 61901-61901

    • DOI

      10.1063/1.4864627

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 30 ページ: 276-281

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.088

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl203/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価2014

    • 著者名/発表者名
      吉田 鉄兵, 加藤 公彦, 柴山 茂久, 坂下 満男, 田岡 紀之, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会rゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回研究報告会)

      ページ: 131-134

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al203/Ge structure on interfacial properties2014

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: VOL. 30 ページ: 282-287

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.084

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Development of epitaxial growth technology for Ge_<1-x>Sn_x alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electron

      巻: 83 ページ: 82-86

    • DOI

      10.1016/j.sse.2013.01.040

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma2013

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: VOL. 103 号: 3 ページ: 33511-33511

    • DOI

      10.1063/1.4815925

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] "Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: VOL. 103 号: 10 ページ: 101904-101904

    • DOI

      10.1063/1.4820405

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al203/Ge Interface2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: VOL. 58 号: 9 ページ: 301-308

    • DOI

      10.1149/05809.0301ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013

    • 著者名/発表者名
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      ページ: 39-42

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Effects of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of GeO_2/Ge Structures2013

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, Wakana Takeuchi, Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 1S ページ: 01AC04-01AC04

    • DOI

      10.7567/jjap.52.01ac04

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 雑誌名

      ECS Trans

      巻: 58 号: 9 ページ: 149-155

    • DOI

      10.1149/05809.0149ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      ページ: 39-42

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 103 号: 8 ページ: 82114-82114

    • DOI

      10.1063/1.4819127

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Interfacial Reaction Mechanisms in Al_2O_3/Ge Structure by Oxygen Radical2013

    • 著者名/発表者名
      Kimihiko Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 4S ページ: 04CA08-04CA08

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04ca08

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Effect of Gate Metal on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2013

    • 著者名/発表者名
      Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
    • 雑誌名

      Solid State Electronics

      巻: 83 ページ: 56-60

    • DOI

      10.1016/j.sse.2013.01.029

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Technology Evolution for Silicon Nanoelectronics : Postscaling Technology2013

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 52 号: 3R ページ: 30001-30001

    • DOI

      10.7567/jjap.52.030001

    • NAID

      210000141853

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      ページ: 39-42

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al_2O_3/Ge Gate Stack Structure2013

    • 著者名/発表者名
      Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 417 ページ: 012001-012001

    • DOI

      10.1088/1742-6596/417/1/012001

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 号: 8 ページ: 3206-3210

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.084

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明2012

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 112 ページ: 27-32

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第17回研究会)

      巻: なし ページ: 125-128

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Low temperature formation of Si_<1-x-y>Ge_xSn_y-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge_<1-z>Sn_z/Si-on-insulator substrates2012

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, K. Mochizuki, Y. Shimura, T. Yamaha, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 号: 8 ページ: 3288-3292

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content2012

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 50 ページ: 897-902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 112 ページ: 37-42

    • NAID

      110009588302

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Growth of Ge_<1-x>Sn_x heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 520 号: 8 ページ: 3201-3205

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.153

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation2012

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 1S ページ: 01AJ01-01AJ01

    • DOI

      10.1143/jjap.51.01aj01

    • NAID

      210000071710

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Al2O3/Ge に対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012

    • 著者名/発表者名
      柴山 茂久, 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第17回研究会)

      巻: なし ページ: 129-132

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Control of Strain Relaxation Behavior of Ge_<1-x>Sn_x Layers, Solid-State Electronics2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimura, S.Takeuchi, N.Tsutsui, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 ページ: 84-88

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明2011

    • 著者名/発表者名
      足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

      ページ: 123-126

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Formation of Ni(Ge_<1-x>Sn_x) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge_<1-x>Sn_x/Ge Systems2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, Y.Shimura, S.Takeuchi, B.Vincent, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 ページ: 46-52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors2011

    • 著者名/発表者名
      B.Vincent, Y.Shimura, S.Takeuchi, T.Nishimura, G.Eneman, A.Firrincieli, J.Demeulemeester, A.Vantomme, T.Clarysse, O.Nakatsuka, S.Zaima, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo
    • 雑誌名

      Microelectron.Eng.

      巻: 88 ページ: 342-346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

      ページ: 99-102

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(111) and (001) Schottky contacts2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, O.Nakatsuka, S.Akimoto, W.Takeuchi, S.Zaima
    • 雑誌名

      Microelectron.Eng.

      巻: 88 ページ: 605-609

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 号: 1 ページ: 46-52

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.025

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2011

    • 著者名/発表者名
      M.Adachi, M.Sakashita, H.Kondo, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 50

    • NAID

      210000070244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors2011

    • 著者名/発表者名
      B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo
    • 雑誌名

      Microelectron. Eng.

      巻: 88 号: 4 ページ: 342-346

    • DOI

      10.1016/j.mee.2010.10.025

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] GeSn Technology : Impact of Sn on Ge CMOS Applications2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
    • 雑誌名

      ECS Trans

      巻: 41 号: 7 ページ: 231-238

    • DOI

      10.1149/1.3633303

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts2011

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Microelectron. Eng.

      巻: 88 号: 5 ページ: 605-609

    • DOI

      10.1016/j.mee.2010.08.014

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Al_2O_3界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

      ページ: 55-58

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 号: 4S ページ: 04DA08-04DA08

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04da08

    • NAID

      210000070244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 号: 1 ページ: 84-88

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 4S ページ: 04DA17-04DA17

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04da17

    • NAID

      210000070253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer2011

    • 著者名/発表者名
      C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 98 号: 19

    • DOI

      10.1063/1.3589992

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果2011

    • 著者名/発表者名
      古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)

      ページ: 51-54

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 号: 1 ページ: 53-57

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.022

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Ge_<1-x>Sn_x stressors for strained-Ge CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, Y.Shimura, T.Nishimura, B.Vincent, G.Eneman, T.Clarysse, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 ページ: 53-57

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 10S ページ: 10PE02-10PE02

    • DOI

      10.1143/jjap.50.10pe02

    • NAID

      210000071422

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J06058, KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen2011

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics

      巻: 60 号: 1 ページ: 70-74

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.029

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [雑誌論文] Formation Processes of Ge_3N_4 Films by Radical Nitridation and Their Electrical Properties2010

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518(6)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 96

      ページ: 12105-12105

    • NAID

      120002414452

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Laver2010

    • 著者名/発表者名
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. (掲載決定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246009
  • [雑誌論文] Low temperature growth of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers for tensile-strained Ge layers2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimura, N.Tsutsui, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Low temperature growth of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers for tensile-strained Ge layers2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518(6)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing2010

    • 著者名/発表者名
      T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518(6)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor2010

    • 著者名/発表者名
      H.Kondo, S.Sakurai, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

    • NAID

      120002414452

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 48

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009

    • 著者名/発表者名
      H.Kondo, K.Furumai, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • NAID

      210000066523

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Effects of Atomic Layer Deposition-Al_2O_3 Interface Layers on Interfacial Properties of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2009

    • 著者名/発表者名
      R. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, H. Kondo, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 48

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si_<1-x>Ge_x Structures on Si(001) Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 53(11)

      ページ: 1198-1201

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Nitrogen-Content Dependence of Crystalline Structures and Resistivity of Hf-Si-N Gate Electrodes for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      K. Miyamoto, K. Furumai, B.E. Urban, H. Kondo, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 48

    • NAID

      210000066495

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Microstructures in directly bonded Sisubstrates2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 53

      ページ: 837-840

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti-Si-N Metal-Oxide-Semiconductor Gate Electrodes2009

    • 著者名/発表者名
      H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 48

    • NAID

      210000066523

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)

      ページ: 2402-2406

    • NAID

      10022551560

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517(1)

      ページ: 80-83

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2420-2424

    • NAID

      10022549067

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa and S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 47(4)

      ページ: 2420-2424

    • NAID

      10022549067

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci 254(19)

      ページ: 6048-60651

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517(1)

      ページ: 159-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System2008

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2402-2406

    • NAID

      10022551560

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, and A.Sakai
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications2008

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima, O.Nakatsuka, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 80-83

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates2008

    • 著者名/発表者名
      E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517(1)

      ページ: 323-326

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47(4)

      ページ: 2420-2424

    • NAID

      10022549067

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517(1)

      ページ: 159-162

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 159-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, A. Sakai
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge (001) Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [雑誌論文] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2420-2424

    • NAID

      10022549067

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Growth of highly strain-relaxed Ge_<1-x> Sn_x/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method2008

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, Y.Shimura, O.Nakatsuka, S.Zaima, M.Ogawa, A.Sakai
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価2007

    • 著者名/発表者名
      鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)

      ページ: 251-256

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers grown on various types of substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22(1)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007

    • 著者名/発表者名
      山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)

      ページ: 197-202

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [雑誌論文] Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価2007

    • 著者名/発表者名
      池野大輔, 古米孝平, 近藤博基, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
    • 雑誌名

      特別研究会研究報告"ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-"(第12回研究会)

      ページ: 277-282

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジ-2007

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 雑誌名

      未来材料 第7巻、第5号

      ページ: 62-66

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [雑誌論文] Comparison Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes2007

    • 著者名/発表者名
      D.Ikeno, K.Furumai, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46 (4B)

      ページ: 1865-1869

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_1-xSn_x buffer layers grown on various types of substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, A.Sakai, K.Yamamoto, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 22 (1)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrode2007

    • 著者名/発表者名
      D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. phys. 46(4B)

      ページ: 1865-1869

    • NAID

      10022545673

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [雑誌論文] Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni,Pt)-Germanide Gate Electrodes2007

    • 著者名/発表者名
      D.Ikeno, Y.Kaneko, H.Kondo, M.Sakashita, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46, No. 4B(印刷中)

    • NAID

      10022545673

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
    • 雑誌名

      ECS Trans 3(7)

      ページ: 1197-1203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [雑誌論文] Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction2006

    • 著者名/発表者名
      S.Mochizuki, A.Sakai, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508 (1-2)

      ページ: 128-131

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] 次世代シリコンULSIに向けたIV族系半導体ヘテロ界面のひずみと転位の制御技術と評価2006

    • 著者名/発表者名
      酒井朗, 財満鎭明
    • 雑誌名

      応用物理 75 (4)

      ページ: 426-434

    • NAID

      10017540920

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates2006

    • 著者名/発表者名
      N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508 (1-2)

      ページ: 147-151

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Engineering of strain and dislocations at group IV semiconductor thin-film interfaces for next-generation silicon ULSI2006

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, S.Zaima
    • 雑誌名

      OYO BUTSURI 75 (4)

      ページ: 426-434

    • NAID

      10017540920

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 82 (3-4)

      ページ: 479-484

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations2005

    • 著者名/発表者名
      N.Taoka, A.Sakai, T.Egawa, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8 (1-3)

      ページ: 131-135

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Analysis of Microstructures in SiGe Buffer Layers on sSilicon-on-Insulator Substrates2005

    • 著者名/発表者名
      N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima, T.Tezuka, N.Sugiyama, S.Takagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44(10)

      ページ: 7356-7363

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17636001
  • [雑誌論文] Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations2005

    • 著者名/発表者名
      N.Taoka, A.Sakai, T.Egawa, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8(1-3)

      ページ: 131-135

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2005

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8

      ページ: 5-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems2005

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 86

    • NAID

      120000979691

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2005

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8 (1-3)

      ページ: 5-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si2005

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004)

      ページ: 293-298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Control of strain and dislocation structures of Si_<1-x>,Ge_x buffer layers2005

    • 著者名/発表者名
      N.Taoka, A.Sakai, S.Mochizuki, O.Nakatsuka, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Journal of the Japanese Association of Crystal Growth 32

      ページ: 89-98

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Si_<1-x>Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御2005

    • 著者名/発表者名
      田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 32

      ページ: 89-98

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si2005

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004) 293

      ページ: 293-298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 82

      ページ: 479-484

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Dislocation and strain engineering for SiGe buffer layers on Si2005

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, S.Mochizuki, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Crystalline Defects and Contamination : Their Impact and Control in Device Manufacturing IV, DECON 2005, Proceedings of the Satellite Symposium to 35th European Solid-State Device Research Conference 2005 2005-10

      ページ: 16-29

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation2005

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, Y.Yasuda, S.Zaima
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 82(3-4)

      ページ: 479-484

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects In Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)

      ページ: 4679-4682

    • NAID

      10013431900

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      Akiyoshi Seko, Yukihiko Watanabe, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B

      ページ: 4683-4686

    • NAID

      10013431909

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Dislocation engineering for high-quality SiGe epitaxial films on Si substrates2004

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proceedings of The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

      ページ: 245-250

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004

    • 著者名/発表者名
      E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237 (1-4)

      ページ: 150-155

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] SiおよびSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成2004

    • 著者名/発表者名
      中塚理, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
    • 雑誌名

      電気学会研究会資料(電子材料研究会) EFM-04

      ページ: 25-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004

    • 著者名/発表者名
      E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237(1-4)

      ページ: 150-155

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Behavior of Local Current Leadage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)

      ページ: 4683-4686

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(2A)

    • NAID

      10012038848

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.7B

      ページ: 4679-4682

    • NAID

      10013431900

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi_2 on Si(100)2004

    • 著者名/発表者名
      E.Okada, O.Nakatsuka, S.Oida, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 237

      ページ: 150-155

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Si及びSi_<1-x-y>Ge_xC_y上のNiシリサイド形成2004

    • 著者名/発表者名
      中塚理, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
    • 雑誌名

      電気学会研究会資料(電子材料研究会) EFM-04

      ページ: 25-30

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y2004

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Reports of DENKI GAKKAI KENKYUUKAI (DENSHI ZAIRYOU KENKYUUKAI) EFM-04

      ページ: 25-30

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004

    • 著者名/発表者名
      Yukihiko Watanabe, Akiyoshi Seko, Hiroki Kondo, Akira Sakai, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal Applied Physics Vol.43, No.4B

      ページ: 1843-1847

    • NAID

      10012948668

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] 電流注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2004

    • 著者名/発表者名
      世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
    • 雑誌名

      信学論 J87-C (8)

      ページ: 616-624

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)

      ページ: 4679-4682

    • NAID

      10013431900

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Watanabe, A.Seko, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(4B)

      ページ: 1843-1847

    • NAID

      10012948668

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition2004

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, O.Nakatsuka, Y.Wakazono, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Materials Science and Semiconductor Processing 8(1-3)

      ページ: 5-9

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy2004

    • 著者名/発表者名
      A.Seko, Y.Watanabe, H.Kondo, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)

      ページ: 4683-4686

    • NAID

      10013431909

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析2003

    • 著者名/発表者名
      世古明義, 渡辺行彦, 近藤博基, 酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫
    • 雑誌名

      Technical report of IEICE(信学技報) 103

      ページ: 1-6

    • NAID

      110003202684

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Local Leakage Current of HfO_2 Thin Films Characterized by Conducting Atomic Force Microscopy2003

    • 著者名/発表者名
      H.Ikeda, T.Goto, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 42(4B)

      ページ: 1949-1953

    • NAID

      10010800794

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002

    • 著者名/発表者名
      J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
    • 雑誌名

      Microelectronics Journal 33(5-6)

      ページ: 429-436

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Characterization of defect traps in SiO_2 thin films influence of temperature on defects2002

    • 著者名/発表者名
      H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)

      ページ: 2463-2467

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Growth processes and electrical characteristics of silicon nitride films formed on Si(100) by radical nitrogen.2002

    • 著者名/発表者名
      H.Ikeda, D.Matsushita, S.Naito, K.Ohmori, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)

      ページ: 2463-2467

    • NAID

      10015752767

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Structural and electrical characteristics of HfO_2 films fabricated by pulsed laser deposition2002

    • 著者名/発表者名
      H.Ikeda, S.Goto, K.Honda, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 41(4B)

      ページ: 2476-2479

    • NAID

      110003310815

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy2002

    • 著者名/発表者名
      J.-Y.Rosaye, N.Kurumado, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, P.Mialhe, J.-P.Charles, S.Zaima, Y.Yasuda, Y.Watanabe
    • 雑誌名

      Microelectronics Journal 33(5-6)

      ページ: 429-436

    • NAID

      10012038848

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Local electrical characteristics of ultra-thin SiO_2 films formed on Si(100) surfaces2001

    • 著者名/発表者名
      H.Ikeda, N.Kurumado, K.Ohmori, M.Sakashita, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Surface Science 493

      ページ: 653-658

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Real-time observation of initial oxidation on highly B-doped Si(100)-2x1 surfaces using scanning tunneling microscopy2001

    • 著者名/発表者名
      K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors

      ページ: 329-330

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Real-time observation of initial oxdation on highly B-doped Si(100)-2xl surfaces using scanning tunneling microscopy2001

    • 著者名/発表者名
      K.Ohmori, M.Tsukakoshi, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proc.of the 25th International conference on the Physics of Semiconductors

      ページ: 329-330

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Microscopic Observation of X-ray Irradiation Damages in Ultra-Thin SiO_2 Films2001

    • 著者名/発表者名
      K.Ohmori, T.Goto, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 40(4)

      ページ: 2823-2826

    • NAID

      10017197998

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Characterization of deffect traps in SiO_2 thin films2001

    • 著者名/発表者名
      J.-Y.Rosaye, P.Mialhe, J.-P.Charles, M.Sakashita, H.Ikeda, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Active and Passive Elec.Comp. 24

      ページ: 169-175

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13305005
  • [雑誌論文] Control of Ni/Si interfacial reaction and NiSi technology for ULSI applications

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima, O.Nakatsuka, A.Sakai, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proceedings of IUMRS International Conference in Asia 2004 (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [雑誌論文] Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, S.Mochizuki, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Takeda, S.Kimura, M.Ogawa, S.Zaima
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [雑誌論文] Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, K.Okubo, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima, J.Murota, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Proceedings of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004) (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206004
  • [産業財産権] 電子素子およびその製造方法2016

    • 発明者名
      中塚理, 鈴木陽洋, 戸田祥大, 坂下満男, 財満鎭明
    • 権利者名
      中塚理, 鈴木陽洋, 戸田祥大, 坂下満男, 財満鎭明
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2016-162977
    • 出願年月日
      2016-08-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [産業財産権] MOSキャパシタ及びMOSFET2015

    • 発明者名
      坂下、財満、中塚、竹内、柴山、田岡、加藤、吉田
    • 権利者名
      坂下、財満、中塚、竹内、柴山、田岡、加藤、吉田
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-022059
    • 出願年月日
      2015-04-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [産業財産権] 半導体決勝の製造方法、半導体結晶及び半導体デバイス2014

    • 発明者名
      黒澤昌志、中塚理、田岡紀之、坂下満男、財満鎭明
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2014-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [産業財産権] 半導体結晶、その製造方法、及び多層膜構造体2013

    • 発明者名
      黒澤昌志、田岡紀之、坂下満男、中塚理、財満鎭明
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2013-024605
    • 出願年月日
      2013-02-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [産業財産権] 多層膜構造体及びその形成方法2012

    • 発明者名
      中塚理、財満鎭明、望月健太、志村洋介
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [産業財産権] 多層膜構造体及びその形成方法2011

    • 発明者名
      中塚理、財満鎭明、望月健太、志村洋介
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 出願年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [産業財産権] 多層膜構造体の形成方法2007

    • 発明者名
      中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明、近藤博基、湯川勝規、水谷卓也
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 出願年月日
      2007
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [産業財産権] 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体2007

    • 発明者名
      竹内正太郎, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
    • 権利者名
      国立大学法人名古屋大学
    • 出願年月日
      2007-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [産業財産権] 歪緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体2005

    • 発明者名
      酒井朗, 湯川勝規, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
    • 権利者名
      名古屋大学
    • 産業財産権番号
      2005-355102
    • 出願年月日
      2005-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360005
  • [学会発表] HfO2-ZrO2系薄膜における反強誘電性の発現過程について2019

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御2019

    • 著者名/発表者名
      千賀一輝, 中塚理, 坂下満男, 柴山茂久, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ionimplanted Ge Substrate2019

    • 著者名/発表者名
      H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      11th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価2019

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第24回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板表面の結晶損傷評価2019

    • 著者名/発表者名
      祖父江秀隆, 福田雅大, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth and electronic properties of GeSn-related group-IV alloy semicondcutor thin films2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1-x細線の形成2018

    • 著者名/発表者名
      中田壮哉, 高橋恒太, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 財満鎭明, 渡邉孝信, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の電気的評価2018

    • 著者名/発表者名
      金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第23回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, L. Miao, J. Gao, and S. Zaima
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Impact of Crystalline Property of SixGe1-x-ySny Ternary Alloy Interlayer on Schottky Barrier Height Engineering of Metal/Ge Contact2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2018: 28th Asian Session (ADMETA Plus 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] SixGe1-x-ySny三元混晶界面層の結晶物性が金属/Ge界面Schottky障壁高さに及ぼす影響2018

    • 著者名/発表者名
      中塚理, 鈴木陽洋, 坂下満男, 財満鎭明
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference: Satellite Workshop (ADMETA Satellite Workshop)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heavily p-type Doping to Si1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-heterostructure2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thin Film Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductors for Future Nanoelectronic Applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator2018

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GaSb基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長2018

    • 著者名/発表者名
      丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity2018

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果2018

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 高橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn-based thin film thermoelectric generators2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Ultra-Low Resistance Contact with Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure2018

    • 著者名/発表者名
      J. Jihee, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] MOCVD法によるGe1-xSnx薄膜成長におけるSn析出過程2018

    • 著者名/発表者名
      三鬼悠輔, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      今井志明, 高橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Cイオン注入に伴いGe中に形成される結晶欠陥の電気的特性2018

    • 著者名/発表者名
      中島啓佑, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第23回)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      European Materials Research Society (2018 E-MRS Spring Meeting)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Electrical Conduction Property at Metal/Heavily Sb-doped n-Ge1-xSnx Contact2018

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heterostructure Engineering of GeSn and SiGeSn Group-IV Alloy Semiconductor Layers2018

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer2018

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator2018

    • 著者名/発表者名
      M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] イオン注入基板によるGe1-x-ySixSnyエピタキシャル層の歪緩和促進2018

    • 著者名/発表者名
      祖父江秀隆, 福田雅大, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials2018

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      AiMES 2018 Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] エピタキシャルHfGe2/Ge接合の形成と結晶構造および電気伝導特性2018

    • 著者名/発表者名
      千賀一輝, 中塚理, 鈴木陽洋, 坂下満男, 財満鎭明
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果2018

    • 著者名/発表者名
      髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth of Ge1-xSnx Layer by Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method using Tetrakis Dimethylamino Tin2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Miki, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials/11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, Rainko Denis, 坂下満男, 黒澤昌志, Buca Dan, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Selective Growth of Ge1-xSnx Epitaxial Layer on Patterned Si Substrate using Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method2017

    • 著者名/発表者名
      T. Washizu, S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science
    • 発表場所
      Kasugai, Japan
    • 年月日
      2017-03-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 層状化合物CaGe2を前駆体に用いたゲルマネン形成の試み2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志、淺枝駿冴、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03564
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法を用いたGe1-xSnx成長におけるSn原料の検討2017

    • 著者名/発表者名
      三鬼悠輔, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高濃度SbドーピングGe1-xSnxエピタキシャル層の熱的安定性2017

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, 鈴木陽洋, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用2017

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      2017年真空・表面科学合同講演会(公益社団法人 日本表面科学会 第37回表面科学学術講演会ならびに一般社団法人 日本真空学会 第58回真空に関する連合講演会)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 混晶組成および歪制御によるGe1-xSnx/Ge1-x-ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御2017

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成2017

    • 著者名/発表者名
      渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Epitaxial growth of n+-Ge1-xSnxlayerswith in situ phosphorus doping using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition method2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 金属/SixGe1-x-ySny/Ge接合の電気伝導特性に対する電極材料の影響2017

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 中塚理 , 坂下満男, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Defects in Ge1-xSnx Gate Stack Structure2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kaneda, S. Ike, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2017 IWDTF)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価2017

    • 著者名/発表者名
      金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2017-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法を用いて作製したGe1-xSnxゲートスタック構造の欠陥物性評価2017

    • 著者名/発表者名
      金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn and related group-IV alloy thin films for future Si nanoelectronics2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita and S. Zaima
    • 学会等名
      The Tenth International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-10)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thermal Stability Study of in-situ Sb-Doped n- Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors2017

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, O. Nakatsuka and, S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn and related semiconductor thin films for next generation optoelectronic applications2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 Global Conference on Polymer and Composite Materials (PCM 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge結晶中にCイオン注入により形成した電気的活性な欠陥の挙動2017

    • 著者名/発表者名
      中島啓佑, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第17回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Control of Electrical Property at Metal/Ge Interface with Group-IV Alloy Interlayer2017

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of energy band structure of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers prepared with solid-phase crystallization2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yano, O. Nakatsuka, C. Lim, M. Sakashita, M. Kurosawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Alleviation of Fermi level pinning at metal/Ge interface using lattice-matching group-IV ternary alloy interlayer2017

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Toda, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal Growth of Ultrathin Si and Ge Layers on Ag Surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa、A. Ohta、M. Araidai、S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03564
  • [学会発表] Development of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors2017

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2017)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング2017

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Numerical calculation of energy band offset of Si1-xSnx by density functional calculation2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates2017

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure2017

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water2017

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法を用いたパターンSiO2/Si基板上Ge1-xSnxエピタキシャル層の選択成長2017

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, 鷲津智也, 池進一, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第17回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Research and development of GeSn-related thin-film semiconductors for nanoelectronic and optoelectronic applications2017

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Thin Films for Future Si Nanoelectronic Applications2017

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      the 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge and Ge1-xSnx gate stack2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kaneda, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-02-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of GeSn layer sandwiched with strain-controlled GeSiSn layers2016

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications2016

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Summer Meeting and Photodetectors Meeting
    • 発表場所
      Mexico
    • 年月日
      2016-06-07
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2016-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Deep-Level Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers using Deep Level Transient Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, Y. Inuzuka, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (7th JSPS Silicon Symposium)
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2016-11-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Heavy Sb-doping for poly-GeSn on insulator using pulsed laser annealing in water2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2016-09-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low Temperature Crystallization of SiSn Binary Alloys2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 年月日
      2016-10-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第16回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth of Si1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2016

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Meeting 2016 : Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Forschungszentrum J&uuml;lich, Germany
    • 年月日
      2016-11-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of Ge on Si by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition2016

    • 著者名/発表者名
      T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価2016

    • 著者名/発表者名
      金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター東京
    • 年月日
      2016-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造の結晶性に対するGeSiSn層の歪の影響2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics2016

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      The 2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2016-09-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of heavily Sb doped poly-Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Meeting 2016: Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Forschungszentrum J&uuml;lich, Germany
    • 年月日
      2016-11-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長2016

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2016-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Determination of a 3D Displacement Field at a Vicinity of a GeSn/Ge Interface by the Phse Retrieval of Electron Rocking Curves2016

    • 著者名/発表者名
      M. Miura, S. Fujinami, K. Saitoh, N. Tanaka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-05-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Impact of Atomic Hydrogen Irradiation on Epitaxial Growth of Ge1-xSnx and its Crystalline Property2016

    • 著者名/発表者名
      S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, H. Kishida, S. Zaima
    • 学会等名
      ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2016
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2016-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] MOCVD法を用いたin situ PドープGe薄膜のエピタキシャル成長2016

    • 著者名/発表者名
      池進一, 志村洋介, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction2016

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting 2016 Joint The 230th Electrochemical Society Meeting (PRiME 2016/230th ECS Meeting)
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 年月日
      2016-10-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-xSnx 価電子帯端オフセットの第一原理計算2016

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth of Heavily Doped n-Ge Epitaxial Layer by In situ Phosphorus-doping with Low-temperature Metal-Organic Chemical Vapor Deposition2016

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2016-09-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] MOCVD法を用いたin situ Pドーピングによる高濃度n型Geエピタキシャル成長2016

    • 著者名/発表者名
      池進一, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Effect of local and global strain on thermal stability of Sn in GeSn based film2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation and Characterization of GeSiSn/GeSn/GeSiSn Double-Heterostructure with Strain-controlled GeSiSn layer2016

    • 著者名/発表者名
      M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Determination of a 3D Displacement Field at a Vicinity of a GeSn/Ge Interface by the Phase Retrieval of Electron Rocking Curves2016

    • 著者名/発表者名
      K. Saitoh, M. Miura, N, Tanaka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 16th European Microscopy Congress
    • 発表場所
      Lyon, France
    • 年月日
      2016-08-28
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Direct Measurement of Anisotropic Local Strain in Ge Nanostructures Strained with MOCVD-grown Ge1-xSnx by using Microdiffraction2016

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Shimura, Y. Imai, O. Nakatsuka, S. Kimura, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystalline and Electrical Properties of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers2016

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials2016

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, and M. Sakashita
    • 学会等名
      IEEE 2016 Summer Topicals Meeting Series
    • 発表場所
      California, USA
    • 年月日
      2016-07-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Investigation of effects of inner stress with Sn incorporation on energy band of Si1-xSnx using density functional theory and photoelectron spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2016-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)有機エレクトロニクス研究会(OME)共催
    • 発表場所
      沖縄県立博物館・美術館
    • 年月日
      2016-04-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長2016

    • 著者名/発表者名
      稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2016-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶GeSnへの高濃度n型ドーピング2016

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Phosphorus doping into Ge with low electrical damage by liquid immersion laser doping2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn系IV族半導体薄膜におけるSn導入の制御と効果2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 池進一, Gencarelli Federica, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, Loo Roger, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 歪制御によるGeSn系混晶薄膜中Sn原子の熱的安定化2016

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 浅野孝典, 山羽隆, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Interfacial Energy Control for Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn Layers on Insulating Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-06-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] マイクロ回析法によるMOCVD-Ge1-xSnx/Ge細線構造内部の局所歪量評価2016

    • 著者名/発表者名
      犬塚雄貴, 池進一, 鷲津智也, 竹内和歌奈, 志村洋介 ,今井康彦, 木村滋, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重ヘテロ構造形成およびGeSiSn層の歪が結晶性へ与える影響2016

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第4回応用物理学会スチューデントチャプター東海地区学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2016-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長によるエピタキシャルGe1-xSnx薄膜の選択成長2016

    • 著者名/発表者名
      鷲津智也, 池進一, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of polycrystalline Sn-related group-IV semiconductor thin films - Aiming for 3D-IC2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
    • 発表場所
      Jeju island, Korea
    • 年月日
      2015-06-29
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Thermophysical characterizations of Ge1-xSnx epitaxial layers aiming for thermoelectric devices2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Fukuda, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-x-ySnxCy三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価2015

    • 著者名/発表者名
      山羽隆, 矢野翔太, 髙橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Influence of Atomic Layer Deposition Temperature of GeO2 Layer on Electrical Properties of Ge Gate Stack2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of electrically active defects in epitaxial GeSn/n-Ge junctions2015

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, Y. Inuzuka, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Si1-xSnx薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果2015

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth and energy band engineering of group-IV semiconductor thin films for nanoelectronic applications2015

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with in-situ Sb-Doping2015

    • 著者名/発表者名
      全智禧, 浅野孝典, 志村洋介, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2015(JSAP SCTS 2015)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation2015

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-06-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価2015

    • 著者名/発表者名
      福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Deep-level Defects in Epitaxial Ge1-xSnx/Ge structure2015

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS International Core-to-Core Program Workshop Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2015-07-09
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers2015

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal Growth of GeSn-related Group-IV Thin Films for Integrating on Si Nanoelectronics Platform2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Influence of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of n-type Ge1-xSnx Epitaxial Layer2015

    • 著者名/発表者名
      J. Jeon, T. Asano, W. Takeuchi, M. Kurosawa, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
    • 学会等名
      2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Solid Phase Epitaxy of High Sn Content Si1-xSnx layer (x>0.2) on Ge Substrates for Optical Communication Applications2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits2015

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      The 228th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, USA
    • 年月日
      2015-10-11
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Recent Progress of Silicon Tin Alloys for Advanced Semiconductor Devices2015

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN 2015)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Strain measurement of heteroepitaxial GeSn/Ge with a finFET structure2015

    • 著者名/発表者名
      K. Saitoh, K. Doi, N. Tanaka, S. Ike, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] ナノビーム電子回折法をもちいたGeSn/Ge微細構造の歪み分布解析2015

    • 著者名/発表者名
      齋藤晃, 土井健太郎, 池進一, 中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会 第71回学術講演会
    • 発表場所
      国立京都国際会館
    • 年月日
      2015-05-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響2015

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~2015

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会(OME), シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 共催
    • 発表場所
      大濱信泉記念館多目的ホール(沖縄)
    • 年月日
      2015-04-29
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] X-ray Microdiffraction Characterization of Local Strain Distribution in GeSn/Ge Nanostructures2015

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性2015

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2015(JSAP SCTS 2015)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] InP(001)基板上における高Sn組成Si1-xSnx層の固相エピタキシャル成長2015

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第15回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2015-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法によるSiおよびSiO2基板上のGe選択成長機構の考察2015

    • 著者名/発表者名
      鷲津智也, 犬塚雄貴, 浅野孝典, 池進一, 竹内和歌奈, 志村洋介, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第15回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2015-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Ge pn-junction Diodes Prepared by Using Liquid Immersion Laser Doping2015

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法を用いたGe薄膜選択成長2015

    • 著者名/発表者名
      鷲津智也, 犬塚雄貴, 浅野孝典, 池進一, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Characterization of Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Grown by using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 9th International Conference On Silicon Epitaxy And Heterostructures (ICSI-9)
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2015-05-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果2015

    • 著者名/発表者名
      吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果2015

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御2015

    • 著者名/発表者名
      中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第180回研究集会(多層配線システム研究委員会 研究
    • 発表場所
      機械技術振興会館
    • 年月日
      2015-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] nチャネルGel-xSnx MOSFETの電流-電圧特性へのSn組成依存性2014

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 田岡紀之, 加藤公彦, 坂下満男, 張睿, 横山正史, 竹中充, 高木信一、財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge1-x-ySixSnyエピタキシャル層の結晶性の歪構造依存性2014

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 寺島辰也, 山羽隆, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, Y. Deng, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱酸化におけるGe (001)基板上Gel-xSnx層の表面Sn析出に対する熱安定性2014

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sbドープn型Ge中のSn関連欠陥の挙動2014

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第14回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-12-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用2014

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 池上浩, 鎌田善己, 田岡紀之, 中塚理, 手塚勉, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Si添加によるSnドット化抑制と層交換成長への応用2014

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl203/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価2014

    • 著者名/発表者名
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原
    • 年月日
      2014-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge単結晶中の格子欠陥へのSnの効果2014

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] パルスMOCVD法を用いたGe(011)基板上における正方晶GeO2膜の形成2014

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属化学気相成長法によるGe1-xSnxエピタキシャル層形成2014

    • 著者名/発表者名
      犬塚雄貴, 池進一, 浅野孝典, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第14回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-12-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件2014

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原
    • 年月日
      2014-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] リン酸溶液中レーザドーピングにより低温形成したGe pnダイオードの電気的特性2014

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因2014

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ナノエレクトロニクス-ポストスケーリング? 、ポストCMOS? 、ポストシリコン?2014

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会東海支部 第27回上田記念講演会
    • 発表場所
      ホテル名古屋ガーデンパレス
    • 年月日
      2014-01-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 固相エピタキシャル成長法を用いた高Sn組成SiSn層の形成2014

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 有機金属原料化学気相成長法によるGe1-xSnxエピタキシャル層の結晶性2014

    • 著者名/発表者名
      犬塚雄貴, 池進一, 浅野孝典, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2014(JSAP SCTS 2014)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性2014

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第19回)
    • 発表場所
      ニューウェルシティー湯河原
    • 年月日
      2014-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 新しいIV族半導体材料の開発とシリコンナノエレクトロニクスへの応用2014

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      日本金属学会 第2回エレクトロニクス薄膜材料研究会「最先端電子・情報素子と機能材料研究の動向」
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-09-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長2014

    • 著者名/発表者名
      加藤元太, 黒澤昌志, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Si (110)上Ge1-xSnxエピタキシャル薄膜の成長機構および転位構造2013

    • 著者名/発表者名
      木戸脇翔平, 浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第13回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2013-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 水中レーザーアニール法による多結晶Ge1-xSnx薄膜の低温形成2013

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,池上浩,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Potential of GeSn and GeSiSn for Future Nanoelectronic Device Applications2013

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2013-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al203/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Interaction of Sn atoms with Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T. Arahira, M. Fukudome, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Stabilization for Higher-k Films with Meta-Stable Crystalline Structure2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program workshop Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Frankfurt (Oder), Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013

    • 著者名/発表者名
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • 発表場所
      湯河原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Physical Factor of Other Element Incorporation for Tetragonal ZrO2 Formation2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      NIMS Conference 2013 Structure Control of Atomic / Molecular Thin Films and Their Applciations
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka. and S. Zaima
    • 学会等名
      2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Development of Gel-xSnx and Gel-x-ySixSny Thin Film Materials for Future Electronic Applications2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on THERMEC' 2013
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Large grain growth of poly-GeSn on insulator by pulsed laser annealing in water2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Crystalline Phase Control of Pr-Oxide Films by Regulating Oxidant Partial Pressure and Si Diffusion2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 角度分解光電子X線分光法によるGeおよびGe1-xSnx表面電子状態の分析2013

    • 著者名/発表者名
      中塚理、池進一, 浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 財満鎭明
    • 学会等名
      UVSORシンポジウム2013
    • 発表場所
      自然科学研究機構 岡崎コンファレンスセンター
    • 年月日
      2013-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 準安定正方晶ZrO2構造の安定化機構の解明2013

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 斉藤貴俊, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Pr酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • 発表場所
      湯河原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] A comparative study of metal germanide formation on Ge1-xSnx2013

    • 著者名/発表者名
      J. Demeulemeester, A. Schrauwen, K. Van Stiphout, O. Nakatsuka, M. Adachi, Y. Shimura, S. Zaima, C. M. Comrie, C. Detavernier, K. Temst, and A. Vantommea
    • 学会等名
      Materials for Advanced Metallization
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn/n型Geコンタクトにおけるショットキー障壁高さの低減2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Robustness of Sn Precipitation During Thermal Process of Gel-xSnx2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化2013

    • 著者名/発表者名
      山羽隆, 荒平貴光, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al203/Ge Interface2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn/n型Ge接合界面におけるフェルミレベルピニング変調2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 加藤公彦, 黒澤昌志, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge1-xSnxエピタキシャル層の結晶性が発光特性に及ぼす影響2013

    • 著者名/発表者名
      保崎航也, 小山剛史, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 岸田英夫, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果2013

    • 著者名/発表者名
      木戸脇翔平,浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 圧縮歪Ge1-xSnxエピタキシャル層の電気伝導特性2013

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Lateral Growth Enhancement of Poly-Gel-xSnx on SiO2 using a Eutectic Reaction2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits2013

    • 著者名/発表者名
      N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Formation of Tetragonal ZrO2 Thin Film by ALD Method2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, T. Saito, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 低温固相成長GeへのSn導入による正孔移動度の向上2013

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, 田岡紀之, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第13回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2013-12-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御2013

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭一
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2013-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ポストスケーリング技術の現状と期待される新展開2013

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al203/Ge Structure on Interface Properties2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Interface Properties of Al203/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCIENCE AND TECHNOLOGY-
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GOI基板上に形成したGe1-xSnxエピタキシャル層の電気特性評価2013

    • 著者名/発表者名
      大村拓磨, 浅野孝典, 黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • 発表場所
      湯河原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Development of Ge_<1-x>Sn_x and Ge_<1-x-y>Si_xSn_y Thin Film Materials for Future Electronic Applications2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on THERMEC'2013
    • 発表場所
      Las Vegas, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 非晶質SiGe混晶薄膜の結晶化に対するSn導入効果2013

    • 著者名/発表者名
      山羽隆, 黒澤昌志, 荒平貴光, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会SC東海地区学術講演会2013 (JSAP SCTS2013)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-11-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の光学特性2013

    • 著者名/発表者名
      保崎航也, 小山剛史, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 岸田英夫, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Interfacial Reactions in Al2O3/Ge Structures2013

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Zaima
    • 学会等名
      224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications : Challenges and Opportunities2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Zaima
    • 学会等名
      224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Interaction between Sn atoms and Defects Introduced by Ion Implantation in Ge Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      N. Taoka, M. Fukudome, T. Arahira, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program workshop Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Frankfurt (Oder), Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Defects introduced in germanium substrate by reactive ion etching2013

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Al2O3/Ge interfacial structures by post oxidation technique using oxygen radical2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge (001)基板上に成長したGel-xSnxエピタキシャル層の結晶構造および光学特性2013

    • 著者名/発表者名
      保崎航也, 小山剛史, 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 岸田英夫, 財満鎭明
    • 学会等名
      第2回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(研究ポスター発表会)
    • 年月日
      2013-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成2013

    • 著者名/発表者名
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2013-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn)2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
    • 学会等名
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode2013

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, Shunsuke Asaba, J. Yokoi, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, K. Kato, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 先端CMOSのエピタキシャル成長技術の動向と課題2013

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      SEMI FORUM JAPAN 2013 (SFJ 2013)
    • 発表場所
      グランキューブ大阪
    • 年月日
      2013-05-21
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] H2O分圧によるPr価数およびPr酸化膜の結晶構造制御2013

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Electronic and Optoelectronic Applications2013

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Nanoteck & Expo
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果2013

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志,木戸脇翔平,浅野孝典,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 過飽和状態制御による多結晶Sil-xSnx/絶縁膜の大粒径成長2013

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 荒平貴光, 山羽隆, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎮明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 界面反応機構に基づくAl203/Ge界面構造制御2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al203/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響2013

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2013-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effect of Gate Metal Electrode on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • 発表場所
      Barkeley, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ゲート金属の還元性に基づくPr酸化膜/Ge界面反応制御2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Electrical Characterization of p-Ge1-xSnx/p-Ge and p-Ge1-xSnx/n-Ge Heterostructures by Numerical Simulation of Admittance Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      B. Baert, D. Y. N. Truonga, O. Nakatsuka, S. Zaima, and N. D. Nguyen
    • 学会等名
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • 発表場所
      Barkeley, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Material properties and applications of Ge1-xSnx alloys for Ge Nanoelectronics2012

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • 発表場所
      Barkeley, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Importance of Si Bandbending at Zero Bias Condition for Schottky Barrier Height Control at Metal/Si Interfaces with Ultra-thin Al2O3 Layer2012

    • 著者名/発表者名
      H. Matsushita, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effect of N Radical Process on Interfacial and Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 5th International Conference on PLasma-NanoTechnology & Science (IC-PLANTZ2012)
    • 発表場所
      Inuyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Growth and Optical Properties of Ge_<1-x>Sn_x Alloy Thin Films with a High Sn Content2012

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
    • 学会等名
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 金属電極がPr酸化膜/Ge構造の化学結合状態に与える影響2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長2012

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics2012

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
    • 学会等名
      2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
    • 発表場所
      Naha, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] In situ Sb doping in Ge1-xSnx Epitaxial Layers with High Sn Contents2012

    • 著者名/発表者名
      K. Hozaki, M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics2012

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
    • 学会等名
      2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
    • 発表場所
      Naha, Japan(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成2012

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈,田岡紀之,黒澤昌志,福留誉司,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge単結晶中の格子欠陥への熱処理雰囲気および他元素導入の影響2012

    • 著者名/発表者名
      福留誉司,竹内和歌奈,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御 Si(110)基板上におけるGeおよびGe1-xSnxヘテロエピタキシャル成長2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明 木戸脇翔平,浅野孝典,志村洋介,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構2012

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content2012

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
    • 学会等名
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Impedance Spectroscopy of GeSn/Ge Heterostructures by a Numerical Method2012

    • 著者名/発表者名
      B. Baert, O. Nakatsuka, S. Zaima, and N. Nguyen
    • 学会等名
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 高Sn組成Ge1-xSnx層へのin situ Sbドーピング2012

    • 著者名/発表者名
      保崎航也,中村茉里香,志村洋介,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Layers on (110)-oriented Si and Ge Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Impact of Sn corporation on Epitaxial Growth of Ge Layers on Si(110) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ヘテロエピタキシャルGe1-xSnx中のGa活性化に及ぼすSnの効果2012

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 中塚理, B. Vincent, G. Federica, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D. Petersen, 財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Electrical Properties of Epitaxially Grown p+-Ge1-xSnx/n-Ge Diodes2012

    • 著者名/発表者名
      S. Asaba, J. Yokoi, H. Matsuhita, D. Yunsheng, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Epitaxial Growth and Characterizations of Ge1-xSnx and Ge1-x-ySixSny Thin Layers for Nanoelectronic and Optoelectronic Applications2012

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, S. Zaima
    • 学会等名
      University of Vigo and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Vigo, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] エピタキシャル成長p+-Ge1-xSnx/n-Ge接合の電気的特性2012

    • 著者名/発表者名
      朝羽俊介,横井淳,Yunsheng Deng,田岡紀之,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成2012

    • 著者名/発表者名
      吉田鉄兵,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 超高Sn組成Ge1-xSnx層の光学特性評価2012

    • 著者名/発表者名
      中村茉里香,志村洋介,竹内和歌菜,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] The effect of light exposure on the electrical properties of GeO2/Ge gate stack2012

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
    • 発表場所
      Kasugai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures2012

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
    • 発表場所
      Naha, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Optical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with Very High Sn Contents2012

    • 著者名/発表者名
      M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • 発表場所
      Barkeley, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization2012

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Material properties and applications of Ge_<1-x>Sn_x alloys for Ge Nanoelectronics2012

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012), No. 12.1
    • 発表場所
      Barkeley, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Characterization of Damages of Al_2O_3/Ge Gate Stacks Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation2011

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W.Takeuchi, K.Kato, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al_2O_3界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] InP基板上への超高Sn組成Ge_<1-x>Sn_xヘテロエピタキシャル層成長2011

    • 著者名/発表者名
      中村茉里香, 志村洋介, 竹内正太郎, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Materials Innovation in Si Nanoelectronics2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'11)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ラジカル窒化法によるAl2O3/Ge構造の界面特性改善2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Low Temperature Formation of Si1-x-yGexSny-on-Insulator Structures by Using Solid-Phase Mixing of Ge1-zSnz/Si-on-Insulator Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K. Mochizuki, T. Yamaha, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Surface and Interfacial Structure by Radical Nitridation Technique for Ge MOS Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      The 4th International Conference on PLAsma-Nano Technology & Science
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Influence of Light Radiation on Electrical Properties of Al_2O_3/Ge and GeO_2/Ge Gate Stacks in Nitrogen Plasma2011

    • 著者名/発表者名
      Kusumandari, W.Takeuchi, K.Kato, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
    • 学会等名
      220th Electro Chemical Society Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果2011

    • 著者名/発表者名
      古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GeSn Technology : Impact of Sn on Ge CMOS Applications2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
    • 学会等名
      220th Electro Chemical Society Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 固相拡散法を用いたSi_<1-x-y>Ge_xSn_y on Insulator構造の形成2011

    • 著者名/発表者名
      望月健太, 山羽隆, 志村洋介, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明2011

    • 著者名/発表者名
      足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 次世代ナノCMOSにおける物性制御と不純物2011

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明, 中塚理, 竹内正太郎
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] CMOS:ポストスケーリングテクノロジーの展開2011

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] 熱処理によるAl_2O_3/Ge界面構造制御2011

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] In-situ Ga Doping to Fully Strained Ge1-xSnx Heteroepitaxial Layers Grown on Ge(001) Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi , O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 次世代ナノCMOSにおける物性制御と不純物2011

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] CMOS:ポストスケーリングテクノロジーの展開2011

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Materials Innovation in Si Nanoelectronics2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'11)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al_2O_3/Ge及びGeO_2/Geゲートスタック構造における窒素プラズマ中の光照射損傷のPAPE法による分析2011

    • 著者名/発表者名
      クスマンダリ, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Sn添加および水素熱処理がGeエピタキシャル層中の欠陥に与える影響2011

    • 著者名/発表者名
      足立正樹,志村洋介,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film2011

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, K. Furuta, K. Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Interfacial Properties of Al_2O_3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, S.Kyogoku, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Defect Properties in Ge Heteroepitaxial Layers by Sn Incorporation and H2-Annealing2011

    • 著者名/発表者名
      M. Adachi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響2011

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effect of Chemical Bonding State on Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2011

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Ge1-xSnx for Strained Ge CMOS Devices2011

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, Y. Shimura, S. Takeuchi, and O. Nakatsuka
    • 学会等名
      THERMEC' 2011 (International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Quebec, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Improvement of Al2O3 Interfacial Properties by O2 Annealing2011

    • 著者名/発表者名
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Potential of Ge_<1-x>Sn_x alloys as high mobility channel materials and stressors2010

    • 著者名/発表者名
      Invited: S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
    • 学会等名
      5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS-1 : Characterization of GeSn(B) materials2010

    • 著者名/発表者名
      B.Vincent, Y.Shimura, S.Takeuchi, T.Nishimura, J.Demeulemeester, G.Eneman, T.Clarysse, W.Vandervorst, A.Vantomme, O.Nakatsuka, S.Zaima, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo
    • 学会等名
      International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
    • 発表場所
      Heverlee-Leuven, Belgium
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Strain Relaxation Behavior of Ge_<1-x>Sn_x Layers : Toward Tensile-Strained Ge Layers with Strain Value over 1%2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimura, S.Takeuchi, N.Tsutsui, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima
    • 学会等名
      5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Control of Strain Relaxation Behavior of Ge_<1-x>Sn_x Layers for Tensile Strained Ge Layers2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimura, S.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      218th ECS Meeting
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 原子層堆積方により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性2010

    • 著者名/発表者名
      古田和也, 竹内和歌奈, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      シリコンテクノロジー分科会・第125回シリコンテクノロジー研究会
    • 発表場所
      東京大学(東京都)
    • 年月日
      2010-06-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Crystalline Orientation Dependence of Electrical Properties on Mn Germanide/Ge(111) and (001) Schottky Contacts2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      Materials for Advanced Metallization
    • 発表場所
      Mechelen, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge_<1-x>Sn_xソース/ドレインストレッサーのためのNi(Ge_<1-y>Sn_y)/Ge_<1-x>Sn_x/Geコンタクト形成2010

    • 著者名/発表者名
      西村剛志, 中塚理, 志村洋介, 竹内正太郎, Benjamin Vincent, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo, 財満鎭明
    • 学会等名
      第10回日本表面科学会中部支部学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(愛知県)
    • 年月日
      2010-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge_<1-x>Sn_x stressors for strained-Ge CMOS2010

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, Y.Shimura, T.Nishimura, B.Vincent, G.Eneman, T.Clarysse, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Adachi, M.Sakashita, H.Kondo, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Pr酸化膜/Ge構造の界面特性に及ぼすPr酸化膜の価数の影響2010

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 竹内和歌奈, 近藤博基, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2010 : 20th Asian Session, Tokyo, Japan, Oct.
    • 発表場所
      The University of Tokyo, Tokyo, Japan
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246009
  • [学会発表] Ni(Ge_<1-y>Sn_y)/Ge_<1-x>Sn_x/Geコンタクトの形成と結晶構造評価2010

    • 著者名/発表者名
      西村剛志, 中塚理, 志村洋介, 竹内正太郎, Benjamin Vincent, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo, 財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開と新材料技術2010

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      JAXAきぼう利用フォーラム名古屋セミナ-新材料の創製と「きぼう」利用の可能性を探る-
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2010-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Growth and Characterization of GeSn and Tensile-Strained Ge Layers for High Mobility Channels of CMOS Devices2010

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, Y.Shimura, S.Takeuchi, S.Zaima
    • 学会等名
      The 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing
    • 発表場所
      Cairns, Australia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effects of Al Incorporation into Pr-oxides Formed by Atomic Layer Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      K.Furuta, W.Takeuchi, M.Sakashita, K.Kato, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Formation of Ni(Ge_<1-x>Sn_x) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge_<1-x>Sn_x/Ge Systems2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, Y.Shimura, S.Takeuchi, B.Vincent, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] (Si)GeSn requirements for optical device applications and solar cells2010

    • 著者名/発表者名
      S.Takeuchi, B.Vincent, K.Temst, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
    • 発表場所
      Heverlee-Leuven, Belgium
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 歪Ge_<1-x>Sn_xへの高濃度不純物ドーピング2010

    • 著者名/発表者名
      志村洋介, 竹内正太郎, Benjamin Vincent, Geert Eneman, Trudo Clarysse, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Bi-axially strained Ge grown on GeSn SRBs2010

    • 著者名/発表者名
      O.Nakatsuka, S.Takeuchi, Y.Shimura, A.Sakai, S.Zaima
    • 学会等名
      International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
    • 発表場所
      Heverlee-Leuven, Belgium
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開と新材料技術2010

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      JAXAきぼう利用フォーラム名古屋セミナー新材料の創製と「きぼう」利用の可能性を探る-
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2010-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GeSn : future applications and strategy2010

    • 著者名/発表者名
      R.Loo, M.Caymax, B.Vincent, J.Dekoster, S.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima, K.Temst, A.Vantomme
    • 学会等名
      International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
    • 発表場所
      Heverlee-Leuven, Belgium
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Study of Ge Surface Passivation using Radical Nitridation Technique for Ge Channel MOS Transistors2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, H.Kondo, M.Sakashita, W.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      The 1st Korea-Japan Symposium on Surface Technology
    • 発表場所
      Incheon, Korea
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたPr酸化膜中の欠陥に起因するリーク電流機構の解明2010

    • 著者名/発表者名
      足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第10回日本表面科学会中部支部学術講演会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(愛知県)
    • 年月日
      2010-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開:ポストスケーリングテクノロジー2010

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Assessment of Ge_<1-x>Sn_x Alloys for Strained Ge CMOS Devices2010

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
    • 学会等名
      218th ECS Meeting
    • 発表場所
      Las Vegas, USA(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開:ポストスケーリングテクノロジー2010

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Tensile-Strained Ge and Ge_<1-x>Sn_x Layers for High-Mobility Channels in Future CMOS Devices2010

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima, O.Nakatsuka, Y.Shimura, S.Takeuchi
    • 学会等名
      International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology
    • 発表場所
      Shanghai, China(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] ラジカル窒化がGe-MOS特性に与える影響2010

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, クスマンダリ, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS-2 : Formation of Ni(GeSn) Layers with Solid-Phase Reactor2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, Y.Shimura, S.Takeuchi, B.Vincent, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
    • 発表場所
      Heverlee-Leuven, Belgium
    • 年月日
      2010-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Tensile-Strained Ge and Ge_<1-x.>Sn_x Layers for High-Mobility Channels in Future CMOS Devices2010

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi
    • 学会等名
      International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
    • 発表場所
      Shanghai, China(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effect of Valence State of Pr on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kato, M.Sakashita, W.Takeuchi, H.Kondo, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Challenges in Si Nanoelectronics: Materials and Processes(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Formation Processes of Ge_3N_4 films by Radical Nitridation and their Electrical Properties2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, H. Kondo, S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] 超大規模集積回路の限界に挑む2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第13回名古屋大学VBLシンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer2009

    • 著者名/発表者名
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2009 (ADMETA) : 19th Asian Session
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21246009
  • [学会発表] CMOSデバイス高性能化・特性ばらつき抑制技術の最前線2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会「シリコンナノエレクトロニクスの新展開-CMOSデバイス高性能化・特性ばらつき抑制技術の最前線」
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Effect of Atomic Deuterium Irradiation on Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x on Ge(001) Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Shinoda, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Formation of GeSn Buffer Layers for High-Speed Strained-Ge Channel MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      Invited: S. Zaima
    • 学会等名
      The 1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics
    • 発表場所
      Vigo, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Crystalline Structures and Electrical Properties of High Nitrogen-content Hf-Si-N Films2009

    • 著者名/発表者名
      K. Miyamoto, H. Kondo, S. Zaima
    • 学会等名
      2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      日本学術振興会半導体界面制御第154委員会設立20周年記念シンポジウム
    • 発表場所
      アジュール竹芝、東京
    • 年月日
      2009-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Study on Gate Stacks in Future Nano-Scaled CMOS using Hard X-Ray Photoelectron Spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Invited: S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Hattori
    • 学会等名
      International Workshop for New Opportunities in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    • 発表場所
      New York, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge(001)表面上のSnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長に及ぼす原子状重水素照射の効果2009

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学、筑波
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      日本学術振興会半導体界面制御第154委員会 設立20周年記念シンポジウム
    • 発表場所
      アジュール竹芝、東京((招待講演))
    • 年月日
      2009-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge_<1-X>Sn_x buffer layers2009

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima, O.Nakatsuka, Y.Shimura, N.Tsutsui, A.Sakai
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA((招待講演))
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Technology Evolution of Silicon Nano-Electronics (Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima
    • 学会等名
      216th ECS Meeting
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Effect of Atomic Deuterium Irradiation on Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x on Ge(OO1) Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Shinoda, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA(採択決定)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Nanoelectronics : Materials and Processes(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Plasma-Nanotechnology & Science
    • 発表場所
      Nagoya, Japan.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Low Temperature Growth of Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Technology Evolution of Silicon Nano-Electronics2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      216th ECS Meeting
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing2009

    • 著者名/発表者名
      T. Kato, T. Ueda, Y. Ohara, J. Kikkawa, Y. Nakamura, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, E. Toyoda, K. Izunome, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      文部科学省私立大学ハイテク・リサーチ・センター整備事業「ナノ格子新技術開発研究センター」第7回シンポジウム
    • 発表場所
      豊田工業大学
    • 年月日
      2009-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] 超大規模集積回路の限界に挑む2009

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第13回名古屋大学VBLシンポジウム次世代のモノ創りを先導するナノプロセスの最前線
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Formation and characterization of tensile-strained Ge layers on Ge_<1-x>Sn_x buffer layers2009

    • 著者名/発表者名
      Invited: S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, N. Tsutsui, A. Sakai
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge(001)表面上のSnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長に及ぼす原子状重水素照射の効果2009

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] 原子状水素照射によるGe(001)表面上SnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長構造の制御2008

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 山崎理弘, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第8回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2008-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote
    • 学会等名
      The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      HsinChu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Challenges in Materials and Processing for Nano-Scaled CMOS (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeaki Zaima
    • 学会等名
      21 th International Microprocesses and Nanote chnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Challenges in Materials and Processing for Nano-Scaled CMOS (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima
    • 学会等名
      21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka. Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Ge(001)表面上のSnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長に及ぼす原子状水素照射の効果2008

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 山崎理弘, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」について2008

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Characterization and analyses of interface structures in directly bonded Si(011)/Si(001) substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Invited: E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, S. Zaima
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Metalorganic Chemical Vapor Deposition of High-Dielectric-Constant Praseodymium Oxide Films using a Liquid Cyclopentadienyl Precursor2008

    • 著者名/発表者名
      H. Kondo, S. Sakurai, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Challenges in Materials and Processing for Nano-Scaled CMOS (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima
    • 学会等名
      21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka. Japan.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x on Ge(001) substrates2008

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      The fourth International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
    • 発表場所
      HsinChu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Formation of Ge_3N_4/Ge structures using nitrogen radicals and their thermal stability2008

    • 著者名/発表者名
      S. Oda, H. Kondo, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      214th ECS meeting
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Microstructures in Directly Bonded Si Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda
    • 学会等名
      The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      HsinChu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスの新展開(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      文部科学省ハイテク・リサーチ・センター整備事業、武蔵工業大学「シリコンナノ科学」研究プロジェクト、最終成果報告会
    • 発表場所
      武蔵工業大学
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」について2008

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学理工学部、船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063013
  • [学会発表] 原子状水素照射によるGe(001)表面上SnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長構造の制御2008

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 山崎理弘, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第8回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学、名古屋
    • 年月日
      2008-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Interface and defect control for group IV channel engineering(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima
    • 学会等名
      21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge(001)表面上のSnおよびGe_<1-x>Sn_x初期成長に及ぼす欣子状水素照射の効果2008

    • 著者名/発表者名
      篠田竜也, 山崎理弘, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学、名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge_<1-x>Sn_x/Ge/Si Heterostructures2007

    • 著者名/発表者名
      Invited: A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x/virtual Ge substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007

    • 著者名/発表者名
      山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価2007

    • 著者名/発表者名
      山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第12回研究会)
    • 発表場所
      三島市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] canning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge_<1-x>Sn_x Layers on Ge(001) Substrates2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      A.Sakai, O.Nakatsuka, M.Ogawa, and S.Zaima
    • 学会等名
      Materials Research Society 2007 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価2007

    • 著者名/発表者名
      山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明
    • 学会等名
      第6回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2007-04-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Defect Control for Ge/Si and Ge1-xSnx/Ge/Si Heterostructures (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Sakai, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo, Japan.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Growth and Characterization of Tensile- Strained Ge Layers on Strain Relaxed Ge_<1-x>Sn_x Buffer Layers2007

    • 著者名/発表者名
      Invited: O. Nakatsuka, S. Takeuchi, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      The 3nd international workshop on new group IV semiconductor nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Strain and dislocations in group IV semiconductor heterostructures2007

    • 著者名/発表者名
      Invited: A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      Materials Research Society 2007 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation2007

    • 著者名/発表者名
      H. Kondo, M. Fujita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces2006

    • 著者名/発表者名
      A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
    • 学会等名
      210th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価2006

    • 著者名/発表者名
      若園恭伸, 山崎理弘, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明
    • 学会等名
      第67回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      立命館大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206005
  • [学会発表] Composition dependence of work function in metal (Ni, Pt)-germanide gate electrodes2006

    • 著者名/発表者名
      D. Ikeno, K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_<1-x>Sn_x buffer layers on virtual Ge(001) substrates2006

    • 著者名/発表者名
      S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima
    • 学会等名
      The Third International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Princeton, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063012
  • [学会発表] Poly & Epitaxial Crystallization of Silicon-tin Binary Alloys for Future Optoelectronics

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      16th International Conference on Thin Films (ICTF16)
    • 発表場所
      Croatia
    • 年月日
      2014-10-13 – 2014-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 高Sn濃度SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会(OME), シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 共催
    • 発表場所
      大濱信泉記念館多目的ホール(沖縄)
    • 年月日
      2015-04-29 – 2015-04-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

    • 著者名/発表者名
      Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ,竹内和歌奈,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Effects of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

    • 著者名/発表者名
      Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ,竹内和歌奈,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • 学会等名
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回記念研究会)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2015-01-30 – 2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates

    • 著者名/発表者名
      A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session (ADMETA Plus 2014)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2014-10-22 – 2014-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Crystal growth of Si1-xSnx alloys with high Sn contents

    • 著者名/発表者名
      M. Kurosawa, M. Kato, Y. Nagae, T. Yamaha, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Thin Films by using Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

    • 著者名/発表者名
      Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] 熱電素子応用を目指したGeSn単結晶薄膜の熱物性評価

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 福田雅大, 高橋恒太, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回記念研究会)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2015-01-30 – 2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Study of Local Strain Distribution in Ge1-xSnx/Ge Fine Structure by using Synchrotron X-ray

    • 著者名/発表者名
      S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge結晶中の格子欠陥への水素及びSn導入の影響

    • 著者名/発表者名
      福留誉司、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
    • 学会等名
      第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御

    • 著者名/発表者名
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Behaviors of tin related defects in Sb doped n-type germanium

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] シリコンナノエレクトロニクスのための新材料開発と表面・界面

    • 著者名/発表者名
      財満鎭明
    • 学会等名
      第34回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      島根県立産業交流会館(くにびきメッセ)
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Hydrogen Surfactant Epitaxy of Ge1-xSnx Layers

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi,M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Development of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
    • 学会等名
      JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Belgium
    • 年月日
      2014-11-13 – 2014-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測

    • 著者名/発表者名
      長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Challenges and Developments in GeSn Process Technology for Si Nanoelectronics

    • 著者名/発表者名
      S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kato, W. Takeuchi, and M. Sakashita
    • 学会等名
      226th ECS Meeting and SMEQ Joint International Meeting
    • 発表場所
      Mexico
    • 年月日
      2014-10-05 – 2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Formation of Epitaxial NiGe Layer on Ge(001) Substrate and Influence of Interface Structure on Schottky Barrier Height

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Deng, M. Sakashita, and S. Zaima
    • 学会等名
      Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session (ADMETA Plus 2014)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2014-10-22 – 2014-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Electrically-Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxtial Layer

    • 著者名/発表者名
      W. Takeuchi, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides
    • 発表場所
      Nagoya
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] GeSn Alloy for Nanoelectronic and Optoelectronic Devices

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka and S. Zaima
    • 学会等名
      CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Albany, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 田岡紀之、坂下満男、中塚理、宮尾正信、財満鎭明
    • 学会等名
      第1回結晶工学未来塾(研究ポスター発表会)
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 原子状水素供給がGe1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に及ぼす効果

    • 著者名/発表者名
      藤浪俊介, 浅野孝典, 保崎航也, 小山剛史, 中塚理, 岸田英夫, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn 誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理 宮尾正信 財満鎭明
    • 学会等名
      第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Ge1-xSnxエピタキシャル層中の電気的活性な欠陥の挙動

    • 著者名/発表者名
      竹内和歌奈, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Control of Interfacial and Electrical Properties of Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structures

    • 著者名/発表者名
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • 学会等名
      CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Albany, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Formation of strain-free Si1-x-yGexSny layers on Ge surfaces by using solid-liquid coexisting

    • 著者名/発表者名
      M. Kato, M. Kurosawa, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe基板面方位の効果

    • 著者名/発表者名
      高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] InP基板上への超高Sn組成Ge1-xSnx層のヘテロエピタキシャル成長

    • 著者名/発表者名
      中村茉里香, 志村洋介, 竹内正太郎, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Technology of Ge1-xSnx Thin Films for Future Si Nanoelectronics

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      The 6th Kentingan Physics Forum: International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA)
    • 発表場所
      Solo, Indonesia
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

    • 著者名/発表者名
      Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果 柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 金属/Ge界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Photoluminescence Property of Ge1-xSnx Epitaxial Layers Grown on Ge(001) substrates

    • 著者名/発表者名
      T. Asano, K. Hozaki, T. Koyama, N. Taoka, O. Nakatsuka, H. Kishida and S. Zaima
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2015-01-29 – 2015-01-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Electrical and optical properties of GeSn alloys

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, M. Adachi, M. Nakamura, and S. Zaima
    • 学会等名
      2nd GeSnWorkshop: GeSn Development and Future Applications
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] 新しいIV族系半導体材料の開発と界面制御

    • 著者名/発表者名
      財満鎮明
    • 学会等名
      応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回記念研究会)
    • 発表場所
      東レ研修センター
    • 年月日
      2015-01-30 – 2015-01-31
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

    • 著者名/発表者名
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Strain measurement of Heteroepitaxial GeSn/Ge microstructures by nano-beam electron diffraction

    • 著者名/発表者名
      K. Doi, K. Saitoh, N. Tanaka, S. Ike, O Nakatsuka and S. Zaima
    • 学会等名
      The 58th Symposium of The Japanese Society of Microscopy
    • 発表場所
      Fukuoka
    • 年月日
      2014-11-16 – 2014-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] MBE growth and crystalline properties of GeSn heteroepitaxial layers

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • 学会等名
      2nd GeSnWorkshop: GeSn Development and Future Applications
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates

    • 著者名/発表者名
      O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • 学会等名
      226th ECS Meeting and SMEQ Joint International Meeting
    • 発表場所
      Mexico
    • 年月日
      2014-10-05 – 2014-10-09
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性

    • 著者名/発表者名
      浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • [学会発表] Sn 添加および水素熱処理を用いたGeヘテロエピタキシャル層の電気伝導特性制御

    • 著者名/発表者名
      足立正樹, 志村洋介, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22000011
  • [学会発表] GeSn多結晶薄膜の進展 〜3D-ICを目指して〜

    • 著者名/発表者名
      黒澤昌志, 池上浩, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26220605
  • 1.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 16件
    共同の研究成果数: 22件
  • 2.  中塚 理 (20334998)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 537件
  • 3.  岩野 博隆 (50252268)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  酒井 朗 (20314031)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 112件
  • 5.  池田 浩也 (00262882)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 11件
  • 6.  近藤 博基 (50345930)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 35件
  • 7.  益 一哉 (20157192)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  高木 信一 (30372402)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 3件
  • 9.  宮崎 誠一 (70190759)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  坂下 満男 (30225792)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 147件
  • 11.  小出 康夫 (70195650)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  田中 信夫 (40126876)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  堀 勝 (80242824)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  田畑 仁 (00263319)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  小川 正毅 (10377773)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 50件
  • 16.  平本 俊郎 (20192718)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  竹中 充 (20451792)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 1件
  • 18.  竹内 和歌奈 (90569386)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 157件
  • 19.  渡部 平司 (90379115)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  黒澤 昌志 (40715439)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 136件
  • 21.  白石 賢二 (20334039)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  畑 朋延 (50019767)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  堀池 靖浩 (20209274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  霜垣 幸浩 (60192613)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  角南 英夫 (10311804)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  岩井 洋 (40313358)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  齋藤 晃 (50292280)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 28.  中山 隆史 (70189075)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  牧原 克則 (90553561)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  初貝 安弘 (80218495)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  洗平 昌晃 (20537427)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 32.  恩賀 伸二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  須黒 恭一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  浅野 孝典
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 35.  池 進一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 36.  犬塚 雄貴
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 37.  加藤 公彦
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 4件

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