三浦道子 MIURA Michiko

研究者番号	70291482
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2005年度 – 2008年度: 広島大学, 工学部, 教授 2007年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 2006年度: 広島大学, 大学院先端物質科学研究科, 教授 2002年度 – 2005年度: 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 1998年度 – 1999年度: 広島大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外通信・ネットワーク工学 / 理工系 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者以外 learning function / pattern matching / associative memory / recognition systems / three dimensional integration / inductor coupling / wireless interconnection / CMOSテクノロジー / 3次元磁界解析 / 回路設計 … もっと見る / FDTD法 / チップ間無線通信 / PWM信号 / MOSトランジスタモデル / 三次元集積技術 / オブジェクト認識 / ビジョンチップ / スパイラルインダクタ / 無線インタコネクション / 三次元集積システム / 物体認識 / 連想メモリベース画像処理 / マルチチップビジョン / 集積化インダクタ / 学習機能 / パターンマッチング処理 / 連想メモリ / 認識システム / 三次元集積 / インダクタ結合 / 無線インタコネクト / LSI Design / Real-Time Processing / Face Recognition / Image Compression / Codebook Spectrum / Vector Quantization / チャネル多重 / 話者認識 / 顔認識 / パケットSS-CDMA方式 / 近似同期CDMA方式 / フレキシブルワイヤレスネットワーク / 高精細静止画像圧縮 / 高精度トランジスタモデリング / システムオンチップ / SS-CDMAフレキシブルワイヤレスネットワーク / 高速情報処理 / LSI設計 / 実時間処理 / 顔画像認識 / 画像圧縮 / コードブック空間情報処理 / ベクトル量子化 / Tunnel barrier / Shot noise / Semiconductor multiple junction / サブポアソン光 / 半導体発光素子 / ショット雑音 / トンネル障壁 / ショットノイズ / 半導体多重接合 / 希薄磁性半導体 / ナノチャネル / 選択エピタキシャル成長 / 高周波デバイス / 巨大磁気抵抗 / バリスティック / MEE / MBE / フラーレン / 弾道電子デバイス / 半導体ナノ構造 / III-V族化合物半導体 / マイグレーション・エンハンストエピタキシー(MEE) / 分子線エピタキシー(MBE) 隠す

半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発
- 研究代表者
  
  堀越佳治
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  早稲田大学
チップ間無線通信を用いた高認知度処理システムの三次元集積アーキテクチャ
- 研究代表者
  
  岩田穆
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  通信・ネットワーク工学
- 研究機関
  広島大学
超高速瞬時処理回路・アルゴリズム
- 研究代表者
  
  大見忠弘
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
半導体多重接合による電流ショットノイズの抑制
- 研究代表者
  
  山西正道
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  広島大学

すべて 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Analysis of Technology Variations in Advanced MOSFTs with the Surface-Potencial-Based Compact Model HiSIM2007
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  ECS Trasactions Vol.11,No.6
  
  ページ: 29-44
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] Suface-Potential-Based Metal-Oxide Silicon-Varactor Model for RF Applications2007
- 著者名/発表者名
  M., Miyake, N., Sadachika, D., Navarro, Y., Mizukane, K., Matsumoto, T., Ezaki, M., Miura-Mattausch, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 4
  
  ページ: 2091-2095
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] Analysis of Technology Variations in Advanced MOSETs with the Surface-Potential-Based Compact Model HiSDII2007
- 著者名/発表者名
  K., Miura-Mattausch, N., Sadachika, K., Miyake, A., Yumisaki, H.J., Mattausch
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol. 11, No. 6
  
  ページ: 29-44
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] HiSIM2 CIRCUIT SIMULATION2006
- 著者名/発表者名
  M.Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  IEEE Circuits ＆ Devices Magazine Vol.22,No.5
  
  ページ: 29-38
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] HiSIM2 : Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006
- 著者名/発表者名
  M.Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions On Electron Devices Vol.53,No.9
  
  ページ: 1994-2007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] HiSIM2: Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on ELECTRON DEVICES Vol.53,No.9
  
  ページ: 1994-2007
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] HiSIM2CIRUIT SIMULATION2006
- 著者名/発表者名
  H.J., Mattausch, K., Miyake, T., Yoshida. S., Hazama, D., Navarro, N., Sadachika, T., Ezaki, M., Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  IEEE Circuits & Devices Magazine Vol. 22, No. 5
  
  ページ: 29-38
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] A carrier-Times-Delay-Based Nonquasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation and Its Application Harmonic Distortion Analysis2006
- 著者名/発表者名
  D., Navarro, Y., Takeda, M., Miyake, N., Nakayama, K., Machida, T., Ezaki, H.J., Mattausch, K., Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on ELECTRON DEVICES Vol. 53, No. 9
  
  ページ: 2025-2034
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] HiSIM2 : Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006
- 著者名/発表者名
  M., Miura-Mattausch, N., Sadachika, D., Navarro, G., Suzuki, Y., Takeda, M., Miyake, T., Warabino, Y., Mizukane, R., Inagaki, T., Ezaki, H.J., Mattausch, et. al.
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. on ELECTRON DEVICES Vol. 53, No. 9
  
  ページ: 1994-2007
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] MOSFET modeling beyond 100nm technology : Challenges and perspectives2005
- 著者名/発表者名
  M.Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  SISPADIEEE 2005 CAT.No.05TH8826
  
  ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] Non-quasi-static analysis with HiSIM,a complete surface-ootencial-based MOSFET model2005
- 著者名/発表者名
  T., Ezaki, Navarro, Y., Takeda, N., Sadachika, G., Suzuki, M., Miura-Matta usch, H.J., Mattausch
- 雑誌名
  
  MIXDES 2005 83-919289-9-3
  
  ページ: 923-928
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] RF-MOSFET model-parameter Extraction with HiSIM2005
- 著者名/発表者名
  M.Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  Modeling and Simulation of Microsystems 2005 Nanotech2005
  
  ページ: 69-74
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] MOSFET modeling beyond 100nm technology: Challenges and perspectives2005
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattaush
- 雑誌名
  
  IEEE SISPAD 2005 CAT.No.05TH8826
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] A compact model of the pinch-off region of 100nm MOSFETs based on the surface-potential2005
- 著者名/発表者名
  D., Navarro, T., Mizoguchi, K., Suetake, K., Hisamitsu, H., Ueno, M., Miura-Mattausch, H.J., Mattausch, S., Ktunashiro, T., Ysmaguchi, K., Yamashita N., Nakayama
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics Vol. E88-C, NO. 5
  
  ページ: 1079-1086
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] MOSFET Model HiSIM Based on Surface-Potential Description for Enabling Accurate RF-CMOS Design2004
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 雑誌名
  
  Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.4,No.3
  
  ページ: 133-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] MOSFET Model HiSIM Based on Surface-Potential Description for Enabling Accurate RF-CMOS Design2004
- 著者名/発表者名
  M.Miura-Mattausch, H.J.Mattausch, T.Iizuka, M.Taguchi, S.Kumashiro, S.Miyamoto
- 雑誌名
  
  Journal of Semiconductor Technology and Science 4-3
  
  ページ: 133-140
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[雑誌論文] MOSFET Model HiSIM Based on Surface-Potential Description for Enabling Accurate RF-CMOS Design2004
- 著者名/発表者名
  M., Miura-Mattausch, H.J., Mattausch, T., Iizuka, K., Taguchi, S., Kumashiro, S., Miyamoto
- 雑誌名
  
  Journal of Semiconductor Technology and Science Vol. 4, No. 3
  
  ページ: 133-140
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] HiSIM231 : Toward Solving the Speed versus Accuracy Crisis in Circuit Simulation2007
- 著者名/発表者名
  H.J., Mattausch, N., Sadachika, M., Miyake, D., Navarro, T., Warabino, K., Matsumoto, T., Ezaki, M., Miura-Mattausch, et. al.
- 学会等名
  The 4th International Workshop on Compact Modeling
- 発表場所
  Yokohama
- 年月日
  2007-01-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] Adavanced Compact MOSFET Model HiSIM2 Based on Surface Potentials with Minimum Number of Approximation2006
- 著者名/発表者名
  K., Miura-Mattausch, D., Navarro, N., Sadachika, G., Suzuki, Y., Takeda, M., Miyake, T., Warabino, K., Machida, T., Ezaki, H.J., Mattausch, et. al.
- 学会等名
  NSTI-Nanotech 2006
- 発表場所
  Boston. (invited)
- 年月日
  2006-05-07
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] MOSFET modeling beyond 100nm technology : Challenges and Perspectives2005
- 著者名/発表者名
  M., Miura-Mattaush
- 学会等名
  IEEE SISPAD 2005
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2005-09-01
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] RF-MOSFET model-parameter Extraction with HiSIM2005
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 学会等名
  Modeling and Simulation of Microsystems 2005
- 発表場所
  アナハイム、米国
- 年月日
  2005-05-08
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] MOSFET Modeling for RF-Circuit Era2004
- 著者名/発表者名
  M., Miura-Mattausch, D., Navarro, Y., Takeda, H.J., Mattausch, T., Ohguro, T., Iizuka, M., Taguchi, S., Miyamoto
- 学会等名
  The 11th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems 2004
- 発表場所
  Szczecin
- 年月日
  2004-06-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] MOSFET Modeling for RF-Circuit Era,2004
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 学会等名
  The 11th Int. Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems 2004
- 発表場所
  シュチェチン,ポーランド
- 年月日
  2004-06-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] MOSFET Modeling for RF-Circuit Simulation2004
- 著者名/発表者名
  M. Miura-Mattausch
- 学会等名
  The 2004 Int. Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
- 発表場所
  北京、中国
- 年月日
  2004-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007
[学会発表] MOSFET Modeling for RF-Circuit Simulation2004
- 著者名/発表者名
  M., Miura-Mattausch, H.J., Mattausch, T., Ohguro, T., Iizuka, M., Taguchi, S., Kumashiro, S., Miyamoto
- 学会等名
  The 2004 Int. Conference on Solid-State and Integrated-CircuitTechnology
- 発表場所
  Beijing
- 年月日
  2004-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15106007

1. 大泊巌 (30063720)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 河原塚篤 (40329082)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 堀越佳治 (60287985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 西永慈郎 (90454058)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 山西正道 (30081441)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 角屋豊 (90263730)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 大見忠弘 (20016463)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 平山昌樹 (70250701)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 小谷光司 (20250699)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 坪内和夫 (30006283)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 岩田穆 (30263734)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. MATTAUSCH HansJuergen (20291487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 佐々木守 (70235274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 小出哲士 (30243596)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 小野満恒二 (30350466)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 上野弘明 (50314729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. MATTAUSCH Ha

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 25件

三浦 道子 MIURA Michiko

研究課題

研究成果

共同研究者

半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

チップ間無線通信を用いた高認知度処理システムの三次元集積アーキテクチャ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高速瞬時処理回路・アルゴリズム

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半導体多重接合による電流ショットノイズの抑制

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Analysis of Technology Variations in Advanced MOSFTs with the Surface-Potencial-Based Compact Model HiSIM2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Suface-Potential-Based Metal-Oxide Silicon-Varactor Model for RF Applications2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Analysis of Technology Variations in Advanced MOSETs with the Surface-Potential-Based Compact Model HiSDII2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] HiSIM2 CIRCUIT SIMULATION2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] HiSIM2 : Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] HiSIM2: Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] HiSIM2CIRUIT SIMULATION2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A carrier-Times-Delay-Based Nonquasi-Static MOSFET Model for Circuit Simulation and Its Application Harmonic Distortion Analysis2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] HiSIM2 : Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] MOSFET modeling beyond 100nm technology : Challenges and perspectives2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Non-quasi-static analysis with HiSIM,a complete surface-ootencial-based MOSFET model2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

三浦道子 MIURA Michiko