吉田憲充 YOSHIDA Norimitsu

研究者番号	70293545
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 岐阜大学, 工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2009年度 – 2010年度: 岐阜大学, 工学研究科, 准教授 2008年度: 岐阜大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2004年度: 岐阜大学, 工学研究科, 助教授 2002年度 – 2004年度: 岐阜大学, 大学院・工学研究科, 助教授 1999年度: 岐阜大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者物性実験 / 電気・電子材料研究代表者以外微結晶シリコン / low energy absorption / photothermal bending spectroscopy / microcrystalline silicon carbide / microcrystalline silicon / 微結晶シリコンカーバイト薄膜 / 微結晶シリコン薄膜 / 低エネルギー光吸収 … もっと見る / 温度可変光熱ベンディング分光法 / 微結晶シリコン系薄膜 / 低エネルギー吸収 / 温度可変光熱ベンディンング分光法 / 微結晶シリコンカーバイド薄膜 / Coefficient of linear expansion / Microcrystalline silicon / Initial stress / Amorphous lattice relaxzation / Laser optical-lever bending method / Photodegradation / Hydrogenated amorphous silicon / Light-induced expansion / 格子緩和 / 可逆現象 / アモルファス構造変化 / ベンディング法 / 線膨張係数 / 初期応力 / アモルファス格子緩和 / レーザー光てこベンディング法 / 光劣化 / 水素化アモルファスシリコン / 光誘起膨張隠す

シリコン系薄膜の光吸収スペクトル評価による局在準位起源の解明に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  吉田憲充
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
微結晶シリコン系薄膜の局在準位の評価とその低減に関する研究 -ヘテロ構造薄膜への共振型光熱ベンディング法の応用-
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学
水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究
- 研究代表者
  
  野々村修一
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岐阜大学

すべて 2010 2009 2008 2005 2004 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Preparations of P- and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 7 ページ: 790-792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.7, No.3-4
  
  ページ: 790-792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si : H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Yasuko Shimizu, Takashi Honda, Toshiaki Yokoi, Shuichi Nonomura
- 雑誌名
  
  Journal of on-Crystalline Solids Vol.354
  
  ページ: 2164-2166
- NAID
  120006340027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si H films near the transition from amor phous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending speetroscopy2008
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Non-Crystalline Solids 354
  
  ページ: 2164-2166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto, N.Yoshida, M.Takahashi, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells 85
  
  ページ: 177-187
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto, N.Yoshida, M.Takahashi, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells Vol.85
  
  ページ: 177-187
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the Mc-Si:H film by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
  
  ページ: 1629-1632
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A change of photoinduced dilation of a-Si:H by cyanide treatment2004
- 著者名/発表者名
  Y.Sobajima, K.Mori, M.Tsukamoto.H.Kamiguchi, N.Yoshida, H.Kobayashi, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Journal of Non-Crystalline Solids 338-340
  
  ページ: 365-368
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si : H film by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
  
  ページ: 1629-1632
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] A study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si:H by resonant-PBS and CPM2004
- 著者名/発表者名
  T.Kunii, H.Shibagaki, T.Kiriyama, N.Yoshida, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Proceedings of 19^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference
  
  ページ: 1629-1632
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 thin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_x : H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 shin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] TiO_2 thin films as protective material for transparent conducting oxides used in Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] TiO_2 thin films as protective material for transparent conducting oxides used in Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method
- 著者名/発表者名
  S.Nonomura, N.Yoshida, T.Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_X:H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cell
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 thin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells
- 著者名/発表者名
  H.Natsuhara, K.Matsumoto, N.Yoshida, T.Itoh, S.Nonoomura, M.Fukawa, K.Sato
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (in print)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[雑誌論文] Amorphous SiC_x : H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cell
- 著者名/発表者名
  N.Yoshida, K.Takemoto, Y.Yamaguchi, M.Tsukamoto, K.Chikusa, A.Fukuta, T.Itoh, S.Nonomura
- 雑誌名
  
  Solar Energy Materials & Solar Cells (発表予定)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350163
[学会発表] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for si thin film solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, et al
- 学会等名
  23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Utrecht, the Netherlands
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294
[学会発表] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Norimitsu Yoshida, Sho Terazawa, Atsuteru Takeuchi, Nobutaka Yoneyama, Tomo-o Morino, Zhao Jun, Hironori Natsuhara, Shuichi Nonomura
- 学会等名
  23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  Utrecht, the Netherlands.
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560294

1. 野々村修一 (80164721)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 20件
2. 夏原大宗 (30444334)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 仁田昌二 (90021584)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 伊藤貴司 (00223157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

吉田 憲充 YOSHIDA Norimitsu

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン系薄膜の光吸収スペクトル評価による局在準位起源の解明に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微結晶シリコン系薄膜の局在準位の評価とその低減に関する研究 -ヘテロ構造薄膜への共振型光熱ベンディング法の応用-

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素化アモルファスシリコンの光劣化により生ずる光誘起膨張に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Preparations of P- and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparations of P-and N-doped hydrogenated microcrystalline cubic silicon carbide films by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition method for Si thin film solar cells2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si : H films near the transition from amorphous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending spectroscopy2008

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] A study of absorption coefficient spectra in a-Si H films near the transition from amor phous to crystalline phase measured by resonant photothermal bending speetroscopy2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Suppression of photo-induced dilation in cyanide treated hydrogenated amorphous silicon films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the Mc-Si:H film by resonant-PBS and CPM2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A change of photoinduced dilation of a-Si:H by cyanide treatment2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A Study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si : H film by resonant-PBS and CPM2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si:H by resonant-PBS and CPM2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Preparation of N-doped TiO_2 thin films protecting transparent conducting oxide films for Si thin film solar cells

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Formation of the heterojunctions using carbon alloys by the hot-wire CVD method

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Amorphous SiC_x : H films prepared by Cat-CVD method using C_4H_<10> as a C source gas and its application to window layer for Si thin film solar cells

著者名/発表者名

雑誌名

吉田憲充 YOSHIDA Norimitsu