土方泰斗 HIJIKATA Yasuto

研究者番号	70322021
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-6314-0401
外部サイト
所属 (現在)	2024年度: 埼玉大学, 情報メディア基盤センター, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 埼玉大学, 情報メディア基盤センター, 准教授 2009年度 – 2023年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 2014年度: 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授 2011年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 2006年度: 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授 … もっと見る 2006年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 助教授 2005年度: 埼玉大学, 工学部, 助手 2001年度 – 2002年度: 埼玉大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者炭化ケイ素(SiC)半導体 / MOS界面 / 単一光子源 / 炭化ケイ素(SiC) / 炭化ケイ素 / 炭化ケイ素半導体 / 円偏光 / スピン電流注入 / 単一光子源(SPS) / 偏光 … もっと見る / スピン電流 / 量子暗号通信 / もつれ光子対 / アレイ化 / 透明電極膜 / 紫外光応答 / 反転層形成 / 可視光応答 / 光応答 / 半導体物性 / 放射線 / 電子・電気材料 / フォトリソグラフィー / 埋め込みチャネル構造 / バンドギャップ / 電荷輸送 / 放射線耐性 / イオン注入 / 埋込チャネル構造 / 界面準位密度 / MOSキャパシタ / ガンマ線照射効果 / CCD / 分光偏光解析 / フォトルミネッセンス / SiおよびC原子放出現象 / 酸化界面 / 転位 / 積層欠陥 / 熱酸化 / 超精密計測 / モニタリング / 低消費電力・高エネルギー密度 / デバイス設計・製造プロセス / 赤外材料・素子 / テラヘルツ … もっと見る研究代表者以外光物性 / SiC / 界面 / 結晶工学 / 単一光子 / 半導体物性 / DFT / 等電子トラップ / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / エピタキシャル / 移動度キラー / SiC-MOS / 局在 / 電子状態計算 / 量子コンピュータ / 界面欠陥 / 密度汎関数理論 / 第一原理計算 / 酸化 / ダングリングボンド / Pbcセンタ / 点欠陥 / α-Ga2O3 / 移動度 / SiC/SiO2 / 単一光子光源 / 欠陥 / 量子エレクトロニクス / 放射線 / 格子欠陥 / 量子センシング / isoelectronic trap / single photon / optical properties / advanced functional device / light source technology / crystal engineering / epitaxial / 先端機能デバイス / 光源技術 / infrared reflectance spectroscopy / ultraviolet photoemission spectroscopy / x-ray photoemission spectroscopy / spectropic ellipsometry / interface / oxide films / IV semiconductors / 分光エリプソメトリ / 赤外反射分光 / 紫外光電子分光 / X線光電子分光 / 分光偏光解析 / 酸化膜 / 炭化珪素(SiC) / IV族半導体 / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / エピタキシャル成長 / 半導体 / MBE,エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE 隠す

炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  埼玉大学
炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生研究代表者
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明研究代表者
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定研究代表者
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学
等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究
- 研究代表者
  
  吉田貞史
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学

[図書] Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  S. Yoshida, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 総ページ数
  26
- 出版者
  INTECH open access publisher
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[図書] Physics and Technology of Silicon Carbide Devices2013
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata
- 総ページ数
  402
- 出版者
  INTECH open access publisher
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[図書] Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
- 総ページ数
  26
- 出版者
  INTECH open access publisher
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment2023
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y. Nishiya, Y.-i. Matsushita, K. Harii, Y. Masuyama, Y. Hijikata, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 032006-032006
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292, KAKENHI-PROJECT-20K05352, KAKENHI-PROJECT-21H04553, KAKENHI-PROJECT-23K22787
[雑誌論文] Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces2021
- 著者名/発表者名
  Hijikata Yasuto、Komori Shota、Otojima Shunsuke、Matsushita Yu-Ichiro、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 20 ページ: 204005-204005
- DOI
  10.1063/5.0048772
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Creation of Color Centers in SiC PN Diodes Using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 963 ページ: 709-713
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.709
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] First-Principles Study of Oxygen-Related Defects on 4H-SiC Surface: The Effects of Surface Amorphous Structure2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsushita, Y. Furukawa, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 464 ページ: 451-454
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2018.09.072
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Abe, Y. Hijikata, T. Umeda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 8 ページ: 083105-083105
- DOI
  10.1063/1.5099327
- NAID
  120007132685
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model2019
- 著者名/発表者名
  Hijikata Yasuto
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials
  
  巻: 92 ページ: 253-258
- DOI
  10.1016/j.diamond.2019.01.012
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface2018
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Honda, T. Makino, Y. Hijikata, S.-Y. Lee, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  ACS Photonics
  
  巻: 5 号: 8 ページ: 3159-3165
- DOI
  10.1021/acsphotonics.8b00375
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Various Single Photon Sources Observed in SiC pin Diodes2018
- 著者名/発表者名
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S.-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 204-207
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.204
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer induced by oxidation2018
- 著者名/発表者名
  Asafuji Ryosuke、Hijikata Yasuto
- 雑誌名
  
  Materials Research Express
  
  巻: 5 号: 1 ページ: 015903-015903
- DOI
  10.1088/2053-1591/aaa00c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -I. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  J. Mater. Res.
  
  巻: 33 号: 20 ページ: 3355-3361
- DOI
  10.1557/jmr.2018.302
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, T. Horii, Y. Furukawa, Y. Matsushita, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  J. Phys. Commun.
  
  巻: 2 号: 11 ページ: 111003-111003
- DOI
  10.1088/2399-6528/aaede4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Re-sistance of SiC MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Shi-nobu Onoda, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, and Yasuto Hijikata
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 214 号: 4 ページ: 1600446-1600446
- DOI
  10.1002/pssa.201600446
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, Y. Suda, S. Kawabata, W. Kada, T. Honda, Y. Hijikata, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: - 号: 5 ページ: 2865-2870
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.6b05395
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047, KAKENHI-PROJECT-16K13721, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Creation and Functionalization of Defects in SiC by Proton Beam Writing2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, M. Haruyama, T. Kamiya, T. Satoh, Y. Hijikata, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 897 ページ: 233-237
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.897.233
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Koichi Murata, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shi-nobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, and Yasuto Hijikata
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 214 号: 4 ページ: 1600425-1600425
- DOI
  10.1002/pssa.201600425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Unified theory of silicon carbide oxidation based on the Si and C emission model2016
- 著者名/発表者名
  Daisuke Goto and Yasuto Hijikata
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 49 号: 22 ページ: 225103-225103
- DOI
  10.1088/0022-3727/49/22/225103
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region2016
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 1S ページ: 01AD01-01AD01
- DOI
  10.7567/jjap.55.01ad01
- NAID
  210000145957
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity circumstance2016
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 10 ページ: 104101-104101
- DOI
  10.7567/jjap.55.104101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers2016
- 著者名/発表者名
  T. Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
- 雑誌名
  
  Superlattices and Microstructures
  
  巻: 99 ページ: 197-201
- DOI
  10.1016/j.spmi.2016.03.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature2016
- 著者名/発表者名
  Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 860-863
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.860
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers2015
- 著者名/発表者名
  Yutaro Miyano, Ryosuke Asafuji, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 5 号: 12 ページ: 127116-127116
- DOI
  10.1063/1.4938126
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers2015
- 著者名/発表者名
  Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 327-330
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.327
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 5 ページ: 051201-051201
- DOI
  10.7567/jjap.54.051201
- NAID
  210000145121
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region2015
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: -
- NAID
  210000145957
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments2015
- 著者名/発表者名
  T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 705-708
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.705
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Si and C emission into the oxide layer during the oxidation of silicon carbide and its influence on the oxidation rate2015
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Ryosuke Asafuji, Ryotaro Konno, Yurie Akasaka, Ryo Shinoda
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 5 ページ: 067128-067128
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry2015
- 著者名/発表者名
  D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 117 号: 9 ページ: 095306-095306
- DOI
  10.1063/1.4914050
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2015
- 著者名/発表者名
  D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 371-374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys2014
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 752-755
- DOI
  10.1002/pssa.201300462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide2014
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 553-556
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.553
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2013
- 著者名/発表者名
  RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 85-87
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model2013
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 833-836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
  
  巻: 1566 (1) ページ: 538-539
- DOI
  10.1063/1.4848523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2012
- 著者名/発表者名
  Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 2 ページ: 24502-24502
- DOI
  10.1063/1.4736801
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Micro-Photoluminescence study on the influence of oxidation on stacking faults in 4H-SiC epilayers2012
- 著者名/発表者名
  Hikaru Yamagata, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 51302-51302
- DOI
  10.1143/apex.5.051302
- NAID
  10030593386
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201
- DOI
  10.1143/apex.5.111201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Physica
  
  巻: Vol.42, No10 号: 10 ページ: 2529-2531
- DOI
  10.1016/j.physe.2009.12.011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E
  
  巻: 42 ページ: 2529-2531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  S.Oishi, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 556-557
  
  ページ: 423-426
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation2007
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, S.Yoshida, F.Moscatelli, A.Poggi, S.Solmi, S.Cristiani, R.Nipoti
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 556-557
  
  ページ: 651-654
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose2007
- 著者名/発表者名
  A.Poggi, F.Moscatelli, Y.Hijikata, S.Solmi, M.Sanmartin, F.Tamarri, R.Nipoti
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum 556-557
  
  ページ: 639-642
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Characterization of Oxide Films on 4H-SiC Epitaxial (000-1) Faces by High-Energy-Resolution Photoemission Spectroscopy : Comparison between Wet and Dry Oxidation2006
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, H.Nohira, T.Hattori
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 100
  
  ページ: 53710-53710
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Simultaneous Determination of Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  S.Oishi, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron2005
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, T.Hattori
- 雑誌名
  
  Mater.Sci.Forum 483-485
  
  ページ: 585-588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Effect of Ar Post-Oxidation Annealing on Oxide-4H-SiC Interfaces Studied by Capacitance to Voltage Measurements and Photoemission Spectroscopy2005
- 著者名/発表者名
  Y.Hijikata, H.Yaguchi, Y.Ishida, M.Yoshikawa, S.Yoshida
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol.A 23(2)
  
  ページ: 298-303
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[雑誌論文] Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC(001) by molecular beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi, Y.Kitamura, K.Nishida, Y.Iwahashi, Y.Hijikata, S.Yoshida
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 2(7)
  
  ページ: 2267-2270
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17760247
[学会発表] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係2023
- 著者名/発表者名
  張盛杰, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張啓航, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成2023
- 著者名/発表者名
  張啓航, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張盛杰, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定2023
- 著者名/発表者名
  杉本昂暉, 土方泰斗, 清水麻希
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成2023
- 著者名/発表者名
  張啓航, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張盛杰, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係2023
- 著者名/発表者名
  張盛杰, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張啓航, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定2023
- 著者名/発表者名
  杉本昂暉, 土方泰斗, 清水麻希
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  Defects in solids for quantum technologies (DSQT)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface2022
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成2022
- 著者名/発表者名
  元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一，村田晃一，増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  Defects in solids for quantum technologies (DSQT)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface2022
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata
- 学会等名
  The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成2022
- 著者名/発表者名
  元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一，村田晃一，増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] PLイメージング法による異なるオフカット角を有する4H-SiC基板中の酸化誘起積層欠陥の観測2019
- 著者名/発表者名
  新田翔司，土方泰斗
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
- 学会等名
  Quantum 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，児島一聡，山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗，松下　雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC 表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗, 松下雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Room temperature electronic-driven quantum devices using single defects in silicon carbide semiconductors2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata
- 学会等名
  2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED-2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes2019
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，常見大貴，佐藤真一郎, 土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会 (11p-70A-14) (大岡山) 2019.3.11.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
- 学会等名
  Quantum 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出2019
- 著者名/発表者名
  小野寺奎, 鎌田憲彦, 土方泰斗, 武山昭憲, 大島武, 吉江徹
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗，松下雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会 (9a-PB3-5) (大岡山) 2019.3.9.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  山崎雄一郎，常見大貴，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会 (11p-70A-15) (大岡山) 2019.3.11.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes2019
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，児島一聡，山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ2018
- 著者名/発表者名
  土方泰斗，牧野高紘，佐藤真一郎，山崎雄一，大島武
- 学会等名
  第2回量子生命科学研究会第２回学術集会 (P1) (東大本郷) 2018.5.10.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Growth Rate Simulations of Oxide Films on Silicon Carbide based on the Si and C Emission Model2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata
- 学会等名
  2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高紘，佐藤真一郎，山田尚人,　佐藤隆博, 児島一聡, 土方泰斗，大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S. Y. Lee, T. Ohshima
- 学会等名
  16th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model2018
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata
- 学会等名
  The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018 (Beijing, China) 2018.7.11.
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y. -i. Matsushita, T. Ohshima
- 学会等名
  2018 E-MRS Spring meeting and Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 常見大貴, 本多智也, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC半導体表面に形成した単一光子源の低温フォトルミネッセンス特性2018
- 著者名/発表者名
  音嶋俊介，松下雄一郎，大島武，土方泰斗
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-13) (名古屋) 2018.9.21.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata
- 学会等名
  The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高紘，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Growth Rate Simulations of Oxide Films on Silicon Carbide based on the Si and C Emission Model2018
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata
- 学会等名
  2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China) 2018.12.25.
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高紘,　佐藤真一郎，山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗，児島一聡,　 S. -Y. Lee, 大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC半導体を用いた非接触給電装置の耐放射線性評価2018
- 著者名/発表者名
  赤川拓，川原藤樹，金子裕良，武山昭憲，大島武，土方泰斗
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-28) (京都) 2018.11.7.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高紘，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高紘, 佐藤真一郎，山田尚人, 佐藤隆博, 加田渉, 土方泰斗，児島一聡, S. -Y. Lee, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高絋，山田尚人，佐藤隆博，土方泰斗，児島一聡，大島武
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-10) (名古屋) 2018.9.21.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性2018
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IA-7) (京都) 2018.11.6.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高絋，佐藤真一郎，山田尚人，佐藤隆博，児島一聡，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIA-10) (京都) 2018.11.7.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上2018
- 著者名/発表者名
  赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高絋，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-12) (名古屋) 2018.9.21.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高絋，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-24) (京都) 2018.11.7.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高絋，佐藤真一郎，山田尚人，佐藤隆博，加田渉，土方泰斗，児島一聡，S.-Y.Lee，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-5) (京都) 2018.11.7.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子光源に与える影響の理論的分析2018
- 著者名/発表者名
  古川頼誉, 土方泰斗, 大島武, 松下雄一郎
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴, 佐藤真一郎, 山﨑雄一, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creating single photon sources in SiC pn diodes using proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima, Y. Hijikata
- 学会等名
  2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China) 2018.12.25.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  T. Makino, S. Takano, S. Harada, Y. Hijikata, and T. Ohshima
- 学会等名
  2018 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC) (Hawaii, USA) (PG2) 2018.7.18.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高紘，佐藤真一郎，山田尚人,　佐藤隆博，加田渉，児島一聡，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高絋，佐藤真一郎，山田尚人，佐藤隆博，児島一聡，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-11) (名古屋) 2018.9.21.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Spring Meeting (Strasbourg, France) (I.8.3) 2018.6.20.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide device by proton beam writing toward quantum applications2018
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohshima, Yuichi Yamazaki, Yuji Chiba, Naoto Yamada, Shin-ichiro Sato, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Sang-Yun Lee, Kazutoshi Kojima
- 学会等名
  25th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性2018
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 負ゲートバイアス印加によるSiC MOSFETのガンマ線照射劣化挙動2017
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，松田拓磨，三友啓，村田航一，牧野高紘，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会 (名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上2017
- 著者名/発表者名
  赤堀周平，古川頼誉，松下雄一郎，大島武，土方泰斗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Various single photon sources observed in SiC pin diodes2017
- 著者名/発表者名
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, and T. Ohshima
- 学会等名
  Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017)(Washington D.C.)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成2017
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，常見大貴，本多智也，牧野高紘，佐藤信一郎，山田尚人，佐藤隆博，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子源に与える影響の理論的分析2017
- 著者名/発表者名
  古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程2017
- 著者名/発表者名
  高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴、本多智也、牧野高絋、小野田忍、佐藤真一郎、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] チャネルサイズがSiC-MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，牧野高紘，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也，常見大貴，小野田忍，牧野高紘，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会 (名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也、常見大貴、児島一聡、佐藤真一郎、牧野高紘、小野田忍、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Enhanced single photon emission near stacking fault in 4H-SiC epilayer2017
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Akahori, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価2017
- 著者名/発表者名
  高野修平，牧野高紘，原田信介，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会 (名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Contraolled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. J. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. Astakhov
- 学会等名
  Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017)(Washington D.C.)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 4H-SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析2017
- 著者名/発表者名
  古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析2017
- 著者名/発表者名
  古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会 (名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也, 常見大貴, 児島一聡, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 小野田忍, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 負ゲートバイアス印加がSiC MOSFETのガンマ線照射劣化に及ぼす影響2017
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，牧野高紘，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Various single photon sources observed in SiC pin diodes2017
- 著者名/発表者名
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S.-i. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
- 学会等名
  2017 MRS Fall meeting(Boston, USA)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也, 常見大貴, 小野田忍, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会 (福岡)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Enhanced Single Photon Emission near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2017
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Akahori, and T. Ohshima
- 学会等名
  Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017)(Washington D.C.)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴、本多智也、牧野高絋、小野田忍、佐藤真一郎、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会 (名古屋)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Observation of Single Photon Sources in Silicon Carbide PiN Diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata, B. C. Johnson, J. R. Klein, A. Lohrmann, J. C. McCaiium
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies, The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード表面に形成される単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴, 本多智也, 佐藤真一郎, 小野田忍, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴，本多智也，牧野高紘，小野田忍，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Controlled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer during oxidation2016
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Asafuji and Yasuto Hijikata
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology (EMN) on Epitaxy 2016
- 発表場所
  Budapest, Hungary
- 年月日
  2016-09-05
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs2016
- 著者名/発表者名
  S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Tokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2016 Spring Meeting
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2016-05-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Resistance of SiC MOSFETs2016
- 著者名/発表者名
  Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda,Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Takeshi Ohshima , Yasuto Hijikata
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2016 Spring Meeting
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2016-05-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC酸化膜界面のパッシベーション技術2016
- 著者名/発表者名
  土方泰斗
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第２回個別討論会
- 発表場所
  名駅ＡＢＣビル（名古屋中村区）
- 年月日
  2016-08-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] A Development of Super Radiation-Hardened Power Electronics Using Silicon Carbide Semiconductors -Toward MGy-Class Radiation Resistivity-2015
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and T. Ohshima
- 学会等名
  The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA)
- 発表場所
  桐生市市民文化会館（群馬県桐生市）
- 年月日
  2015-11-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] ゲートバイアス印加を伴うSiC MOSFETへのガンマ線照射効果2015
- 著者名/発表者名
  村田航一，三友啓，松田拓磨，横関貴史，牧野高紘，阿部浩之，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，大島武，土方泰斗
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県・平塚市）
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県・平塚市)
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] SiC熱酸化における界面からのSi、C放出と界面欠陥2015
- 著者名/発表者名
  土方泰斗
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回個別討論会
- 発表場所
  埼玉大学東京ステーションカレッジ（東京都千代田区）
- 年月日
  2015-08-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature2015
- 著者名/発表者名
  Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials (ICSCRM2015)
- 発表場所
  Giargini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] SiC-MOSFETへのガンマ線照射効果の酸化膜作製プロセスによる違い2015
- 著者名/発表者名
  三友啓，松田拓磨，村田航一，横関貴史，牧野高紘，阿部浩之，小野田忍，大島武，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県・平塚市）
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers2015
- 著者名/発表者名
  T.Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
- 学会等名
  The 16th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XVI 2015)
- 発表場所
  Suzhou, China
- 年月日
  2015-09-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの耐放射線性評価2015
- 著者名/発表者名
  松田拓磨，横関貴史，三友啓，村田航一，牧野高紘，阿部浩之，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，大島武，土方泰斗
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県・平塚市）
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論2015
- 著者名/発表者名
  土方泰斗、浅藤亮祐
- 学会等名
  第76回秋季応用物理学会講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03967
[学会発表] Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region2015
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
- 学会等名
  ISPlasma2015
- 発表場所
  名古屋大学（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-03-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers2014
- 著者名/発表者名
  Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 学会等名
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] ガンマ線照射したSiC MOSFETの特性の安定性2014
- 著者名/発表者名
  横関貴史、牧野高紘、阿部浩之、小野田忍、大島武、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2014
- 著者名/発表者名
  D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 学会等名
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察2014
- 著者名/発表者名
  宮野祐太郎、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化2014
- 著者名/発表者名
  今野良太郎，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] ガンマ線照射したSiC MOSFETの熱アニールによる特性劣化の回復2014
- 著者名/発表者名
  横関貴史、阿部浩之、牧野高紘、小野田忍、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)2014
- 著者名/発表者名
  後藤大祐、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments2014
- 著者名/発表者名
  T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata and T. Ohshima
- 学会等名
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Gamma-Ray Irradiation Response of Silicon Carbide Semiconductor Devices: Extremely High Radiation Resistance2014
- 著者名/発表者名
  S. Sato, S. Onoda, T. Makino, N. Fujuta, T. Ohshima1, T. Yokoseki, K. Tanaka, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie
- 学会等名
  7th International Youth Nuclear Congress
- 発表場所
  Burgos, Spain
- 年月日
  2014-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
- 年月日
  2012-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価2012
- 著者名/発表者名
  野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  奈良県新公会堂(奈良県)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012
- 著者名/発表者名
  金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究2012
- 著者名/発表者名
  坂元圭, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル2010
- 著者名/発表者名
  大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
- 著者名/発表者名
  星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
- 著者名/発表者名
  石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  神戸国際会議場 (兵庫県)
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光2009
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, M.Ito, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, S.Kuboys, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  兵庫県・神戸国際会議場
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製(II)
- 著者名/発表者名
  大谷篤志, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
- 著者名/発表者名
  大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪（大阪市中央公会堂）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
- 学会等名
  9th European Conference of SiC and Related Matterials
- 発表場所
  Russia (Saint-Petersburg)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性
- 著者名/発表者名
  田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子，牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定
- 著者名/発表者名
  後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
- 著者名/発表者名
  大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山（愛媛/松山大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Co-60ガンマ線によるSiC-MOSFETのI-V特性の劣化評価
- 著者名/発表者名
  横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials (ICSCRM2013)
- 発表場所
  Seagaia Convention Center (宮崎県宮崎市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] ワイドギャップ半導体MIS界面の電気的評価
- 著者名/発表者名
  土方泰斗
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe and H. Yaguchi
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013
- 発表場所
  ゲイロード・ナショナル・リゾート・アンド・コンベンション・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  UCLAコンファレンス・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] ガンマ線照射後のSiC-MOSキャパシタ及びPiN ダイオードの電気的特性の変化
- 著者名/発表者名
  田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子，岩本直也, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
- 著者名/発表者名
  宮野祐太郎，矢口裕之，土方泰斗，八木修平
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会講演会
- 発表場所
  厚木（神奈川工科大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
- 著者名/発表者名
  加藤寿悠，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山（愛媛/松山大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
- 著者名/発表者名
  横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365

1. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 62件
2. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 79件
3. 松下雄一郎 (90762336)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 8件
4. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 37件
5. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 34件
6. 八木修平 (30421415)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 30件
7. 窪谷茂幸 (70583615)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 32件
8. 秋山英文 (40251491)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 29件
9. 吉田貞史 (70302510)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 藤ノ木享英 (10361354)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 波多野睦子 (00417007)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 櫻井鉄也 (60187086)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 吉岡裕典 (60712528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 針井一哉 (00633900)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 小野田忍

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
17. 梅田享英

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

土方 泰斗 HIJIKATA Yasuto

研究課題

研究成果

共同研究者

炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy2013

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

土方泰斗 HIJIKATA Yasuto