秩父重英 Chichibu Shigefusa

研究者番号	80266907
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所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2024年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 2006年度 – 2013年度: 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 2006年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教授 1999年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理工学系, 助教授 1995年度: 東京理科大学, 理工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 物性Ⅰ / 理工系研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分21020:通信工学関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系
キーワード	研究代表者酸化亜鉛 / 励起子 / 励起子ポラリトン / ヘリコン波励起プラズマ / エピタキシャル成長 / エピタキシー / 窒化ホウ素 / ポリタイプ / 窒化ホウ素(BN) / 窒化ボロン … もっと見る / フェムト秒電子銃 / 時間空間同時分解分光 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 電気・電子材料 / MgZnO / 分布ブラッグ反射鏡 / フォトルミネッセンス / 量子井戸 / 気相合成 / グラファイト相BN / 閃亜鉛鉱構造 / 六方晶 / 時間分解分光 / 深紫外線 / 直接遷移 / 間接遷移 / カソードルミネッセンス / 電子顕微鏡 / フェムト秒電子線 / フェムト秒集束電子線 / フェムト秒レーザ / BN / 光電子銃 / 半導体物性 / AlInN / 空間分解 / 時間分解 / フェムト秒励起 / 結晶成長 / 結晶工学 / 特異構造 / 光物性 / magnesium zinc oxide / multilayer structures / epitaxy / distributed Bragg reflector / transparent conducting oxides / dielectric oxides / zinc oxide / Helicon-wave-excited-plasma / 酸化マグネシウム亜鉛 / 多層構造 / 透明導電膜 / 誘電体酸化物 / 結晶評価 / 時間空間同時分解計測 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高輝度フェムト秒収束電子線 / 縮退四光波混合 / ポラリトンレーザー / 電子・電気材料 / 反射鏡 / 多層膜 / 共振器 / 誘電体多層膜 / 紫外光 / N_2O / プラズマ / ヘリコン波 / ZnO / スパッタ / フォトルシネセンス / 紫外線発光 / 原子層 / プラズマ分光 / MBE / 時間分解PL / フォトルミネッセンス(PL) / 局在励起子 / 組成不均一性 / InGaN混晶 / 立方晶窒化物 / 窒化物半導体 / エキシトン発光 / 結晶場分裂エネルギー / 光・キャリア閉じ込め / ドメイン構造 / 熱膨張係数 / 可視発光 / 混晶組成制御 … もっと見る研究代表者以外陽電子消滅 / GaN / 点欠陥 / ZnO / BaSi_2 / III族窒化物半導体 / II属窒化物半導体 / フォトルミネッセンス / 不純物活性化 / イオン注入 / III属窒化物半導体 / 2次元原子層基板 / 高圧下結晶成長 / 窒化ホウ素 / 不純物制御 / 合成合成 / 六方晶窒化ホウ素単結晶 / インターカーレーション / 2次元光・電子デバイス / 高純度単結晶 / 反応性溶媒 / 遠紫外線発光 / 高圧合成 / 六方晶窒化ホウ素 / ５G / 窒化物光半導体 / ソーラーブラインド / MIMO伝送 / ソーラーブラインド通信 / 光センシング / 深紫外LED / 光無線通信 / 光物性 / 非極性面 / 深紫外光源 / AlInN / REAR EARTH / IMPURITY DOPING / POINT DEFECT / MONOENERGETIC POSITRON BEAM / POSITRON ANNIHILATION / Eu / Tb / 希土類ドープ / 不純物ドープ / 低速陽電子ビーム / energy band structure / control of conduction type / MBE growth / beta-FeSi2 / silicide / solar battery / 鉄シリサイド / 移動度 / 同時蒸着法 / 多層膜法 / エネルギーバンド構造 / エネルギー・バンド構造 / 伝導型制御 / MBE成長 / β-FeSi_2 / シリサイド / 太陽電池 / CL / MBE / AIN / 非輻射再結合 / 第一原理計算 / 光学測定 / InN / AlN / 発光ダイナミックス隠す

グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東北大学
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  筑波大学
六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
窒化ホウ素の科学のための高品位単結晶創製
- 研究代表者
  
  谷口尚
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
情報通信資源としての深紫外帯の再探索
- 研究代表者
  
  淡路祥成
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21020:通信工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人情報通信研究機構
広禁制帯幅ナノ構造を計測可能な時間・空間同時分解陰極線蛍光計測法の開発と応用研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  東北大学
時間空間分解カソードルミネッセンスによる特異構造の光物性解明と機能性探索研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
深紫外線波長で巨大な励起子効果を発揮する窒化ボロン半導体の発光ダイナミクス研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
高効率・高出力を両立するAlInN発光デバイスの実現
- 研究代表者
  
  小島一信
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東北大学
高輝度フェムト秒集束電子線発生によるワイドキャップ半導体の時空間同時分解計測開発研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体・誘電体エレクトロニクスの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅によるGaN系半導体の点欠陥の研究
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
環境に優しい半導体β-FeSi_2を用いた太陽電池の研究
- 研究代表者
  
  長谷川文夫
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
窒化物半導体量子井戸構造の光学遷移過程における励起子局在効果の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
MOCVD成長高品質銅カルコパイライト半導体エピタキシャル層の発光素子化検討研究代表者
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京理科大学

[図書] 2020版薄膜作製応用ハンドブック2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 総ページ数
  14
- 出版者
  (株)エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860436315
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[図書] 2020版薄膜作製応用ハンドブック2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 総ページ数
  14
- 出版者
  (株)エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860436315
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[図書] 「ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測」2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治
- 出版者
  マテリアルインテグレーション(特集:地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)、第24巻,4,5月号
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[図書] Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, edited by D.Ehrentraut, E.Meissner, and M.Bockowski "Chapter 13, Optical properties of GaN substrates", pp.277-293. ISBN 978-3-642-04828-9 e-ISBN 978-3-642-04830-22009
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 出版者
  Springer Series in Materials Sciences, 2009
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] Advances in Light Emitting Materials(edited by B. Monemar and H.Grimmeiss)("Impact of Point Defects on the Luminescence Properties of (Al,Ga)N", Materials Science Forum 590, pp.233-248(2008) ISBN0-87849-358-1 ISBN-13978-087849-358-6)2008
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, S.P.DenBaars, U.K.Mishra, J.S.Speck, S.Nakamura
- 総ページ数
  278
- 出版者
  Trans Tech Publications, Stafa-Zuerich
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] Advances in Light Emitting Materials2008
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu
- 総ページ数
  16
- 出版者
  Trans Tech Publications
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] Advances in Light Emitting Materials, edited by B. Monemar and H. Grimmeiss, (edited by B. Monemar and H. Grimmeiss), (Impact of Point Defects on the Luminescence Properties of (Al,Ga)N)2008
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck and S. Nakamura
- 総ページ数
  278
- 出版者
  Stafa-Zuerich
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] 第42回応用物理学会スクール (2008年春季)2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 他
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2023
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Sakurai Hideki、Uzuhashi Jun、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Bockowski Michal、Suda Jun、Ohokubo Tadakatsu、Ikarashi Nobuyuki、Hono Kazuhiro、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE 12421, Gallium Nitride Materials and Devices
  
  巻: XVIII ページ: 25-25
- DOI
  10.1117/12.2646233
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Recombination dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors [Featured Article]2022
- 著者名/発表者名
  Chichibu S. F.、Shima K.、Kikuchi K.、Umehara N.、Takiguchi K.、Ishitani Y.、Hara K.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 23 ページ: 2319041-7
- DOI
  10.1063/5.0090431
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[雑誌論文] Effect of Ultra‐High‐Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation2022
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Sakurai Hideki、Uzuhashi Jun、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Bockowski Michal、Suda Jun、Ohkubo Tadakatsu、Ikarashi Nobuyuki、Hono Kazuhiro、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 259 号: 10 ページ: 2200183-2200183
- DOI
  10.1002/pssb.202200183
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg2021
- 著者名/発表者名
  Shima K.、Tanaka R.、Takashima S.、Ueno K.、Edo M.、Kojima K.、Uedono A.、Ishibashi S.、Chichibu S. F.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 119 号: 18 ページ: 182106-182106
- DOI
  10.1063/5.0066347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam2021
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Tanaka Ryo、Takashima Shinya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 11 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-021-00102-2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] 東北大学グリーンネストICT LEDを用いたノイズに強い光無線通信技術の研究~ 真夏の直射日光下において毎秒1ギガビット以上の通信速度を実現~2021
- 著者名/発表者名
  小島一信, 秩父重英, 吉田悠来, 白岩雅輝, 菅野敦史, 山本直克, 淡路祥成, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道
- 雑誌名
  
  電波技術協会報FORN
  
  巻: 342
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[雑誌論文] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), Gallium Nitride Materials and Devices XV, Edited by H. Fujioka, H. Morkoc, and U. T. Schwarz
  
  巻: 11280 ページ: 11-11
- DOI
  10.1117/12.2541518
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Temperature dependence of internal quantum efficiency of radiation for the near-band-edge emission of GaN crystals quantified by omnidirectional photoluminescence spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Ikemura, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 (10) 号: 10 ページ: 1055041-4
- DOI
  10.35848/1882-0786/abb788
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, H. Fujikura, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 (1) 号: 1 ページ: 0120041-4
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab5adc
- NAID
  210000157633
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H04809, KAKENHI-PROJECT-18K19028
[雑誌論文] Self-organized micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 (3) 号: 3 ページ: 0311031-4
- DOI
  10.1063/5.0013112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-19H02145
[雑誌論文] Correlation between the internal quantum efficiency and photoluminescence lifetime of the near-band-edge emission in a ZnO single crystal grown by the hydrothermal method2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physical Express
  
  巻: 13 (12) 号: 12 ページ: 1210051-5
- DOI
  10.35848/1882-0786/abcd73
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), Gallium Nitride Materials and Devices XV, Edited by H. Fujioka, H. Morkoc, and U. T. Schwarz
  
  巻: 11280 ページ: 10-10
- DOI
  10.1117/12.2545409
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Urbach-Martienssen tail as the origin of the two-peak structure in the photoluminescence spectra for the near-band-edge emission of a freestanding GaN crystal observed by omnidirectional photoluminescence spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 (17) 号: 17 ページ: 1711031-5
- DOI
  10.1063/5.0028134
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of wide-bandgap group-III nitride semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, and K. Furusawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 (2) 号: 2 ページ: 0205011-17
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab5ef4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907
[雑誌論文] Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams2020
- 著者名/発表者名
  Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 128 号: 8 ページ: 085704-085704
- DOI
  10.1063/5.0015225
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] 窒化アルミニウムガリウム深紫外発光ダイオードを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信2020
- 著者名/発表者名
  小島一信，秩父重英，吉田悠来，白岩雅輝，淡路祥成，菅野敦史，山本直克，平野光
- 雑誌名
  
  月刊OPTRONICS (６月号)
  
  巻: 83 ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[雑誌論文] Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN2020
- 著者名/発表者名
  Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Kangawa Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 185701-11
- DOI
  10.1038/s41598-020-75380-3
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Annealing Behavior of Vacancy‐Type Defects in Mg‐ and H‐Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2019
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 256 号: 10 ページ: 1900104-1900104
- DOI
  10.1002/pssb.201900104
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019
- 著者名/発表者名
  K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Proceedings of IWJT2019: IEEE Xplore Digital Library
  
  巻: none ページ: 1-4
- DOI
  10.23919/iwjt.2019.8802886
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH3NH3PbBr3 perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Ikemura, K. Matsumori, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 7 号: 7 ページ: 0711161-6
- DOI
  10.1063/1.5110652
- NAID
  120006712292
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Ikemura, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 (6) 号: 6 ページ: 0620101-4
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab2165
- NAID
  210000156009
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H04809, KAKENHI-PROJECT-18K19028
[雑誌論文] Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures2019
- 著者名/発表者名
  Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Takashima Shin-ya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Ishibashi Shoji、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC0802-SC0802
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d06
- NAID
  210000156122
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Carrier localization structure combined with current micropaths in AlGaN quantum wells grown on an AlN template with macrosteps2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 114 号: 1 ページ: 0111021-5
- DOI
  10.1063/1.5063735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m-plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Hazu, Y. Ishikawa, K. Furusawa, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 (15) 号: 15 ページ: 1519031-5
- DOI
  10.1063/1.5116900
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907
[雑誌論文] Nearly temperature-independent ultraviolet light emission intensity of indirect excitons in hexagonal BN microcrystals2018
- 著者名/発表者名
  Chichibu Shigefusa F.、Ishikawa Youichi、Kominami Hiroko、Hara Kazuhiko
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 6 ページ: 065104-065104
- DOI
  10.1063/1.5021788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907, KAKENHI-PROJECT-16K14222
[雑誌論文] The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN2018
- 著者名/発表者名
  Chichibu S. F.、Uedono A.、Kojima K.、Ikeda H.、Fujito K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161413-161413
- DOI
  10.1063/1.5012994
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000-1) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H2018
- 著者名/発表者名
  Shima K.、Iguchi H.、Narita T.、Kataoka K.、Kojima K.、Uedono A.、Chichibu S. F.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 19 ページ: 191901-191901
- DOI
  10.1063/1.5050967
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate2018
- 著者名/発表者名
  Chichibu S. F.、Shima K.、Kojima K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.、Uedono A.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 号: 21 ページ: 211901-211901
- DOI
  10.1063/1.5030645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] A design strategy for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 0158021-4
- DOI
  10.7567/apex.10.015802
- NAID
  210000135740
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-26706003, KAKENHI-PLANNED-16H06415
[雑誌論文] Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  Kazunobu Kojima;Shinya Takashima;Masaharu Edo;Katsunori Ueno;Mitsuaki Shimizu;Tokio Takahashi;Shoji Ishibashi;Akira Uedono;Shigefusa F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 0610021-4
- DOI
  10.7567/apex.10.061002
- NAID
  210000135863
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Defect-resistant radiative performance of m-plane immiscible Al1-xInxN epitaxial nanostructures for deep-ultraviolet and visible polarized-light emitters2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 雑誌名
  
  Advanced Materials
  
  巻: 29 号: 5 ページ: 16036441-9
- DOI
  10.1002/adma.201603644
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-15K13344
[雑誌論文] Demonstration of omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for precise determination of internal quantum efficiency of radiation in GaN single crystals2017
- 著者名/発表者名
  Kojima Kazunobu、Ikeda Hirotaka、Fujito Kenji、Chichibu Shigefusa F.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 111 号: 3 ページ: 032111-032111
- DOI
  10.1063/1.4995398
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Ultraviolet light-absorbing and emitting diodes consisting of a p-type transparent-semiconducting NiO film deposited on an n-type GaN homoepitaxial layer2017
- 著者名/発表者名
  H. Nakai, M. Sugiyama, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter
  
  巻: 110 号: 18 ページ: 181102-181102
- DOI
  10.1063/1.4982653
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06274, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Nitrogen vacancies as a common element of the green luminescence and nonradiative recombination centers in Mg-implanted GaN layers formed on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, A. Uedono,S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11
- NAID
  210000135863
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Takashima Shinya、Edo Masaharu、Ueno Katsunori、Matsuyama Hideaki、Egger Werner、Koschine Tonjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. B
  
  巻: 2017 号: 4 ページ: 1700521-1700521
- DOI
  10.1002/pssb.201700521
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Ultraviolet light-absorbing and emitting diodes consisting of a p-type transparent-semiconducting　NiO film deposited on an n-type GaN homoepitaxial layer2017
- 著者名/発表者名
  H. Nakai, M. Sugiyama, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, D. Kagaya, Y. Yamazaki, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FG04-05FG04
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fg04
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[雑誌論文] Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 14 ページ: 1421031-5
- DOI
  10.1063/1.4823826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: Vol. 50, No.42 ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Electronic Structure and Spontaneous Polarization in ScxAlyGa1-x-yN Alloys Lattice-Matched to GaN: A First-Principles Study2013
- 著者名/発表者名
  K. Shimada, S. F. Chichibu, M. Hata, H. Sazawa, T. Takada, and T. Sota
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JM04-08JM04
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jm04
- NAID
  210000142746
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6
- DOI
  10.1063/1.4807906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] Impacts ofSi-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al_<0.6>Ga_<0.4>N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vo. 113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.113,No.21 ページ: 2135061-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun2013
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 5 ページ: 0521081-4
- DOI
  10.1063/1.4817297
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24760250
[雑誌論文] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 501-506
- DOI
  10.1002/pssc.201200676
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50 号: 42 ページ: 1-8
- DOI
  10.1149/05042.0001ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Structural, elastic, and polarization parameters and band structures of wurtzite ZnO and MgO2012
- 著者名/発表者名
  S. -H. Jang and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.112,No.7 ページ: 0735031-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Signatures of Γ1-Γ5 mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO2012
- 著者名/発表者名
  A. Takagi, A. Nakamura, A. Yoshikaie, S. Yoshioka, S. Adachi, S. F. Chichibu, and T. Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: Vol.24,No.41 ページ: 4158011-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Advantages and remaining issues of state-of-the-art m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for m-plane InGaN epitaxial growth2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, M. Kagaya, P. Corfdir, J. D. Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, and K. Fujito
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: Vol. 27,024008 号: 2 ページ: 1-7
- DOI
  10.1088/0268-1242/27/2/024008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique2012
- 著者名/発表者名
  K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, and T. Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.111,No.9 ページ: 0935221-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 101 号: 21 ページ: 2121061-4
- DOI
  10.1063/1.4767357
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Structural, elastic, and polarization paremeters and band structures of wurtzite ZnO and MgO2012
- 著者名/発表者名
  S. -H. Jang and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 7 ページ: 0735031-6
- DOI
  10.1063/1.4757023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, Y.Kagamitani, K.Hazu, T.Ishiguro, T.Fukuda, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: 83 号: 4 ページ: 0439051-7
- DOI
  10.1063/1.3701368
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012
- 著者名/発表者名
  T. Onuma, Y. Kagamitani, K. Hazu, T. Ishiguro, T. Fukuda, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Review of Scientific Instruments
  
  巻: Vol.83,No.4 ページ: 0439051-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam2012
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, K.Tenjinbayashi, T.Tsutsui, K.Nakahara, D.Takamizu, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 111 号: 1 ページ: 0145081-6
- DOI
  10.1063/1.3675516
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Signatures of Γ1－Γ5 mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO2012
- 著者名/発表者名
  A. Takagi, A. Nakamura, A. Yoshikaie, S. Yoshioka, S. Adachi, S. F. Chichibu, and T. Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: 24 号: 41 ページ: 4158011-8
- DOI
  10.1088/0953-8984/24/41/415801
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-22310063, KAKENHI-PROJECT-24654079
[雑誌論文] Helicon-wave-excited- plasma sputtering epitaxy of Nb-doped Ti0-2 films on GaN2011
- 著者名/発表者名
  A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 8 ページ: 534-536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Time-resolved photoluminescence of a two-dimensional electron gas in an Al_<0.2>Ga_<0.8>N/GaN heterostructure fabricated on ammonothermal GaN substrates2011
- 著者名/発表者名
  Chichibu, et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション(特集)
  
  巻: 24 ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Spontaneous polarization and band gap bowing in Y_xAl_yGa_<1-x-y>N alloys lattice-matched to GaN2011
- 著者名/発表者名
  K.Shimada, A.Zenpuku, K.Fujiwara, K.Hazu, S.F.Chichibu, M.Hata, H.Sazawa, T.Takada, T.Sota
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 100 号: 7 ページ: 0741141-5
- DOI
  10.1063/1.3651154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Time-resolved photoluminescence of a two-dimensional electron gas in an Al_<0.2>Ga_<0.8>N/GaN heterostructure fabricated on ammonothermal GaN substrates2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, Y.Kagamitani, T.Onuma, D.Ehrentraut, T.Fukuda, T.Ishiguro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Collateral evidence for an excellent radiative performance of Al_xGa_<1-x>N alloy films of high AlN mole fractions2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 5 ページ: 0519021-3
- DOI
  10.1063/1.3615681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治
- 雑誌名
  
  マテリアルインテグレーション (特集)
  
  巻: 24 ページ: 273-276
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[雑誌論文] Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar (10-1-1) GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, A.Uedono, H.Asamizu, H.Sato, J.F.Kaeding, M.Iza, S.P.DenBaars, S.Nakamura, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Transparent semi-conducting Nb-doped anatase Ti0_2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering2010
- 著者名/発表者名
  A.Fouda, K.Hazu, M.Haemori, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology B
  
  巻: 29 ページ: 110171-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-doped Ti0_2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited- Plasma Sputtering Epitaxy Method2010
- 著者名/発表者名
  K.Hazu, A.Fouda, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3 ページ: 911021-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence2010
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, K.Hazu, A.Uedono, T.Sota, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method2010
- 著者名/発表者名
  Y. Sawai, H. Hazu, and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.108,No.6 ページ: 0635411-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, et al.
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, T.Shibata, K.Kosaka, K.Asai, S.Sumiya, M.Tanaka, T.Sota, A.Uedono, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  J.App.Phys. 105
- NAID
  120002338505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Ga-doped ZnO transparent conducting films prepared by helicon-wave-excited plasma sputtering2009
- 著者名/発表者名
  S. Masaki, H. Nakanishi, M. Sugiyama, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol. 6
  
  ページ: 1109-1111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Fabrication of a n-type ZnO/p-type Cu-Al-O heterojunction diode by sputtering deposition methods2009
- 著者名/発表者名
  S. Takahata, K. Saiki, T. Imao, H. Nakanishi, M. Sugiyama, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol. 6
  
  ページ: 1105-1108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Nonpolar and Semipolar Group III Nitride-Based Materials2009
- 著者名/発表者名
  J.S.Speck, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  MRS Bulletin
  
  巻: 34 ページ: 304-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] III族窒化物半導体(Al, Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 上殿明良
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌(総合報告)
  
  巻: 36 ページ: 166-177
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering as an Expandable Epitaxy Method for Planar Semiconductor Thin Films2009
- 著者名/発表者名
  H. Amaike, K. Hazu, Y. Sawai, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol. 2, No. 10
  
  ページ: 1055031-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  J. App. Phys 105
- NAID
  120002338505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] ZnO系半導体の発光寿命と結晶欠陥の関係2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 雑誌名
  
  第42回応用物理学会スクール(2008年春季)「ZnO系半導体の結晶成長、デバイスの基礎」テキスト
  
  ページ: 71-81
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Improved characteristics and issues of m-plane InGaN films grown on low defect density m-plane freestanding GaN substrates by metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
- NAID
  120002338447
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 93
- NAID
  120002338439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane GaN homoepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing GaN substrates2008
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 92
  
  ページ: 0919121-3
- NAID
  120002338439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Recombination dynamics of excitons in Mg0.11Zn0.890 alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beamepitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M.Kubota, T.Onuma, A.Tsukazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki, T.Sota, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
  
  ページ: 1-3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Recombination dynamics of excitons in Mg_<0.11> Zn_<0.89>O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M.Kubota, T.Onuma, A.Tsukazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki, T.Sota, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90 (14)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Origin of localized excitations in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation Techniques2007
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine 87
  
  ページ: 2019-2039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Growth of single-phase CuInGaSe_2 photoabsorbing alloy films by the selenization method using diethylselenide as a less-hazardous Se source2007
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, A.Kinoshita, M.Fukaya, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 5867-5870
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Origin of localized excitations in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation Techniques2007
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han and T. Sot
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine 87
  
  ページ: 2019-2039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Recombination dynamics of excitons in MgO. 11ZnO. 890 alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  M.Kubota, T.Onuma, A.Tsukazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki, T.Sota, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Growth of single-phase CuInGaSe_2 photoabsorbing alloy films by the selenization method using diethylselenide as a less-hazardous Se source2007
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, A.Kinoshita, M.Fukaya, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515 (15)
  
  ページ: 5867-5870
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Growth of single-phase CuInGaSe_2 photoabsorbing alloy films by the selenization method using diethylselenide as a less-hazardous Se source2007
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, A.Kinoshita, M.Fukaya, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films on-line
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Impacts f dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN grown by ammonotheramal method2007
- 著者名/発表者名
  S.F.chichibu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
  
  ページ: 2519111-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Origin of localized excitations in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation Techniques2007
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, B.A.Haskell, A.Chakraborty, T.Koyama, P.T.Fini, S.Keller, S.P.Denbaars, J.S.Speck, U.K.Mishra, S.Nakamura, S.Yamaguchi, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, J.Han, T.Sota
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine 87
  
  ページ: 2019-2039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Koyama, N. Shibata, A. N. Fouda, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol. 102
  
  ページ: 0735051-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[雑誌論文] Preparation of High Ga-content CuInGaSe_2 Films by Selenization of Metal Precursors Using Diethylselenide as a Less-Hazardous Source2006
- 著者名/発表者名
  A.Kinoshita, M.Fukaya, H.Nakanishi, M.Sugiyama, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3(8)
  
  ページ: 2539-2542
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Use of Diethylselenide for the Preparation of CuInGaSe_2 Films by Selenization of Metal Precursors Premixed with Se2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, F.B.Dejene, A.Kinoshita, M.Fukaya, V.Alberts, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3(8)
  
  ページ: 2543-2546
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, M.Kubota, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukuazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 99 (9)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Preparation of High Ga-content CuInGaSe_2 Films by Selenization of Metal Precursors Using Diethylselenide as a Less-Hazardous Source2006
- 著者名/発表者名
  A.Kinoshita, M.Fukaya, H.Nakanishi, M.Sugiyama, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3 (8)
  
  ページ: 2539-2542
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Helicon-wave-excited Plasma Sputtering Deposition of Ga-doped ZnO Transparent Conducting Films2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, A.Murayama, T.Imao, K.Saiki, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 203(11)
  
  ページ: 2882-2886
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] The use of diethylselenide as a less-hazardous source in CuInGaSe_2 photoabsorbing alloy formation by selenization of metal precursors premixed with Se2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, F.B.Dejene, A.Kinoshita, M.Fukaya, Y.Maru, T.Nakagawa, H.Nakanishi, V.Alberts, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 294 (2)
  
  ページ: 214-217
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] The use of diethylselenide as a less-hazardous source in CuInGaSe_2 photoabsorbing alloy formation by selenization of metal precursors premixed with Se2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, F.B.Dejene, A.Kinoshita, M.Fukaya, Y.Maru, T.Nakagawa, H.Nakanishi, V.Alberts, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 294(2)
  
  ページ: 214-217
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Dielectric SiO_2/ZrO_2 distributed Bragg reflectors for ZnO microcavities prepared by the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88 (16)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Helicon-wave-excited Plasma Sputtering Deposition of Ga-doped ZnO Transparent Conducting Films2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, A.Murayama, T.Imao, K.Saiki, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (a) 203 (11)
  
  ページ: 2882-2886
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Use of Diethylselenide for the Preparation of CuInGaSe_2 Films by Selenization of Metal Precursors Premixed with Se2006
- 著者名/発表者名
  M.Sugiyama, F.B.Dejene, A.Kinoshita, M.Fukaya, V.Alberts, H.Nakanishi, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3 (8)
  
  ページ: 2543-2546
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Deposition of Ga-doped ZnO Transparent Conducting Films for CIS-based Solar Cell Application2006
- 著者名/発表者名
  A.Murayama, T.Imao, K.Saiki, H.Nakanishi, M.Sugiyama, S.Chichibu
- 雑誌名
  
  Abstracts Book of International Conference on Ternary and Multinary Componds 15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Dielectric SiO_2/ZrO_2 distributed Bragg reflectors for ZnO microcavities prepared by the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88(16)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, M.Kubota, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukuazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 99(9)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Fabrication of p-CuGaS_2/n-ZnO : Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama, T.Onuma
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solids 66 (11)
  
  ページ: 1868-1871
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Fabrication of p-CuGaS_2 /n-ZnO : Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama, T.Onuma
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solids 66(11)
  
  ページ: 1868-1871
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  Chichibu, Uedono, Tsukazaki, Onuma, Zamfirescu, Ohtomo, Kavokin, Cantwell, Litton, Sota, Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology (4月出版)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Vacancy-type defects in wide-gap semiconductors probed by positron annihilation2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 24th Electronic Materials Symposium 24
  
  ページ: 333-334
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Fabrication of p-CuGaS_2/n-ZnO:Al heterojunction light-emitting diode grown by metalorganic vapor phase epitaxy and helicon-wave-excited-plasma sputtering methods2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, Y.Koyama, T.Onuma
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry of Solids 66(11)
  
  ページ: 1868-1871
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  Chichibu, Uedono, Tsukazaki, Onuma, Zamfirescu, Ohtomo, Kavokin, Cantwell, Litton, Sota, Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology (4月出版)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, A.Tsukazaki, T.Onuma, M.Zamfirescu, A.Ohtomo, A.Kavokin, G.Cantwell, C.W.Litton, T.Sota, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Exeiton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, A.Tsukazaki, T.Onuma, M.Zamfirescu, A.Ohtomo, A.Kavokin, G.Cantwell, C.W.Litton, T.Sota, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Importance of lattice-matching and surface arrangement for the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO2004
- 著者名/発表者名
  T.Koyama, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 95(12)
  
  ページ: 7856-7861
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.Yoo T.Chikyow, T.Sota,, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(23)
  
  ページ: 5586-5588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.-.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85 (23)
  
  ページ: 5586-5588
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.-Z.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(23)
  
  ページ: 5586-5588
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg_<0.06>Zn_<0.94>O films2004
- 著者名/発表者名
  T.Koyama, T.Ohmori, N.Shibata, T., Onuma, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology B 22(4)
  
  ページ: 2220-2225
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Improved surface morphology in GaN homoepitaxy by NH3-source molecular beam epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Koida, Onuma, Nakamura, Chichibu 他
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology B 22(4)
  
  ページ: 2158-2164
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(23)
  
  ページ: 5586-5588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Greenish-white electroluminescence from p-type CuGaS2 heterojunction diodes using n-type ZnO as an electron injector2004
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama, T.Onuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85 (19)
  
  ページ: 4403-4405
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Greenish-white electroluminescence from p-type CuGaS_2 heterojunction diodes using n-type ZnO as an electron injector2004
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Ohmori, N.Shibata, T.Koyama, T.Onuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(19)
  
  ページ: 4403-4405
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (11-20) and polar (000-1) and (0001) ZnO epilayers2004
- 著者名/発表者名
  T.Koida, SF.Chichibu, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukazaki, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84(7)
  
  ページ: 1079-1081
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15656080
[雑誌論文] Investigation of direct and indirect band gaps of [100]-oriented nearly strain-free β-FeSi_2 films grown by molecular-beam epitaxy.2002
- 著者名/発表者名
  K.Takakura, N.Hiroi, T.Suemasu, S.F.Chichibu, F.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.80, No.4
  
  ページ: 556-558
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12450137
[産業財産権] 積層体およびその製造方法、それを用いた機能素子2010
- 発明者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和
- 権利者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和
- 産業財産権番号
  2010-045920
- 出願年月日
  2010-03-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[産業財産権] 積層体およびその製造方法、それを用いた機能素子2010
- 発明者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和
- 権利者名
  東北大学・住友金属鉱山(株)
- 産業財産権番号
  2010-004592
- 出願年月日
  2010-03-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[産業財産権] 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法2008
- 発明者名
  秩父重英
- 権利者名
  東北大学・三菱化学
- 産業財産権番号
  2008-219525
- 出願年月日
  2008-08-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[産業財産権] 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法2007
- 発明者名
  秩父重英,尾沼猛儀,小山享宏,宗田孝之,池田大勝
- 権利者名
  東北大学・早稲田大学
- 産業財産権番号
  2007-297191
- 出願年月日
  2007-11-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[産業財産権] 紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法2007
- 発明者名
  秩父, 重英・尾沼, 猛儀・小山, 享宏・宗田, 孝之・池田, 大勝
- 権利者名
  東北大学・早稲田大学
- 出願年月日
  2007-11-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程2024
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，上殿明良，石橋章司，石黒徹，秩父重英
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (II)2024
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，上殿明良，石橋章司，田中亮，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，渡邉浩崇，本田善央，須田淳，天野浩，加地徹，生田目俊秀，色川芳宏，小出康夫
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] GaN成長層・Mgイオン注入層の室温フォトルミネッセンス寿命 (III)2024
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，上殿明良，石橋章司，田中亮，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，渡邉浩崇，本田善央，須田淳，天野浩，加地徹，生田目俊秀，色川芳宏，小出康夫
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価2024
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,粕谷拓生,髙屋竣大,辻谷陽仁,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  2024年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17757
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の発光ダイナミクス2023
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生,嶋紘平,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  2023年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures2023
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の間接遷移励起子の発光ダイナミクス2023
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生, 嶋紘平, 梅原直己, 原和彦, 秩父重英
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] Luminescence studies of Mg implanted and undoped GaN on GaN structures processed by ultra high pressure annealing2023
- 著者名/発表者名
  K. Shima, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, A. Uedono, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測2023
- 著者名/発表者名
  嶋紘平, Tin S. Cheng, Christopher J. Mellor, Peter H. Benton, Christine Elias, Bernard Gil, Guillaume Cassabois, Sergei V. Novikov, 秩父重英
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence studies of graphitic BN segments formed in hexagonal BN epilayers grown on a (0001) sapphire by CVD2023
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Hara, and K. Shima
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japan, Nov.12-17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17757
[学会発表] Effect on QWs Qualities of Thickness of Homoepitaxial AlN on AlN/sapphire Prepared by Sputtering and High temperature Annealing2023
- 著者名/発表者名
  R. Akaike, K. Uesugi, K. Shima, S. F. Chichibu, A. Uedono, and H. Miyake
- 学会等名
  14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2023
- 著者名/発表者名
  T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference (EMC2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2023
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, M. Bockowski, and J. Suda
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Temporary and spatially resolved luminescence studies of p-GaN segments fabricated by vacancy-guided redistribution of Mg using sequential ion implantation of Mg and N2023
- 著者名/発表者名
  K. Shima, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, A. Uedono, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  21th Int. Workshop on Junction Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させたhBN薄膜に混在する多形BNの空間分解カソードルミネッセンス評価2023
- 著者名/発表者名
  秩父重英,梅原直己,原和彦,嶋紘平
- 学会等名
  2023年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17757
[学会発表] 陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測2023
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,T.S.Cheng,C.J.Mellor,P.H.Beton,C.Elias,B.Gil,G.Cassabois,S.V.Novikov,秩父重英
- 学会等名
  2023年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2023
- 著者名/発表者名
  T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference (EMC-65)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] Impacts of vacancy clusters on the luminescence dynamics in Mg implanted GaN on GaN structures2023
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and K. Shima
- 学会等名
  14th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Ultraviolet luminescence dynamics of hexagonal BN epilayers grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2023
- 著者名/発表者名
  T. Kasuya, K. Shima, K. Hara, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  65th Electronic Materials Conference (EMC-65), University of California, Santa Barbara, California, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17757
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス2022
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 嶋紘平, 菊地清, 梅原直己, 瀧口佳祐, 石谷善博, 原和彦
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価2022
- 著者名/発表者名
  嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 超高圧アニールによる Mgイオン注入 p型GaNのルミネッセンス評価2022
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，櫻井秀樹，石橋章司，上殿明良，M. Bockowski，須田淳，加地徹，秩父重英
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2022
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kikuchi, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] Near-band-edge recombination in monolayer hBN epitaxial films studied using cathodoluminescence spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  K. Shima, C. Elias, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, S. V. Novikov, B. Gil, G. Cassabois, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] Near-band-edge recombination in monolayer hBN epitaxial films studied using cathodoluminescence spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  K. Shima, C. Elias, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, S. V. Novikov, B. Gil, G. Cassabois, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板にCVD成長させた多型を含むhBN薄膜における間接遷移励起子の発光ダイナミクス2022
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,菊地清,梅原直己,瀧口佳祐,石谷善博,原和彦
- 学会等名
  2022年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] 第43回優秀論文賞受賞記念講演エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命2022
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，小島一信，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，井口紘子，成田哲生，片岡恵太，石橋章司，上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2022
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, N. Umehara, K. Takiguchi, Y. Ishitani, and K. Hara
- 学会等名
  11th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22786
[学会発表] 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究2022
- 著者名/発表者名
  上殿明良，田中亮，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，嶋紘平，小島一信，秩父重英，石橋章司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] High-speed solar-blind optical wireless communication enabled by DUV LED2022
- 著者名/発表者名
  Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Atsushi Kanno, Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, and Yoshinari Awaji
- 学会等名
  Photonics West 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] (Al,Ga,In)Nの輻射・非輻射再結合過程に点欠陥が及ぼす影響2021
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,上殿明良,石橋章司
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第121回研究会(第五期総括記念研究会)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Striped and fin-shaped cation orderings and self-formed compositional superlattices in an m-plane Al0.7In0.3N on GaN heterostructure2021
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, and Y. Kangawa
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Characterization of AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN/sapphire templates with dense macro-steps and its application of high-speed solar-blind optical wireless communications2021
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, A. Hirano, Y. Nagasawa, Y. Honda, H. Amano, Y.Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA 2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] Macroscopically homogeneous cathodoluminescence mapping images of c-plane nearly lattice-matched Al1-xInxN films on a GaN substrate2021
- 著者名/発表者名
  L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, K. Kojima, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Vacancies in AlN deposited by radio-frequency sputtering and MOVPE studied by positron annihilation spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, K. Shojiki, K. Uesugi, S. F. Chichibu, S. Ishibash, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and H. Miyake
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性2021
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信, B. Moody,三田清二,R. Collazo, Z. Sitar,熊谷義直,上殿明良
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature2021
- 著者名/発表者名
  K. Shima, T. Kasuya, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出2021
- 著者名/発表者名
  上殿明良,正直花奈子,上杉謙次郎,秩父重英,石橋章司,M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt,三宅秀人
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,Weifang Lu,小島一信,上山智,竹内哲也,秩父重英
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  李リヤン,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信2021
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会光エレクトロニクス（OPE）セッション
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,田中亮,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,小島一信,上殿明良,秩父重英
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 深紫外AlGaN LEDを用いたギガビット級ソーラーブラインド光無線通信2021
- 著者名/発表者名
  小島一信, 吉田悠来, 白岩雅輝, 淡路祥成, 菅野敦史, 山本直克, 平野光, 長澤陽祐, 一本松正道, 秩父重英
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会 2021年3月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN2021
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K, Shima, K. Kojima, and Y. Kangawa
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Omnidirectional photoluminescence (ODPL) spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals2021
- 著者名/発表者名
  K. Kojima and S. F. Chichibu
- 学会等名
  Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Current progress of omnidirectional photoluminescence spectroscopy for the quantification of quantum efficiency of radiation in GaN crystals2021
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Ikemura, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,梅原直己,小島一信,原和彦
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会[10p-N101-8]
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] 低圧酸性アモノサーマル成長バルクGaN結晶のルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,栗本浩平,包全喜,三川豊,小島一信,石黒徹,秩父重英
- 学会等名
  2021年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Behaviors of vacancy-type defects in Mg-implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, and T. Kachi
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2021, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 2020, Laser Science to Photonic Applications, Session Free-Space & Underwater Communication
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンス法によるワイドバンドギャップ窒化物半導体の評価2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  「放射線科学とその応用第186委員会」第36回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20993
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 自己組織的に形成された深紫外マイクロ発光ダイオード構造の変調特性2020
- 著者名/発表者名
  小島一信、吉田悠来、白岩雅輝、淡路祥成、菅野敦史、山本直克、平野光、長澤陽祐、一本松正道、秩父重英
- 学会等名
  レーザー学会第４０回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネセンス計測：新しい評価技術2020
- 著者名/発表者名
  小島一信, 秩父重英
- 学会等名
  日本学術振興会光電相互変換第125委員会第250回記念研究会「新しい光電変換材料・評価法」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  中須大蔵,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,中須大蔵,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス2020
- 著者名/発表者名
  李リヤン,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,松山秀昭,Marcel Dickmann,Werner Egger,Christoph Hugenschmidt, 嶋紘平,小島一信,秩父重英,石橋章司
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第7回個別討論会「GaN p 型イオン注入」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良,櫻井秀樹,成田哲生,Sierakowski Kacper,Bockowski Michal,須田淳,石橋章司,嶋紘平,秩父重英,加地徹
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議(JCCG-49), シンポジウム「窒化物半導体における不純物制御」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンス法によるワイドバンドギャップ窒化物半導体の評価2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  日本学術振興会放射線科学とその応用第186委員会第36回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネセンス分光にて観測される双峰性スペクトルの起源2020
- 著者名/発表者名
  小島一信,秩父重英
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] スパッタAlN上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンス評価2020
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響2020
- 著者名/発表者名
  小島一信,堀切文正,成田好伸,吉田丈洋,藤倉序章,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,Baxter Moody,三田清二,Ramon Collazo,Zlatko Sitar,熊谷義直,上殿明良
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  中須大蔵,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] AlGaN LEDとBeyond 5G2020
- 著者名/発表者名
  吉田悠来，小島一信，白岩雅輝，菅野敦史，平野光，長澤陽祐，一本松正道，山本直克，秩父重英，淡路祥成
- 学会等名
  応用物理学会　応用電子物性分科会応用電子物性分科会研究例会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,Baxter Moody,三田清二,Ramon Collazo,Zlatko Sitar,熊谷義直,上殿明良
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,稲富悠也,小島一信,寒川義裕
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] c面エピタキシャルAl0.82In0.18N/GaN構造の空間分解カソードルミネッセンス2020
- 著者名/発表者名
  李リヤン,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会,「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Characterization of a self-organized deep-ultraviolet micro-light-emitting diode structure for high-speed solar-blind optical wireless communications2020
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, A. Hirano, Y. Nagasawa, M. Ippommatsu, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  2020 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) (2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] Up-to 292-Mbps deep-UV communication over a diffuse-line-of-sight link based on silicon photo multiplier array2020
- 著者名/発表者名
  Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  2020 European Conference on Optical Communication (ECOC) (2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関2020
- 著者名/発表者名
  小島一信,堀切文正,成田好伸,吉田丈洋,藤倉序章,秩父重英
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネッセンス(ODPL)分光法によるGaNウェハの発光量子効率マッピング評価2020
- 著者名/発表者名
  池村賢一郎,小島一信,秩父重英,堀切文正
- 学会等名
  2020年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] AlNおよび高AlNモル分率AlGaN混晶におけるAl空孔複合体の役割2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,三宅秀人,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会,応用電子物性分科会との連携研究例会「紫外材料・デバイス開発の最前線」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス2020
- 著者名/発表者名
  李リヤン,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,中須大蔵,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードとマルチピクセルフォトンカウンタを用いたソーラーブラインド帯モバイル光無線通信2020
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信
- 学会等名
  2020年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネセンス分光2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英,
- 学会等名
  2019年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英,
- 学会等名
  2019年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた半導体結晶の光物性評価2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,秩父重英
- 学会等名
  ナノテスティング学会「第２５回Ｐ＆Ａ解析研究会」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar,上殿明良
- 学会等名
  2019年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,小島一信,上殿明良
- 学会等名
  2019年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生, 片岡恵太,石橋章司,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合研究委員会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネセンス（ODPL）法を用いた半導体結晶の光物性評価2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,秩父重英
- 学会等名
  ナノテスティング学会「第２５回Ｐ＆Ａ解析研究会」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,
- 学会等名
  窒化物半導体特異構造の科学－ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンスによるワイドバンドギャップ半導体の所発光ダイナミクス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  日本表面真空学会 2019年6月研究例会「電子ビーム技術の新展開」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 深紫外 AlGaN 発光ダイオードを用いたギガビット級光無線通信2019
- 著者名/発表者名
  吉田悠来 , 小島一信 , 白岩雅輝, 淡路祥成 , 菅野敦史 , 山本直克 , 秩父重英 , 平野光 , 一本松正道
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第115回研究会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] 窒化物半導体の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理研究会第47回薄膜・表面物理セミナー「半導体GaNの基礎と応用」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes2019
- 著者名/発表者名
  K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Role of Al-vacancy complexes in AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, and A. Uedono
- 学会等名
  4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate2019
- 著者名/発表者名
  K.Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate2019
- 著者名/発表者名
  K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 窒化物半導体特異構造の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信
- 学会等名
  窒化物半導体特異構造の科学－ナノ物性評価技術の進展と物性制御 2019年春季応用物理学会シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英
- 学会等名
  2019年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation2019
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019
- 著者名/発表者名
  K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Effects of an extra Al metal added during the acidic ammonothermal growth of GaN crystals2019
- 著者名/発表者名
  D. Tomida, Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, M. Ito, T. Ishiguro, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of (001) anatase or (100) rutile TiO2 films on a (0001) GaN template for optoelectronic applications2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2019, OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes2019
- 著者名/発表者名
  K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar,上殿明良
- 学会等名
  2019年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英,
- 学会等名
  2019年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, and K. Hara
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Role of Al-vacancy complexes in AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, and A. Uedono
- 学会等名
  th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定2019
- 著者名/発表者名
  小島一信、吉田悠来、白岩雅輝、淡路祥成、菅野敦史、山本直克、平野光、長澤陽祐、一本松正道、秩父重英
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] 窒化物半導体の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理研究会第47回薄膜・表面物理セミナー「半導体GaNの基礎と応用」－パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術－
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] An Outdoor Evaluation of 1-Gbps Optical Wireless Communication using AlGaN-based LED in 280-nm Band2019
- 著者名/発表者名
  Yuki Yoshida, Kazunobu Kojima, Masaki Shiraiwa, Yoshinari Awaji, Atsushi Kanno, Naokatsu Yamamoto, Shigefusa F. Chichibu, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu
- 学会等名
  Conference on Lasers and Electro-Optics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02145
[学会発表] Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, and K. Hara
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)2019
- 著者名/発表者名
  小島一信,谷川智之,粕谷拓生,片山竜二,田中敦之,本田善央,天野浩,秩父重英
- 学会等名
  2019年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンスによるワイドバンドギャップ半導体の所発光ダイナミクス評価2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  日本表面真空学会 2019年6月研究例会「電子ビーム技術の新展開」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] バンド端近傍発光の外部量子効率が4%を超える六方晶BN単結晶の光学評価2018
- 著者名/発表者名
  小島一信,渡邊賢司,谷口尚,秩父重英,
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,梅原直己,小島一信,原和彦,
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Carrier trapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, and S. Ishibashi
- 学会等名
  The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2018
- 著者名/発表者名
  嶋紘平,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,上殿明良,小島一信,秩父重英
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,梅原直己,小島一信,原和彦
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3),
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] AlN,AlGaN薄膜および量子井戸の発光特性2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,三宅秀人,平松和正,上殿明良,
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] P-type Conduction of Mg-ion Implanted N-polar GaN and the Optical Investigation2018
- 著者名/発表者名
  T. Narita, K. Kataoka, H. Iguchi, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, M. Kanechika, T. Uesugi, and T. Kachi:
- 学会等名
  The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'18),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 酸性アモノサーマル法による大口径GaNバルク結晶作製技術の展望2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,斉藤真,包全喜,冨田大輔,嶋紘平,小島一信,石黒徹,
- 学会等名
  日本学術振興会結晶加工と評価技術145委員会パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体に関する研究会（第6回）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送2018
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英,
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,梅原直己,小島一信,原和彦
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Mg添加GaNエピ層及びイオン注入層のフォトルミネッセンス評価2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,小島一信,高島信也,上野勝典,江戸雅晴,井口紘子,成田哲生,片岡恵太,石橋章司,上殿明良,
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価2018
- 著者名/発表者名
  上殿明良,石橋章司,小島一信,秩父重英,
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会, 第149回結晶工学分科会研究会「GaNonGaNパワーデバイスにむけて～p型GaNの結晶工学～」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN2018
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Fujita, K. Kojima, S. F. Chichibu, and T. Matsuoka
- 学会等名
  The 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価2018
- 著者名/発表者名
  原和彦,梅原直己,小島一信,秩父重英
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会,　多元化合物の新規な物性と応用, 多元系化合物・太陽電池研究会企画シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Different nonradiative recombination between on the terraces and macrosteps of uneven QW for 285 nm-LED grown on AlN template with dense macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  Y. Nagasawa, K. Kojima, R. Sugie, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,梅原直己,小島一信,原和彦
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)2018
- 著者名/発表者名
  稲富悠也,草場彰,柿本浩一,寒川義裕,小島一信,秩父重英,
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Determination of absolute quantum efficiency of radiation in nitride semiconductors using an integrating sphere2018
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu, :
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Different nonradiative recombination between on the terraces and macrosteps of uneven QW for 285 nm-LED grown on AlN template with dense macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  Y. Nagasawa, K. Kojima, R. Sugie, A. Hirano, M. Ippommatsu, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Microscopic structure of boosting IQE for AlGaN-based UV-B (285 nm) LED grown on macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  Y. Nagasawa, K. Kojima, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sappire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  Materials Research Society, 2018 Fall Meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018),
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] サファイア基板に気相成長させたh-BN薄膜の発光ダイナミクス2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,嶋紘平,梅原直己,小島一信,原和彦
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Luminescence dynamics of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by BCl3-NH3 chemical vapor deposition on a c-plane sappire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  Materials Research Society, 2018 Fall Meeting,
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  K. Kojima and S. F. Chichibu
- 学会等名
  19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響2018
- 著者名/発表者名
  谷川智之,小島一信,秩父重英,松岡隆志
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
- 学会等名
  The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] 280nm帯深紫外AlGaN発光ダイオードを用いた日光下における1.6 Gbps光無線伝送2018
- 著者名/発表者名
  小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,秩父重英
- 学会等名
  2018年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018),
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会, プレIWN2018第１０回窒化物半導体結晶成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] AlN,AlGaN薄膜および量子井戸の発光特性2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,三宅秀人,平松和正,上殿明良,
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Recent progress in acidic ammonothermal growth of GaN crystals2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, M. Saito, Q. Bao, D. Tomida, K. Kurimoto, K. Shima, K. Kojima, and T. Ishiguro
- 学会等名
  The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides (ISGN-7),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Quantum efficiency of radiation in wide bandgap semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  K. Kojima and S. F. Chichibu
- 学会等名
  19th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN19),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Current localization structure observed in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on AlN templates with macrosteps2018
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 2nd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C2)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence studies of h-BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素薄膜の深紫外カソードルミネッセンス2017
- 著者名/発表者名
  原和彦,梅原直己,秩父重英,小島一信,光野徹也,小南裕子
- 学会等名
  日本結晶成長学会第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] Carrier trapping/detrapping properties of defects in Mg-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams2017
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, S. F. Chichibu, and S. Ishibashi
- 学会等名
  The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 2nd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C2)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] IQE Quantification of Nitride Semiconductors - Omnidirectional photoluminescence (ODPL) measurement utilizing an integrating sphere -2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu:
- 学会等名
  The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'17)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Periodic compositional undulation in the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and K. Kojima:
- 学会等名
  European Materials research, optoelectronic devices and sensors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] n-GaNホモエピ薄膜上へのp-NiOスパッタ堆積とUV光吸収太陽電池及びLEDの試作2017
- 著者名/発表者名
  王澤樺,中井洋志,杉山睦,秩父重英
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 偏光遷移領域におけるc面AlGaN量子井戸構造の量子細線型状態密度2017
- 著者名/発表者名
  坂井繁太,南琢人,小島一信,秩父重英,山口敦史
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] A high internal quantum efficiency of the emission in GaN single crystals observed by omnidirectional photoluminescence (ODPL)2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた窒化物半導体の発光量子効率測定2017
- 著者名/発表者名
  小島一信,三宅秀人,平松和政,秩父重英,
- 学会等名
  日本結晶成長学会第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Periodic compositional undulation in the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and K. Kojima
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 高品質窒化ガリウム単結晶の光物性評価2017
- 著者名/発表者名
  小島一信,秩父重英,池田宏隆,藤戸健史
- 学会等名
  2017年秋季セラミクス協会第30回シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence studies of h-BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence studies of h-BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,上殿明良,佐藤義孝
- 学会等名
  2017年春季応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  横浜国際平和会議場（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] A theoretical proposal for achieving more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and S. F. Chichibu:
- 学会等名
  The 18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN18)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Optical and defect characteristics of m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, and A. Uedono
- 学会等名
  8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,嶋紘平,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,石橋章司,上殿明良
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE2017
- 著者名/発表者名
  Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, and K. Kakimoto
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Compositional modulation for high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells to enhance overlap integral of carrier wavefunctions2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Hayashi, K. Hiramatsu, H. Miyake, and S. F. Chichibu:
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  The 2nd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C2)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Quantum-Wire-Like Density of States in c-plane AlGaN Quantum Wells in Polarization-Crossover Composition Region2017
- 著者名/発表者名
  S. Sakai, T. Minami, K. Kojima, S. F. Chichibu, and A. A. Yamaguchi
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] UV light absorbing and emitting diodes consisting of a p-type NiO film deposited on an n-type GaN homoepitaxial epilayer2017
- 著者名/発表者名
  W. Zehua, H. Nakai, M. Sugiyama, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Optical characteristics of c-plane AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diode structures with macro-size steps2017
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ipponmatsu, Y. Honda, H. Amano, I. Akasaki, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良,嶋紘平,小島一信,石橋章司
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 六方晶BNの薄膜成長とその深紫外発光評価2017
- 著者名/発表者名
  原和彦,梅原直己,小島一信,秩父重英
- 学会等名
  2018年春季応用物理学会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of hexagonal BN microcrystals2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良,嶋紘平,小島一信,石橋章司
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回個別討論
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,小島一信,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス～窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御～」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] A way to achieve more than 90% of the overlap integral of electron and hole wavefunctions in high AlN mole fraction AlGaN MQWs2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Furusawa, Y. Yamazaki, K. Hiramatsu, and H.Miyake
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] ワイドギャップ半導体の発光量子効率と発光寿命の相関2017
- 著者名/発表者名
  小島一信,秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会励起ナノプロセス研究会第13回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Cathodoluminescence characterization of the hexagonal boron nitride thin films grown on c-plane sapphire substrates2017
- 著者名/発表者名
  N. Umehara, T. Kouno, H. Kominami, K. Kojima, S. F. Chichibu, and K. Hara
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] 二次組成変調によって電子・正孔波動関数の重なり積分を増強させた　c面AlGaN多重量子井戸の発光特性評価2017
- 著者名/発表者名
  小島一信,林侑介,三宅秀人,平松和政,秩父重英,
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Optical and defect characteristics of m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, and A. Uedono
- 学会等名
  8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14222
[学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
- 学会等名
  2017年秋季応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02907
[学会発表] Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  小島一信,長澤陽祐,平野光,一本松正道,本田善央,天野浩,赤崎勇,秩父重英
- 学会等名
  2017年春季応用物理学会
- 発表場所
  横浜国際平和会議場（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] フェムト秒レーザ励起光電子銃によるⅢ族窒化物半導体の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価2016
- 著者名/発表者名
  秩父　重英
- 学会等名
  電子情報通信学会第4回超高速光エレクトロニクス研究会-UFO・IPDA・OPE・OME合同研究会
- 発表場所
  東北大学　片平キャンパス（宮城県仙台市）
- 年月日
  2016-11-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Defect-resistant emission properties of nonpolar m-plane Al1-xInxN epilayers for deep-ultraviolet to visible polarized-light-emitting vacuum fluorescent display devices2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
- 発表場所
  Orland, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Defect-resistant emission properties of nonpolar m-plane Al1-xInxN epilayers for deep-ultraviolet to visible polarized-light-emitting vacuum fluorescent display devices2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
- 発表場所
  Orland, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)2016
- 著者名/発表者名
  秩父重英，小島一信，山崎芳樹，佐藤義孝，上殿明良
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxy of pseudomorphic m-plane Al1-xInxN alloy films on a low defect density m-plane GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, and K. Furusawa
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] Defect-resistant luminescent probability of m-plane AlInN alloy films for deep ultraviolet and visible polarized light-emitters2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2016 Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427
[学会発表] 自立GaN基板上m面Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性2016
- 著者名/発表者名
  秩父重英，小島一信，上殿明良
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第８回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学（京都府京都市）
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxy of pseudomorphic m-plane Al1-xInxN alloy films on a low defect density m-plane GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, and K. Furusawa
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxy and time-resolved luminescence studies of pseudomorphic m-plane Al1-xInxN epitaxial films on a low defect density m-plane GaN substrate2015
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, and K. Fujito
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Spectroscopic ellipsometry studies on the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a freestanding GaN substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Kojima, D. Kagaya, Y. Yamazaki, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F Chichibu
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Beijin, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] Time-resolved and spatially-resolved luminescence studies on ultraviolet to green luminescence peaks of m-plane Al1-xInxN epilayers grown on a low defect density m-plane GaN substrate2015
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, Y. Yamazaki, K. Furusawa, H. Ikeda, and K. Fujito
- 学会等名
  The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  Beijin, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13344
[学会発表] 水熱合成ZnO ターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)2014
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,中沢駿仁,石川陽一,田代公則,秩父重英
- 学会等名
  2014年春季応用物理学会
- 発表場所
  相模原市
- 年月日
  2014-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO系微小光共振器形成の検討2014
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,柿畑研人,小山雅史,秩父重英
- 学会等名
  2014年春季応用物理学会
- 発表場所
  相模原市
- 年月日
  2014-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価2013
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会(30p-G21-3)
- 発表場所
  神奈川工業大学,神奈川県
- 年月日
  2013-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2013-09-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al_<0.6>Ga_<0.4>N epilayers grown on an AlN template2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo,Japan
- 年月日
  2012-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会(12p-H10-21)
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 単結晶酸化亜鉛薄膜へのN,Pイオン注入と熱処理効果2012
- 著者名/発表者名
  藤本龍吾, 和田凉太, 小池一歩, 佐々誠彦, 矢野満明, 吉田謙一, 長町信治, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
- 発表場所
  京都工芸繊維大学,京都府
- 年月日
  2012-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,尾沼猛儀,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Si添加Al_<0.6>Ga_<0.4>N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価2012
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ルチルおよびアナターゼTiO_2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価2012
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Advantages and issues of m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for InGaN and AlGaN epitaxial growth, 招待講演2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, P. Corfdir, J.-D. Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, K. Shimoyama, and A. Uedono
- 学会等名
  German Physical Society (DPG) Spring Meeting, Technical University of Berlin
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2012-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- 年月日
  2012-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2)-HVPE成長GaN基板(2)-2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会(招待講演)
- 発表場所
  早稲田大学,東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Advantages and issues of m-plane freestanding GaN substrates grown by halide vapor phase epitaxy for InGaN and AlGaN epitaxial growth2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, P. Corfdir, J. -D. Ganiere, B. Deveaud-Pledran, N. Grandjean, S. Kubo, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, K. Shimoyama, and A. Uedono
- 学会等名
  German Physical Society (DPG) Spring Meeting(招待講演)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2) - HVPE成長GaN基板(2) -2012
- 著者名/発表者名
  石川陽一,羽豆耕治,田代公則,松本創,藤戸健史,下山謙司,秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学, 東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  東京(依頼講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012
- 著者名/発表者名
  張成燻,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第148回研究集会
- 発表場所
  グランキューブ大阪(大阪国際会議場),大阪府,招待講演
- 年月日
  2012-06-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都(シンポジウム招待)(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), Session J3: Materials for Solid State Lighting, Hawaii Convention Center
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2012-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Timeresolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys, 招待講演2012
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 年月日
  2012-07-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(3)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, フォウダアリィ, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(1) - HVPE成長GaN基板2011
- 著者名/発表者名
  石川陽一,羽豆耕治,松本創,藤戸健史,下山謙司,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学, 山形県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] GaNと格子整合するY_xAl_yGa_<1-x-y>Nの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算2011
- 著者名/発表者名
  島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZnl-_x0混晶の弾性テンソル要素に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面自立GaN基板のチルトモゼイク異方性がNH3-MBE成長m面Al_<0.25>Ga_<0.75>N薄膜の発光特性に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 他
- 学会等名
  2011年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるC面GaN上へのルチル/アナターゼTio_2:Nb薄膜の結晶相選択成長2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, フォウダアリィ, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚柿
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(4)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation2011
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, S.F.Chichibu, K.Akimoto
- 学会等名
  SPIE Photonics West California
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-01-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting(招待講演)
- 発表場所
  Nice, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,尾沼猛儀,上殿明良
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学, 山形県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 気相合成NH_4Cl鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN基板上にMOVPE形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 他
- 学会等名
  2011年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZn_<1-x>O混晶の弾性テンソル要素C_<13>、C_<33>に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence measurements2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono, T.Sota
- 学会等名
  SPIE Photonics West California
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体の時間・空間分解カソードルミネッセンス計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  多元系機能性材料研究会平成23年度年末講演会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- 年月日
  2011-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN andhigh AlN mole fraction AlGaN alloys, 招待講演2011
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, T. Sota, and A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Session F, Nice, France
- 年月日
  2011-05-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] MOVPE成長AlN薄膜の点欠陥・不純物が発光寿命に及ぼす影響2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 他
- 学会等名
  2011年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ウルツ鉱型MgxZn1-xO混晶の弾性テンソル要素C13、C33に関する考察2011
- 著者名/発表者名
  張成燻,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnO の物性値の同定2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,吉海江憲,吉岡宗一郎,高木絢子,鳥井康介,宗田孝之,秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France(招待)(招待講演)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之秩父重英
- 学会等名
  2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO_2:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)2011
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on a freestanding GaN substrate grown by halide vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Ishikawa, K. Hazu, H. Matsumoto, K. Suzaki, K. Fujito, S. Nagao, M. Shigeiwa, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体の時間・空間分解カソードルミネッセンス計測2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  多元系機能性材料研究会平成23年度年末講演会
- 発表場所
  愛媛大学, 愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence measurements2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, et al.
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  California, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-01-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] AlN及び高AlNモル分率AlxGa1・xNエピタキシャル層の時間分解分光計測2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 上殿明良, 宗田孝之
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展:材料物性と応用」
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] フェムト秒電子ビームを用いた窒化物半導体の時間分解分光計測2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 鏡谷勇二, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所ワークショップ
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所
- 年月日
  2010-10-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] フェムト秒電子ビームを用いた窒化物半導体の時間分解分光計測2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所ワークショップ
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所(招待講演)
- 年月日
  2010-10-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Spatio-time-resolved Cathodoluminescence Studies on the m-plane In0.05Ga0.95N Epilayer Grown on a Freestanding GaN Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M.Kagaya, P.Corfdir, J.-D. Ganiere, B.Deveaud-Pledran, N.Grandjean, S.F. Chichibu
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] パルス電子線を用いた窒化物半導体のピコ秒時間分解分光計測(1)-パルス電子線発生とGaN計測-2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Ammonothermal growth of GaN using a gas-phase synthesized acidic mineralizer and homoepitaxy by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, Y.Kagamitani, K.Hazu, T.Onuma, T.Ishiguro, T.Fukuda
- 学会等名
  3rd Int.Sym.on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Deposition of Anatase Nb-doped Ti0_2 Thin Films on Glass Substrates by Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering method2010
- 著者名/発表者名
  A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kagawa,Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのMgZnO/ZnOヘテロ構造形成2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治
- 学会等名
  2010年第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるm面自立GaN基板上InGaN薄膜の局所キャリアダイナミクス解析2010
- 著者名/発表者名
  加賀谷宗仁, P.Corfdir, J.D.Ganiere, B.Deveaud-Pledran, N.Grandjean, 秩父重英
- 学会等名
  第65回応用物理学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-11-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Impacts of point defects on the luminescence properties of (Al,Ga)N2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 学会等名
  The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2010, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices V
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy of Nb-doped TiO_2 films on GaN2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.N.Fouda T.Nakayama, A.Tanaka, K.Hazu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kagawa,Japan
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] TiO_2:Nb薄膜のGaNへのヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2010
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, アリーフォウダ, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
- 学会等名
  2010年第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] 気相合成した酸性鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN及びMOVPEホモエピタキシャル層の評価2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 鏡谷勇二, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 石黒徹, 福田承生
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Ammonothermal growth of GaN using a gas-phase synthesized acidic mineralizer and homoepitaxy by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, et al.
- 学会等名
  3^<rd> Int.Sym.on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] m面AlGaN混晶薄膜の発光スペクトルと構造・点欠陥の関係2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」
- 発表場所
  三重大学(招待講演)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved Photoluminescence and Time-resolved Cathodoluminescence Studies on AlN Epilayers Grown by Low-pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, Y.Kagamitani, T.Onuma, D.Ehrentraut, T.Fukuda, T.Ishiguro
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ヨウ化アンモニウムを鉱化剤に用いたアモノサーマル法によるGaN育成2010
- 著者名/発表者名
  鏡谷勇二, 栗林岳人, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 冨田大輔, 志村玲子, 秩父重英, 杉山和正, 横山千昭, 石黒徹, 福田承生
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved Photoluminescence and Time-resolved Cathodoluminescence Studies on AlN Epilayers Grown by Low-pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, U.S.A.
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Identification of cathodoluminescence peaks in m-plane AlxGa1-xN epilayers grown on freestanding GaN substrates prepared by halide vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Hazu, M.Kagaya, T.Hoshi, T.Onuma, S.F.Chichibu
- 学会等名
  3rd Int.Sym.on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 自立GaN基板へのm面Al_<1-x>In_xN薄膜のMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] AlN及び高AlNモル分率Al_xCa_<1-x>Nエピタキシャル層の時間分解分光計測2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展:材料物性と応用]
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Optical properties of GaN crystals gown by the amonothermal method using aidic meralizers and homoepitaxial flms grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Hazu, Y.Kagamitani, T.Onuma, T.Ishiguro, T.Fukuda, S.F.Chichibu
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Observation of exciton-polariton emissions from ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y. Sawai, H. Amaike, K. Hazu, S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2009)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- 年月日
  2009-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] Growth issues and optical properties of nonpolar (Al,In,Ga)N films and quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  The 3rd Japan-Germany Joint Workshop on Nanoelectronics
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2009-01-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Cu(AI, Ga, In)(S, Se)_2カルコパイライト型半導体の有機金属化学気相エピタキシャル成長2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2009年春季応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] 非極性面窒化物半導体エピタキシャル薄膜成長の課題と光学遷移過程の特徴2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都小金井市)(招待講演)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] NH_3-MBE成長m面Al_xGa_<1-x>N薄膜の空間分解陰極線蛍光評価2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県富山市)
- 年月日
  2009-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長2009
- 著者名/発表者名
  澤井泰, 天池宏明, 羽豆耕治, 秩父重英
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学術講演会
- 発表場所
  富山県富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] Spatially-resolved cathodoluminescence study on m-plane Al_xGa_<1-x>N films grown on m-plane free-standing GaN substrates2009
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  50th Electronic Materials Conference
- 発表場所
  California, USA
- 年月日
  2008-06-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In, Ga)N films grown by metalorganicivapor phase epitaxy on low defect density free-standing substrates2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 点欠陥がAIN薄膜の発光特性に与える影響2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム
- 発表場所
  学士会館(東京)
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Effects of dislocation bending and impurity incorporation on the local cathodoluminescence spectra of GaN prepared by seeded ammonothermal growth2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Impacts of Dislocation Bending and growth polar direction on the Local Cathodoluminescence Spectra of GaN Prepared by Seeded Ammonothermal Growth2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] GaNテンプレート及びバルクZnO基板上へのZnOのHWPSE成長2008
- 著者名/発表者名
  天池宏明, 澤井泰, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 小山享宏, 秩父重英
- 学会等名
  2008年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛知県
- 年月日
  2008-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] Helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO on GaN templates and bulk ZnO substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Amaike, Y. Sawai, K. Hazu, T. Onuma, T. Koyama, S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 5th International Workshop on ZnO and Related Materials
- 発表場所
  Michigan, USA
- 年月日
  2008-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] 非極性面窒化物半導体薄膜成長と問題点2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  仙台, 宮城
- 年月日
  2008-10-30
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] m面自立GaN基板上へのInGaN薄膜のMOVPE成長2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2008年春季応用物理学会
- 発表場所
  千葉、日本
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Optical properties of nearly stacking-fault-free m-plane (In, Ga)N films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on low defect density free-standing substrates2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  50th Electronic Materials Conference
- 発表場所
  California, USA
- 年月日
  2008-06-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Impacts of point defects on the recombination dynamics and emission efficiency of (Al,Ga)N2008
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] ZnO系半導体の発光寿命と結晶次陥の関係2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  第42回応用物理学会スクール(2008年春季)「ZnO系半導体の結晶成長、デバイスの基礎」
- 発表場所
  日大船橋校舎
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360137
[学会発表] 塩基性鉱化剤を用いた安熱合成GaNエピタキシャル層の講造おおび発光特性2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2008年春季応用物理学会
- 発表場所
  千葉、日本
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Optical Properties of Nearly Stacking-Fault-Free m-plane GaN and InGaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Low Defect Density Free-Standing Substrates2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Impacts of point defects on the recombination dynamics and emission efficiency of (Al.Ga)N2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] MOVPE of nearly stacking-fault-free m-plane (In,Ga)N films on low defect density free-standing GaN substrates2008
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  修善寺, 静岡
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Raditive and nonradiative processes in (Al,In,Ga)N alloy films2007
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, and T. Sota
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference
- 発表場所
  Fayetteville, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] AIN, GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係2007
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  2007年秋季応用物理学会
- 発表場所
  北海道、日本
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Correlation between the ciolet luminescence intensity and defect density in ALN epilayers grown by NH3 source molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  S. F, Chichibu
- 学会等名
  The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2007-11-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出2007
- 著者名/発表者名
  上殿明良・秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 非極性InGaN量子井戸の空間分解CL評価2007
- 著者名/発表者名
  秩父重英
- 学会等名
  第3回ナノマテリアル解析セミナー
- 発表場所
  つくば国際会議場エポカル
- 年月日
  2007-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Homoepitaxial growth of nearly stacking-fault-free m-plane (In, Ga)N films by metalorganic vapor phase using low defect density free-standing substrates2007
- 著者名/発表者名
  S. F, Chichibu
- 学会等名
  The 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, Necada, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Correlation between Al cacancy concentration and intensities of deep cathodoluminescence bands in AIN epilayers grown by NH3-source molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  S. F, Chichibu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shiga, Japan
- 年月日
  2007-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Origin of edfect-insensitive emission probability in (Al, In, Ga)N alloy films containing In2007
- 著者名/発表者名
  S. F, Chichibu
- 学会等名
  The 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Las Vegas, Necada, USA
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Radiative and nonradiative processes in (Al, In, Ga)N alloy films2007
- 著者名/発表者名
  S. F, Chichibu
- 学会等名
  14th Smiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XIV)
- 発表場所
  Fayetteville, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-04-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  The IUMRS International Conference in Asia 2013 (IUMRS-ICA-2013)
- 発表場所
  Bangalore, India
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on AlN epitaxial films grown on low dislocation density bulk AlN substrates prepared by the physical vapor transport method
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Furusawa, K. Hazu, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会第148回研究集会
- 発表場所
  グランキューブ大阪（大阪国際会議場）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Si添加Al0.6Ga0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,三宅秀人,平松和政,上殿明良,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,中沢駿仁,石川陽一,田代公則,秩父重英
- 学会等名
  2014年春季応用物理学会
- 発表場所
  相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年春季応用物理学会
- 発表場所
  神奈川工大,神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on local exciton dynamics of a freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,古澤健太郎,田代公則,大友友美,三宅秀人,平松和政
- 学会等名
  2014年春季応用物理学会
- 発表場所
  相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Band alignments and lateral transport properties of Nb-doped (100) rutile- and (001) anatase-TiO2 / (0001) GaN heteroepitaxial structures
- 著者名/発表者名
  K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 「ワイドバンドギャップ窒化物・酸化物半導体の発光寿命と点欠陥の関係」
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 10月定期研究会
- 発表場所
  名城大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local emission dynamics in and around the sub-surface basal-plane stacking faults in GaN studied by the spatio-time-resolved cathodoluminescence method using a front-excitation photoelectron gun
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析
- 著者名/発表者名
  古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
- 学会等名
  2013年秋季応用物理学会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in and around the sub-surface stacking faults in GaN studied using spatio-time-resolved cathodoluminescence equipped with a front-excitation configuration femtosecond pulsed photoelectron gun
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会第148回研究集会
- 発表場所
  グランキューブ大阪（大阪国際会議場）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価
- 著者名/発表者名
  石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] Effects of Si-doping on the recombination dynamics of excitons in AlGaN alloys studied by time-resolved cathodoluminescence
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Hazu, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting, Session L: Group III nitrides
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] GaNと格子整合するScxAlyGa1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算
- 著者名/発表者名
  島田和宏,秩父重英,秦雅彦,高田朋幸,佐沢洋幸,宗田孝之
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656206
[学会発表] 気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測
- 著者名/発表者名
  秩父重英,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,羽豆耕治,J.Xie,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar
- 学会等名
  2013年秋季応用物理学会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Transport and emission properties of Nb-doped n++-type (001) anatase-TiO2 / Mg-doped p-type (0001) GaN heteroepitaxial structures
- 著者名/発表者名
  M. Yamagishi, K. Hazu, T. Ohtomo, Y. Ishikawa, K. Furusawa, T. Nakayama, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, DC,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治,加賀谷宗仁,秩父重英
- 学会等名
  2012年秋季応用物理学会
- 発表場所
  愛媛大学,愛媛県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037

1. 上殿明良 (20213374)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 74件
2. 小島一信 (30534250)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 183件
3. 嶋紘平 (40805173)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 74件
4. 宗田孝之 (90171371)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 12件
5. 杉山睦 (40385521)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
6. 羽豆耕治 (30367057)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 89件
7. 末益崇 (40282339)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
8. 原和彦 (80202266)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
9. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 内田和之 (10393810)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 古澤健太郎 (40392104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 28件
13. 長谷川文夫 (70143170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
14. 秋本克洋 (90251040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 淡路祥成 (50358876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
16. 谷口尚 (80354413)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 山崎芳樹 (20730352)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
18. 中須大蔵 (40801254)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
19. 吉田悠来 (50573036)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
20. 町田友樹 (00376633)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 山田貴壽 (30306500)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 宮川仁 (40552667)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 石橋章司 (30356448)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 19件
24. 奥村宏典 (80756750)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 中井洋志

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
26. 寒川義裕

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
27. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

秩父 重英 Chichibu Shigefusa

研究課題

研究成果

共同研究者

グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ホウ素の科学のための高品位単結晶創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

情報通信資源としての深紫外帯の再探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

広禁制帯幅ナノ構造を計測可能な時間・空間同時分解陰極線蛍光計測法の開発と応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

時間空間分解カソードルミネッセンスによる特異構造の光物性解明と機能性探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

深紫外線波長で巨大な励起子効果を発揮する窒化ボロン半導体の発光ダイナミクス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率・高出力を両立するAlInN発光デバイスの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高輝度フェムト秒集束電子線発生によるワイドキャップ半導体の時空間同時分解計測開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

秩父重英 Chichibu Shigefusa

[図書] 2020版薄膜作製応用ハンドブック2020

[図書] 2020版薄膜作製応用ハンドブック2020