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成塚 重弥  NARITSUKA SHIGEYA

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80282680
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 名城大学, 理工学部, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 名城大学, 理工学部, 教授
2004年度 – 2022年度: 名城大学, 理工学部, 教授
2000年度 – 2003年度: 名城大学, 理工学部, 助教授
1999年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師
1996年度 – 1998年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手
1996年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 小区分28030:ナノ材料科学関連 … もっと見る / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 工学 / 理工系 / 理工系 / ナノ材料化学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 応用物性・結晶工学 隠す
キーワード
研究代表者
マイクロチャンネルエピタキシー / 窒化ガリウム / 横方向成長 / シリコン / 電気・電子材料 / Si / グラフェン / ヘテロエピタキシャル成長 / リモートエピタキシー / 転位低減 … もっと見る / 転位低減化 / グラフェンマスク / 超高速情報処理 / 電子デバイス・機器 / 結晶成長 / MBE,エピタキシャル / 選択成長 / 有機金属分子線成長 / 格子欠陥 / MBEエピタキシャル / 光・電子集積回路 / 分子線エピタキシ / マイクロチャンネルエピタキシ / ヘテロエピタキシー / GaAs / 半導体 / 高温アルコールCVD / MBE / 減圧マイクロプラズマ処理 / 無転位テンプレート基板 / グラフェン減圧CVD / グラフェン析出法 / グラフェンの直接成長 / CBE / Ⅲ-Ⅴ on Si / 応力低減 / マイクロプラズマ / 化学ビームエピタキシー / Molecular beam epitaxy / Si substrate / Droplet epitaxy / GaN dot / Si thermal oxide / STM lithography / Scanning tunnel microscopy / Nanochannel epitaxy / 有限要素法 / 残留応力 / 自然酸化膜 / GaNマスク / GaAs基板 / 分子線結晶成長(MBE) / ビーム誘起横方向成長(BILE) / STMソグラフィー / 走査型トンネル顕微鏡(STM) / ナノチャンネルエピタキシー(NCE) / 面間拡散 / STMリソグラフィー / 走査トンネル顕微鏡 / 分子線結晶成長 / Si基板 / 液滴エピタキシー / GaNドット / Si熱酸化膜 / STMリングラフィー / 走査型トンネル顕微鏡 / ナノチャンネルエピタキシー / oxygen impurity / OEIC / long lifetime laser diode / VCSEL / microchannel epitaxy / dislocation-free / hetero-epitaxy / 反応性イオンエッチング / 液相エピタキシ / マイクロチャネルエピタキシ / 面発光ダイオード / 屈折率導波構造 / AlGaAs高純度化 / 面発光レーザーダイオード / Si基板上のGaAsエピタキシ / 電流酸化狭窄構造 / 酸化ブロック構造 / 分子線エピタキシ(MBE) / 面発光レーザダイオード / Si基板上のGaAsエピタキシー / 酸素不純物 / 長寿命レーザー / 面発光レーザー / 無転位化 / 回転撹拌 / 縦方向成長抑制 / テンプレート基板 / メサ加工基板 / 回転攪拌 / 流速支援 / 液相成長 / 高速情報処理 / 集積回路 / MBE、エピタキシャル / 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー / 発光素子 / パターン成長 / 太陽電池 / 温度勾配 / 温度差LPE成長 / チャンネル成長法(CGE) / らせん転位 / Ge / 液相成長(LPE) / ステップ源 / 反位相領域(APD) / 回転双晶 / メサ型リッジ / ステップフリーエピタキシー / 非発光センター / 不純物混入 / 無転位結晶 / ヘテロエピタキシ / 光・電子集積化回路 / 光学デバイス / 残留応力低減 / 転位密度低減 / 格子不整合の大きな系の成長 … もっと見る
研究代表者以外
GaAs / MnAs / GaMnAs / GaSb / カーボンナノチューブ / 磁気光学効果 / MBE / グラフェン / SiC / 分子線エピタキシ / optical isolator / magneto-optical effect / 光アイソレータ / μ-RHEED / 磁性半導体 / GaAs : Mn / 分子線エピタキシー / heteroepitaxy / シリコン(Si) / Bridgman growth / microgravity / ブリッジマン成長 / 半導体 / 面間拡散 / オペランド測定 / CVD / 触媒 / EXAFS / XAFS / ガリウムヒ素系半導体 / 相関測定 / 分光エリプソメトリー法 / ビーム品質 / コンタクト比抵抗 / SCOWA / モードロック / 半導体増幅器 / 斜め導波路 / 半導体レーザ / バイセクション構造 / 無反射コート / GaAs系半導体 / 超短パルス / granular structure / tunneling magneto-resistance (TMR) / magnetic tunnel junction / magnetic semiconductor / テンプレート法 / MnGa / 量子へテロ構造 / 半導体ハイブリッド系材料 / ErAs / 半導体ハイブリッド材料 / 磁性体 / グラニュラー構造 / トンネル磁気抵抗効果 / 強磁性トンネル接合 / semiconductor-waveguide-type optical isolator / transverse magneto-optical Kerr effect / DBR (Distributed Bragg Reflector) / Faraday effect / s,p-d交換相互作用 / 半導体磁気光学結晶 / (InGaMn)As / (GaMn)As / III-V族ベース強磁性半導体 / 光の局在 / グラニュラー / 磁気光学結晶 / 導波路型光アイソレータ / 横磁気カー効果 / DBR / ファラデー効果 / liquid phase epitaxy(LPE) / molecular beam epitaxy(MBE) / dislocation-free crystal / vertical-cavity surface-emitting laser diode / sillicon(Si) / galliumarsenide(GaAs) / microchannel epitaxy(MCE) / 面発光レーザ / Si / マイクロチャネルエピタキシ / 液相エピタキシ / 無転位結晶 / 面発光レーザー / 砒化ガリウム(GaAs) / ヘテロエピタキシ / マイクロチャンネルエピタキシ / impurity distribution / Mrangoni flow / dislocation density / X-ray topograph / strain free growth / 不純物分布 / マランゴニ対流 / 転位密度 / X線トポグラフ / 無歪成長 / マイクログラビティ / AィイD2s2ィエD2 molecules / macro-step / pyramid structure / surface diffusion / intersurface diffusion / molecular beam epitaxy / As_4分子 / 巨大ステップ / ピラミッド構造 / 拡散距離 / ferromagnetic semiconductor GaMnAs / ferromagnmet-semiconductor heterostructures / molecular beam epitaxy (MBE) / ferromagnet hybrid materials system / III-V-semiconductor / Si substrates / 磁気異方性 / 低温MBE / 希薄磁性半導体 / エピタキシャル強磁性薄膜 / 磁性体融合体 / 量子準位 / 磁性半導体超格子 / p-d交換相互作用 / キャリア誘起強磁性 / 異常ホール効果 / MnAS / 磁気結合 / スピンバルブ / MnAs 三層構造 / GaAs:Mn / 磁性体融合系 / III-V半導体 / laser diode / release of residual stress / Opto-electronic Integrated circuit (OEIC) / dislocation-free region / epitaxial lateral overgrowth (ELO) / Indiumphosphide (InP) / silicon (Si) / VME(Vapour Mixing Epitaxy) / MQW構造 / Si基板 / インジウム燐(InP) / 空間分解フォトルミネッセンス測定 / ヘテロエピタキシャル成長 / 空間分解フォトルミネッセンス法 / 有限要素法 / 横方向成長法(ELO) / ELO比 / 液相エピタキシャル法(LPE) / レーザーダイオード / 残留応力低減 / 光・電子集積回路(OEIC) / 無転位領域 / 横方向成長(ELO) / 燐化インジウム(InP) / ヘテロエピタキシ- / Te impurity / melt growth / GAS program / Space Shuttle / space experiment / ブリッジマン成長、 / 融液成長、 / GaSb、 / GASプログラム、 / スペースシャトル、 / 宇宙実験、 / Te不純物 / 融液成長 / GASプログラム / スペースシャトル / 宇宙実験 / 微小重力 / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / ナノワイヤ / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / AlGaN / AlN / 電気・電子材料 / スピンエレクトロニクス / 先端機能デバイス / エピタキシャル / 結晶成長 / 超伝導体 / 電子・光機能 / 薄膜 / エピタキシャル成長 / 酸化物エレクトロニクス / スピントロニクス / 結晶工学 / 過飽和度 / 液相エピタキシャル成長 / Ga / 液相成長法 / ガリウム / LPE法 / X線吸収分光 / 表面・界面 / 電気的特性 / 表面分解法 / X 線吸収分光 / 光電子分光 / ヘテロ接合 / 走査トンネル顕微鏡 / 触媒化学気相成長法 / ガスソース成長法 / 紫外線 / ガスソース成長 / ラマン分光 / 光励起 / 低温成長 / Si基板上の化合物半導体 / 絶縁膜上半導体薄膜 / Si基盤上の化合物半導体 / 絶縁膜上半導体 / 選択成長 / 横方向成長 / 低角入射分子線 隠す
  • 研究課題

    (25件)
  • 研究成果

    (715件)
  • 共同研究者

    (43人)
  •  グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      名城大学
  •  蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発

    • 研究代表者
      宮嶋 孝夫
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      名城大学
  •  オペランドEXAFS測定によるカーボンナノチューブ生成メカニズムの解明

    • 研究代表者
      丸山 隆浩
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分28030:ナノ材料科学関連
    • 研究機関
      名城大学
  •  ヘテロエピタキシャル成長プラットホーム実現に関する基礎的検討研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  先端半導体・先端機能材料の3D活性サイト創製

    • 研究代表者
      福村 知昭
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
      東京大学
  •  流速支援液相成長を用いたGaNテンプレート基板の成長研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  液相エピタキシャル成長法による高品質グラフェンの作製

    • 研究代表者
      丸山 隆浩
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      ナノ材料化学
    • 研究機関
      名城大学
  •  分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

    • 研究代表者
      天野 浩
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  Si集積回路の限界打破のための結晶成長からのアプローチ研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  表面分解法によるカーボンナノチューブ/SiCヘテロ接合の作製と物性評価

    • 研究代表者
      丸山 隆浩
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      名城大学
  •  光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  光励起ガスソース成長法によるカーボンナノチューブの作製

    • 研究代表者
      丸山 隆浩
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  低コスト太陽電池用半導体単結晶基板の新作製法研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  ナノチャンネルを用いた無転位エピタキシーの実現研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  低角入射分子線エピタキシ法による絶縁膜上への半導体単結晶薄膜の横方向成長

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  Si上無転位GaAs成長層を基板とした面発光レーザーの試作研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥, 西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  ハイブリッドマイクロチャンネルエピタキシーを用いたSi上のGaAs無転位結晶研究代表者

    • 研究代表者
      成塚 重弥
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
      東京大学
  •  III-V族ベース強磁性半導体によるバンドエンジニアリングと磁気光学デバイスへの応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  磁性体/半導体ハイブリッド系材料のエピタキシャル成長とその応用

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  微小重力下での無容器成長による高品質半導体の結晶成長

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノ構造エピタキシにおける面間拡散に関する研究

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  III-V半導体/磁性体融合系(GaAs:Mn)の形成とその物性

    • 研究代表者
      田中 雅明
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  宇宙での無重力場を用いた半導体の融液成長

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  Si基板上のInP横方向成長と長波長レーザーダイオードの試作

    • 研究代表者
      西永 頌
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 総ページ数
      18
    • 出版者
      In Tech (Rijeka, Croatia)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Single-walled carbon nanotube growth from Ni catalyst particles under conventional growth conditions by alcohol catalytic chemical vapor deposition: in situ X-ray absorption fine structrure study2023

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Takahiro Saida, Kamal Parasad Sharma, Sigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 62 号: SG ページ: SG1036-SG1036

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acbe05

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] In situ XAFS study on chemical states of Co and Ir nanoparticles under conventional growth condition of single-walled carbon nanotube via alcohol catalytic chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Daiki Yamamoto, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Chem. Phys. Lett.

      巻: 808 ページ: 140135-140135

    • DOI

      10.1016/j.cplett.2022.140135

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] In situ XAFS study of the chemical state of a Co catalyst during single-walled carbon nanotube growth under conventinal growth conditions using alcohol catalytic chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Daiki Yamamoto, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Chem. Phys. Lett.

      巻: 804 ページ: 139889-139889

    • DOI

      10.1016/j.cplett.2022.139889

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] Iridium-Catalyzed Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis by Alcohol-Gas-Source Method Under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence2022

    • 著者名/発表者名
      Daiki Yamamoto, Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Cryst. Res. Technol.

      巻: 2022 号: 6 ページ: 2100226-2100226

    • DOI

      10.1002/crat.202100226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] Osumium catalyzed growth of vertically aligned and small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Daiki Yamamoto, Masaya Kobayashi, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater.

      巻: 117 ページ: 108501-108501

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2021.108501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] Effect of growth temperature and ethanol flow rate on synthesis of single-walled carbon nanotube by alcohol catalytic chemical vapor deposition using Ir catalyst in hot-wall reactor2021

    • 著者名/発表者名
      Ai Misaki, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 60 号: 1 ページ: 015003-015003

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abd0c5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] Vertically aligned growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes by alcohol catalytic chemical vapor deposition with Ir catalyst2020

    • 著者名/発表者名
      Maruyama Takahiro、Okada Takuya、Sharma Kamal Prasad、Suzuki Tomoko、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Iizumi Yoko、Okazaki Toshiya、Iijima Sumio
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 509 ページ: 145340-145340

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2020.145340

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [雑誌論文] Precipitation of multilayer graphene directly on gallium nitride template using Tungsten capping layer2020

    • 著者名/発表者名
      Yamada Jumpei、Ueda Yuki、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 534 ページ: 125493-125493

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2020.125493

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [雑誌論文] 分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振2020

    • 著者名/発表者名
      宮嶋孝夫、荒川亮太、石川裕介、神林大介、森田悠斗、森本晃平、宇野光輝、下原光貴、今井大地、成塚重弥
    • 雑誌名

      名城大学総合研究所 紀要

      巻: 25 ページ: 17-19

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02176
  • [雑誌論文] Transfer-free fabrication of a graphene transparent electrode on a GaN-based light-emitting diode using the direct precipitation method2019

    • 著者名/発表者名
      Yamada Jumpei、Usami Shigeyoshi、Ueda Yuki、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 4 ページ: 040904-040904

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aafe70

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-WRAPUP-19H05451, KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [雑誌論文] Crystal orientation effects of sapphire substrate on graphene direct growth by metal catalyst-free low-pressure CVD2019

    • 著者名/発表者名
      Ueda Yuki、Yamada Jumpei、Ono Taishi、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 号: 1 ページ: 013103-013103

    • DOI

      10.1063/1.5098806

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [雑誌論文] Effect of growth pressure on graphene direct growth on r-plane and c-plane sapphires by low-pressure CVD2018

    • 著者名/発表者名
      Ueda Yuki、Yamanda Jumpei、Fujiwara Kyosuke、Yamamoto Daichi、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SA ページ: SAAE04-SAAE04

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaec86

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Mesa orientation dependence of lateral growth of GaN microchannel epitaxy by electric liquid-phase epitaxy using a mesa-shaped substrate2018

    • 著者名/発表者名
      Kambayashi Daisuke、Mizuno Yosuke、Takakura Hiroyuki、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 496-497 ページ: 74-79

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.04.011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Mesa orientation dependence of lateral growth of GaN microcannnel epitaxy by electric liquid phase epitaxy using mesa-shaped substrate2018

    • 著者名/発表者名
      D. Kambayashi, Y. Mizuno, H. Takakura, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: -

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Low-pressure N2 microplasma treatment for substrate surface cleaning prior to GaN selective growth2018

    • 著者名/発表者名
      Kusakabe Yasuhiro、Sugiyama Hayata、Takenaka Shun、Suzuki Yohei、Maruyama Takahiro、Naritsuka Shigeya、Shimizu Kazuo
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 8 ページ: 085501-085501

    • DOI

      10.7567/jjap.57.085501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [雑誌論文] Low-pressure N2 microplasma treatment for substrate surface cleaning prior to GaN selective growth2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kusakabe, H. Sugiyama, S. Takenaka, Y. Suzuki, T. Maruyama, S. Naritsuka, K. Shimizu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: -

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Effects of fabrication method of Al2O3 buffer layer on Rh-catalyzed growth of single-walled carbon nanotubes by alcohol-gas-source chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      Kiribayashi Hoshimitsu、Fujii Takayuki、Kozawa Akinari、Ogawa Seigo、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Maruyama Takahiro
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 468 ページ: 114-118

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.10.068

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Low temperature growth of single-walled carbon nanotubes from Ru catalysts by alcohol catalytic chemical vapor deposition2017

    • 著者名/発表者名
      Fujii Takayuki、Kiribayashi Hoshimitsu、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Maruyama Takahiro
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materials

      巻: 77 ページ: 97-101

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2017.06.009

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Spectroscopic study of X-ray absorption near-edge structure of chemical states of Pt catalyst during growth of single-walled carbon nanotubes2017

    • 著者名/発表者名
      Kumakura Makoto、Kozawa Akinari、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Maruyama Takahiro
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 468 ページ: 155-158

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.10.030

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Low temperature growth of single-walled carbon nanotubes from Rh catalysts2017

    • 著者名/発表者名
      Maruyama Takahiro、Kozawa Akinari、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Iijima Sumio
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 116 ページ: 128-132

    • DOI

      10.1016/j.carbon.2017.01.098

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Effects of Al2O3 Type on Activity of Al2O3-Supported Rh Catalysts in Single-Walled Carbon Nanotubes Growth by CVD2017

    • 著者名/発表者名
      Kiribayashi Hoshimitsu、Fujii Takayuki、Saida Takahiro、Naritsuka Shigeya、Maruyama Takahiro
    • 雑誌名

      MRS Adv

      巻: 2 号: 2 ページ: 89-95

    • DOI

      10.1557/adv.2017.25

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Single-walled carbon nanotube synthesis using Pt catalysts under low ethanol pressure via cold-wall chemical vapor deposition in high vacuum2016

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Akinari Kozawa, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumio Iijima
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 96 ページ: 6-13

    • DOI

      10.1016/j.carbon.2015.09.010

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [雑誌論文] Lateral growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate2016

    • 著者名/発表者名
      D. Kambayashi, H. Takakura, M. Tomita, M. Iwakawa, Y. Mizuno, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 10 ページ: 105502-105502

    • DOI

      10.7567/jjap.55.105502

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-26600089, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Synthesis of single-walled carbon nanotubres from Pd catalysts by gas source method using ethanol in high vacuum2016

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Liquid-phase growth of few-layered graphene on sapphire substrates using SiC micropowder source2016

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, , Yutaka Yamashita, Takahiro Saida, Shin-ichiro Tanaka, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 11 ページ: 053-053

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.11.053

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PUBLICLY-16H00913, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [雑誌論文] Effect of N2 microplasma treatment on initial growth of GaN by metal-organic molecular beam epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Suzuki, Y. Kusakabe, S. Uchiyama, T. Maruyama, S. Naritsuka, K. Shimizu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 8 ページ: 081002-081002

    • DOI

      10.7567/jjap.55.081002

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [雑誌論文] Direct growth of multilayer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 10 ページ: 100302-100302

    • DOI

      10.7567/jjap.55.100302

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [雑誌論文] Experimental determination of dependence of vertical growth rate on surface supersaturation in GaAs(001) microchannel epitaxy and growth optimization2016

    • 著者名/発表者名
      Masafumi Tomita, Yosuke Mizuno, Hiroyuki Takakura, Daisuke Kambayashi, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 440 ページ: 13-16

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.01.030

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] Microchannel epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Prog. Cryst. Growth Charact. Mater.

      巻: 62 号: 2 ページ: 302-316

    • DOI

      10.1016/j.pcrysgrow.2016.04.016

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [雑誌論文] Single-walled carbon nanotube growth on SiO2/Si using Rh catalysts by alcohol gas source chemical vapor deposition2016

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hoshimitsu Kiribayashi, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater.

      巻: 63 ページ: 159-164

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2015.11.003

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt catalysts using Alcohol Gas Source Method : Comparison with Co catalysts2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hiroki Kondo, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Trans. Mater. Res. Soc.

      巻: 40 ページ: 405-408

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Synthesis of single-wallec carbon nanotubres from Pd catalysts by gas source method using ethanol in high vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 1S ページ: 6-13

    • DOI

      10.7567/jjap.55.01ae02

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Growth Mechanism of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Alcohol Catalytic CVD2015

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka and Sumio Iijima
    • 雑誌名

      MRS Proceedings

      巻: mrsf14-1752 ページ: 1-4

    • DOI

      10.1557/opl.2015.43

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25400326, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] In Situ High-Temperature NEXAFS Study on Carbon Nanotube and Graphene Formation by Thermal Decomposition of SiC2015

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, and Kenta Amemiya
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem. C

      巻: 119 号: 47 ページ: 26698-26705

    • DOI

      10.1021/acs.jpcc.5b05854

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-25600031, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt catalysts using Alcohol Gas Source Method: Comparison with Co catalysts2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hiroki Kondo, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 40 号: 4 ページ: 405-408

    • DOI

      10.14723/tmrsj.40.405

    • NAID

      130005113374

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      英語
    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [雑誌論文] Abnormal growth in super-low supersaturation microchannel epitaxy of (001) GaAs and its improvement2015

    • 著者名/発表者名
      Masafumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Daisuke Kambayashi, Mizuno, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 2 ページ: 025502-025502

    • DOI

      10.7567/jjap.54.025502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [雑誌論文] Effect of arsenic cracking on In incorporation into MBE-grown InGaAs layer2015

    • 著者名/発表者名
      H. Iha, Y. Hirota, M. Yamauchi, N. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 12 号: 6 ページ: 524-527

    • DOI

      10.1002/pssc.201400286

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Precipitation of high-quality multilayer-graphene using Al2O3 barrier and Au cap layers2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, M. Suzuki, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      MRS Proc.

      巻: 1786 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1557/opl.2015.766

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-15H03558, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Selective growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using aluminaum oxide mask2014

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Junpei Yamada, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 53 号: 11S ページ: 11RC06-11RC06

    • DOI

      10.7567/jjap.53.11rc06

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-26105002, KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [雑誌論文] Behavior of defects in a-plane GaN films grown by low-angle-incidence microchannel epitaxy (LAIMCE)2014

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 印刷中 ページ: 409-413

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.11.032

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Selective growth of (001) GaAs using a patterned graphene mask2014

    • 著者名/発表者名
      Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 印刷中 ページ: 563-566

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.01.033

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [雑誌論文] Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Crystal. Growth

      巻: 印刷中

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Liquid phase electro-epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Industry Applications

      巻: 49 ページ: 2308-2313

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal.Growth

      巻: 378 ページ: 303-306

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.11.001

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure2013

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Res. Inst. Meijo Univ.

      巻: 12 ページ: 99-104

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 6S ページ: 06GD02-06GD02

    • DOI

      10.7567/jjap.52.06gd02

    • NAID

      210000142340

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01354, KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [雑誌論文] Formation of Carbon Nanotube/n-type 6H-SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC and Its Electric Properties2013

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 6S ページ: 06GD01-06GD01

    • DOI

      10.7567/jjap.52.06gd01

    • NAID

      210000142339

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [雑誌論文] Study of thermal crystallization of Ni catalysis for graphene CVD2013

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J. Res. Inst. Meijo Univ.

      巻: 12 ページ: 43-48

    • NAID

      40020217207

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      physica status solidi(C)

      巻: 10 号: 3 ページ: 392-395

    • DOI

      10.1002/pssc.201200647

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by the Alcohol Gas Source Method under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence2013

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Transactions of the Materials Research Society of Japan

      巻: 38 号: 4 ページ: 585-588

    • DOI

      10.14723/tmrsj.38.585

    • NAID

      130005004258

    • ISSN
      1382-3469, 2188-1650
    • 言語
      英語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [雑誌論文] Nobuhiro Kosugi, Band alignment of a carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101巻

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy of a-Plane GaN Grown by Ammonia-Based Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 4 ページ: 045501-045501

    • DOI

      10.1143/apex.5.045501

    • NAID

      10030593184

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Band Alignment of a carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi (Takahiro Maruyama)
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101 号: 9 ページ: 92106-92106

    • DOI

      10.1063/1.4748792

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119, KAKENHI-PROJECT-24685032
  • [雑誌論文] Near-edgeX-rayabsorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubesgrown by the surface decomposition of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro,Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii,ToshiakiOhta
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51巻

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 352 号: 1 ページ: 214-217

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2011.10.051

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Direct Growth of Carbon Nanotubes on ZnO (000-1) Substrate Surface using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum Method2012

    • 著者名/発表者名
      Takayasu Iokawa, Tomoyuki Tsutsui, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 51 号: 1S ページ: 01AH04-01AH04

    • DOI

      10.1143/jjap.51.01ah04

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method2012

    • 著者名/発表者名
      Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima (N. Fukuoka)
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 6S ページ: 06FD23-06FD23

    • DOI

      10.1143/jjap.51.06fd23

    • NAID

      210000140739

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] X-ray photoemission spectroscopy study of GaAs (111) B substrate naitridation using an RF-radical source2012

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 51 号: 4R ページ: 048004-048004

    • DOI

      10.1143/jjap.51.048004

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on SiO2/Si substrates at very low pressures by the alcohol gas source method using a Pt catalyst2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Mizutani, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima (Y. Mizutani)
    • 雑誌名

      Diamond & Relat. Mater.

      巻: 26 ページ: 78-82

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2012.04.007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Near-edge X-ray absorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubes grown by the surface decomposition of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, Toshiaki Ohta (T. Maruyama)
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 5R ページ: 55102-55102

    • DOI

      10.1143/jjap.51.055102

    • NAID

      40019280423

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119, KAKENHI-PROJECT-23550107
  • [雑誌論文] XPS study of Low Temperature Nitridation of GaAs (001) Surface using RF-radical source2012

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, Takahiro
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 51 号: 1R ページ: 015602-015602

    • DOI

      10.1143/jjap.51.015602

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Effect of mask material on selective growth of GaN by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      Yuki Nagae, Takenori Iwatsuki, Yuya Shirai, Yuki Osawa, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 324 号: 1 ページ: 88-92

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2011.04.022

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: 318 ページ: 450-453

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: 318 ページ: 446-449

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Kenta Amemiya, Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama,Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      STM and NEXAFS study, Diamond & Relat. Mater.

      巻: 20巻 ページ: 1325-1328

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] XPS study of nitridation mechanism of GaAs (001) surface by RF-radical source2011

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 8 ページ: 291-293

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method2011

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, Y.Mizutani, S.Naritsuka S.Lijima
    • 雑誌名

      Materials Express

      巻: 1 号: 4 ページ: 267-272

    • DOI

      10.1166/mex.2011.1046

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] SWNT growth on A120x/Co/A120x multilayer catalyst using alcohol gas source method in high vacuum2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Mizutani, K.Sato, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth

      巻: 318 号: 1 ページ: 1101-1104

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2010.11.084

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Sumio Iijima, Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Mater. Express

      巻: 1巻 ページ: 267-272

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC : STM and NEXAFS study2011

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, S.Sakakibara, S.Naritsuka, K.Amemiya
    • 雑誌名

      Diamond & Relat.Mater.

      巻: 20 号: 10 ページ: 1325-1328

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2011.09.001

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of6H-SiC(000-1)2010

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama and S.Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Nanotechnol. Nanosci.

      巻: 10巻 ページ: 4054-4059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Effect of Anncaling in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-1)2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ueda, Y.Iijima, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Nanotechnol.Nanosci 10

      ページ: 4054-4059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum2010

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K.Tanioku, T. Shiraiwa and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Nanotechnol. Nanosci.

      巻: 10巻 ページ: 4095-4101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method2010

    • 著者名/発表者名
      Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Nanotechnol.Nanosci. 10

      ページ: 3929-3933

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum2010

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, K.Sato, Y.Mizutani, K.Tanioku, T.Shiraiwa, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Nanotechnol.Nanosci. 10

      ページ: 4095-4101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Enhancement of Single-Walled Carbon Nanotube Formation Using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method2010

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      MRS Proceedings 1142-JJ

      ページ: 5-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Influence of substrate temperature on nitridation of(001)GaAs using RF-radical source2009

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 2992-2995

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method2009

    • 著者名/発表者名
      Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Nanosci. Nanotechnol. (掲載決定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source2009

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 311

      ページ: 2992-2995

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
    • 雑誌名

      Research Progress in Materials Science(NOVA Science Publishers)

      ページ: 131-148

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001) GaAs substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 311

      ページ: 1778-1782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle in cidence microchannel epitaxy on(001)GaAs substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 1778-1782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Enhancement of Single-Walled Carbon Nanotube Formation using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method2009

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, T. Shiraiwa, K. Sato, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Svmp. Proc. 1142(on line)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum2009

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Nanosci. Nanotechnol. (掲載決定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-12009

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Nanosci. Nanotechnol. (掲載決定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001)GaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Ishida, T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 311

      ページ: 1778-1782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on(001)GaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Ishida, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 1778-1782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (001) GaAs substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310(7-9)

      ページ: 1571-1575

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310(7-9)

      ページ: 1642-1646

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310(7-9)

      ページ: 1642-1646

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Low temperature growth of carbon nanotubes on Si substrates in high vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      Kenji Tanioku, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater. 17

      ページ: 589-593

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001) GaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Ishida, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 1778-1782

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (001) GaAs substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310(7-9)

      ページ: 1571-1575

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on(001)GaAs substrates2008

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 1571-1575

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Low temperature growth of carbon nanotubes on Si substrates in high vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      K. Tanioku, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater. 17

      ページ: 589-593

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(111) by droplet epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys. Stat. sol. No.7

      ページ: 2322-2325

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] GaAs/c-GaN/GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys.Stat.sol. No.7

      ページ: 2326-2329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (111) Si substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto, T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 300(1)

      ページ: 118-122

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(111)by droplet epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys. Stat. sol No7

      ページ: 2322-2325

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on(111)B GaAs substrate2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, K. Saitoh, T. Suzuki, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 301-302

      ページ: 42-46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, K. Saitoh, T. Suzuki, Y. Yamamoto, T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 301-302

      ページ: 42-46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structure by droplet epitaxy using NH_32007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 301-302

      ページ: 486-489

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Study of lateral growth of AlGaAs microchannel epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hattori, S. Naritsuka, K. Tsuge and T. Maruyama
    • 雑誌名

      名城大学総合研究所 総合学術研究論文集 第6号

      ページ: 97-104

    • NAID

      40016818824

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Study of lateral growth of AlGaAs microchannel epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Hattori, Shigeya Naritsuka, Kei Tsuge, Takahiro Maruyama
    • 雑誌名

      名城大学総合研究所 総合学術研究論文集 第6号

      ページ: 97-104

    • NAID

      40016818824

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structure by droplet epitaxy using NH_32007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 301-302

      ページ: 486-489

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] GaAs/c-GaN/GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys. Stat. sol No7

      ページ: 2326-2329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (111) Si substrates2007

    • 著者名/発表者名
      Naritsuka, Shigeya
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300(1)

      ページ: 118-122

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate2007

    • 著者名/発表者名
      Naritsuka, Shigeya
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 42-46

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] STM and XPS studies of early stages of carbon nanotube growth by surface decomposition of 6H-SiC(000-1) under various oxygen pressures2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Bang, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka, and M. Kusunoki
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater 16

      ページ: 1078-1081

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] GaAs/ c-GaN/ GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Phys. Stat. sol. No7

      ページ: 2326-2329

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on(111)Si substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 300(1)

      ページ: 118-122

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Precise control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structural Growth Using Molecular Beam Epitaxy In Situ Reflectance Monitor2006

    • 著者名/発表者名
      M.Mizutani, F.Teramae, K.Takeuchi, T.Murase, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      J.J.A.P 45 4B

      ページ: 3552-3555

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Precise control of growth of DBR by MBE using in-situ reflectance monitoring system2006

    • 著者名/発表者名
      M. Mizutani, F. Teramae, O. Kobayashi, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)3

      ページ: 659-662

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kondo, K. Saito, Y. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)

      ページ: 1700-1703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Observation of Nanosized Caps Structures on 6H-SiC(0001-) Substrates by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy2006

    • 著者名/発表者名
      H. Bang, Y. Ito, Y. Kawamura, E. Hosoda, C. Yoshida, T. Maruyama, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 372-374

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Characterization of small-diameter carbon nanotubes and carbon nanocaps on SiC(000-1) using Raman spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, T.Shiraiwa, N.Fujita, Y.Kawamura, S.Naritsuka, M.Kusunoki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45巻

      ページ: 7231-7233

    • NAID

      10018246912

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Precise control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structural Growth Using Molecular Beam Epitaxy In Situ Reflectance Monitor2006

    • 著者名/発表者名
      M. Mizutani, F. Teramae, K. Takeuchi, T. Murase, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 45 4B

      ページ: 3552-3555

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor2006

    • 著者名/発表者名
      M.Mizutani, F.Teramae, K.Takeuchi, T.Murase, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 印刷中

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Observation of Nanosized Caps Structures on 6H-SiC(000 1^^-) Substrates by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy2006

    • 著者名/発表者名
      H.Bang, Y.Ito, Y.Kawamura, E.Hosoda, C.Yoshida, T.Maruyama, S.Naritsuka, M.Kusunoki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45巻

      ページ: 372-374

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Precise Control of Growth of DBR by MBE using in-situ reflectance monitoring system2006

    • 著者名/発表者名
      M.Mizutani, F.Teramae, O.Kobayashi, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol 3

      ページ: 659-662

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Scanning-tunneling-microscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-1)2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Bang, Y. Kawamura, N. Fujita, K. Tanioku, T. Shiraiwa, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 雑誌名

      Chem. Phys. Lett. 423

      ページ: 317-320

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structures on Si substrate by droplet epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kondo, K.Saitoh, Y.Yamamoto, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 印刷中

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Fabrication of nitrided mask on GaAs surface and its machinability in STM lithography2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, S. Matsuoka, T. Kondo, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings 891

      ページ: 157-162

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [雑誌論文] Characterization of small-diameter carbon nanotubes and carbon nanocaps on SiC(000-1) using Raman spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, T. Shiraiwa, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka, and M. Kusunoki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 7231-7233

    • NAID

      10018246912

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] Precise control of growth of DBR by MBE using in-sifu reflectance monitoring system2006

    • 著者名/発表者名
      M.Mizutani, F.Teramae, O.Kobayashi, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.? 3

      ページ: 659-662

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kondo, K.Saito, Y.Yamamoto, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a)

      ページ: 1700-1703

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Scanning-tunneling-mnicroscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-1)2006

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, H.Bang, Y.Kawamura, N.Fujita, K.Tanioku, T.Shiraiwa, Y.Hozumi, S.Naritsuka, M.Kusunoki
    • 雑誌名

      Chem. Phys. Lett. 423巻

      ページ: 317-320

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [雑誌論文] "Precise reflectance monitoring system" control of growth of DBR by MBE using in-situ2006

    • 著者名/発表者名
      M.Mizutani, F.Teramae, O.Kobayashi, S.Naritsuka, T.Maruyama
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c) 3

      ページ: 659-662

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kondo, K.Saito, Y.Yamamoto, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(a) 203 7

      ページ: 1700-1703

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Fabrication Process of Nitrided Mask on GaAs Surface for Nano Lithography2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, T.Kondo, S.Matsuoka, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 24th Electronic Materials Symposium 24

      ページ: 253-253

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Lithography of nanometer-size pattern in surface oxide of GaAs using ultrahigh-Vacuum scanning tunnel microscope2005

    • 著者名/発表者名
      H.Uemura, Y.Ito, Y.Kawamura, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Journal of Research Insitute of Meijo University 4

      ページ: 133-139

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate2005

    • 著者名/発表者名
      K.Saitoh, T.Suzuki, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 277

      ページ: 51-56

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Lithography of nanometer-size pattern in surface oxide of GaAs using ultrahigh-vacuum scanning tunnel microscope2005

    • 著者名/発表者名
      H.Uemura, Y.Ito, Y.Kawamura, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Journal of Research Institute of Meijo University no.4

      ページ: 133-139

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(111)by LPE2005

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, K.Matsuda, N.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 275

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(111) by LPE2005

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, K.Matsuda, N.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation2005

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(111) by LPE2005

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, K.Matsuda, N.Naritsuka
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 275

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation2005

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 1669-1672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Density Control of GaN dots on Si substrates by droplet epitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kondo, K.Saitoh, Y.Yamamoto, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 24^<th> Electronic Materials Symposium 24

      ページ: 229-229

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation2005

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 44

      ページ: 1669-1672

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001)GaAs substrate in molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, T.Suzuki, K.Saitoh, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 276

      ページ: 64-71

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Simulation of three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, M.Okada, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phya. 43

      ページ: 3289-3292

    • NAID

      10013154233

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Beam induced lateral epitaxy of GaAs grown directly on Si(001) ridge structure by molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kondo, K.Saitoh, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 23^<rd> Electronic Materials Symposium

      ページ: 63-63

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Atomically flat surface on Ge(111) mesa by LPE growth2004

    • 著者名/発表者名
      K.Matsuda, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 23^<rd> Electronic Materials Symposium

      ページ: 67-67

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy"2004

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, T.Suzuki, K.Saitoh, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 276

      ページ: 64-71

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Simulation of Three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, M.Okada, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 3289-3292

    • NAID

      10013154233

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, T.Suzuki, K.Saitoh, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 276

      ページ: 64-71

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Beam induced lateral epitaxy : a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      T.Suzuki, S.Naritsuka, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Cryst.Res.Technol. 38, No.7-8

      ページ: 614-618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Oxygen incorporation into MBE-grown AlGaAs layers2003

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceeding Vol.744

      ページ: 445-449

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Beam induced lateral epitaxy : a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      T.Suzuki, S.Naritsuka, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Cryst. Res. Technol 38 7-8

      ページ: 614-618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Numerical model for Oxygen incorporation in AlGaAs layer grown by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] LPE growth of atomically flat Ge layer on a mesa pattern2003

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, K.Matsuda, N.Saikawa, S.Naritsuka
    • 雑誌名

      Proceeding of 2003 MRS fall meeting 788

      ページ: 583-583

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Oxygen incorporation into MBE-grown AIGaAs layers2003

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda, T.Maruyama, T.Nishinaga
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceeding 744

      ページ: 445-449

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Beam induced lateral epitaxy : a new way to lateral growth in molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, K.Saitoh, T.Suzuki, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Proceeding of 2003 MRS fall meeting 799

      ページ: 91-91

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [雑誌論文] Numerical model for Oxygen incorporation in AlGaAs layer grown by molecular beam epitaxy2003

    • 著者名/発表者名
      S.Naritsuka, O.Kobayashi, T.Maruyama
    • 雑誌名

      Jon.J.Appl.Phys. 42

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350172
  • [産業財産権] グラフェン基板の製造方法2017

    • 発明者名
      成塚重弥、上田悠貴
    • 権利者名
      成塚重弥、上田悠貴
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-091586
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [産業財産権] グラフェン基板、及びこの製造方法2017

    • 発明者名
      成塚重弥、山田純平
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-073383
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [産業財産権] 導電体、及び導電体の製造方法2017

    • 発明者名
      成塚重弥、山田純平、藤原亨介
    • 権利者名
      成塚重弥、山田純平、藤原亨介
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-174591
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフ ェン素材2011

    • 発明者名
      成塚重弥,丸山隆浩
    • 権利者名
      学校法人 名城大学
    • 出願年月日
      2011-06-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [産業財産権] グラフェン配線構造2011

    • 発明者名
      成塚重弥,丸山隆浩
    • 権利者名
      学校法人 名城大学
    • 出願年月日
      2011-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [産業財産権] グラフェン素材の製造方法2011

    • 発明者名
      成塚重弥,丸山隆浩
    • 権利者名
      学校法人 名城大学
    • 出願年月日
      2011-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフ ェン素材2011

    • 発明者名
      成塚重弥,丸山隆浩
    • 権利者名
      学校法人 名城大学
    • 出願年月日
      2011-02-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材2010

    • 発明者名
      成塚重弥、丸山隆浩
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権番号
      2010-284762
    • 出願年月日
      2010-12-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [産業財産権] カーボンナノチューブの作製方法、電流制御素子及びその作製方法2006

    • 発明者名
      成塚重弥、丸山隆浩、楠美智子
    • 権利者名
      学校法人名城大学、財団法人ファインセラミックスセンター
    • 出願年月日
      2006-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [産業財産権] カーボンナノチューブの製造方法2006

    • 発明者名
      粟野祐二、成塚重弥、川端章夫、丸山隆浩
    • 権利者名
      富士通株式会社、学校法人名城大学
    • 出願年月日
      2006
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Elucidation of growth mechanism of single-walled carbon nanotubes from platinum catalyst by in situ XAFS analysis2023

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Kamal Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第64回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ成長中の 鉄族金属触媒の化学状態の解明2023

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作, サラマ カマル, 才田 隆広, 成塚 重弥, 丸山 隆浩
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ 成長メカニズムの解明: Ir 触媒と Pt 触媒の比較2023

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作, サラマ カマル, 才田 隆広, 成塚 重弥, 丸山 隆浩
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ成長中の Co 触媒と Ir 触媒の化学状態の比較2022

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作,サラマ カマル,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] In situ XAFS analysis of chemical state of catalyst particles during single-walled carbon nanotube growth by chemical vapor deposition2022

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Shrama, Shigeya Naritsuka and Takahiro Saida
    • 学会等名
      35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場 XAFS 測定による単層カーボンナノチューブ 成長メカニズムの解明: Fe 触媒と Ni 触媒の比較2022

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作,サラマ カマル,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] In situ XAFS analysis of chemical state of Co catalysts prepared by solution method during single-walled carbon nanotube growth2022

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場XAFS測定による単層カーボンナノチューブ成長メカニズムの解明: Co触媒とIr触媒の比較2021

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作,山本 大貴,サラマ カマル,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Effect of carrier gas on chemical states of Co catalyst during SWCNT growth: in situ XAFS analysis2021

    • 著者名/発表者名
      Shusaku Karasawa, Daiki Yamamoto, Kamal Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第62回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] キャリアガスによるSWCNT成長中のCo触媒の化学状態への影響:その場XAFS測定による分析2021

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作,山本 大貴,サラマ カマル,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] その場XAFS測定による単層カーボンナノチューブ成長メカニズムの解明:Co触媒とFe触媒の比較2021

    • 著者名/発表者名
      柄澤 周作,山本 大貴,サラマ カマル,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] In situ XAFS analysis of growth process of single-walled carbon nanotubes from Co and Fe catalysts2021

    • 著者名/発表者名
      S. Karasawa, K. P. Sharma, D. Yamamoto, T. Saida, S. Naritsuka and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science~Toward Sustainable Development~ (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Synthesis of small-diameter SWCNTs by ACCVD using the period 6 platinum-group elements catalysts2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Kamal Prasad Sharma, Takuya Okada, Daiki Yamamoto, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials (NT21)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Growth of vertically-aligned and small-diameter single-walled carbon nanotubes by CVD using Ir and Os catalysts2021

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. P. Sharma, D. Yamamoto, T. Okada, M. Kobayashi, T. Saida and S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Surface Science~Toward Sustainable Development~ (ISSS-9)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Ir触媒を用いたアルコールCVD法によるSiO2/Si基板上単層カーボンナノチューブ成長の成長温度依存性2021

    • 著者名/発表者名
      山本大貴,サラマ カマル,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Co触媒からの単層カーボンナノチューブ生成における キャリアガスの影響:その場XAFS測定による分析2021

    • 著者名/発表者名
      丸山 隆浩, 柄澤 周作, 山本 大貴, カマル プラサド サラマ, 才田 隆広, 成塚 重弥
    • 学会等名
      2021年日本表面真空学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] a面サファイア上のグラフェンのCVD成長メカニズムの検討2020

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴   山田 純平   丸山 隆浩   成塚 重弥
    • 学会等名
      第58回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Ir触媒を用いたアルコールCVD法による単層カーボンナノチューブ成長のエタノール圧力依存性2020

    • 著者名/発表者名
      山本 大貴,サラマ カマル プラマド,才田 隆広,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] 分子線成長によるNi薄膜の配向性に与える成長温度の効果2020

    • 著者名/発表者名
      中島 諒人  樫尾 達也  伊藤 翼  丸山 隆浩  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] THzエリプソメトリーを用いたサファイア上グラフェンの電気特性評価2020

    • 著者名/発表者名
      鈴木 拓輝  佐藤 希一  藤井 高志  毛利 真一郎  荒木 努  岩本 敏志  佐藤 幸徳  上田 悠貴  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンの直接析出成長の低温化に関する検討2020

    • 著者名/発表者名
      樫尾 達也  中島 諒人  山田 純平  上田 悠貴  丸山 隆浩  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 減圧CVDによるa面サファイア基板上でのグラフェン直接成長 ----- 成長圧力依存性 -----2020

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴  山田 純平  丸山 隆浩  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 放射光X線を用いたグラフェン析出成長過程のその場観察 - Ni触媒結晶化の効果 -2020

    • 著者名/発表者名
      山田 純平  上田 悠貴  丸山 隆浩  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] THz分光解析によるグラフェンのバックグランド誘電率の推定2020

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志  毛利 真一郎  荒木 努  上田 悠貴  成塚 重弥  岩本 敏志
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 抵抗加熱式CZ法による直径6インチ金属Ni単結晶作成2020

    • 著者名/発表者名
      高橋 和也  福田 承生  藤井 高志  川又 透  杉山 和正  成塚 重弥
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Synthesis of 3D hybrid Structures composed of Single-walled CNTs and Mesopores Carbon by Chemical Vapor Deposition2020

    • 著者名/発表者名
      Aliza Khaniya Sharma   Kamal P Sharma   Takahiro Saida   Shigeya Naritsuka   Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第58回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Pt 触媒を用いたアルコール CVD 法による 単層カーボンナノチューブ成長:収率向上に関する検討2020

    • 著者名/発表者名
      山本 大貴  サラマ カマル  才田 隆広  成塚 重弥  丸山 隆浩
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 白金族元素を触媒に用いた細径単層カーボンナノチューブの作製2020

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,岡田拓也,サラマ・カマル,才田隆広,成塚重弥
    • 学会等名
      2020年日本表面真空学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02563
  • [学会発表] Direct precipitation growth of multi-layer graphene using W capping layer -Dependence of growth atmosphere-2020

    • 著者名/発表者名
      山田 純平   上田 悠貴   丸山 隆浩   成塚 重弥
    • 学会等名
      第58回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 流速支援液相成長を用いたGaNの成長メカニズムの検討2019

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥  神林大介  丸山隆浩
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Synthesis of Vertically-Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes Having Small Diameters by ACCVD Using Ir Catalysts2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama Takuya Okada Kamal Sharma Tomoko Suzuki Takahiro Saida Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 20th International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials (NT19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] LIQUID-PHASE GROWTH OF FEW-LAYERED GRAPHENE ON SAPPHIRE SUBSTRATES USING GA MELTS2019

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama S. Sawada T. Saida S. Naritsuka
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Improvement of CVD direct growth of graphene using crystal orientation effects of sapphire substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda J. Yamada T. Maruyama S. Naritsuka
    • 学会等名
      International Symposium on Advanced Nanocarbon Materials ~Science Technology and Application
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Ir触媒からの単層カーボンナノチューブ成長:触媒膜厚依存性2019

    • 著者名/発表者名
      丸山 隆浩  岡田 拓也  カマル サラマ  鈴木 智子  才田 隆広  成塚 重弥
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Growth of single-walled carbon nanotubes on chemically etched graphene layers by coldwall CVD using Ir catalysts2019

    • 著者名/発表者名
      Aliza Khaniya Sharma   Kamal P Sharma   Saeki Mayumi   Saida Takahiro   Naritsuka Shigeya   Maruyama Takahiro
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Single-walled carbon nanotubes growth on mesoporous carbon by chemical vapor deposition using Co catalyst2019

    • 著者名/発表者名
      Sharma Aliza  サラマ カマル  才田 隆広  成塚 重弥  丸山 隆浩
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 2インチr面サファイア上の高均一単層グラフェンのCVD成長2019

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴   山田 純平   丸山 隆浩   成塚 重弥
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ XRD measurement of precipitation of multilayer graphene2019

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada Yuki Ueda Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Cu蒸気触媒を用いた減圧CVDによるr面サファイア上のグラフェン直接成長 --- 成長温度依存性 ---2019

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 小野 大志, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた析出法によるSiO2/Si基板上への多層グラフェンの直接成長 ~降温速度依存性~2019

    • 著者名/発表者名
      樫尾 達也   中島 諒人   山本 大地   丸山 隆浩   成塚 重弥
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製2019

    • 著者名/発表者名
      石川裕介、荒川亮太、神林大介、成塚重弥、今井大地、宮嶋孝夫
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会 (2019 北海道大学 札幌キャンパス)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19H02176
  • [学会発表] Precipitation of multilayer graphene directly on gallium nitride template using W capping layer2019

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada Yuki Ueda Takahiro Maruyama Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 角度分解光電子微細構造法によるC-doped GaNの結晶構造評価2019

    • 著者名/発表者名
      熊木 雄貴  成塚 重弥  下村 勝
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] サファイア基板上でのNi薄膜の熱処理結晶化2019

    • 著者名/発表者名
      中島諒人  樫尾達也  山田純平  上田悠貴  丸山隆浩  成塚重弥
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Ir触媒を用いた通常型コールドウォールCVD法による単層カーボンナノチューブの垂直配向成長2019

    • 著者名/発表者名
      佐伯 檀   カマル サラマ   才田 隆広   成塚 重弥   丸山 隆浩
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 減圧CVDによる2インチr面サファイア基板上の単層グラフェンの直接成長2019

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴  山田 純平  丸山 隆浩  成塚 重弥
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Pt触媒を用いたアルコールCVD法における単層カーボンナノチューブの成長量増加に向けて2019

    • 著者名/発表者名
      山本 大貴   カマル サラマ   才田 隆広   成塚 重弥   丸山 隆浩
    • 学会等名
      第57回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ XANES Study on Growth Process of Carbon Nanotubes2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama Makoto Kumakura Takahiro Saida Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製2019

    • 著者名/発表者名
      石川 裕介  荒川 亮太  神林 大介  成塚 重弥  今井 大地  宮嶋 孝夫
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] X-ray in situ observation of graphene precipitating directly on sapphire substrate2019

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka   Jumpei Yamada   Yuki Ueda   Asato Nakashima   Tatsuya Kashio   and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた析出法によるSiO2 /Si基板上への多層グラフェンの直接成長 ~ 降温速度依存性 ~2019

    • 著者名/発表者名
      樫尾 達也   中島 諒人   山本 大地   上田 悠貴  山田 純平  丸山 隆浩   成塚 重弥
    • 学会等名
      第42回 結晶成長討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 電極を用いないサファイア上グラフェンの電気特性測定2019

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志  毛利 真一郎  荒木 努  上田 悠貴  成塚 重弥  岩本 敏志
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] グラフェンマスクを用いた電解めっきによる銅のリモートエピに関する検討2019

    • 著者名/発表者名
      藤原亨介、山本大地、上田悠貴、山田純平、伊藤幹人、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第47回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Low-temperature direct growth of graphene on r-plane sapphire using Cu vapor catalyst by CVD2019

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda Jumpei Yamada Taishi Ono Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] グラフェンマスクを用いたa面GaN低角入射マイクロチャンネルエピタキシーの薄膜化に関する検討2019

    • 著者名/発表者名
      竹中 駿、加藤大輔、佐々井耕平、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第47回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] サファイア上グラフェンの抵抗率の非接触・非破壊計測2019

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志, 毛利 真一郎, 荒木 努, 上田 悠貴, 成塚 重弥, 岩本 敏志
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] GaNのリモートエピタキシーに関するトライアル2019

    • 著者名/発表者名
      丹羽和希   上田悠貴   山田純平   佐々井耕平   成塚重弥   丸山隆浩
    • 学会等名
      第42回 結晶成長討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] c面サファイア基板上Ni薄膜の熱処理結晶化のX線回折測定による評価結晶成長討論会2019

    • 著者名/発表者名
      中島諒人  樫尾達也  山田純平  上田悠貴  丸山隆浩  成塚重弥
    • 学会等名
      第42回 結晶成長討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Cu蒸気触媒を用いた減圧CVDによるr面サファイア上のグラフェン直接成長 --- 成長温度依存性 ---2019

    • 著者名/発表者名
      成塚 重弥, 中島 諒人, 山田 純平, 上田 悠貴, 丸山 隆浩
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Understanding of Optical Phenomenon in Atomically Thin Two-dimensional Material and its Heterostructures for Novel Application2018

    • 著者名/発表者名
      T. Okada, S. Ogawa, T. Fujii, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] その場X線回折測定を用いたグラフェン析出成長メカニズムの検討2018

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥,山田純平 ,上田悠貴 , 竹中 駿
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第8回成果発表会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] その場XANES測定による単層カーボンナノチューブ成長中のCoおよびNi触媒粒子の分析2018

    • 著者名/発表者名
      丸山 隆浩, 熊倉 誠, 才田 隆広, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第54回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Growth temperature dependence of low-pressure CVD graphene directly grown on r-plane sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Taishi Ono, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2018 MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Cu蒸気触媒を用いた減圧CVDによるr面サファイア上のグラフェン直接成長 --- 成長温度依存性 ---2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 小野 大志, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction study of direct precipitation of multilayer graphene2018

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Shun Takenaka, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium (EMS-37)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Growth pressure dependence of graphene direct growth on r-plane sapphire by low-pressure CVD2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] テラヘルツ時間領域分光法を用いたグラフェンの散乱時間と電気特性測定2018

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志, 左右田 航平, 毛利 真一郎, 荒木 努, 上田 悠貴, 成塚 重弥, 岩本 敏志
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 窒化ガリウムテンプレート基板上への多層グラフェンの直接析出成長2018

    • 著者名/発表者名
      山田 純平、上田 悠貴、山本 大地、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] High-density Growth of Single-walled Carbon Nanotube at low Temperature by Alcohol Gas Source Method using Co Catalyst2018

    • 著者名/発表者名
      T. Okada, S. Ogawa, T. Fujii, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 大気圧流速支援液相成長法によるGaNの成長2018

    • 著者名/発表者名
      成塚 重弥、神林 大介
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction study of precipitation of multilayer graphene from Ni catalyst2018

    • 著者名/発表者名
      山田 純平, 上田 悠貴, 竹中 駿, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 減圧CVDによるグラフェンの直接成長 --- サファイア表面の結晶方位の影響 ---2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 小野 大志, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 減圧CVDによるr面サファイア上でのグラフェンの直接成長--- 3-Hexyne分圧依存性 ---2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、藤原 亨介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京、3月17日-20日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction study of precipitation of multilayer graphene from Ni catalyst2018

    • 著者名/発表者名
      山田 純平, 上田 悠貴, 竹中 駿, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] その場X線回折測定を用いたグラフェン析出成長メカニズムの検討2018

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥,山田純平 ,上田悠貴 , 竹中 駿
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第8回成果発表会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] テラヘルツ時間領域分光法を用いたグラフェンの散乱時間と電気特性測定2018

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志, 左右田 航平, 毛利 真一郎, 荒木 努, 上田 悠貴, 成塚 重弥, 岩本 敏志
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 窒化ガリウムテンプレート基板上への多層グラフェンの直接析出成長2018

    • 著者名/発表者名
      山田 純平、上田 悠貴、山本 大地、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京、3月17日-20日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] サファイア上グラフェンの抵抗率の非接触・非破壊計測2018

    • 著者名/発表者名
      藤井 高志, 毛利 真一郎, 荒木 努, 上田 悠貴, 成塚 重弥, 岩本 敏志
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] r面サファイア上無触媒減圧CVDグラフェン直接成長における成長温度依存性2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、小野 大志、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 大気圧流速支援液相成長法によるGaNの成長2018

    • 著者名/発表者名
      成塚 重弥、神林 大介
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンのSiO2/Si基板上への直接析出成長2018

    • 著者名/発表者名
      山本 大地、山田 純平、上田 悠貴、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] グラフェンマスクを用いたa面GaN低角入射マイクロチャンネルエピタキシーの薄膜化に関する検討2018

    • 著者名/発表者名
      竹中 駿、加藤大輔、佐々井耕平、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第47回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンのSiO2/Si基板上への直接析出成長2018

    • 著者名/発表者名
      山本 大地、山田 純平、上田 悠貴、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] c面サファイア基板上Ni薄膜の熱処理結晶化のX線回折測定による評価2018

    • 著者名/発表者名
      成塚 重弥, 中島 諒人, 山田 純平, 上田 悠貴, 丸山 隆浩
    • 学会等名
      第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンのSiO2/Si基板上への直接析出成長――加熱温度依存――2018

    • 著者名/発表者名
      山本 大地、山田 純平、上田 悠貴、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 減圧CVDによるグラフェンの直接成長 --- サファイア表面の結晶方位の影響 ---2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 小野 大志, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] r面サファイア上無触媒減圧CVDグラフェン直接成長における成長温度依存性2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、小野 大志、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Growth pressure dependence of graphene direct growth on r-plane sapphire by low-pressure CVD2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] アルコールCVD法によるIr触媒からの単層カーボンナノチューブ成長2018

    • 著者名/発表者名
      藤井 貴之、小川 征悟、岡田 拓也、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆広
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Graphene direct growth on sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Growth temperature dependence of low-pressure CVD graphene directly grown on r-plane sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Taishi Ono, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2018 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンのSiO2/Si基板上への直接析出成長――加熱温度依存――2018

    • 著者名/発表者名
      山本 大地、山田 純平、上田 悠貴、藤原 亨介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] グラフェンマスクを用いた電解めっきによる銅のリモートエピに関する検討2018

    • 著者名/発表者名
      藤原亨介、山本大地、上田悠貴、山田純平、伊藤幹人、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第47回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In situ synchrotron X-ray diffraction study of direct precipitation of multilayer graphene2018

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Shun Takenaka, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium (EMS-37)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Growth pressure dependence of graphene direct growth on r-plane sapphire by low-pressure CVD2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018, Meijo University, Nagoya, Japan, March 4-9
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 減圧CVDによるr面サファイア上でのグラフェンの直接成長--- 3-Hexyne分圧依存性 ---2018

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、藤原 亨介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Graphene direct growth on sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] XANESによる単層カーボンナノチューブ生成時におけるFe触媒のその場測定2018

    • 著者名/発表者名
      熊倉 誠、岡田 拓也、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Understanding of Optical Phenomenon in Atomically Thin Two-dimensional Material and its Heterostructures for Novel Application2018

    • 著者名/発表者名
      Takuya Okada, Seigo Ogawa, Takayuki Fujii, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2018/IC-PLANTS2018, Meijo University, Nagoya, Japan, March 4-9
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Low Temperature Synthesis of Single-Wall Carbon Nanotubes from Ru Catalysts by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2017

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, T. Okada, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた直接析出法における低温でのグラフェン核形成に関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      山田 純平, 上田 悠貴, 山本 大地, 藤原 亨介, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Fabrication of Single-Walled Carbon nanotube/Graphene Hybrid Structure using Alcohol Catalytic Chemical Vapor Deposition2017

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, R. Ghosh, Y. Iwashige, S. Ogawa, T. Saida, S. Naritsuka, S. Iijima
    • 学会等名
      The International Nanotech & NanoScience Conference and Exhibition (Nanotech France 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] パルスメッキによるグラフェン上銅薄膜の作製2017

    • 著者名/発表者名
      藤原亨介,山本大地,山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議、ホテルコンコルド浜松、静岡、2017年11月27日~11月29日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ作製時におけるAl2O3バッファ層による生成量増加のメカニズム2017

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,桐林星光,才田隆広,成塚重弥
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] a面およびc面サファイア基板上への無触媒CVDによるグラフェンの直接成長 --- 成長温度依存性 ---2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴,山田純平,藤原亭介,山本大地,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Au-Ni触媒を用いた減圧CVDによる多層グラフェンの均一性向上2017

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥,上田悠貴, 山田純平, 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第5回成果発表会
    • 発表場所
      伊豆
    • 年月日
      2017-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Direct precipitation growth of multilayer graphene using Ni-Au catalyst2017

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Daichi Yamamoto, Kyosuke Fujiwara, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム,京都大学宇治キャンパス,9月13日-15日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] u-Ni触媒を用いた減圧CVDによる多層グラフェンの均一性向上2017

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥,上田悠貴 , 山田純平 , 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第5回成果発表会
    • 発表場所
      伊豆山研修センター, 静岡
    • 年月日
      2017-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Au-Ni触媒CVDによる高い均一性を有する多層グラフェン成長に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴 , 山田純平 , 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2017-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Pulsed current-mode plating of smooth thin copper layer on graphene for fabrication of copper-graphene composite2017

    • 著者名/発表者名
      K. Fujiwara, D. Yamamoto, J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      6th Electronic Materials Symposium (EMS-36)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of Nucleation of Graphene in Direct Precipitation Method2017

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, D. Yamamoto, K. Fujiwara, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotubes Synthesis by Alcohol Gas Source Method at Low Temperature using Ru Catalysts2017

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, T. Okada, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Au-Ni触媒CVDによる高い均一性を有する多層グラフェン成長に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 山田純平, 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第52回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム 平成29年度秀でた利用6大成果 最優秀賞受賞講演
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2017-03-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた直接析出法における低温でのグラフェン核形成に関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      山田 純平, 上田 悠貴, 山本 大地, 藤原 亨介, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] パルスメッキによるグラフェン上銅薄膜の作製2017

    • 著者名/発表者名
      藤原亨介,山本大地,山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Growth Mechanism of Carbon Nanotubes on SiC C-face by Thermal Decomposition2017

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Naritsuka, K. Amemiya, M. Kusunoki
    • 学会等名
      International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of direct precipitation mechanism of graphene on sapphire using X-ray diffraction2017

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Daich Yamamoto, Kyosuke Fujiwara, Takahiro Maruyama, Hayato Goto, and Yusuke Wakabayashi
    • 学会等名
      Swedish-Japanese Workshop on Nano-Structure Science by Novel Light Sources, Lund, Sweden, October 2-3
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Study of Nucleation of Graphene in Direct Precipitation Method2017

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Daichi Yamamoto, Kyosuke Fujiwara, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center, Sheraton Boston Hotel, Boston (USA), November 26-December 1
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] u/Ni触媒を用いた良好な均一性を有する多層グラフェンのCVD成長2017

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 藤原 亨介, 山本 大地, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Usage of graphene mask for expanding lateral-growth in GaN low angle incidence microchannel epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Shun Takenaka, Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium (EMS-36), Nagahama Royal Hotel, Shiga, Nov. 8-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis from Rh Catalysts by Alcohol Gas Source Method2017

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, A. Kozawa, T. Saida, S. Naritsuka, S. Iijima
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] c面およびr面サファイア上のグラフェンCVD成長メカニズムの検討2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 山田純平, 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議、ホテルコンコルド浜松、静岡、2017年11月27日~11月29日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] In Situ XANES Study on Chemical States of Metal Catalysts During SWCNT Growth2017

    • 著者名/発表者名
      M. Kumakura, H. Kiribayashi, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of condition of copper plating on graphene2017

    • 著者名/発表者名
      藤原亭介,山本大地,山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム,京都大学宇治キャンパス,9月13日-15日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Wキャップ層を用いたグラフェン直接析出法におけるAuボトム層の効果2017

    • 著者名/発表者名
      山田純平,上田悠貴,山本大地,藤原亭介,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル,9月5日-8日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Au/Ni触媒を用いた良好な均一性を有する多層グラフェンのCVD成長2017

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 藤原 亨介, 山本 大地, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Wキャップ層を用いたグラフェン直接析出法におけるAuボトム層の効果2017

    • 著者名/発表者名
      山田純平,上田悠貴,山本大地,藤原亭介,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] a面およびc面サファイア基板上への無触媒CVDによるグラフェンの直接成長 --- 成長温度依存性 ---2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴,山田純平,藤原亭介,山本大地,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル,9月5日-8日
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Study of condition of copper plating on graphene2017

    • 著者名/発表者名
      藤原亭介,山本大地,山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Direct precipitation growth of multilayer graphene using Ni-Au catalyst2017

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, D. Yamamoto, K. Fujiwara, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      第53回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] XANESによる単層カーボンナノチューブ生成時における遷移金属触媒のその場測定2017

    • 著者名/発表者名
      熊倉誠,桐林星光,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Dependence on the annealing temperature on precipitation growth of multilayer graphene using nano diamond as a carbon source2017

    • 著者名/発表者名
      D. Yamamoto, J. Yamada, Y. Ueda, K. Fujiwara, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      6th Electronic Materials Symposium (EMS-36)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Platinum-group Metal Catalysts2017

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Kondo, A. Kozawa, T. Fujii, T. Saida, S. Naritsuka, S. Iijima
    • 学会等名
      International Conference on Green Chemistry/Engineering and Technologies for Sustainable Development (GCET-2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] アルコールCVD法によるRu触媒からの単層カーボンナノチューブの低温成長及び成長機構の検討2017

    • 著者名/発表者名
      藤井貴之,小川征悟,岡田拓也,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Usage of graphene mask for expanding lateral-growth in GaN low angle incidence microchannel epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      S. Takenaka, Y. Ueda, J. Yamada, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      6th Electronic Materials Symposium (EMS-36)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Fabrication of Single-Walled Carbon nanotube/Graphene Hybrid Structure using Alcohol Catalytic Chemical Vapor Deposition2017

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, R. Ghosh, Y. Iwashige, S. Ogawa, T. Saida, S. Naritsuka, S. Iijima
    • 学会等名
      The International Nanotech & NanoScience Conference and Exhibition (Nanotech France 2017), Paris, France, June 28-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] c面およびr面サファイア上のグラフェンCVD成長メカニズムの検討2017

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 山田純平, 藤原亨介, 山本大地, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of direct precipitation mechanism of graphene on sapphire using X-ray diffraction2017

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, J. Yamada, Y. Ueda, D. Yamamoto, K. Fujiwara, T. Maruyama, H. Goto, Y. Wakabayashi
    • 学会等名
      Swedish-Japanese Workshop on Nano-Structure Science by Novel Light Sources & JSPA Grand-in-Aid for Scientific Research on Innovation Areas “3D Active-Site Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Pulsed current-mode plating of smooth thin copper layer on graphene for fabrication of copper-graphene composite2017

    • 著者名/発表者名
      Kyosuke Fujiwara1, Daichi Yamamoto, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      36th Electronic Materials Symposium (EMS-36), Nagahama Royal Hotel, Shiga, Nov. 8-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using slow cooling and crystalized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, J. Yamada, Y. Ueda, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第4回成果発表会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2016-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using a low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Takahiro Maruyama, Kazuo Shimizu, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Effect of crystallization of Ni catalyst on low-temperature direct-precipitation of multilayer graphene2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2016-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Takahiro Maruyama, Kazuo Shimizu, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Two-step growth of graphene directly grown on sapphire substrate by non-catalytic alcohol CVD2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2016-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of crystallization of Ni catalyst on low-temperature direct-precipitation of multilayer graphene2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北海道立道民活動センターかでる2・7、札幌
    • 年月日
      2016-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Liquid phase growth of few-layer graphene on sapphire substrates using Ga melts2016

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, Y. Yamashita, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic alcohol CVD of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第4回成果発表会
    • 発表場所
      大阪大学, 大阪
    • 年月日
      2016-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] CVD-growth of highly-uniform multilayer graphene using Au/Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Junpei Yamada, Itsuka Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials (ISPlasma2016)/8th Intranational Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)
    • 発表場所
      Nagoya University, Aichi, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Study of direct growth of mechanism of multiplayer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 上田悠貴, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      The 35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 結晶化Niを用いた析出法における多層グラフェンの低温直接成長2016

    • 著者名/発表者名
      山田 純平、上田 悠貴、藤原 享介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 酸化グラフェン上への単層カーボンナノチューブ成長: Pt,Fe,Co触媒の比較2016

    • 著者名/発表者名
      小川 征悟、小澤 顕成、桐林 星光、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Direct growth of μm order patterned multi-layer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] SiC 表面上のエピタキシャルグラフェン上へのBN 成長の検討2016

    • 著者名/発表者名
      夏目 拓弥、村部 雅央、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Low-pressure microplasma treatment of GaN surface for improvement of reproducibility of micro-scale growth2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kusakabe, Y. Nagatsu, S.Suzuki, S. Naritsuka, T. Maruyama, K. Shimizu
    • 学会等名
      ISPlasma2016/IC-PLANTS2016
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kusakabe, Y. Nagatsu, S. Suzuki, T. Maruyama, K. Shimizu, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate ----- Effect of growth temperature on nucleation -----2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Itsuki Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using crystallized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Liquid phase growth of few-layer graphene on sapphire substrates using Ga melts2016

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, Y. Yamashita, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] CVD-growth of highly-uniform multilayer graphene using Au/Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Junpei Yamada, Itsuka Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials (ISPlasma2016)
    • 発表場所
      Naogya University, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Low-Temperature Direct-Growth of Multilayer Graphene by Precipitation Method Using Crystallized Ni Catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2016-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Investigation of growth mechanism on non-catalytic CVD growth of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 山田純平, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      The 35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using crystallized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of NH3 flow rate on microchannel epitaxy of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa shaped GaN template substrate2016

    • 著者名/発表者名
      D. Kambayashi, Y. Mizuno, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Two-step growth of graphene directly grown on sapphire substrate by non-catalytic alcohol CVD2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第51回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北海道立道民活動センターかでる2・7、札幌
    • 年月日
      2016-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Microchannel epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Direct growth of patterned multi-layer graphene by precipitation method using patterned W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 50th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
    • 発表場所
      東京大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Growth temperature dependence of non-catalytic CVD growth of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      58th Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Newark, USA
    • 年月日
      2016-06-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of GaN regrowth by MOMBE using low pressure nitrogen microplasma2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kusakabe, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] サファイア基板上へのグラェン無触媒 CVDにおける成長時間依存性2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 内堀 樹, 堀部 真史, 松田 晋一, 丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] 結晶化Niを用いた析出法における多層グラフェンの低温直接成長2016

    • 著者名/発表者名
      山田 純平、上田 悠貴、藤原 享介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法により直接成長した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 上田悠貴, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法により直接成長した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of direct growth of mechanism of multiplayer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Study of non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate ----- Effect of growth temperature on nucleation -----2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Itsuki Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 50th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
    • 発表場所
      東京大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using crystallized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ成長におけるAl2O3バッファ層作製法の検討2016

    • 著者名/発表者名
      桐林 星光、小川 征悟、小澤 顕成、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] XANESによるSWNT用Pt触媒の解析2016

    • 著者名/発表者名
      熊倉 誠,小澤顕成,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第19回XAFS討論会P-19
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2016-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using a low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kusakabe, Y. Nagatsu, S. Suzuki, T. Maruyama, K. Shimizu, S. Naritsuka,
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Takahiro Maruyama, Kazuo Shimizu, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] CVD-growth of highly-uniform multilayer graphene using Au/Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, I. Uchibori, M. Horibe, S. Matsuda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      ISPlasma2016/IC-PLANTS2016
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Rh触媒を用いたアルコールガスソース法による400℃以下での単層カーボンナノチューブ成長2016

    • 著者名/発表者名
      小澤 顕成、桐林 星光、小川 征悟、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic CVD of graphene on sapphire substratet2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamanda, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Direct Growth of Multilayer Graphene as Transparent Electrode on GaN-Based Light Emitting Diode2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Direct growth of multilayer graphene as transparent electrode on GaN-based light emitting diode2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka, S. Usami, Y. Honda, H. Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Growth temperature dependence of non-catalytic CVD growth of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      58th Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Univ. Delaware, Newark, USA
    • 年月日
      2016-06-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Study of non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate -Effect of growth temperature on nucleation-2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, I. Uchibori, M. Horibe, S. Matsuda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] SiC表面上のエピタキシャルグラフェン上へのBN成長の検討2016

    • 著者名/発表者名
      夏目 拓弥、村部 雅央、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using slow cooling and crystalized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第4回成果発表会
    • 発表場所
      大阪大学, 大阪
    • 年月日
      2016-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法により直接成長した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      山田 純平,上田 悠貴,丸山 隆浩,成塚 重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Improvement of crystalline quality of directly grown multilayer graphene by precipitation method using crystallized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Kyosuke Fujiwara, Daichi Yamamoto, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Low-pressure microplasma treatment of GaN surface for improvement of reproducibility of micro-scale growth2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Kazuo Sshimizu
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials (ISPlasma2016)
    • 発表場所
      Naogya University, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Improvement of GaN Regrowth by MOMBE using Low Pressure Nitrogen Microplasma2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] SiC 表面上のエピタキシャルグラフェン上へのBN 成長の検討2016

    • 著者名/発表者名
      夏目 拓弥、村部 雅央、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法により直接成長した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      山田純平,上田悠貴,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上2016

    • 著者名/発表者名
      日下部 安宏、丸山 隆浩、清水 一男、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Investigation of growth mechanism on non-catalytic CVD growth of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 山田純平,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] サファイア基板上へのグラフェンの無触媒CVDにおける成長時間依存性2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、内堀 樹、堀部 真史、松田 晋一、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Improvement of GaN Regrowth by MOMBE using Low Pressure Nitrogen Microplasma2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 無触媒2段階CVD成長によるサファイア基板上への高品質グラフェンの直接成長2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、藤原 亨介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic alcohol CVD of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, Y. Ueda, J. Yamada, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama,
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」第4回成果発表会
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2016-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Improvement of reproducibility of GaN LAIMCE by MOMBE using a low-pressure microplasma treatment2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Takahiro Maruyama, Kazuo Shimizu, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] サファイア基板上へのグラェン無触媒 CVDにおける成長時間依存性2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴 , 山田 純平 , 内堀 樹, 堀部 真史 , 松田 晋一,丸山 隆浩 , 成塚 重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学、東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 無触媒2段階CVD成長によるサファイア基板上への高品質グラフェンの直接成長2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、藤原 亨介、山本 大地、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Michrochannel epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Direct growth of μm order patterned multi-layer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Influence of growth temperature on nucleation during non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, K. Fujiwara, D. Yamamoto, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of NH3 flow rate on Microchannel Epitaxy of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using mesa shaped GaN template substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Yosuke Mizuno, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上2016

    • 著者名/発表者名
      日下部 安宏、丸山 隆浩、清水 一男、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Direct growth of μm order patterned multi-layer graphene by precipitation method using W capping layer2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上2016

    • 著者名/発表者名
      日下部 安宏、丸山 隆浩、清水 一男、成塚 重弥
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Microchannel epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      16th International Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Lake Biwa, Shiga, Japan
    • 年月日
      2016-08-01
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] サファイア基板上へのグラェン無触媒 CVDにおける成長時間依存性2016

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴, 山田 純平, 内堀 樹, 堀部 真史, 松田 晋一,丸山 隆浩, 成塚 重弥
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of NH3 flow rate on Microchannel Epitaxy of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using mesa shaped GaN template substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Yosuke Mizuno, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Low-pressure microplasma treatment of GaN surface for improvement of reproducibility of micro-scale growth2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Kusakabe, Yuichi Nagatsu, Shogo Suzuki, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Kazuo Sshimizu
    • 学会等名
      8th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials (ISPlasma2016)/8th Intranational Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016)
    • 発表場所
      Nagoya University, Aichi, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Low-temperature direct-growth of multilayer graphene by precipitation method using crystallized Ni catalyst2016

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2016-11-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of non-catalytic CVD of graphene on sapphire substrate -Effect of growth temperature on nucleation-2016

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Itsuki Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第50回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2016-02-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] メサ加工基板を用いたLPEE GaNマイクロチャンネルエピタキシー―メサ方向依存性―2015

    • 著者名/発表者名
      神林大介、岩川宗樹、水野陽介、白木優子、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Nucleation control of multilayer graphene by precipitation method using diffusion barrier and two-step annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Au/Ni触媒を用いた高均一な多層グラフェンCVD成長の成長温度依存2015

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴、山田純平、内堀樹、堀部真史、松田晋一、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Rh Catalysts at Low Temperature by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hoshimitsu Kiribayashi, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 49th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG)
    • 発表場所
      北九州国際会議場
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaN再成長界面に与える窒素マイクロプラズマ処理の効果2015

    • 著者名/発表者名
      日下部安宏、成塚重弥、丸山隆弘、清水一男
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] NEXAFSその場測定を用いたSiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成初期過程の解明2015

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,成塚重弥,雨宮健太
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Experimental study of growth mechanism of GaAs microchannel epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      Yousuke Mizuno, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Muneki Iwakawa, Daisuke Kambayashi, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)
    • 発表場所
      Big Sky, Montana, USA
    • 年月日
      2015-08-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 2段階アニール析出法による高品質多層グラフェンの合成2015

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴、鈴木学、山田純平、成塚重弥、丸山隆浩
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] アルコールガスソース法によるRh触媒からの単層カーボンナノチューブ成長2015

    • 著者名/発表者名
      小澤 顕成、才田 隆広、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与える不純物の影響2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、 冨田将史、 神林大介、 高倉宏幸、 岩川宗樹、 白木優子、 丸山隆浩、 成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学、札幌、北海道
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与える不純物の影響2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、 冨田将史、 神林大介、 高倉宏幸、 岩川宗樹、 白木優子、 丸山隆浩、 成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学、札幌
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Au/Ni触媒を用いた高均一な多層グラフェンCVD成長の成長温度依存2015

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴、山田純平、内堀樹、堀部真史、松田晋一、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場、福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Microchannel epitaxy of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Muneki Iwakawa, Daisuke Kambayashi, Yousuke Mizuno, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer graphene using alumina barrier and Au capping layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Naogya University, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Growth temperature dependence of CVD-growth of highly uniform multilayer grapahene using Au/Ni catalyst2015

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Junpei Yamada, Itsuki Uchibori, Masashi Horibe, Shinichi Matsuda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 49th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG)
    • 発表場所
      北九州国際会議場
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Rh触媒を用いたアルコールガスソース法による単層カーボンナノチューブ低温成長2015

    • 著者名/発表者名
      小澤顕成,桐林星光,小川征悟,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長メカニズムの検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、鈴木学、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場、福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaNのマイクロチャネルエピタキシー ―メサ膜厚の効果―2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学、札幌、北海道
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaNのマイクロチャネルエピタキシー ―メサ膜厚の効果―2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaN再成長界面に与える窒素マイクロプラズマ処理の効果2015

    • 著者名/発表者名
      日下部安宏、成塚重弥、丸山隆弘、清水一男
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Precipitation of High-Quality Multilayer-Graphene Using Al2O3 Barrier and Au Cap Layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Matereials Research Symposium (MRS) spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      San Fransisco
    • 年月日
      2015-04-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Au/Ni 触媒を用いた CVD 法による高品質多層グラフェン合成のための水素流量の検討2015

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、内堀 樹、堀部 真史、松田 晋一、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Growth of single-walled carbon nanotubes with narrow chirality distributions from Rh catalysts by alcohol gas source method in high vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hoshimitsu Kiribayashi, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Experimental study of growth mechanism of GaAs microchannel epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Mizuno, M. Tomita, H. Takakura, M. Iwakawa, D. Kambayashi, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)
    • 発表場所
      Montana, USA
    • 年月日
      2015-08-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Nucleation control of multilayer graphene by precipitation method using diffusion barrier and two-step annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ueda, J. Yamada, M. Suzuki, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Microchannel Epitaxy of GaN Layer using Mesa-shaped Substrate by Liquid Phase Electroepitaxy -Mesa Orientation Dependence2015

    • 著者名/発表者名
      D. Kambayashi, M. Iwakawa, Y. Mizuno, Y. Shiraki, S. Naritsuka
    • 学会等名
      Technical digest of the 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Shizuoka
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth Using Pd Catalyst by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      Kiribayashi, S. Ogawa, A. Kozawa, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Toyama International Conference Center
    • 年月日
      2015-11-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaNのマイクロチャネルエピタキシー ―メサ膜厚の効果―2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Al_2O_3バリア層、Auキャップ層を用いた析出法における 高品質多層グラフェン生成に与えるアニール時間の効果2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、鈴木学、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] メサ加工基板を用いたLPEE GaNマイクロチャンネルエピタキシー ―メサ方向依存性―2015

    • 著者名/発表者名
      神林大介、岩川宗樹 、水野陽介、白木優子 、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Alcohol catalytic CVD synthesis of small-diameter single-walled carbon nanotubes from Pt catalysts2015

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Fusashi Ikuta, Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yoko Iizumi, Toshiya Okazaki, Sumio Iijima
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Microchannel epitaxy of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Muneki Iwakawa, Daisuke Kambayashi, Yousuke Mizuno, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Au/Ni 触媒を用いた CVD 法による高品質多層グラフェン合成のための水素流量の検討2015

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、内堀 樹、堀部 真史、松田 晋一、丸山 隆弘、成塚 重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-walled carbon nanotube growth on graphene oxide using Pt catalysts by alcohol gas source method2015

    • 著者名/発表者名
      Seigo Ogawa, Akinari Kozawa, Hoshimitsu Kiribayashi, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Al_2O_3バリア層、Auキャップ層を用いた析出法よる高品質多層グラフェンの生成2015

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥、山田純平、鈴木学、上田悠貴、丸山隆浩
    • 学会等名
      新学術領域研究「3D活性サイト科学」成果報告会
    • 発表場所
      国際高等研究所、京都府
    • 年月日
      2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Microchannel Epitaxy of GaN Layer using Mesa-shaped Substrate by Liquid Phase Electroepitaxy &#8211; Mesa Orientation Dependence2015

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Yuko Shiraki, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計2015

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹、神林大介、水野陽介、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer-graphene using Al2O3 barrier and Au cap layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Microchannel epitaxy of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate2015

    • 著者名/発表者名
      Muneki Iwakawa, Daisuke Kambayashi, Yousuke Mizuno, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Al_2O_3バリア層、Auキャップ層を用いた高品質多層グラフェンの析出法におけるアニール温度依存性2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 鈴木学, 上田悠貴, 丸山隆弘, 成塚重弥
    • 学会等名
      第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学、東京
    • 年月日
      2015-02-23
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Au/Ni 触媒を用いた CVD 法による高品質多層グラフェン合成のための水素流量の検討2015

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、内堀 樹、堀部 真史、松田 晋一、丸山 隆弘、成塚 重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer graphene using alumina barrier and Au capping layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Experimental study of growth mechanism of GaAs microchannel epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      Yousuke Mizuno, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Muneki Iwakawa, Daisuke Kambayashi, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20)
    • 発表場所
      Big Sky, Montana, USA
    • 年月日
      2015-08-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Nucleation control of multilayer graphene by precipitation method using diffusion barrier and two-step annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Naogya University, Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] MOMBEによるa面GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー2015

    • 著者名/発表者名
      日下部安宏、丸山隆浩、成塚重弥、清水一男、金田省吾
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] CNT formation process from 6H-SiC (000-1)2015

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yasuyuki Kawamura, Hyungjin Bang, Naomi Fujita, Tomoyuki Shiraiwa, Kenji Tanioku, Yoko Hozumi, Shigeya Naritsukal, and Michiko Kusunoki
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Microchannel Epitaxy of GaN Layer using Mesa-shaped Substrate by Liquid Phase Electroepitaxy &#8211; Mesa Orientation Dependence2015

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Yuko Shiraki, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City, Hamamatsu, Shizuoka
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Nucleation control of multilayer graphene by precipitation method using diffusion barrier and two-step annealing2015

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Microchannel Epitaxy of GaN Layer using Mesa-shaped Substrate by Liquid Phase Electroepitaxy -Mesa Orientation Dependence2015

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Kambayashi, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Yuko Shiraki, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Hamamatsu, Shizuoka, Jpan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer graphene using alumina barrier and Au capping layers2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, Y. Ueda, M. Suzuki, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 低エタノール圧力下におけるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ生成過程の解明2015

    • 著者名/発表者名
      小澤顕成,桐林星光,小川征悟,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長メカニズムの検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、鈴木学、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Study of dicrect growth mechanism of multi-layer graphene by precipitation method using W capping layer2015

    • 著者名/発表者名
      Junpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 49th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG)
    • 発表場所
      北九州国際会議場
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与えるSiドーピングの効果2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、冨田将史、神林大介、高倉宏幸、岩川宗樹、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Single-walled carbon nanotube growth on Al2Ox/Pd/Al2Ox multilayer catalyst using alcohol gas source method2015

    • 著者名/発表者名
      Hoshimitsu Kiribayahsi, Akinari Kozawa, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotubes Synthesis using Al2Ox/Pd/Al2Ox Multilayer Catalysts by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      Hoshimitsu Kiribayashi, Akinari Kozawa, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 49th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG)
    • 発表場所
      北九州国際会議場
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Temperature from Rh Catalysts by Alcohol Gas Source Method2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawal, Hoshimitsu Kiribayashi, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長メカニズムの検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、鈴木学、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場、福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer-graphene using Al_2O_3 barrier and Aucap layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, Massachusetts, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer graphene using alumina barrier and Au capping layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] “Rh触媒を用いたアルコールCVD法による単層カーボンナノチューブ成長2015

    • 著者名/発表者名
      小澤顕成,桐林星光,小川征悟,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Au/Ni触媒を用いた高均一な多層グラフェンCVD成長の成長温度依存2015

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴、山田純平、内堀樹、堀部真史、松田晋一、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場、福岡
    • 年月日
      2015-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Microchannel epitaxy of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate2015

    • 著者名/発表者名
      M. Iwakawa, D. Kambayashi, Y. Mizuno, H. Takakura, M. Tomita, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与えるSiドーピングの効果2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、冨田将史、神林大介、高倉宏幸、岩川宗樹、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] MOMBEによるa面GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー2015

    • 著者名/発表者名
      日下部安宏、丸山隆浩、成塚重弥、清水一男、金田省吾
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03558
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与えるSiドーピングの効果2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、冨田将史、神林大介、高倉宏幸、岩川宗樹、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Wキャップ層を用いた析出法における多層グラフェンの直接成長2015

    • 著者名/発表者名
      山田純平、上田悠貴、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Temperature from Rh Catalysts by Alcohol Gas Source Method2015

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Hoshimitsu Kiribayashi, Seigo Ogawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer-graphene using Al2O3 barrier and Au cap layers2015

    • 著者名/発表者名
      J. Yamada, M. Suzuki, Y. Ueda, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      Abstract of Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit, Boston
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Precipitation of high-quality multilayer-graphene using Al2O3 barrier and Au cap layers2015

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston
    • 年月日
      2015-11-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与える不純物の影響2015

    • 著者名/発表者名
      水野陽介、冨田将史、神林大介、高倉宏幸、岩川宗樹、白木優子、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] CVD Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Rh catalysts using Alcohol Gas Source Method2015

    • 著者名/発表者名
      A. Kozawa, T. Saida, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2015 (NDNC2015)
    • 発表場所
      静岡県コンベンションアーツセンター
    • 年月日
      2015-05-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Au/Ni 触媒を用いた CVD 法による高品質多層グラフェン合成のための水素流量の検討2015

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、山田 純平、内堀 樹、堀部 真史、松田 晋一、丸山隆弘、成塚 重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] メサ加工基板を用いたLPEE GaNマイクロチャンネルエピタキシー ―メサ方向依存性―2015

    • 著者名/発表者名
      神林大介、岩川宗樹 、水野陽介、白木優子 、成塚重弥
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場、愛知
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] メタンを炭素源に用いたPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長2014

    • 著者名/発表者名
      河合赳,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Growth of high-quality multi-layer graphene by precipitation method using diffusion barrier and two step annealing2014

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Junpei Yamada, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学、愛知
    • 年月日
      2014-09-03
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] 配線応用に向けたグラフェン成長技術の動向2014

    • 著者名/発表者名
      成塚 重弥
    • 学会等名
      日本学術振興会 産学協力研究委員会 半導体界面制御技術第154委員会 第93回研究会
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター(CIC) (東京都港区)
    • 年月日
      2014-11-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] アルコールガスソース法によるPd触媒からの単層カーボンナノチューブ成長2014

    • 著者名/発表者名
      小澤顕成,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Study on Syntesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by Gas Soruce Method using Ethanol in High Vacuum2014

    • 著者名/発表者名
      H. Kondo, R. Ghosh, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
    • 発表場所
      名城大学天白キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaN初期成長に与えるN_2マイクロプラズマ処理の効果2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽平, 内山翔太, 丸山隆浩, 成塚重弥, 清水一男, 野間悠太, 金田省吾
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-20
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Au, Al_2O_3バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御2014

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 鈴木学, 上田悠貴, 成塚重弥, 丸山隆弘
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2014-09-18
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Synthesis of Multi-layer Graphene for Wiring Application by Precipitation Method using Hybrid Diffusion Barrier Layer2014

    • 著者名/発表者名
      Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学、愛知
    • 年月日
      2014-09-02
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Selective growth of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using Al2O3 mask2014

    • 著者名/発表者名
      H. Takakura, M. Tomita, D. Kambayashi, M. Iwakawa, Y. Misuno, J. Yamada, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    • 学会等名
      6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Nucleation control of graphene in precipitation method by the use of Al203 barrier and Au capping layers2014

    • 著者名/発表者名
      Jnmpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学、愛知
    • 年月日
      2014-09-02
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] GaAs MCEにおけるステップ源である積層欠陥からの2次元核の生成2014

    • 著者名/発表者名
      冨田将史,高倉宏幸,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,神林大介,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 配線応用に向けたグラフェン成長技術の動向2014

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      日本学術振興会 産学協力研究委員会 半導体界面制御技術第154委員会 第93回研究会
    • 発表場所
      キャンパス・イノベーションセンター(CIC)東京、東京
    • 年月日
      2014-11-05
    • 説明
      【発表確定】
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] 酸化アルミニウムマスクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長2014

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸,冨田将史,神林大介,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] コールドウォールCVD法によるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長2014

    • 著者名/発表者名
      澤木祐哉,中島佑太,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Al_2O_3バリア層を用いた析出法による多層グラフェンの作製2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 山田純平, 上田悠貴, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2014-09-19
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Hot-Filament Assited Chemical Vapor Deposition2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Sawaki, Y. Nakashima, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
    • 発表場所
      名城大学天白キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] a-C層を挿入したNi触媒を用いた多層グラフェンのアルコールCVD2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 鬼頭祐典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] a-C層を挿入したNi触媒を用いた多層グラフェンのアルコールCVD2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木学,鬼頭祐典,早川直邦,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] アルコールガスソース法におけるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長メカニズムの検討2014

    • 著者名/発表者名
      近藤弘基,Ghosh Ranajit,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] a-C層を挿入したNi触媒を用いた多層グラフェンのアルコールCVD2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 鬼頭祐典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-17
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaN初期成長に与えるN2マイクロプラズマ処理の効果2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽平,内山翔太,丸山隆浩,成塚重弥,清水一男,野間悠太,金田省吾
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Low temperature selective growth of c-plane GaN using a Ti mask by RF-MBE2013

    • 著者名/発表者名
      Nao yamamoto,Hironao Kato,Yujiro Hirota,Hiromu Iha,Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Laroret Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution2013

    • 著者名/発表者名
      D. Kanbayashi, T. Hishida, M. Tomita, H. Takakura, T. Maruyama and S. Naritsuka
    • 学会等名
      25th Interanational Conference on Indium Phoshide and Related Maerials
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 二段階成長を用いたLAIMCEによるa面GaNの合体平坦化2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木 陽平,内山 翔太,丸山 隆浩,成塚 重弥
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure2013

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおける マスクパターン形状による過飽和度制御2013

    • 著者名/発表者名
      冨田将史,高倉宏幸,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,菱田武重,神林大介,成塚重弥
    • 学会等名
      第74回応用物理学会周期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2, and graphene masks by molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      H. Iha, Y. Hirota, Y. Shirai, T. Iwatsuki, H. Kato, N. Yamamoto, S. Naritsuka and T. Maruyama
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Laroret Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Selective growth of (0 0 1) GaAs using patterned graphene mask2013

    • 著者名/発表者名
      Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] GaN超低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに関する基礎的検討2013

    • 著者名/発表者名
      加藤 浩直,山本 菜緒,廣田 雄二郎,伊覇 広夢,成塚 重弥,丸山 隆浩
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Carbon Nanotube/n-type SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC: Growth and Electric Property2013

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Yajima, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      2013MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性2013

    • 著者名/発表者名
      矢嶋孝敏,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会27p-G12-16
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県厚木市)
    • 年月日
      2013-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Behavior of Defects in a-Plane GaN Films Grown by Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy (LAIMCE)2013

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt catalysts by alcohol gas source method2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    • 学会等名
      2013MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Ni触媒を用いたアルコールCVD法による多層グラフェンの成長2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木学,鬼頭佑典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Selective growth of (001) GaAs with graphene mask2013

    • 著者名/発表者名
      Yujiro Hirota and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      15th Interanational Summer School on Crystal Growth
    • 発表場所
      Gdansk, Poland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Low temperature synthesis and growth mechanism of single-walled carbon nanotubes from Pt catalysts in the alcohol gas source method2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 14th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT13)
    • 発表場所
      Finland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] EB 蒸着法により作製したPt 触媒を用いた 高真空アルコールガスソース法によるSWNT 低温成長2013

    • 著者名/発表者名
      近藤 弘基, Ranajit Ghosh, 成塚 重弥, 丸山 隆浩, 飯島 澄男
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Ni触媒を用いたアルコールCVD法による多層グラフェンの成長2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 鬼頭佑典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター、長野
    • 年月日
      2013-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Low-temperature single-walled carbon nanotubes synthesis from Pt catalysts in the alcohol gas source method and its growth mechanism2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    • 学会等名
      第45回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      大阪大学大阪大学会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] tudy of abnormal growth in (100) GaAs microchannel epitaxy –Effect of mask pattern–2013

    • 著者名/発表者名
      M.Tomita,H.Takakura,T.Hishida,D.Kanbayashi,S.Naritsuka andT.Maruyama
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      Laroret Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] グラフェンマスク上のGaAs MBE選択成長メカニズムの検討2013

    • 著者名/発表者名
      廣田雄二郎, 伊覇広夢, 鬼頭佑典, 鈴木学, 加藤浩直, 山本菜緒, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター、長野
    • 年月日
      2013-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] タングステマクを用いた電流制御型液相成長によるGaNGaN選択成長2013

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸,神林大介,冨田将史,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] GaN 横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長2013

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸,冨田将史,神林大介,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第74回応用物理学会周期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] グラフェンマスク上のGaAs MBE選択成長メカニズムの検討2013

    • 著者名/発表者名
      廣田雄二郎, 伊覇広夢, 鬼頭佑典, 鈴木学, 加藤浩直, 山本菜緒, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおける マスクパターン形状による過飽和度制御2013

    • 著者名/発表者名
      冨田将史,高倉宏幸,岩川宗樹,水野陽介,山田純平,菱田武重,神林大介,成塚重弥
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Property of carbon nanotube/SiC heterojunctions formed by surface decomposition of SiC2013

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 14th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT13)
    • 発表場所
      Finland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Ishii, T. Ohta, NEXAFS study on carbon nanotube growth by surface decomposition of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Sakakibara, Y. Ishiguro, S.Naritsuka, K. Amemiya, H.
    • 学会等名
      The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012), 497
    • 発表場所
      Auditorium Maximum, Krakow, Porland
    • 年月日
      2012-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長における昇温速度の影響2012

    • 著者名/発表者名
      石黒祐樹,榊原聡,伊藤宏晃,矢嶋孝敏,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会15a-A3-4、早稲田大学
    • 発表場所
      東京都新宿区
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 高分解能光電子分光によるCNT/SiC界面バンドアライメントの研究2012

    • 著者名/発表者名
      榊原悟史, 丸山隆浩, 成塚重弥, 山根宏之, 小杉信博
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] NH_3-MOMBEによるa面GaN低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(2)~成長時間依存性~2012

    • 著者名/発表者名
      内山翔太, 林家弘, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] グラフェンの性質、作製および配線材への応用2012

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      平成24年度「夢の材料グラフェンの新技術・新商品・新事業を考える研究会」
    • 発表場所
      MSAT 名古屋
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Effect of Growth Temperature on Growth Rate in Carbon Nanotube Formation by Surface Decomposition of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      第43回フ ラーレン・ナノチューブ・グラフェン総 合シンポジウム 1P-37、東北大学百周年記念会館
    • 発表場所
      川内萩ホール(仙台)
    • 年月日
      2012-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel epitaxy of a-plane GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy --- Optimization of [NH3] / [TMG] ratio ---2012

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      54th Annual Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      PennStater Conference Center, University Park, PA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      7th Interanational Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara Prefectureal New Public Hall
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] t触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長:成長温度依存性2012

    • 著者名/発表者名
      福岡直也, 水谷芳裕, 近藤弘基, 丸山隆浩, 成塚重弥, 飯島澄男
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] RF-MBEによるGaN選択成長のためのGa吸着原子再蒸発のメカニズム2012

    • 著者名/発表者名
      岩月剛徳, 加藤浩直, 白井優也, 廣田雄二郎, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長における昇温速度の影響2012

    • 著者名/発表者名
      石黒祐樹, 榊原聡, 伊藤宏晃, 矢嶋孝敏, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      St. Peterburg, Russia
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel epitaxy of a-plane GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy (1)-[NH_3]/[TMG] ratio dependence2012

    • 著者名/発表者名
      林家弘, 内山翔太, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] サファイア基板上でのNi触媒結晶化過程に与える熱処理の効果2012

    • 著者名/発表者名
      山内洋哉, 鬼頭佑典, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] In situ NEXAFS Study on Carbon Nanotube Growth Process by Surface Decomposition of SiC2012

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
    • 学会等名
      第43回フ ラーレン・ナノチューブ・グラフェン総 合シンポジウム 1P-34、東北大学百周年 記念会館
    • 発表場所
      川内萩ホール(仙台)
    • 年月日
      2012-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Band alignment of carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction determined by photoelectron spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Sakakibara, S. Naritsuka, H. Yamane and N. Kosugi
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジ ウム(EMS-31)Th3-7
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2012-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 低降温速度GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおける異常成長の検討2012

    • 著者名/発表者名
      菱田武重, 杉浦高志, 河村知洋, 神林大介, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] アンモニアガスを用いた常圧液相成長によるGaN薄膜の成長2011

    • 著者名/発表者名
      風間正志, 岡崎佑馬、成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Selective growth of GaN using SiO_2 or Ti masks by radio frequency molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      T.Iwatsuki, Y.Nagae, Y.Osawa, Y.Shirai, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] [NH_3]/[TMG] flow ratio dependence of micro-channel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lin, R.Abe, S.Uchiyama, Y.Uete, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 学会等名
      5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
    • 発表場所
      Ise, Mie
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method2011

    • 著者名/発表者名
      N.Fukuoka, Y.Mizutani, T.Maruyama, S.Naritsuka, S.
    • 学会等名
      24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)
    • 発表場所
      全日空ホテル京都(京都)
    • 年月日
      2011-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] RF-MBEによるGaN選択成長に与えるSiO_2マスクとTiマスクの効果2011

    • 著者名/発表者名
      岩月剛徳, 長江祐基, 大澤佑来, 白井優也, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 高温NEXAFS法によるカーボンナノキャップ生成過程の観察2011

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
    • 学会等名
      第41回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      首都大学東京南大沢キャンパス
    • 年月日
      2011-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるPt触媒を用いた低圧力成長におけるSWNTの直径分布2011

    • 著者名/発表者名
      水谷芳裕、福岡直也、丸山隆浩、成塚重弥、飯島澄男
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] NH_3ベースMOMBEによるGaN選択成長の表面形状に与える[NH_3]/[TMG]の効果2011

    • 著者名/発表者名
      内山翔太, 林家弘, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第41回日本結晶成長国内会議
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 高温NEXAFSその場測定によるカーボンナノチューブ成長初期過程の観察2011

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
    • 学会等名
      第14回XAFS討論会
    • 発表場所
      岡崎コンファレンスセンター
    • 年月日
      2011-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] (111)B GaAs低角入射マイクロチャネルエピタキシーに与えるAs圧の効果2011

    • 著者名/発表者名
      白井優也, 大澤佑来, 長江祐基, 岩月剛徳, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC2011

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Sakakibara, H. Ito, S.Naritsuka and K. Amemiya
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC 2011), Kunibiki Messe
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      2011-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] アンモニア系有機金属分子線エピタキシーによるGaNのマイクロチャネルエピタキシー:[NH_3]/[TMG]流量比依存性2011

    • 著者名/発表者名
      林家弘, 阿部亮太, 植手芳樹, 内山翔太, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Lateral growth of GaN with Low Angle Incidence Microchannnel Epitaxy by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Yuki Nagae, Takenori Takatsuki, Yuya Shirai, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XVI)
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Photoemission study of Energy Band Alignment of CNT/SiC Heterostructure Formed by Surface Decomposition2011

    • 著者名/発表者名
      S.Sakakibara, H.Ito, S.Naritsuka, H.Yamane, E.
    • 学会等名
      12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] GaN薄膜のアンモニアガスを用いた大気圧下の液相成長2011

    • 著者名/発表者名
      風間正志, 小島春輝, 佐藤秀治郎, 山内洋哉, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC2011

    • 著者名/発表者名
      T.Maruyama, S.Sakakibara, H.Tto, S.Naritsuka, K.Amemiva
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC 2011)
    • 発表場所
      くにびきメッセ(松江)
    • 年月日
      2011-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Effect of [NH_3]/[TMG] ratio on micro-channel epitaxy of GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      C.Lin, R.Abe, S.Uchiyama, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長2011

    • 著者名/発表者名
      内山翔太, 林家弘, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子部品・材料研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] In situ NEXAFS study of Initial Growth Process of Carbon Nanotube by Surface Decomposition of SiC2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Hiroaki Itoh, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
    • 学会等名
      12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11), P133 2011 年 7 月 11 日 & Satellite Meeting Metrology, Standardization and Industrial Quality of Graphene and Nanotubes (MSIGN11)
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] (111) B GaAs基板上のGaAs低角入射マイクロチャンネルエピタキシーにおけるGa供給量の効果2011

    • 著者名/発表者名
      白井優也, 岩月剛徳, 廣田雄二郎, 加藤浩直, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第41回日本結晶成長国内会議
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] NH_3-based MOMBEによるGaN横方向成長層中の転位評価2011

    • 著者名/発表者名
      林家弘, 内山翔太, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第41回日本結晶成長国内会議
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 高温NEXAFSその場測定によるカーボンナノチューブ成長初期過程の観察2011

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
    • 学会等名
      第14回XAFS討論会3O02、岡崎コンファレンスセンター
    • 発表場所
      岡崎市
    • 年月日
      2011-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 真空アルコールガスソース法を用いたPt/SiO2/Si基板上でのSWNTの低圧力低温成2011

    • 著者名/発表者名
      福岡直也、水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、飯島澄男
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy with [1-100]-direction microchannel2011

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      18th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy & 15th DS Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (ACCGE18 & 0MVPE15)
    • 発表場所
      Monterey, California, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Pressure from Pt catalyst using Alcohol Gas Source Method2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における昇温速度の影響2011

    • 著者名/発表者名
      石黒祐樹、榊原悟史、伊藤宏晃、成塚重弥、丸山隆浩
    • 学会等名
      第41回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      首都大学東京南大沢キャンパス
    • 年月日
      2011-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] アンモニアガスを用いた大気圧下でのGaN薄膜の液相成長2011

    • 著者名/発表者名
      風間正志, 山内洋哉, 岡崎佑馬, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第41回日本結晶成長国内会議
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 電流制御型LPEを用いたGaSb(001)の成長-電流値依存性-2010

    • 著者名/発表者名
      佐藤秀治郎, 小島春輝, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      D. Kanbayashi, Y. Ando, T. Kawakami, S. Naritsuka, T. Maruyama
    • 学会等名
      The TMS Annual Meeting & Exhibition
    • 発表場所
      Washington State Convention Center, WA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Extended abstracts of 29^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Izu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] SiC表面分解によるカーボンナノチ ューブ生成初期過程のその場NEXAFS測 定の試み2010

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,榊原悟史,成塚重弥,雨宮健太
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演 会 17a-ZQ-3
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] XPS study of Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical Source2010

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, Kagawa
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaNの選択成長、横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      分子線エピタキシー結晶成長研究会
    • 発表場所
      長岡技術科学大学(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 表面分解法で4H-SiCと6H-SiCから成長したカーボンナノチューブのラマン分光法での比較2010

    • 著者名/発表者名
      石黒祐樹、榊原悟史、伊藤宏晃、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム1P-5
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] SiC表 面分解法により形成したCNT/SiC接合界 面の電気的特性2010

    • 著者名/発表者名
      榊原悟史,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学 術講演会 16p-ZQ-3
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Fabrication of AlGaAs-based Vertical Cavity Surface Emitting Laser on Si Substrate using Microchannel Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Ando, D.Kanbayashi, T.Kawakami, H.Sato, T.Maruyama, S.Naritsuka
    • 学会等名
      Extended abstracts of 29^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Izu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] アンモニアガスを用いた液相成長によるGaN薄膜の成長2010

    • 著者名/発表者名
      風間正志、小島春輝、佐藤秀治郎、成塚重弥、丸山隆弘
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] 温度差法LPEを用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーのための成長条件の検討2010

    • 著者名/発表者名
      小島春輝, 佐藤秀治郎, 風間正志, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] アンモニア系MOMBEを用いたGaN選択成長の結晶表面形態に与える温度の効果2010

    • 著者名/発表者名
      阿部亮太, 林家弘, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2010

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      11th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10), 278
    • 発表場所
      Montreal, Canada
    • 年月日
      2010-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] MOMBEによるGaNの選択成長、横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      阿部亮太、林家弘、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] Optimization of growth conditions for selective growth and lateral growth of GaN by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      Yuki Nagae, Takahiro Maruyama,Shigeya Naritsuka, Yuki Osawa
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360131
  • [学会発表] SWNT Growth on Al_2O_x/Co/Al_2O_x Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2010

    • 著者名/発表者名
      佐藤一徳, 水谷芳裕, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
    • 発表場所
      名城大学(名古屋)
    • 年月日
      2010-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs (001) Surface using RF-radical Source (O-14)2009

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Yohei Monno, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      SemiconNano 2009
    • 発表場所
      Anan, Tokushima (invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] 温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーの成長条件の改善2009

    • 著者名/発表者名
      小島春輝, 佐藤秀治郎, 風間正志, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al2Ox Buffer Layer in Low Temperature Growth,2009 MRS Fall Meeting K 5.272009

    • 著者名/発表者名
      Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2009-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] RFラジカル源を用いたGaAs(001)表面窒化によるGaN超薄膜の形成2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥, 門野洋平, 森みどり, 竹内義孝, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] 低温バッファー層の科学2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      日本学術振興会、結晶成長の科学と技術161委員会 第61回研究会
    • 発表場所
      京都市産業技術研究所 工業技術センター、京都 (招待論文)
    • 年月日
      2009-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] GaSb電流制御型LPEの基礎的検討2009

    • 著者名/発表者名
      佐藤秀治郎, 小島春輝, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs(001)Surface using RF-radical Source2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥, 門野洋平, 森みどり, 竹内義孝, 丸山隆浩
    • 学会等名
      SemiconNano 2009(invited)
    • 発表場所
      Anan, Tokushima
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition2009

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting K 14.40, Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] RFラジカル源を用いたGaAs(001)表面窒化によるGaN超薄膜の形成2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥、門野洋平、森みどり、竹内義孝、丸山隆浩
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会 (8a-F-1)
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] アルコールガスソース法によるカーボンナノチューブ低温成長におけるA1_2O_x膜厚の影響2009

    • 著者名/発表者名
      佐藤一徳, 水谷芳裕, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(つくば市)
    • 年月日
      2009-04-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] 低温バッファー層の科学2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      日本学術振興会、結晶成長の科学と技術161委員会 第61回研究会
    • 発表場所
      京都市産業技術研究所工業技術センター
    • 年月日
      2009-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Ni-SiドーピングしたGaAsからの近赤外発光2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥、行田哲也、山本芙美、手嶋康将、丸山隆浩
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会 (31p-P11-4)
    • 発表場所
      筑波大学(つくば)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al_2O_x Buffer Layer in Low Temperature Growth2009

    • 著者名/発表者名
      Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center(ボストン)
    • 年月日
      2009-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] TMGとNR3を用いたMOMBEによるGaN薄膜の成長2009

    • 著者名/発表者名
      阿部亮太, 林家弘, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] 高真空アルコールガスソース法による単層カーボンナノチューブ低温成長における酸化アルミニウムバッファ層の効果2009

    • 著者名/発表者名
      水谷芳裕, 佐藤一徳, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第36回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
    • 発表場所
      名城大学(名古屋)
    • 年月日
      2009-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Influence of Water Addition on Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum2009

    • 著者名/発表者名
      佐藤一徳, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
    • 発表場所
      つくば国際会議場(つくば)
    • 年月日
      2009-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] SiC表面分解法により生成したカーボンナノチューブ膜の精製2009

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,中浜郁也,成塚重弥
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会9p-ZR-11
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] RFラジカル源を用いたMBE-GaN選択成長に関する基礎的検討2009

    • 著者名/発表者名
      長江祐基, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」
    • 発表場所
      東京農工大小金井キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] SiC表面分解法により生成したカーボンナノチューブ膜の精製2009

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩, 中浜郁也, 成塚重弥
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山)
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition2009

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2009 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center(ボストン)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Ni-SnドーピングしたGaAsからの近赤外発光2009

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥, 行田哲也, 山本芙美, 手嶋康将, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第56回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      日本大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] マイクロチャンネルエピタキシーを用いたSi基板上GaAs系共振器型発光ダイオードの作製2009

    • 著者名/発表者名
      神林大介, 川上拓也, 安藤悠平, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] ウェットエッ手ングによる端面ミラーを持つAlGaAs系レーザの試作2009

    • 著者名/発表者名
      川上拓也, 神林大介, 安藤悠平, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] RFラジカル源を用いたMBE-GaN選択成長における基板温度の効果2009

    • 著者名/発表者名
      長江祐基, 神林大介, 川上拓也, 大沢佑来, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Fabrication of GaAs-based resonant cavity light emitting diode on Sisubstrate using microchannel epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      安藤悠平, 神林大介, 川上拓也, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 28th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] (111)B GaAs低角入射マイクロチャンネルエピタキシーのための基礎的検討2009

    • 著者名/発表者名
      大澤佑来, 神林大介, 安藤悠平, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] RF-MBEによるGaAs表面窒化超薄膜のフォトルミネッセンス評価2008

    • 著者名/発表者名
      神林大介, 森みどり, 竹内義孝, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Influence of Al oxide buffer layer for improving SWNT yield by alcohol gas source technique2008

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2008 MRS Fall Meeting JJ 5.6
    • 発表場所
      Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, USA
    • 年月日
      2008-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotube by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      T, Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The IUMRS international Conference in Asia 2008(IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(名古屋)
    • 年月日
      2008-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Carbon Nanotube Growth by SiC Surface Decomposition in Hydrogen Ambient2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The IUMRS international Conference in Asia 2008(IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(名古屋)
    • 年月日
      2008-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001) GaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      Abstract of International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001)GaAS substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Optimization of growth condition of GaAs (001) microchannel epitaxy2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Tejima, K. Suzuki, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium(EMS-27)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] 酸化Alバッファ層を用いたアルコールガスソース法によるカーボンナノチューブ低温成長2008

    • 著者名/発表者名
      佐藤一徳, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第69回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Role of Al oxide buffer layer in carbon nanotube growth by alcohol gas source method2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sato, K. Tanioku, T. Shiraiwa, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(伊豆長岡、静岡)
    • 年月日
      2008-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Dependence of SWNT growth yield on Al oxide buffer layer thickness by alcohol gas source method in high vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    • 学会等名
      19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2008)
    • 発表場所
      Sitges, Spain
    • 年月日
      2008-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] RF-ラジカルを用いたGaAs(001)表面の窒化における格子緩和メカニズム2008

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥、森みどり、竹内義孝、神林大介、門野洋平、丸山隆浩
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議 (06aA08)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Temperature dependence of nitridation of (001)GaAS surface and its effect to morphology of overgrown GaAs layer2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      27^<th> Electronic Materials Symposium(EMS-27)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] ガスソース法によるカーボンナノチューブ成長への酸化Alバッファ層挿入効果2008

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩, 白岩倫行, 成塚重弥
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会29p-J-20
    • 発表場所
      日本大学理工学部船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] High yield synthesis and growth mechanism of carbon nanotube using alcohol gas source method in high vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Kenji Tanioku, Tomoyuki Shiraiwa, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT08)
    • 発表場所
      Le Corum, Montpellier, France
    • 年月日
      2008-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-nitride(ICGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] RF-ラジカルを用いたGaAs(001)表面の窒化における格子緩和メカニズム2008

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥, 森みどり, 竹内義孝, 神林大介, 門野洋平, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Fabrication of InN dot structures by droplet epitaxy using NH_32008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Hiroaki Otsubo, Shoji Osaki, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography(IUCr)
    • 発表場所
      Grand Cube Osaka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Fabrication of InN dot structures by droplet epitaxy using NH_32008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Hiroaki Otsubo, Shoji Osaki, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography (IUCr)
    • 発表場所
      Grand Cube Osaka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sato, T. Shiraiwa, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      The IUMRS international Conference in Asia 2008(IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(名古屋)
    • 年月日
      2008-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-nitride(ICGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on(001)GaAs substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2008)
    • 発表場所
      Vancouver,Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] (001)GaAa低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに与えるマイクロチャンネル方位の影響2008

    • 著者名/発表者名
      川上拓也, 松岡秀司, 石田裕詞, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Influence of Al oxide buffer layer for improving SWNT yield by alcoholgas source technique2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    • 学会等名
      2008 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • 年月日
      2008-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長2008

    • 著者名/発表者名
      手嶋康将, 鈴木堅志郎, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotube by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani and S. Naritsuka
    • 学会等名
      The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) O7
    • 発表場所
      Nagoya Congress Center, Japan
    • 年月日
      2008-12-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] 温度差法によるGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーの成長条件の最適化2008

    • 著者名/発表者名
      手嶋康将, 鈴木堅志郎, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] High yield synthesis and growth mechanism of carbon nanotube using alcohol gas source method in high vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Sato, K. Tanioku, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    • 学会等名
      Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT08)
    • 発表場所
      モンペリエ(フランス)
    • 年月日
      2008-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] SiC表面分解カーボンナノチューブ生成における水素ガスの効果2008

    • 著者名/発表者名
      上田和史, 飯島祐樹, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第69回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Enhancement of Carbon Nanotube Growth at Low Temperature using A1_2O_x Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method2008

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩, 佐藤一徳, 白岩倫行, 成塚重
    • 学会等名
      第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2008-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] AlGaAs MCEにおける過飽和度制御2007

    • 著者名/発表者名
      服部篤、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel Epitaxy of GaAs layer on GaAs (001) substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Matsuoka, Y. Yamamoto, T. Kondo, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      TMS Annual Meeting & Exhibition
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] GaAsMCEの浮き上がり現象に与えるマスク表面張力の影響2007

    • 著者名/発表者名
      山本朗夫、今井巧、伊藤浩士、神林大介、成塚重弥、丸山隆弘
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Low angle incidence microchannel Epitaxy of GaAs layer on GaAs(001)substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Matsuoka, Y. Yamamoto, T. Kondo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    • 学会等名
      TMS Annual Meeting & Exhibition
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] マイクロチャンネルエピタキシーの結合によるAlGaAsの全面平坦成長2007

    • 著者名/発表者名
      服部篤、柘植慧、成塚重弥、丸山隆浩
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Liquid phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      Salt Lake City, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] SiC表面分解カーボンナノチューブ生成法におけるナノチューブ/SiC界面制御2007

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩、楠美智子、成塚重弥
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議05aB04
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市北区、(招待講演)
    • 年月日
      2007-11-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] 超高真空STMによるSiO_2/Si(111)ナノリソグラフィー(2)2007

    • 著者名/発表者名
      山本陽、北野宏樹、森みどり、谷奥健次、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第54回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Growth Optimization of Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy of GaAs layer on(001)GaAs substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      Salt Lake City, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Surface Oxidation and Carbon Nanotube Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, N. Fujita, S. Naritsuka, M. Kusunoki
    • 学会等名
      2007MRS Fall Meeting II 5.26, Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2007-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Carbon nanotube growth on SiO_2/Si at low tempreture using alcohol gas source in high vacuum2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Tanioku and S. Naritsuka
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), I2
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Moriyama, Shiga
    • 年月日
      2007-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] アンモニアを用いたドロップレットエピタキシー法によるInNドット作製の検討2007

    • 著者名/発表者名
      大坪弘明、大崎洋司、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Rf-ラジカル源を用いた(001)GaAs表面の窒化過程の研究2007

    • 著者名/発表者名
      森みどり、竹内義孝、山本陽、丸山隆浩、成塚重弥
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Growth Optimization of Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy of GaAs layer on (001)GaAs substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, Y. Yamamoto, T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth 948
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Liquid phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth 823
    • 発表場所
      Salt Lake City, Utah, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Low Temperature Synthesis of Carbon Nanotube on Si substrate Using Alcohol Gas Source in High Vacuum2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Tanioku, S. Naritsuka
    • 学会等名
      2007MRS Fall Meeting II 14.3, Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
    • 発表場所
      Boston, MA, USA
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Carbon nanotube growth on SiO_2/Si at low tempreture using alcoholgas source in high vacuum2007

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, K. Tanioku and S. Naritsuka
    • 学会等名
      Extended Abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium(EMS-26)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Growth Optimization of Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy of GaAs layer on(001)GaAs substrates2007

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      Salt Lake City,Utah,USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] STM and XPS studies of early stage of carbon nanotube growth on 6H-SiC(000-1) under various oxygen pressures2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, N. Fujita, Y. Kawamura, H. Bang, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 学会等名
      The 17th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, DIAM2006
    • 発表場所
      Estoril, Portugal
    • 年月日
      2006-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Carbon Nanocpap and Carbon Nanotube Growth on SiC by Surface Decomposition2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Naritsuka, M. Kusunoki
    • 学会等名
      14^<th> Int. Conf. Composites/Nano Engineering (ICCE-14), Renaissance Suites
    • 発表場所
      Broomfield, Boulder, Colorado, USA
    • 年月日
      2006-07-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果2006

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥、大坪弘明、近藤俊行、山本陽、丸山隆浩
    • 学会等名
      第36回結晶成長国内会議 (01pB02)
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2006-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Formation mechanism of rotation twin in beam induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate2006

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, Y. Yamamoto, K. Saitoh, T. Maruyama
    • 学会等名
      The 14^<th> International Conference on MBE
    • 発表場所
      Tokyo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] In-situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (111) Si substrates2006

    • 著者名/発表者名
      S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto, T. Maruyama
    • 学会等名
      First International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Linkoping, Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] GaAs/ c-GaN/ GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] Formation process of carbon nanocap from SiC(000-1) surface through thermal decomposition2006

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 学会等名
      第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム2P-29
    • 発表場所
      名城大学(名古屋)
    • 年月日
      2006-01-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(111) by droplet epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama, S. Naritsuka
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] GaAs表面窒化によるGaN超薄膜の作製とGaAs/c-GaN/GaAs多層構造の作製2006

    • 著者名/発表者名
      成塚重弥
    • 学会等名
      東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会
    • 発表場所
      ホールサムインばんじ
    • 年月日
      2006-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360155
  • [学会発表] SiC表面におけるナノキャップ形成過程2005

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩、方炯軫、河村康之、吉田千紗、細田悦子、成塚重弥、楠美智子
    • 学会等名
      文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト「分子・物質総合合成・解析支援グループ」成果発表会、「分子・物質に視点をおいたナノテクノロジー・ナノサイエンスIII」
    • 発表場所
      岡崎コンファレンスセンター
    • 年月日
      2005-03-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] STM observation of formation process of carbon nanotube from 6H-SiC (000-1)2005

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 学会等名
      Abstract of 2005 MRS fall meeting, Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
    • 発表場所
      Boston, MA, Rall
    • 年月日
      2005-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] STM and XPS study of CNT nano-cap formation from 6H-SiC(000-1)2005

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    • 学会等名
      第29回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 2P-21
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2005-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560015
  • [学会発表] SWNT Growth from Pt Catalyst at Very Low Pressures by the Alcohol Gas Source Method

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka (T. Maruyama)
    • 学会等名
      2012 MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(アメリカ)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Single-walled carbon nanotube growth from Pt catalysts by cold-wall ACCVD

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, H. Kondo, Y. Sawaki, R. Ghosh, S. Naritsuka, T. Okazaki, S. Iijima
    • 学会等名
      The 15th International Conference on the Science and Application of Natnotubes (NT14)
    • 発表場所
      University of Southern California, Los Angeles, USA
    • 年月日
      2014-06-02 – 2014-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] 拡散バリアと2 段階熱処理を用いた析出法による高品質多層グラフェンの成長

    • 著者名/発表者名
      上田悠貴, 鈴木学, 山田純平, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2014-09-03 – 2014-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Lateral Growth of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using aluminum oxide mask

    • 著者名/発表者名
      Muneki Iwakawa, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Daisuke Kambayashi, Yosuke Mizuno, Shigeya Naritsuka, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      33th Electronic Materials Symposium (EMS-33)
    • 発表場所
      Laroret Shuzenji, Izu
    • 年月日
      2014-07-09 – 2014-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Syntesis of Single-Waled Carbon Nanotubes from Pd Catalysts by Gas Source Method Using Ethanol in High Vacuum

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      ISPlasma2015/IC-PLANTS2015
    • 発表場所
      Nagoya University, Nagoya
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] Low Temperature Growth of SWNTs on Pt catalyst by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ghosh Ranajit, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijim (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      仙台市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Pt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT低温成長

    • 著者名/発表者名
      近藤弘基,福岡直也,水谷芳裕,Ghosh Ranajit,成塚重弥,丸山隆浩,飯島澄男 (丸山隆浩)
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] GaAs MCEにおけるらせんステップ源による法線成長速度決定メカニズム

    • 著者名/発表者名
      水野 陽介、冨田 将史、高倉 宏幸、岩川 宗樹、神林 大介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第62回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of Growth Temperature on Growth Rate in Carbon Nanotube Formation by Surface Decomposition of SiC

    • 著者名/発表者名
      Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      仙台市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長用ボートの検討

    • 著者名/発表者名
      岩川宗樹,高倉宏幸,冨田将史,神林大介,水野陽介,山田純平,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学, 名古屋
    • 年月日
      2014-07-25 – 2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Synthesis of Multi-Layer Graphene by Precipitation Method Using Hybrid Diffusion Barrier Layer

    • 著者名/発表者名
      Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2014-12-01 – 2014-12-05
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Precipitation of High-Quality Multilayer-Graphene Using Al_2O_3 Barrier and Au Cap Layers

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      Matereials Research Symposium (MRS) spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2014-04-05 – 2014-04-10
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] NEXAFS study on carbon nanotube growth by surface decomposition of SiC

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Sakakibara, Y. Ishiguro, S. Naritsuka, K. Amemiya, H. Ishii, T. Ohta (T. Maruyama)
    • 学会等名
      The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012)
    • 発表場所
      クラクフ(ポーランド)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸, 冨田将史, 神林大介, 岩川宗樹, 水野陽介, 山田純平, 安井亮太, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Effect of N2 micro plasma treatment on initial growth of GaN by MOMBE

    • 著者名/発表者名
      Yohei Suzuki, Toshihiro Inagaki, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Yuuta Noma, Shogo Kaneda, and Kazuo Shimizu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2014 (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaNの横方向成長領域の評価

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸,岩川宗樹,神林大介,冨田将史,水野陽介,山田純平,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院大学、東
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Synthesis of Multi-Layer Graphene by Precipitation Method Using Hybrid Diffusion Barrier Layer

    • 著者名/発表者名
      Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2014 Matereials Research Symposium (MRS) Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2014-11-30 – 2014-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] MOMBEを用いたGaN初期成長に与えるその場N2マイクロプラズマ処理の効果

    • 著者名/発表者名
      鈴木 陽平,日下部 安宏,丸山 隆浩,成塚 重弥,清水 一男,野間 悠太,金田 省吾
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] In situ NEXAFS Study on Carbon Nanotube Growth Process by Surface Decomposition of SiC

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Kenta Amemiya (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      仙台市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] N2マイクロプラズマを用いたGaN低角入射マイクロチャンネルエピタキシーにおける再成長の改善

    • 著者名/発表者名
      鈴木陽平,日下部安宏,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院大学(東京都豊島区)
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] High-Quality Multi-Layer Graphene by Precipitation Method with Two Step Annealing

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      7th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials / 8th Intranational Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Carbon Nanotube Growth on ZnO(0001) Zn-face using Gas Source Method in High Vacuum

    • 著者名/発表者名
      Takeshi Kawai, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      仙台市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Au,Al2O3バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 鈴木学, 上田悠貴, 成塚重弥, 丸山隆弘
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係

    • 著者名/発表者名
      冨田将史,高倉宏幸,岩川宗樹,水野陽介,山田純平, 神林大介, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Au キャップ層、Al2O3 バリア層を用いたグラフェン析出法における核形成制御

    • 著者名/発表者名
      山田純平, 鈴木学, 上田悠貴, 成塚重弥, 丸山隆弘
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2014-09-03 – 2014-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上

    • 著者名/発表者名
      水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院大学(東京都豊島区)
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] 膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

    • 著者名/発表者名
      岩川 宗樹、高倉 宏幸、冨田 将史、神林 大介、安井 亮太、水野 陽介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Growth of multilayer graphene by hybrid method of alcohol CVD and precipitation

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Naokuni Hayakawa, Junpei Yamada, and Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      25th International Conference on Diamond and Carbon Materials
    • 発表場所
      Madrid, Spain
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-11
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Al2O3バリア層、Auキャップ層を用いた高品質多層グラフェンの析出法におけるアニール温度依存性

    • 著者名/発表者名
      山田純平 , 鈴木学, 上田悠貴 , 丸山隆弘, 成塚重弥
    • 学会等名
      第48回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学(東京都文京区)
    • 年月日
      2015-02-21 – 2015-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Synthesis of Multi-layer Graphene for Wiring Application by Precipitation Method using Hybrid Diffusion Barrier Layer

    • 著者名/発表者名
      Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      第47回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2014-09-03 – 2014-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Al2O3バリア層を用いた析出法による多層グラフェンの作製

    • 著者名/発表者名
      鈴木学,山田純平, 上田悠貴, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaNの横方向成長領域の評価

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸,岩川宗樹,神林大介,冨田将史,水野陽介,山田純平,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院大学(東京都豊島区)
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Selective growth of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using Al_2O_3 mask

    • 著者名/発表者名
      H. Takakura, M. Tomita, D. Kambayashi, M. Iwakawa, Y. Misuno, J. Yamada, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    • 学会等名
      6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. on Plasma-Nano Tech. & Sci.
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2014-03-02 – 2014-03-06
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] アルコールガスソース法によるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長:Co触媒との比較

    • 著者名/発表者名
      小澤顕成,才田隆広,成塚重弥,丸山隆浩
    • 学会等名
      第24回日本MRS年次大会
    • 発表場所
      横浜市開港記念会館&横浜情報文化センター
    • 年月日
      2014-12-10 – 2014-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] High-Quality Multi-Layer Graphene by Precipitation Method with Two Step Annealing

    • 著者名/発表者名
      Yuki Ueda, Manabu Suzuki, Jumpei Yamada, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      7th International Symposium on Advaced Plasema Science and its Applications for Nitrides and Nanometerials (ISPlasma2015)/ 8th Intranational Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2015)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係

    • 著者名/発表者名
      冨田将史,高倉宏幸,岩川宗樹,水野陽介,山田純平, 神林大介, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Band alignment of carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction determined by photoelectron spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, S. Sakakibara, S. Naritsuka, H. Yamane, N. Kosugi (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム(EMS-31)
    • 発表場所
      伊豆市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] 2段階アニール析出法による高品質多層グラフェンの合成

    • 著者名/発表者名
      上田 悠貴、鈴木 学、山田 純平、成塚 重弥、丸山 隆浩
    • 学会等名
      第62回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Rh Catalysts by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum

    • 著者名/発表者名
      Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    • 学会等名
      The 48th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG)
    • 発表場所
      The University of Tokyo
    • 年月日
      2015-02-21 – 2015-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] 表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上

    • 著者名/発表者名
      水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院大学、東京
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] 膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

    • 著者名/発表者名
      岩川 宗樹、高倉 宏幸、冨田 将史、神林 大介、安井 亮太、水野 陽介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第62回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth under Low Ethanol Pressure by the Gas Source Method: Comparison between Pt and Co Catalysts

    • 著者名/発表者名
      T. Maruyama, N. Fukuoka, H. Kondo, Y. Mizutani, S. Naritsuka, S. Iijima (T. Maruyama)
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      横浜市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] SiC表面分解法により形成した垂直配向カーボンナノチューブのNEXAFS測定

    • 著者名/発表者名
      丸山隆浩,石黒祐樹,榊原悟史,成塚重弥,乗松 航,楠美智子,雨宮健太,石井秀司,太田俊明 (丸山隆浩)
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] NEXAFS Study of Carbon Nanotube Alignment formed by Surface Decomposition of SiC

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishiguro, S. Sakakibara, S. Naritsuka, W. Norimatsu, M. Kusunoki, K. Amemiya, H. Ishii, T. Ohta, T. Maruyama  (T. Maruyama)
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      横浜市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長

    • 著者名/発表者名
      近藤弘基,福岡直也,Ghosh Ranajit,成塚重弥,丸山隆浩,飯島澄男 (丸山隆浩)
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Al2O3バリア層、Auキャップ層を用いた析出法における 高品質多層グラフェン生成に与えるアニール時間の効果

    • 著者名/発表者名
      山田 純平、鈴木 学、上田 悠貴、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第62回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] Relationship between surface supersaturation and vertical growth rate in GaAs microchannel epitaxy

    • 著者名/発表者名
      M. Tomita, T. Takakura, Y. Mizuno, M. Iwakawa, D. Kanbayashi, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 45th Annual Conference of British Association for Crystal Growth (BACG2014)
    • 発表場所
      Leeds, England
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-15
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Growth mechanism of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by alcohol catalytic CVD

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Akinari Kozawa, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Sumio Iijima
    • 学会等名
      2014MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • 年月日
      2014-12-01 – 2014-12-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600031
  • [学会発表] メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

    • 著者名/発表者名
      高倉宏幸, 冨田将史, 神林大介, 岩川宗樹, 水野陽介, 山田純平, 安井亮太, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるPt触媒からのSWNT成長

    • 著者名/発表者名
      福岡直也,水谷芳裕,近藤弘基,Ghosh Ranajit,成塚重弥,丸山隆浩,飯島澄男 (丸山隆浩)
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Relationship between surface supersaturation and vertical growth rate in GaAs microchannel epitaxy

    • 著者名/発表者名
      M. Tomita, T. Takakura, Y. Mizuno, M. Iwakawa, D. Kanbayashi, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    • 学会等名
      The 45th Annual Conference of British Association for Crystal Growth (BACG2014)
    • 発表場所
      Leeds, England
    • 年月日
      2014-07-13 – 2014-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] SWNT growth from Pt catalysts on Al2Ox buffer layer by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum

    • 著者名/発表者名
      Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo, Yuya Sawaki, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
    • 学会等名
      第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      東京都文京区
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] GaAs MCEにおけるらせんステップ源による法線成長速度決定メカニズム

    • 著者名/発表者名
      水野 陽介、冨田 将史、高倉 宏幸、岩川 宗樹、神林 大介、丸山 隆浩、成塚 重弥
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26600089
  • [学会発表] Effect of N_2 micro plasma treatment on initial growth of GaN by MOMBE

    • 著者名/発表者名
      Yohei Suzuki, Toshihiro Inagaki, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Yuuta Noma, Shogo Kaneda, and Kazuo Shimizu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitrides Semiconductors 2014 (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • 説明
      【発表確定】
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [学会発表] Growth of multilayer graphene by hybrid method of alcohol CVD and precipitation

    • 著者名/発表者名
      Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      25th International Conference on Diamond and Carbon Materials
    • 発表場所
      Madrid, Spain
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • [学会発表] SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性

    • 著者名/発表者名
      矢嶋孝敏,成塚重弥,丸山隆浩 (丸山隆浩)
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      厚木市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Electric Property of CNT/n-type 6H-SiC Heterojunctions formed by Surface Decomposition of SiC

    • 著者名/発表者名
      T. Yajima, S. Sakakibara, S. Naritsuka, T. Maruyama (T. Maruyama)
    • 学会等名
      25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    • 発表場所
      神戸市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Temperature dependence study of SWNT growth using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method in High vacuum

    • 著者名/発表者名
      N. Fukuoka, Y. Mizutani, H. Kondo, S. Naritsuka, T. Maruyama, S. Iijima (T. Maruyama)
    • 学会等名
      The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012)
    • 発表場所
      クラクフ(ポーランド)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21510119
  • [学会発表] Precipitation of High-Quality Multilayer-Graphene Using Al2O3 Barrier and Au Cap Layers

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Yamada, Manabu Suzuki, Yuki Ueda, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 学会等名
      2015 Matereials Research Symposium (MRS) Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      San Fransisco, USA
    • 年月日
      2015-04-05 – 2015-04-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-26105002
  • 1.  丸山 隆浩 (30282338)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 483件
  • 2.  西永 頌 (10023128)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  田中 雅明 (30192636)
    共同の研究課題数: 9件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  上山 智 (10340291)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  才田 隆広 (90710905)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 48件
  • 7.  太刀川 正美
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  森 英史
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  田中 慎一郎 (00227141)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 10.  福村 知昭 (90333880)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  本田 善央 (60362274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  出来 真斗 (80757386)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  大野 雄高 (10324451)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  三宅 秀人 (70209881)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  竹内 哲也 (10583817)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  岩谷 素顕 (40367735)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  福山 博之 (40252259)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  中野 義昭 (50183885)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  安藤 義則 (30076591)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  宮嶋 孝夫 (50734836)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 21.  内富 直隆 (20313562)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  白方 祥 (10196610)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  Lippmaa Mikk (10334343)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  田中 成泰 (70217032)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  ゲルハルト ファーソル (10251472)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  清水 一男 (90282681)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 27.  今井 大地 (20739057)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 28.  今西 正幸 (00795487)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  廣瀬 靖
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  浅川 潔
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  HUO C.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  GE P.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  NIE Y.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  NIE Yuxin
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  GE Peiwen
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 36.  HUO Chongru
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 37.  HUO C
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 38.  GE P
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 39.  NIE Y
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  BENZ K.W.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  REGEL L.L.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 42.  WILCOX W.R.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 43.  GHOSH Ranajit
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 3件

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