| 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 |
2016年度 – 2024年度: 東京工業大学, 物質理工学院, 教授
2015年度: 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授
2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
2012年度 – 2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授
2012年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
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2012年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授
2007年度 – 2011年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授
2010年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 准教授
2008年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科(研究院), 准教授
2007年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 准教授
2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授
2005年度 – 2006年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助教授
2002年度 – 2006年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授
2002年度 – 2003年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科, 助教授
2002年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・(物質科学創造専攻), 助教授
2001年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授
2001年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科(物質科学創造専攻), 助教授
2001年度: 東京工業大学, 総合理工学研究所, 助教授
1998年度 – 2000年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授
1996年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
1995年度: 東京工業大学, 工学部・無機材料工学科, 助手
1993年度 – 1994年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
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| キーワード |
- 研究代表者
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MOCVD / 強誘電体 / エピタキシャル膜 / エピタキシャル / 強誘電性 / 酸化ハフニウム / Pb(Zr,Ti)O_3 / 非鉛圧電体 / 圧電体 / サイズ効果
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/ 誘電体薄膜 / チタン酸ジルコン酸鉛 / 薄膜 / 単結晶 / エピタキシャル成長 / チタン酸バリウム / 圧電センサ / 機械的特性 / 圧電体圧膜 / 蛍石構造酸化物 / Pb(Zr, Ti)0_3 / 劣化機構解明 / 電界下測定 / Pb(Zr, Ti)O3 / MEMS / 反応層フリー特性 / 単純構造強誘電体 / 室温合成 / 窒化アルミニウム / HfO2 / 特性支配因子 / HfO2基強誘電体 / 圧電性 / 酸化ハフニウム基強誘電体 / 酸化ハフニウム強誘電性 / 電気熱量効果 / 直接特性制御 / 直接制御 / アニオン制御 / 蛍石構造（酸化物） / ドメイン構造 / クランプ効果 / 誘電体 / 圧電MEMS / 誘電体膜 / tiezofilm / Giant piezo response / Nanodomain / 圧膜 / 厚膜 / 巨大圧電 / ナノドメイン / Epitaxial films / High density memory / Layer perovskite ferroelectric thin films / Nanostructure / プローブ / ドメイン / 層状強誘電体 / ナノトラック / 超高密度メモリ / 層状強誘電体薄膜 / ナノ構造 / Bi_4Ti_3O_<12>- based / environmental friendly / ferroelectric / Bi_4Ti_O_<12> / Bi_4Ti_3O_<12>基 / 環境適応 / Pb (Zr, Ti) O_3 / Ferroerectlicity / Strain-induced / 応力誘起強誘電性 / 熱電特性 / 格子歪 / 熱電測定 / Mg2Si / 強誘電体薄膜 / 蛍石構造 / 誘電体物性 / 分極状態 / 誘電体物質 / キュリー温度 / 組成相境界 / 誘電物性 / 単結晶膜 / 基礎特性 / 特性制御 / 分極軸配向膜 / 温度依存性 / 残留歪み / Bi-Zr-Nb-O / パイロクロア構造 / チューナビリティー / Si上 / 光-電子融合デバイス / エピタキシャル薄膜 / β-FeSi_2 / Si基板 / 太陽電池 / 鉄シリサイド / 表面移動度 / 再蒸発 / 析出機構 / パルスMOCVD / パルス製膜法 / Pb(Zr, Ti)O_3 / 半導体 / チタン酸ストロンチウム / 層状成長 / 島状成長 / 成長機構 / CVD法 / 酸化亜鉛 / 粒界修飾 / 半導体薄膜
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- 研究代表者以外
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強誘電体 / MOCVD / PTC / 圧電体 / 薄膜 / 不揮発性メモリ / RFマグネトロンスパッタ法 / ECRスパッタ法 / 強誘電体薄膜 / 高周波(RF)マグネトロンスパッタ法 / 電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法 / Si表面原子レベル平坦化 / 不揮発性多値メモリ / 高周波（RF）マグネトロンスパッタ法 / 電子サイクロトロン共鳴（ECR）スパッタ法 / 高誘電率薄膜 / 電荷蓄積 / 分極 / 逆ピエゾ効果 / 超磁歪 / サマリウム鉄 / スピントロニクス / スピン注入磁化反転 / ＭＲＡＭ / スピントランスファートルク / 磁気抵抗変化素子 / 逆磁歪効果 / BaSi2 / 熱電特性 / ゼーベック係数 / シリサイド / 不純物ドーピング / 熱電材料 / Sping-8 / BL13XU Surface and Interface Structures / Structural analysis of thin film / X-ray microbeam / Synchrotron-based diffraction / Time-resolved measurement / Pulse-electric-field-induced starin / Simultaneous analysis of structure and polarizatio / 強誘電体ドメイン構造 / 大型放射光施設SPring-8 / 表面界面構造解析ビームラインBL13XU / 薄膜構造解析 / X線マイクロビーム / 放射光X線回折 / 時分割測定 / 電場誘起歪 / 構造と誘電率の同時測定 / Reciprocal-lattice space imaging / Monochromatic high energy x-rays / Atomic wire / Super-high-sensitive x-ray method / Ultrathin film / Nanometer scale structure / Nanowire / Rapid diffraction method / 大気中表面測定 / 構造解析 / ナノワイヤ / 放射光X線 / X線逆格子空間イメージング法 / ナノ結晶体の迅速構造解析法 / 新構造解析法 / 超高感度ナノ計測回折法 / 逆格子イメージング法 / 単色高エネルギーX線 / 原子細線 / 超高感度なの計測回析法 / 超薄膜 / ナノ材料 / ナノ細線 / 迅速構造解析 / growth mechanisim / microstructure / varistor / thin film / スパッタリング / 半導性 / チタン酸バリウム / Nb,Biドープ / バリスタ特性 / BaTiO_3 / SrTiO_3 / 成長メカニズム / 微構造 / バリスタ / High Temperature DTA / Liquid Phase Sintering / Liquid Phase Formation / Y_2O_3-Al_2O_3 / Grain Boundary Phases / AlN / Aluminum Nitride / 高温DTA / 液相焼結 / 液相生成 / Y_2O_3-Al_2O_3粒界相 / 窒化アルミニウム / 相安定性 / ドメイン構造 / 圧電材料 / 高機能化 / 機械的性質 / 長寿命化 / マイクロ試験 / ホモ界面 / ドメイン / 構造・機能材料 / 微小材料試験 / 機械学習 / ドメインホモ界面 / 磁性形状記憶合金 / 形状記憶合金 / 多機能材料 / 医療・エネルギー材料 / 界面制御 / 第一原理計算 / 相変態 / 形状可変材料 / ドメイン制御 / 酸化物薄膜 / チタン酸ジルコン酸鉛 / チタン酸鉛 / その場観察 / ラマン分光法 / in-situ モニタリング / コンポジット薄膜 / 傾斜構造 / 誘電体物性 / 極点座標 / 格子不整合 / エピタキシャル / 酸化物成長 / シリコン基板 / 格子定数 / レーザ蒸着 / 酸化物 / エピタキシャル成長 / Sr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7(STN) / イオン化ポテンシャル / 界面特性 / 酸素アニール / 保持特性 / SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / MFIS構造 / メモリデバイス / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 先端機能デバイス
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