田渕雅夫 Tabuchi Masao

… 別表記

田淵雅夫タブチマサオ

研究者番号	90222124
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 2019年度 – 2023年度: 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 2013年度 – 2016年度: 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 2010年度 – 2014年度: 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 特任教授 2013年度: 名古屋大学, 学内共同利用施設等, 教授 … もっと見る 2012年度 – 2013年度: 名古屋大学, 学内共同利用施設等, 特任教授 2007年度 – 2009年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教授 2003年度 – 2005年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 2003年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授 2000年度 – 2002年度: 名古屋大学, 工学研究科, 講師 1996年度 – 1999年度: 名古屋大学, 工学部, 講師 1993年度 – 1995年度: 名古屋大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分80040:量子ビーム科学関連 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分14:プラズマ学およびその関連分野 / 結晶工学 / 電子材料工学 / 薄膜・表面界面物性 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 X線CTR散乱 / 化合物半導体 / 結晶成長 / InGaAs / OMVPE / X線回折 / その場測定 / X線CTR散乱測定 / ヨハンソン分光結晶 / その場観察 … もっと見る / 組成分布 / ヘテロ界面 / 蛍光EXAFS / MOCVD / crystal growth / X-ray diffraction / X-ray CTR scattering / analysis of multilayer structure / epitaxial growth / compound semiconductor / 装置調整法の確立 / 1次元検出器 / 2次元検出器 / 回折測定の簡便な高精度化 / 回折測定の簡便な高速化 / 界面 / OMCVD / 複雑な多層構造の解析 / エピタキシャル / Diffusion of In atoms / Alignment method of optics / Computer simulation of X-ray scattering / Portable measurement system / Synchrotron radiation / atomic scale distributions / distributions of impurity atoms / X-ray CTR scattering measurement / 相互拡散 / 原子層単位 / 界面構造 / 半導体ヘテロ構造 / 薄膜多層構造 / 不純物原子 / In原子の拡散 / アライメント調整法の確立 / X線散乱の計算機シミュレーション / 可搬な測定系 / 放射光 / 原子層単位の原子分布 / 不純物原子分布 / 稼動部のない測定 / X線反射率測定 / X線散乱 / X線集光光学系 / 回転機構排除 / 分光集光結晶 / X線回折測定 / 量子井戸 / 半導体超微細化 / 結晶工学 / 回転移動不要 / 角度分散のあるX線 / 既存の実験室系X線源 / 半導体結晶成長 / X 線回折・散乱 / GaAs / ZnSe / デルタドーピング / InP / GaInN / 原子層 / 表界面 / 異種接合構造 / 不純物 / Er添加InP / 1原子層 / InPAs … もっと見る研究代表者以外半導体 / InP / Er / 量子機能 / 結晶成長 / 希土類元素 / 蛍光EXAFS法 / OMVPE法 / STM / AFM / 量子効果 / ErP / ランタノイド化合物 / ATOMIC LAYER / SEMICONDUCTORS / QUANTUM FUNCTIONS / HYBRID STRUCTURES / METALS / INSULATORS / OMVPE / 複合構造 / 金属 / 絶縁体 / 共添加 / エルビウム / 量子ドット / 有機金属気相エピタキシャル法 / III-V族半導体 / X線CTR散乱法 / GaInP / 希土類イオン / 局在スピン / EXAFS / 1原子層 / 成長初期過程 / 蛍光EXAFS / タングステン / 金属不純物ドープ / 金属援用終端法 / 転位 / ダイヤモンド / ガリウムヒ素半導体 / 動態観測 / 損傷敏感試料 / 電子顕微鏡 / 半導体フォトカソード / AlGaAs半導体 / 窒化ガリウム半導体 / パルス電子ビーム / 負電子親和力表面 / 電子ビーム / フォトカソード / 結晶欠陥 / control of heterointerface / doubleheterostructures / erbium / stimulated emission / atomically-controlled growth / materials for new semiconductor lasers / semiconductors / rare-earth-doped III-V / ヘテロ界面制御 / ダブルヘテロ構造 / 誘導放出 / 原子レベル制御成長 / 新規半導体レーザ用材料 / 希土類添加III-V族半導体 / Ultra-high Doping / Light Amplifier / Semiconductors / Co-doping / Rare-Earth Elements / 希上類元素 / 超高濃度 / 光増幅素子 / semimetal-semiconductor transition / quantum effects / atomicallv-controlled growth / semiconductor structures / semimetal / lanthanoide / 半金属―半導体転移 / 半金属-半導体転移 / 原子層制御成長 / 半導体低次元量子構造 / 半金属 / GROWTH CONTROL / HETEROSTRUCTURE GROWTH / CRYSTAL STRUCTURES / INTERFACE / SURFACE / 制御 / ヘテロ成長 / 結晶構造 / 界面 / 表面 / X-ray CTR scattering / Super-heteroepitaxy / Lanthanoide / δド-ピング / STS / 走査トンネル顕微鏡 / 原子間刀顕微鏡 / 原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル / GROWTH SYSTEM / 作製装置 / GROWTH CONDITIONS / PHOTOREFLECTANCE / X-RAY CTR / HETEROSTRUCTURE / QUANTUM STRUCTURES / 評価 / 成長 / 原子層制御 / 量子構造 / 異種V族 / INITIAL GROWTH PROCESS / FLUORESCENCE EXAFS / SENICONDUCTORS / エピタキシャル成長 / 低温物性 / 鉄系超伝導体 / 分子線エピタキシー法 / 超伝導材料 / 量子ビーム / 量子エレクトロニクス / 表面・界面物性 / スピントロニクス / 金属内包フラーレン / 配列ナノ空間物質 / X線構造解析 / CTR散乱法 / ヘテロ界面 / 受光素子 / 液滴ヘテロエピタキシー法 / 発光素子 / III-V族化合物半導体 / 有機金属気相成長法 / 白色LED / 臨界成長温度 / 局所構造 / 半導体レーザ / Dy / 2〜3μm帯発光 / ジスプロシウム / X線CTR法 / GaP / 干渉の制御 / 原子位置 / X線 / 干渉効果 / 電子波 / 結合長 / 表面置換 / 界面構造 / InPAs / 原子レベル隠す

新規高速二次元/三次元化学状態可視化計測システムの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分80040:量子ビーム科学関連
- 研究機関
  名古屋大学
ダイヤモンド結晶中の遷移金属不純物と転位のインタラクション
- 研究代表者
  
  花田賢志
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  公益財団法人科学技術交流財団(あいちシンクロトロン光センター、知の拠点重点研究プロジェクト統括部)
実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
- 研究代表者
  
  西谷智博
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察
- 研究代表者
  
  宇治原徹
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
高品位鉄系超伝導薄膜を用いた超伝導接合技術の確立
- 研究代表者
  
  生田博志
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
超高輝度・高偏極度電子源の高効率化
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  公益財団法人名古屋産業科学研究所
   名古屋大学
結晶成長その場観察を可能とするＸ線回折測定装置の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
真のヘテロ界面構造とその形成
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  名古屋大学
分散量子ドットによる超広帯域可視・赤外光デバイスの作製
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋大学
複雑な構造を持つ半導体多層薄膜のX線CTR散乱法による解析研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
X線CTR散乱測定法による半導体中の不純物分布の原子層レベル解析研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
超高濃度Er、O共添加による半導体光増幅素子の作製
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
新規半導体レーザ用材料:希土類添加III-V族半導体の原子レベル制御成長と高品質化
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
   名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物件
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1999
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋大学
ランタノイド化合物/半導体低次元量子構造の原子層制御成長と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 研究機関
  名古屋大学
室温動作2〜3μm帯半導体レーザ用材料:Dy添加III-V族半導体の作製と発光特性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
III-V族化合物半導体における希土類原子配置による局在スピンの制御と物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
X線CTR散乱法による異種接合半導体表界面の結晶構造評価研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
表面及び界面1原子層の結晶構造解析とヘテロ成長制御
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFS法、X線CTR法を利用したIII/V族半導体接合界面の原子配列の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  田渕雅夫
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
ランタノイド化合物/半導体積層構造の原子層制御スーパーヘテロエピタキシャルと物性
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
異種V族半導体量子構造の原子層制御成長と評価
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
新しい量子機能材料用半導体/絶縁体/金属複合構造作製装置の開発研究
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
X線励起電子波による干渉効果とその制御
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFS、X線CTR測定によるIII/V族半導体接合界面での原子配列の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  田淵雅夫
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
蛍光EXAFSによる成長素過程のその場測定と原子レベルミクロ構造の制御
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  名古屋大学
半導体/絶縁体/金属複合構造による新しい量子機能材料の研究
- 研究代表者
  
  竹田美和
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  名古屋大学

[図書] 「回折結晶学の基礎」結晶工学の基礎、第6章2010
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫
- 総ページ数
  16
- 出版者
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency2021
- 著者名/発表者名
  Morita Iori、Ishikawa Fumitaro、Honda Anna、Sato Daiki、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Tabuchi Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBK02-SBBK02
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd6e0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Growth of a smooth CaF2 layer on NdFeAsO thin film2014
- 著者名/発表者名
  N. Sumiya, T. Kawaguchi, M. Chihara, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada, and H. Ikuta
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser.
  
  巻: 507 号: 1 ページ: 012047-012047
- DOI
  10.1088/1742-6596/507/1/012047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[雑誌論文] Growth of BaFe_2(As, P)_2 thin films by molecular beam epitaxy and strain effect on superconducting properties2014
- 著者名/発表者名
  T. Kawaguchi, A. Sakagami, Y. Mori, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, H. Ikuta
- 雑誌名
  
  Superconductor Science and Technology
  
  巻: 27 号: 6 ページ: 65005-65005
- DOI
  10.1088/0953-2048/27/6/065005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10465, KAKENHI-PROJECT-24246007
[雑誌論文] In situ X-ray investigation of changing barrier growth temperatures on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] X-ray investigation of GaInN single quamtum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Kato, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 11 号: 3-4 ページ: 393-396
- DOI
  10.1002/pssc.201300670
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Critical current density and grain boundary property of BaFe_2(As, P)_2 thin films2013
- 著者名/発表者名
  A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda. H. Ikuta
- 雑誌名
  
  Physica C : Superconductivity
  
  巻: 494 ページ: 181-184
- DOI
  10.1016/j.physc.2013.04.047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J10465, KAKENHI-PROJECT-24246007
[雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of InxGa1-xN single quantum well2013
- 著者名/発表者名
  G. X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 370 ページ: 36-41
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.09.028
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS2013
- 著者名/発表者名
  K.Tsubota, M.Tabuchi, T.Nishitani, A.Era, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conf. Ser.
  
  巻: Vol. 430 ページ: 12079-12079
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_<1-x>N single quantum well2013
- 著者名/発表者名
  G.X.Ju, S.Fuchi, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol. 370 ページ: 36-41
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] In situ X-ray reflectivity measurements on annealed InxGa1-xN epilayer grown by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000142606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[雑誌論文] Initial Stages of High-Temperature CaF2/Si(001) Epitaxial Growth Studied by Surface X-Ray Diffraction2011
- 著者名/発表者名
  S.Suturin, N.Sokolov, A.Banshchikov, R.Kyutt, O.Sakata, T.Shimura, J.Harada, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Nanoscience and Nanotechnology
  
  巻: Volume11, Number 4 ページ: 2990-2996
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures system design and measurements2011
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Materials Science and Engineering
  
  巻: Vol.24 ページ: 12002-12002
- DOI
  10.1088/1757-899x/24/1/012002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2011
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: ol. 8, No.2 号: 2 ページ: 294-296
- DOI
  10.1002/pssc.201000508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures-system design and measurements2011
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering
  
  巻: 24
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, H.Tameoka, T.Kawase, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  IOP Conf. Ser.
  
  巻: Vol. 24 ページ: 12007-12007
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of In_xGa_<1-x>N growth by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 1143-1146
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2011
- 著者名/発表者名
  H.Tameoka, T.Kawase, M.Tabuchi, and Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8, No.2 ページ: 294-296
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Evaluation of newly developed X-ray diffractometer equipped with Johansson monochromator2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, H.Tameoka, T.Kawase, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Ser.
  
  巻: 24 ページ: 12007-12007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2011
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 1139-1142
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, M. Tabuchi, and A. Nakamura
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Condensed Matter
  
  巻: Vol.22 号: 47 ページ: 474011-474011
- DOI
  10.1088/0953-8984/22/47/474011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Ga and As composition profiles in InP/GaInAs/InP heterostructures-X-ray CTR scattering and cross-sectional STM measurements2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Condensed Matter
  
  巻: 22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.318 号: 1 ページ: 1139-1142
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.10.201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray characterization at growth temperatures of InxGa1-xN growth by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.318 号: 1 ページ: 1143-1146
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.051
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures2009
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, H. Tameoka, K. Fujii, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 593-595
- NAID
  130004676258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Accumulation process of As atoms in InP/GaInAs/InP hetero-structures2009
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 593-595
- NAID
  130004676258
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, K. Ninoi, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 585-588
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Measurement of X-ray CTR Signals from GaN/GaInN/GaN at High Temperatures Using Newly Developed Measurement System2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 585-588
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator2009
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, H. Tameoka, T. Kawase, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.34, No.4 ページ: 589-5918
- NAID
  130004676257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Development of New X-ray CTR Scattering Measurement System Using Johansson Monochromator2009
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 雑誌名
  
  Trans.Mat.Res.Soc.Jpn. 34
  
  ページ: 589-591
- NAID
  130004676257
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.33 ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of Nitride Semiconductors Revealed by Laboratory Level X-ray GTR Scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semi- conductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol. 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] X-ray CTR scatterittg measurements using conventional x-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 33
  
  ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurements using conventional X-ray source to study semiconductor hetero-interfaces2008
- 著者名/発表者名
  Y. Maeda, T. Mizuno, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.33 ページ: 591-594
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semi-conductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol.33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Buried Heterostructure of nitride semiconductors revealed by laboratory level X-ray CTR scattering2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno. M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. 33
  
  ページ: 547-550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interfac2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  J. Phys.: Conference Series 83
  
  ページ: 12031-12031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.32, No.1 ページ: 187-192
- NAID
  130007922814
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials 2007 IPRM2007
  
  ページ: 315-318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] GaNおよび関運材料のX線非破壊その場評価システムの開発2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  第7回赤崎記念研究センターシンポジウム資料 7
  
  ページ: 19-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semicondutor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conference Series 83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth Vol. 298
  
  ページ: 12-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: Vol.83 ページ: 12002-12002
- DOI
  10.1088/1742-6596/83/1/012002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Analysis of In Distribution in GaInN/GaN Multilayer Structures by X-ray CTR Scattering2007
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Ohtake, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 32巻・1号
  
  ページ: 219-222
- NAID
  130007922817
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series
  
  巻: Vol.83 ページ: 12031-12031
- DOI
  10.1088/1742-6596/83/1/012031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on Buried Interfaces in Semiconductor Heterostructures by X-ray Reflectivity2007
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan 32巻・1号
  
  ページ: 187-192
- NAID
  130007922814
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, M. Tabuchi and J. Phys.
- 雑誌名
  
  Conference Series Vol.83
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] The importance to reveal buried interfaces in the semiconductor heterostructure devices2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conference Series Vol. 83
  
  ページ: 12002-12002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conference Series 83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] X-ray CTR scattering measurement to investigate the formation process of InP/GaInAs interface2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, A. Mori, Y. Ohtake and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  J. Phys. : Conference Series Vol. 83
  
  ページ: 12031-12031
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol.32 No.9
  
  ページ: 219-222
- NAID
  130007922817
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Measurement of Compositional Grading at InP/GaInAs/InP Hetero-interfaces by X-ray CTR Scattering Using Synchrotron Radiation2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings 879巻
  
  ページ: 1619-1622
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Study on buried interfaces in semiconductor heterostructures by X-ray reflectivity (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 雑誌名
  
  Trans. Mat. Res. Soc. Jpn. Vol. 32, No. 1
  
  ページ: 187-192
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Atomic Scale Analysis of MOVPE Grown Heterostructures by X-ray Crystal Truncation Rod Scattering Measurement2007
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 298巻
  
  ページ: 12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, and Y. Takeda
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan
  
  巻: Vol.32, No.9 ページ: 219-222
- NAID
  130007922817
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Formation of Patterned GaInAs/GaAs Hetero-structures Using Amorphous Arsenic Mask2007
- 著者名/発表者名
  Y.Noritake, T.Yamada, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302巻
  
  ページ: 876-879
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Investigation of Hetero-interfaces Formed in InP/GaInAs/InP Structures with Different Growth Rates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials 2006 IPRM2006
  
  ページ: 290-293
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[雑誌論文] Investigation of Hetero-Interfaces formed in InP/GaInAs/InP Structures with Different Growth Rates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ohtake, T.Eguchi, S.Miyake, W.S.Lee, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  The Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM06) 18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Perturbation method of analysis of crystal truncation rod dat2005
- 著者名/発表者名
  I.K.Robbinson, M.Tabuchi, S.Hisadome, R.Oga, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Crystallography 8
  
  ページ: 299-305
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] Perturbation method of analysis of crystal truncation rod data2005
- 著者名/発表者名
  I.K.Robbinson, M.Tabuchi, S.Hisadome, R.Oga, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Crystallography 8
  
  ページ: 299-305
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory2004
- 著者名/発表者名
  S.Mudie, K.Pavlov, M.Morgan, J.Hester, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J.Synchrotron Radiation 11
  
  ページ: 406-413
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[雑誌論文] Size dependence of the work function in InAs quantum dots on GaAs(001) as studied by Kelvin force probe microscopyc2004
- 著者名/発表者名
  T.Yamauchi, M.Tabuchi, A.Nakamura
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 84(19)
  
  ページ: 3834-3836
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] X線 CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察-OMVPE法によるInP/IhGaAs/INPの形成-2004
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫, 大賀涼, 山川市朗, 中村新男
- 雑誌名
  
  信学技報 CPM2004-40
  
  ページ: 53-57
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656107
[雑誌論文] Collection of reciprocal space maps using imaging plates at the Australian National Beamline Facility at the Photon Factory2004
- 著者名/発表者名
  S.Mudie, K.Pavlov, M.Morgan, J.Hester, M.Tabuchi, Y.Takeda
- 雑誌名
  
  J. Synchrotron Radiation 11
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360006
[学会発表] Impact of As2 pressure on the molecular beam epitaxial growth of AlGaAs superlattice at temperature over 700℃2021
- 著者名/発表者名
  Reiji Suzuki, Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomihiro Nishitani, Masao Tabuchi
- 学会等名
  21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE 2021), September 6-9, ONLINE
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長2021
- 著者名/発表者名
  鈴木玲士, 石川史太郎, 本田杏奈, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 田渕雅夫
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月12日, オンライン開催
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy for its application to semiconductor photocathode2020
- 著者名/発表者名
  I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials 2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] フォトカソード応用のためのAlGaAs系ヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長2019
- 著者名/発表者名
  森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫
- 学会等名
  2019年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] フォトカソード応用AlGaAs系材料のMBE成長2019
- 著者名/発表者名
  森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫
- 学会等名
  2019年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] SEM imaging using photo-electron beam by semiconductor photocathode2019
- 著者名/発表者名
  Tomohiro Nishitani, Daiki Sato, Haruka Shikano, Tomoaki Kawamata, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Masao Tabuchi
- 学会等名
  The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] フォトカソード応用AlGaAs超格子試料のMBE成長2019
- 著者名/発表者名
  森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫
- 学会等名
  2019年度応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] MBE growth of AlGaAs superlattice for photocathode2019
- 著者名/発表者名
  I. Morita, F. Ishikawa, T. Nishitani and M. Tabuchi
- 学会等名
  38th Electronic Materials Symposium EMS-38
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] Atomic Level In-Situ Monitoring during Epitaxial Growth of Group III Nitrides2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, Y. Honda, M. Yamaguchi, and
- 学会等名
  第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Continuous In situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, Y. Honda, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  OPTICS & PHOTONICS International Congress 2013, Conference on LED and Its Industrial Application’13 (LEDIA’13)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] Continuous in situ X-ray reflectivity measurement on InGaN epitaxial growth by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  The 17th International Conference on Crystal Growth (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 化合物半導体界面構造のX 線CTR 散乱測定による解析 -あいちSR の現状をまじえて-2013
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫
- 学会等名
  Workshop: CROSSroads of Users and J-PARC, 第7回「機能する界面、反応する表面」
- 発表場所
  いばらき量子ビーム研究センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions of quantum barrier by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X Ju, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC , USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] In situ X-ray investigation on InGaN SQWs with various growth conditions o of GaN barriers by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  G.X. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha University, Kyotanabe Campus, Japan.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23246003
[学会発表] 窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX線によるその場観察装置の開2012
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫、益田征典、安西孝太、鞠光旭、二木浩之、森康博、渕真悟、竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] GaAs(110)基板上に作製したCs/GaAs-NEA表面2012
- 著者名/発表者名
  坪田光治、恵良淳史、西谷智博、田渕雅夫
- 学会等名
  第15回XAFS 討論会、1O12
- 発表場所
  白兎会館、鳥取
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Observation of Position Dependence of InP/GaInAsP/InP Quantum Well Structure Grown on Pattern-Masked Substrate2012
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi
- 学会等名
  Interational Union of Materials Research Scientists - Inter. Conf. Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] GaAs に吸着したCs が作るNEA 表面のXAFS測定2012
- 著者名/発表者名
  坪田光治、恵良淳史、田渕雅夫、竹田美和、西谷智博
- 学会等名
  第28回PF シンポジウム、UG-01-08
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] 窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX 線によるその場観察装置の開発2012
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫、益田征典、安西孝太、鞠光旭、二木浩之、森康博、渕真悟、竹田美和
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会、15p-F11-3
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Analysis of Cs/GaAs NEA surface by XAFS2012
- 著者名/発表者名
  K.Tsubota, A.Era, M.Tabuchi, T.Nishitani, Y.Takeda
- 学会等名
  The 15th Inter. Conf. X-ray Absorption Fine Structure (XAFS15), I1274
- 発表場所
  Bejin, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Observation of Position Dependence of InP/GaInAsP/InP Quantum Well Structure Grown on Pattern-Masked Substrate2012
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, K.Fujii, O.Sakata, M.Sugiyama, and Y.Takeda
- 学会等名
  Interational Union of Materials Research Scientists Inter. Conf. Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012), D7-101756
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] In situ X-ray measurements of MOVPE growth of InxGa1-xN single quantum well2012
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for X-ray CTR measurement using Johansson monochromator and quick measurements2011
- 著者名/発表者名
  M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  11th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)(招待講演)
- 年月日
  2011-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いたX 線CTR 散乱の短時間測定系の開発2011
- 著者名/発表者名
  二木浩之、益田征典、森康博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会、17
- 発表場所
  学習院大学創立100周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] 蛍光収量法によるNEA 表面作製中のGaAs上へのCs 吸着量の測定2011
- 著者名/発表者名
  坪田光治、恵良淳史、田渕雅夫、竹田美和、西谷智博
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会、18
- 発表場所
  学習院大学創立100周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] In_xGa_<1-x>N grown by MOVPE installed in the CTR scattering measurement system2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-Ray Characterization of Semiconductor Heterostructures at the Atomic-Level2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda and M. Tabuchi
- 学会等名
  2010 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  Hanyang University, Seoul, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, H. Kamiya, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 学会等名
  9th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, K. Ninoi, G. X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures2010
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  10th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya (Japan)(招待講演)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  The 37th International Symposium Compound Semi-conductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Kagawa (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体成長環境下におけるその場X線反射率測定2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 窒化物半導体のOMVPE成長過程その場測定用実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of In_xGa_<1-x>N grown by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  S.Fuchi, M.Tabuchi, Y.Takeda, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for quick X-ray CTR scattering observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, S.Fuchi, M.Tabuchi, 他
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray characterization of semiconductor heterostructures at the atomic-level2010
- 著者名/発表者名
  Y.Takeda, M.Tabuchi
- 学会等名
  2010 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  Seoul (Korea)(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system2010
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫, 他
- 学会等名
  9^<th> Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  ルブラ王山、名古屋
- 年月日
  2010-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of X-ray diffractometer for in-situ observation of thin-film crystal growth equipped with focusing monochromator2010
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, T. Kawase, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 37th International Symposium Compound Semiconductors(ISCS2010)
- 発表場所
  FrC3-7, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of InxGa1-xN grown by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体OMVPE成長過程のその場X線反射率測定の試み2010
- 著者名/発表者名
  渕、田渕、竹田, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体のOMVPE成長のその場測定用実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 結晶成長のその場観察を目指した新しいX線CTR散乱装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  第39回結晶成長学会国内会議
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系X線CTR散乱測定装置におけるソーラスリットの効果2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Posphide and Related Materials (IPRM2009)
- 発表場所
  Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会, X線・中性子による埋もれた界面研究の最前線
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いたX線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2009-07-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 結晶成長その場観察を目指した新しいX線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
- 発表場所
  MA2. 4, Newport Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs/IhPヘテロ構造におけるAs原子蓄積過程の検討2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ
- 発表場所
  筑波大学東京キャンパス
- 年月日
  2009-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GalnAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement2009
- 著者名/発表者名
  H. Tameoka, A. Mori, M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  2009 Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
- 発表場所
  MA2.4, Newport Beach, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Influence of Growth Rate and Temperature on InP/GaInAs Interface Structure Analyzed by X-ray CTR Scattering Measurement2009
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 竹田美和, 他
- 学会等名
  2009 Indium Posphide and Related Materials
- 発表場所
  Newport Beach, CA, 米
- 年月日
  2009-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 半導体における埋もれた界面の重要性とその測定・解析法(invited)2009
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会, 「X線・中性子による埋もれた界面研究の最前線」
- 発表場所
  筑波大学(31a-D-3)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GaInAs/InPヘテロ界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性のX線CTR散乱法による解析2009
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 藤井克典, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] ヨハンソン分光結晶を用いた実験室系X線CTR散乱測定装置の開発2009
- 著者名/発表者名
  為岡博, 川瀬達也, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第56回応用物理学会関係連合講演会.
- 発表場所
  筑波大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム(EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya, and M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] MOVPE reactor and X-ray CTR measurement system for GaN and related compounds (invited)2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, T. Mizuno, H. Kamiya and M. Tabuchi
- 学会等名
  8th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2008-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs 界面に及ぼす影響のX 線CTR 散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GaInAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 学会等名
  2008 Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2008)
- 発表場所
  Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定(EMS賞受賞)2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム(EMS27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(K-15)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 成長温度と成長遠度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] OMVPE成長の半導体ヘテロ界面その場観察に向けた実験室系X線CTR散乱測定2008
- 著者名/発表者名
  水野哲也, 前田義紀, 神谷肇, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第27回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GalnAs界面におけるAs原子吸着効果の温度依存性-X線CTR散乱法による解析-2008
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 川瀬達也, 藤井克憲, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature Effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2008 Indium Phosphide and Related Materials 2008(IPRM2008)
- 発表場所
  WeP6, Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] InP/GaInAs界面におけるAs 原子吸着効果の温度依存性-X線CTR散乱法による解析-2008
- 著者名/発表者名
  森晶子, 為岡博, 川瀬達也, 藤井克憲, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催 2008年年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] X-ray CTR scattering analysis of as accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects2008
- 著者名/発表者名
  A. Mori, H. Tameoka, M. Tabuchi, Y. Takeda
- 学会等名
  Indium Posphide and Related Materials 2008 (IPRM2008)
- 発表場所
  Versailles, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 成長温度と成長速度がInP/GalnAs界面に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析2008
- 著者名/発表者名
  為岡博, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2008-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 異なる成長温度での InP/GaInAs界面 As 原子分布に対する成長中断の影響2008
- 著者名/発表者名
  森晶子、為岡博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on CrystalGrowth, o07
- 発表場所
  Salt Lake City, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線源を用いたX線CTR散乱測定による半導体へテロ界面の評価2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議(NCCG-37)
- 発表場所
  北海道大学(06aC09)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Development of in-situ X-ray non-invasive characterization system on GaN and related compounds2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno, and M. Tabuchi
- 学会等名
  7th Akasaki Research Center Symposium-To the New Horizon of the Nitride Research-
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2007-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth, o06
- 発表場所
  Salt Lake City, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X線CTR散乱法で解析するInP/GaInAs界面形成過程2007
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子解析に関するワークショップ2007
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GaInAs界面における原子の分布広がり発生メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  森晶子, 大竹悠介, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, PB29
- 発表場所
  Matsue, Japann
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] InP/GaInAs界面における原子の分布広がり発生メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  森晶子、大竹悠介、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会8a-H-3
- 発表場所
  北海道工大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線回折装置による半導体へテロ界面のX線CTR散乱測定2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-P04-M)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造(invited)2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和, 田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本M R S 学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-06-I)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] Development of in-situ X-ray non-invasive characterization system on GaN and related compounds (invited)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takeda, Y. Maeda, T. Mizuno and M. Tabuchi
- 学会等名
  7th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2007-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線源を用いたX線CTR散乱測定による半導体ヘテロ界面の評価2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀, 水野哲也, 森晶子, 田渕雅夫, 竹田美和
- 学会等名
  第37回結晶成長国内会議(NCCG-37), 06aC09
- 発表場所
  北海道大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Mechanisms of As distribution in InP on GaInAs layer grown by OMVPE2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori, and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth(ICCG15)
- 発表場所
  o06, Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X-ray CTR scattering measurements to reveal the effect of the growth interruption processes on the InP/InGaAs interface structures2007
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi, Y. Ohtake, A. Mori and Y. Takeda
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG15)
- 発表場所
  Salt Lake City, Utah, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360006
[学会発表] 埋め込まれたInAsナノドットのGI-SAXSを用いた構造解析2007
- 著者名/発表者名
  久野啓志、大高幹雄、中野聡志、奥田浩司、落合庄治郎、則竹陽介、鈴木裕史、竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-P05-M
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 異なる成長温度でのInP/Ga_<0.47>In_<0.53>As界面As原子分布に対する成長中断の影響2007
- 著者名/発表者名
  森晶子、為岡博、田渕雅夫、竹田美和
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会、29aZT-5
- 発表場所
  日本大学理工学部船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 実験室系のX線回折装置による半導体ヘテロ界面のX線CTR散乱測定2007
- 著者名/発表者名
  前田義紀、水野哲也、森晶子、竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-P04-M
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X線CTR散乱法で解析するInP/GaInAs界面形成過程2007
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫
- 学会等名
  埋もれた界面のX線・中性子回折に関するワークショップ2007
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] 窒化物半導体の埋もれたヘテロ構造2007
- 著者名/発表者名
  竹田美和、田渕雅夫
- 学会等名
  第18回日本MRS学術シンポジウム、G-06-I(Invited)
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering2007
- 著者名/発表者名
  A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda
- 学会等名
  2007 Indium Phosphide and Related Materials 2007(IPRM2007)
- 発表場所
  PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X線CTR散乱法によるGaInN/GaN量子井戸構造中のIn組成分布の解析2006
- 著者名/発表者名
  大竹悠介, 田渕雅夫, 竹見政義, 岡川広明, 竹田美和
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学(30p-C-9)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] X 線C T R 散乱測定によるGaInN/GaN多層構造中のIn原子分布の解析2006
- 著者名/発表者名
  田渕雅夫, 大竹悠介, 竹田美和
- 学会等名
  第17回日本M R S 学術シンポジウム
- 発表場所
  日本大学理工学部駿河台校舎(G-P02)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Analysis of In distribution in GaInN/GaN multilayer structures by X-ray CTR scattering (invited)2006
- 著者名/発表者名
  M. Tabuchi and Y. Takeda
- 学会等名
  6th Akasaki Research Center Symp.
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2006-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106001
[学会発表] Growth of BaFe2(As,P)2 Thin Films by Molecular Beam Epitaxy
- 著者名/発表者名
  H. Ikuta, Y. Mori, A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, and T. Ujihara
- 学会等名
  11th European Conference on Applied Superconductivity (EUCAS2013)
- 発表場所
  Genova, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] BaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と接合作製
- 著者名/発表者名
  森康博，坂上彰啓，川口昂彦，田渕雅夫，宇治原徹，生田博志
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] IBAD-MgO/金属テープ上へのBaFe2(As,P)2薄膜のMBE成長と評価
- 著者名/発表者名
  森康博, F. Kurth, 藤本亮祐, 川口昂彦, J. Hänisch, B. Holzapfel, K. Iida, C. Tarantini, 田渕雅夫, 宇治原徹, 生田博志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] MBE Growth of Iron-based Superconductor Thin Films and Junction Fabrication
- 著者名/発表者名
  H. Ikuta, T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, A. Sakagami, M. Tabuchi, T. Ujihara, Y. Takeda
- 学会等名
  11th International Symposium on High Temperature Superconductors in High Frequency Fields (HTSHFF2012)
- 発表場所
  松島
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] Fe過剰BaFe2(As,P)2薄膜の臨界電流密度増大の起源
- 著者名/発表者名
  森康博, 藤本亮祐, 坂上彰啓, 原田俊太, 宇治原徹, 田渕雅夫, 生田博志
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] Strain effect on the superconducting properties of BaFe2(As,P)2 thin films
- 著者名/発表者名
  Y. Mori, R. Fujimoto, A. Sakagami, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, H. Ikuta
- 学会等名
  26th International Symposium on Superconductivity (ISS2013)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] NdFeAs(O,F)薄膜を用いた超伝導接合の作製
- 著者名/発表者名
  川口昂彦，角谷直紀，田渕雅夫，宇治原徹，竹田美和，生田博志
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] 鉄系超伝導体薄膜の粒界接合特性
- 著者名/発表者名
  川口昂彦，坂上彰啓，森康博，角谷直紀，田渕雅夫，宇治原徹，竹田美和，生田博志
- 学会等名
  日本物理学会2012年秋季大会
- 発表場所
  横浜国立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] BaFe2(As,P)2の超伝導特性の歪効果
- 著者名/発表者名
  川口昂彦，坂上彰啓，森康博，田渕雅夫，宇治原徹，生田博志
- 学会等名
  日本物理学会第68回年次大会
- 発表場所
  広島大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] Growth of a smooth CaF2 layer on NdFeAsO thin film
- 著者名/発表者名
  N. Sumiya, M. Chihara, T. Kawaguchi, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada, and H. Ikuta
- 学会等名
  11th European Conference on Applied Superconductivity (EUCAS2013)
- 発表場所
  Genova, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と粒界特性の評価
- 著者名/発表者名
  森　康博，坂上彰啓，川口昂彦，田渕雅夫，宇治原徹，竹田美和，生田博志
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] NdFeAs(O,F)薄膜上のCaF2層の成長及び接合作製
- 著者名/発表者名
  角谷直紀，川口昂彦，田渕雅夫，宇治原徹，生田博志
- 学会等名
  2013年春季第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] 可視光およびX線を用いた窒化物半導体結晶成長原子レベルその場観察
- 著者名/発表者名
  鞠光旭, 渕真悟, 田渕雅夫, 竹田美和, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360009
[学会発表] Jc and Grain Boundary Properties of BaFe2(As,P)2 Thin Films
- 著者名/発表者名
  A. Sakagami, T. Kawaguchi, Y. Mori, M. Tabuchi, T. Ujihara, and H. Ikuta
- 学会等名
  25th International Symposium on Superconductivity (ISS2012)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] 鉄系超伝導体NdFeAsO薄膜上への平坦なCaF2層成長
- 著者名/発表者名
  角谷直紀，千原真志，川口昂彦，田渕雅夫,宇治原徹，一瀬中，塚田一郎，生田博志
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2013
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007
[学会発表] Growth of a smooth insulator layer on NdFeAsO and junction fabrication
- 著者名/発表者名
  N. Sumiya, T. Kawaguchi, M. Chihara, M. Tabuchi, T. Ujihara, A. Ichinose, I. Tsukada, and H. Ikuta
- 学会等名
  26th International Symposium on Superconductivity (ISS2013)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246007

1. 竹田美和 (20111932)

共同の研究課題数: 21件

共同の研究成果数: 152件
2. 藤原康文 (10181421)

共同の研究課題数: 14件

共同の研究成果数: 0件
3. 野々垣陽一 (40300719)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
4. 宇治原徹 (60312641)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 3件
5. 大柳宏之

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
6. 大渕博宣 (40312996)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 渕真悟 (60432241)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 70件
8. 金秀光 (20594055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 奥田浩司 (50214060)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 生田博志 (30231129)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
11. 田仲由喜夫 (40212039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 中村新男 (50159068)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 西谷智博 (40391320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
15. 原田俊太 (30612460)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 目黒多加志 (20182149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 成田哲博 (30360613)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
20. 石川史太郎 (60456994)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
21. 市川修平 (50803673)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 保田英洋 (60210259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 七井靖 (80755166)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 花田賢志 (30637319)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 有元圭介 (30345699)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 立田利明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 原田仁平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 高幣謙一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 澤井巳喜夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 町田英明

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

田渕 雅夫 Tabuchi Masao

田淵 雅夫 タブチ マサオ

研究課題

研究成果

共同研究者

新規高速二次元/三次元化学状態可視化計測システムの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

結晶成長その場観察を可能とするＸ線回折測定装置の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体結晶成長その場観察のためのX線散乱測定装置の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

複雑な構造を持つ半導体多層薄膜のX線CTR散乱法による解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

X線CTR散乱測定法による半導体中の不純物分布の原子層レベル解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

田渕雅夫 Tabuchi Masao

田淵雅夫タブチマサオ