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上野 智雄  UENO TOMO

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90223487
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2003年度: 東京農工大学, 工学部, 助教授
2000年度: 東京農工大学, 工学部, 講師
1994年度 – 1997年度: 東京農工大学, 工学部, 講師
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
crystalline insulator / atomic oxygen / atomic hydrogen / VUV light / silicide contact / thin film transistor / 電界効果移動度 / シリサイドコンタクト / CVD / 非晶質シリコン … もっと見る / 結晶性絶縁物 / 原子状酸素 / 原子状水素 / 高エネルギーフォトン / シリサイド / 薄膜トランジスタ … もっと見る
研究代表者以外
PZT / 不揮発性メモリ / digital-MOCVD / perovskite structure / non-volatile memory / Ferroelectric films / ペロブスカイト / 強誘電体薄膜 / デジタルCVD / ペロブスカイト型結晶 / 強誘導体薄膜 / Sr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7(STN) / イオン化ポテンシャル / 界面特性 / 酸素アニール / 保持特性 / SrBi_2Ta_2O_9(SBT) / MFIS構造 / メモリデバイス / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 先端機能デバイス / 強誘電体 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (8人)
  •  強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用

    • 研究代表者
      奥山 雅則
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      大阪大学
  •  デジタルMOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の作製とそのデバイス応用に関する研究

    • 研究代表者
      黒岩 紘一
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  金属シリサイドコンタクトを用いた非晶質シリコン薄膜トランジスタの作製研究代表者

    • 研究代表者
      上野 智雄
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  • 1.  垂井 康夫 (10143629)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  黒岩 紘一 (20170102)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  奥山 雅則 (60029569)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  金島 岳 (30283732)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  山下 馨 (40263230)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  野田 実 (20294168)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  舟窪 浩 (90219080)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  小松 周一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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