佐野伸行 Sano Nobuyuki

研究者番号	90282334
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-6143-2080
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 筑波大学, 数理物質系(名誉教授), 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 筑波大学, 数理物質系(名誉教授), 名誉教授 2022年度 – 2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2011年度 – 2017年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2007年度 – 2010年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2008年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 教授 … もっと見る 2006年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教授 2003年度: 筑波大学, 物質工学系, 助教授 2000年度 – 2003年度: 筑波大学, 物理工学系, 助教授 1997年度 – 1999年度: 筑波大学, 物理工学系, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系研究代表者以外電子・電気材料工学 / 理工系
キーワード	研究代表者モンテカルロ法 / 電子輸送 / MOSFET / クーロン相互作用 / 半導体デバイス / デバイスシミュレーション / 半導体物性 / 特性ばらつき / ボルツマン輸送方程式 / デバイス・シミュレーション … もっと見る / 集積回路 / 電子デバイス / 非平衡統計物理 / 非平衡グリーン関数 / 離散不純物 / semiconductor device / Monte Carlo method / シミュレーション / 電子デバイス・機器 / 計算物理 / ボルツマン方程式 / ナノシート / ナノスケールデバイス / ポアソン方程式 / ハートリー近似 / 不純物散乱 / ポテンシャル揺らぎ / 非平衡統計物理 / ボツルマン輸送方程式 / デバイスモデリング / 低次元系 / ナノ構造 / マイクロ・ナノデバイス / FET / 高電界効果 / 単原子層 / 先端機能デバイス / device simulation / device fluctuation / Drift-Diffusion simulation / impurity fluctuation / ドリフト拡散法 / 不純物ゆらぎ / current noise / hot carrier / device lifetime / simulation / impact ionization / 弾道輸送 / 電流ノイズ / ホットキャリア / 素子寿命 / 衝突イオン化 / トランジスター / ジャンクションレスFET / スケーリング / トランジスタ / 量子輸送 / 非平衡グリーン関数法 / 半導体特性 … もっと見る研究代表者以外 Mesoscopic device / Ultra-small device / Single electron transistor / Resonant tunneling / Quantum dot / メゾスコピック・デバイス / 極微細素子 / 単一電子トランジスタ / 共鳴トンネル効果 / 量子ドット / 集積エレクトロニクス / ナノメータ・スケール / トランスポート / 第一原理計算 / ナノテクノロジー / シリコン集積回路 / 理論的アセスメント / 微細化限界 / ナノメータ・スケール素子隠す

不純物離散性を初めて導入した非平衡グリーン関数法による現実的ナノデバイス特性予測研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  筑波大学
局所的ポテンシャル揺らぎを反映する微視的手法によるナノデバイスシミュレータの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  筑波大学
単原子層FETデバイスにおける電子間クーロン相互作用と室温動作特性の予測研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  筑波大学
立体型ナノスケール素子におけるクーロン相互作用の影響と現実的な特性解析研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  筑波大学
ナノスケール素子における長距離クーロン相互作用のシミュレーションによる研究研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  筑波大学
微視的揺らぎと少数電子系の輸送機構研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ナノスケール素子における高濃度電子輸送の3次元粒子シミュレーションによる研究研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  筑波大学
極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築
- 研究代表者
  
  名取研二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
極微細半導体素子での基板電流ゆらぎに伴う素子寿命不確定性抑制の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  佐野伸行
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  筑波大学
量子ドットを介した共鳴トンネル型電子輸送と新デバイス応用
- 研究代表者
  
  名取研二
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学

[雑誌論文] Shallow p-n Junctions under Discrete Impurities in Semiconductor Devices2024
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Dev.
  
  巻: ED-71 号: 2 ページ: 965-970
- DOI
  10.1109/ted.2023.3341839
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22809
[雑誌論文] Variability and self-average of impurity-limited resistance in quasi-one dimensional nanowires2017
- 著者名/発表者名
  Sano Nobuyuki
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: 128 ページ: 25-30
- DOI
  10.1016/j.sse.2016.10.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Determination of band profiles in GaN films using hard X-ray photoelectron spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  Shinji Saito, Masahiko Yoshiki, Shinya Nunoue and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 2 ページ: 021003-021003
- DOI
  10.7567/jjap.56.021003
- NAID
  210000147416
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Self-consistent device simulation of a-Si pin solar cells and energy resolution analyses of capture and emission processes2016
- 著者名/発表者名
  Suzuki Azuma、Yoshida Katsuhisa、Sano Nobuyuki
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron.
  
  巻: 15 号: 4 ページ: 1554-1562
- DOI
  10.1007/s10825-016-0915-1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Phase interference due to multiple impurities and space-average resistance in quasi-one-dimensional nanowires2016
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano and Akiko Ueda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 025001-025001
- DOI
  10.7567/apex.9.025001
- NAID
  120007129616
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Impurity-limited resistance and phase interference of localized impurities under quasi-one dimensional nano-structures2015
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 118 号: 24
- DOI
  10.1063/1.4938392
- NAID
  120007129773
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Conduction and Spin Transport via Edge States in Randomly Hydrogenated Graphene Nano-Ribbon2015
- 著者名/発表者名
  K. Inuzuka, S. Honda, and N. Sano
- 雑誌名
  
  JPS Conference Proceedings
  
  巻: 5
- DOI
  10.7566/jpscp.5.011016
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820135, KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Correlation effects of localized impurities on electron transport under 1-D nanostructures2015
- 著者名/発表者名
  N. Sano, M. R. Zulhidza, Y. Kaneno, S. Honda, A. Ueda, and K. Yoshida
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Conference Series
  
  巻: 647 ページ: 012028-012028
- DOI
  10.1088/1742-6596/647/1/012028
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors2015
- 著者名/発表者名
  Akiko Ueda, Mathieu Luisier, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 107 号: 25
- DOI
  10.1063/1.4937901
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[雑誌論文] Magnetization and Conductance of Asymmetrically Hydrogenated Graphene Nanoribbons2014
- 著者名/発表者名
  Syuta Honda, Kouhei Inuzuka, Norio Ota, Nobuyuki Sano, Takeshi Inoshita
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 47 号: 48 ページ: 485004-485004
- DOI
  10.1088/0022-3727/47/48/485004
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130, KAKENHI-PROJECT-25820135
[雑誌論文] Self-Consistent Monte Carlo Simulation of Junctionless Transistor including Dynamical Coulomb Interaction2014
- 著者名/発表者名
  Katsuhisa Yoshida, Toru Shibamiya, Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4890695
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション2013
- 著者名/発表者名
  植田暁子, Mathieu Luisier, 吉田勝尚, 本多周太, 佐野伸行
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 113 ページ: 61-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] Surface Potential-Based Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Compact Model by Non-Equilibrium Approach2013
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Ikeda, Nnobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Dev
  
  巻: 60 号: 10 ページ: 3417-3423
- DOI
  10.1109/ted.2013.2278274
- NAID
  120007136798
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] One-Flux Theory of Saturated Drain Current in Nanoscale Transistors2012
- 著者名/発表者名
  T-w.Tang, M.V.Fischetti, S.Jin, N.Sano
- 雑誌名
  
  Solid State Electron
  
  巻: (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] One-Flux Theory of Saturated Drain Current in Nanoscale Transistors2012
- 著者名/発表者名
  T-w. Tang, M. V. Fischetti, S. Jin and N. Sano
- 雑誌名
  
  Solid State Electron.
  
  巻: 78 ページ: 115-120
- DOI
  10.1109/isdrs.2011.6135197
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] Multi-Scale Monte Carlo Simulation of Soft Errors Using PHITS-HyENEXSS Code System2012
- 著者名/発表者名
  S. Abe, Y. Watanabe, N. Shibano, N. Sano, H. Furuta, M. Tsutsui, T. Uemura, and T.Arakawa
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 59 号: 4 ページ: 965-970
- DOI
  10.1109/tns.2012.2187215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] Device simulation of intermediate band solar cells: Effects of doping and concentration2012
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada and N. Sano
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 8 ページ: 814510-814510
- DOI
  10.1063/1.4759134
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22241035, KAKENHI-PROJECT-24360130
[雑誌論文] Monte Carlo Study of the Coulomb Interaction in Nano-Scale Silicon Devices2011
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-Scale Silicon Device Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  J.Comp.Electron.
  
  巻: 98 ページ: 98-103
- NAID
  120007130717
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices : Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction2011
- 著者名/発表者名
  N.Sano, T.Karasawa
- 雑誌名
  
  Key Engineering Materials
  
  巻: 470 ページ: 207-213
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/kem.470.207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-Scale Silicon Device Characteristics2011
- 著者名/発表者名
  N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron
  
  巻: 10 号: 1-2 ページ: 98-103
- DOI
  10.1007/s10825-010-0327-6
- NAID
  120007130717
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Self-Consistent Simulation of Intermediate Band Solar Cell : Effect of Occupation Rate on Device Characteristics2010
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada and N. Sano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 97 号: 13
- DOI
  10.1063/1.3488815
- NAID
  120007137892
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Pinch-off Voltage Lowering in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  H. Ikeda and N. Sano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 1R ページ: 014301-014301
- DOI
  10.1143/jjap.50.014301
- NAID
  40017446836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Monte Carlo Study of the Coulomb Interaction in Nano-Scale Silicon Devices2010
- 著者名/発表者名
  N. Sano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50 号: 1R ページ: 010108-010108
- DOI
  10.1143/jjap.50.010108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Self-Consistent Simulation of Intermediate Band Solar Ce-Effect of Occupation Rate on Device Characteristics2010
- 著者名/発表者名
  Katsuhisa Yoshida, Yoshitaka Okada, Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  H. Ikeda and N. Sano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 48 号: 10 ページ: 101201-101201
- DOI
  10.1143/jjap.48.101201
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, N.Sano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] 最先端デバイスのモンテカルロ法2009
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 雑誌名
  
  電気学会誌
  
  巻: 12月号ページ: 796-799
- NAID
  10026224039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Scaling FETs to 10nm : Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2009
- 著者名/発表者名
  M.V.Fischetti, S.Jin, T.-w.Tang, P.Asbeck, Y.Taur, S.E.Laux, N.Sano
- 雑誌名
  
  J.Comp.Electron. 2
  
  ページ: 60-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  H. Ikeda, N. Sano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  F.Ootsuka, A.Katakami, K.Shirai, H.i Nakata, T.Eimori, Y.Nara, Y.Ohji, K.Shimura, S.Horii, N.Sano, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Scaling FETs to 10 nm : Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2009
- 著者名/発表者名
  M. V. Fischetti, S. Jin, T.-w. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S. E. Laux, and N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron
  
  巻: 2 号: 2 ページ: 60-77
- DOI
  10.1007/s10825-009-0277-z
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] 最先端デバイスのモンテカルロ法2009
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 雑誌名
  
  電気学会誌 12
  
  ページ: 796-799
- NAID
  10026224039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Hole Mobility Enhancement Caused by Gate-Induced Vertical Strain in Gate-First Full-Metal High-k pFETs using Ion-Beam W2009
- 著者名/発表者名
  F. Ootsuka, A. Katakami, K. Shirai, H. Nakata, T. Eimori, Y. Nara, Y. Ohji, K.Shimura, S. Horii, N. Sano, K. Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 48 号: 5R ページ: 056502-056502
- DOI
  10.1143/jjap.48.056502
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Scaling FETs to 10 nm: Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2009
- 著者名/発表者名
  M.V. Fischetti, S. Jin, T. -w. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S.E. Laux, N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron. 2
  
  ページ: 60-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Scaling FETs to 10nm : Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtua 1 Source2009
- 著者名/発表者名
  M.V.Fischetti, S.Jin, T.-w.Tang, P.Asbeck, Y.Taur, S.E.Laux, N.Sano
- 雑誌名
  
  J.Comp.Electron. 2
  
  ページ: 60-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  H.Ikeda, N.Sano
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  F.Ootsuka, A.Katakami, K.Shirai, H.i Nakata, T.Eimori, Y.Nara, Y.Ohji, K.Shimura, S.Horii, N.Sano, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016796029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  Suguru Sato and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Journal of Computational Electronics 7
  
  ページ: 240-243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Non- equilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  S.Sato and N.Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron 7
  
  ページ: 301-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Three-dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction2008
- 著者名/発表者名
  Takayuki Fukui, Tadayoshi Uechi, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10025080337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2008
- 著者名/発表者名
  Shuichi, Toriyama・Nobuyuki, Sano
- 雑誌名
  
  J.Comp.Phys. 7(In press)
- NAID
  10022548097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2008
- 著者名/発表者名
  Shuichi Toriyama and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Journal of Computational Electronics 7
  
  ページ: 471-474
- NAID
  10022548097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Analysis of potential Fluctuations under High Electron Concentrations2008
- 著者名/発表者名
  T. Uechi, T. Fukui, N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron. 7
  
  ページ: 240-243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Three-dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction2008
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp 1
- NAID
  10025080337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Analysis of potential Fluctuations under High Electron Concentrations2008
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Uechi, Takayuki Fukui, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Phys. 7(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2008
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Uechi, Takayuki Fukui, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Phys. stat. sol.(c) 5
  
  ページ: 102-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2008
- 著者名/発表者名
  T.Uechi, T.Fukui, and N.Sano
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol.(c) 5
  
  ページ: 102-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2008
- 著者名/発表者名
  Shuichi Toriyama and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Phys. 7(in press)
- NAID
  10022548097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction2008
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp 1
- NAID
  10025080337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Analysis of potential Fluctuations under High Electron Concentrations2008
- 著者名/発表者名
  T.Uechi, T.Fukui, and N.Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron 7
  
  ページ: 240-243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  Suguru, Sato・Nobuyuki, Sano
- 雑誌名
  
  J.Comp.Phys. 7(In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2008
- 著者名/発表者名
  S.Toriyama and N.Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron 7
  
  ページ: 471-474
- NAID
  10022548097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  Suguru Sato and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Phys. 7(in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  S.Sato, and N.Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron 7
  
  ページ: 301-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Analysis of potential Fluctuations under High Electron Concentrations2008
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Uechi, Takayuki Fukui, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Journal of Computational Electronics 7
  
  ページ: 240-243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] Three-dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in SiIncluding Full Coulomb Interaction2008
- 著者名/発表者名
  Takayuki Fukui, Tadayoshi Uechi, and Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- NAID
  10025080337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2008
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi, Uechi・Takayuki, Fukui・Nobuyuki, Sano
- 雑誌名
  
  Phys.stat.sol.(c) 5
  
  ページ: 102-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2008
- 著者名/発表者名
  T. Uechi, T. Fukui, N. Sano
- 雑誌名
  
  Phys. stat. sol. (c) 5
  
  ページ: 102-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2008
- 著者名/発表者名
  S. Toriyama, N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron 7
  
  ページ: 471-474
- NAID
  10022548097
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2008
- 著者名/発表者名
  S. Sato, N. Sano
- 雑誌名
  
  J. Comp. Electron. 7
  
  ページ: 301-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送2007
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 10月号
  
  ページ: 1135-1141
- NAID
  10019956738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[雑誌論文] ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送2007
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 10
  
  ページ: 1135-1141
- NAID
  10019956738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送2007
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 雑誌名
  
  応用物理学会誌 10月号
  
  ページ: 1135-1141
- NAID
  10019956738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Kinetic Study of Quasi-Ballistic Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices2006
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Electronic Communications in Japan 88
  
  ページ: 1-9
- NAID
  10016599142
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[雑誌論文] Kinetic Study of Quasi-Ballistic Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices2006
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 雑誌名
  
  Electronic Communications in Japan 88
  
  ページ: 1-9
- NAID
  10016599142
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Self-Consistent Monte Carlo Device Simulation of Capture-Excitation Processes of Carriers2023
- 著者名/発表者名
  F. Hashimoto, T. Suzuki, H. Minari, N. Nakazaki, J. Komachi, N. Sano
- 学会等名
  2023 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22809
[学会発表] キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション2023
- 著者名/発表者名
  橋本風渡、鈴木刀真、三成英樹、中﨑暢也、小町潤、佐野伸行
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22809
[学会発表] 半導体デバイスにおける物理モデリングとシミュレーションの現状とその意味2022
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  ソニー特別講演
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22809
[学会発表] 半導体デバイスモデリング講座2022
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  ソニーエンジニア向け集中講義
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22809
[学会発表] 不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 -ランダム不純物ばらつきと自己平均化-2017
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Fundamental Aspects of Discrete Impurity Model for Nano-Scale Device Simulations2017
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  Seminar on Noise and Reliability in Silicon Electronics (NCTU)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Variability and Self-Average of Impurity-limited Resistance in Semiconductor Nanowires2017
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  7th Annual World Congress of Nano Science & Technology-2017 (Nano S&T-2017),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] モンテカルロ・デバイスシミュレーションの基本的側面と応用2017
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  第3回CDMSI（ポスト「京」重点課題（７））シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Physical Issues in Device Modeling: Length-Scale, Disorder, and Phase Interference2017
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] 微細構造デバイスシミュレーションにおける局所的な乱れによるポテンシャルゆらぎの物理的側面2017
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Self-Consistent Monte-Carlo Simulations for Modern Electron Devices2016
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2016), Short Course
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] フルバンドモンテカルロ法によるアバランシェ破壊解析2016
- 著者名/発表者名
  鎌倉良成, 藤田流星, 小長晃輔, 上岡良季, 小谷岳生, 森伸也, 鍾菁廣, 小田中紳二, 廣木彰, 佐野伸行
- 学会等名
  第２回CDMSI シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Large Mobility Modulation Due to Discrete Impurities in Nanowires2016
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  230th Electrochemical Society Meeting (PRiME 2016/230th ECS Meeting)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Space-Average Impurity-Limited Resistance and Self-Averaging in Quasi-1D Nanowires2016
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS 2016)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] A New Departure in Graduate Honors Program at University of Tsukuba2015
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  Eleventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC 11)
- 発表場所
  Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka Fukuoka
- 年月日
  2015-05-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] ナノワイヤ構造におけるイオン化不純物散乱：結合定数と位相干渉2015
- 著者名/発表者名
  金野有治、植田暁子、佐野伸行
- 学会等名
  秋季第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] Correlation effects of localized impurities on electron transport under 1-D nanostructures2015
- 著者名/発表者名
  N. Sano, M. R. Zulhidza, Y. Kaneno, S. Honda, A. Ueda, and K. Yoshida
- 学会等名
  19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON-19)
- 発表場所
  Salamanca, Spain
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] 量子ドット中間バンド型太陽電池における連続トンネルの影響2015
- 著者名/発表者名
  吉田勝尚、岡田至崇、佐野伸行
- 学会等名
  秋季第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] ジャンクションレスナノワイヤFETにおける移動度2015
- 著者名/発表者名
  植田暁子、Mathieu Luisier、佐野伸行
- 学会等名
  秋季第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03983
[学会発表] ナノ構造での電子輸送と界面：理論的見地から2014
- 著者名/発表者名
  佐野伸行
- 学会等名
  日本学術振興会産学協力研究委員会半導体界面制御技術第154委員会, 第91回研究会
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2014-05-08
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] 3D structural dependence of carrier transport for intermediate band solar cells2013
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada, and N. Sano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON-18)
- 発表場所
  Kunibiki Messe, Matsue
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Effect of Sigma-band for Conduction of Metal/Graphene/Metal Junctions2013
- 著者名/発表者名
  S. Honda, K. Inuduka, and N. Sano
- 学会等名
  2013 International Workshop on Computational Electronics (IWCE-16)
- 発表場所
  Nara Prefectural New Public Hall, Ｎａｒａ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Tunnel Conduction and Density of States in Shallow PN Junction of Si Nanowire2013
- 著者名/発表者名
  R. Ooi, S. Honda, A. Ueda, and N. Sano
- 学会等名
  The 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON-18)
- 発表場所
  Kunibiki Messe, Matsue
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] ナノデバイスのシミュレーョン：なぜ、モンテカルロ法か？2013
- 著者名/発表者名
  佐野　伸行
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム
- 発表場所
  神奈川工科大学、厚木市
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] A New Generation of Surface Potential-Based poly-Si TFTs Compact Model2012
- 著者名/発表者名
  H. Ikeda and N. Sano
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM-2012)
- 発表場所
  San Francisco Hilton, San Francisco, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] A New Departure in Graduate Program with TIA-nano at University of Tsukuba2012
- 著者名/発表者名
  N. Sano, K. Murakami
- 学会等名
  IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] The Role of High-Doped Source and Drain on Device Performance in Nano-Scale Si-MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kansai Univ.(Osaka)(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] The Role of High-Doped Source and Drain on Device Performance in Nano-Scale Si-MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  (INVITED) N. Sano
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Kansai Univ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Self-Consistent Monte Carlo Study of the Coulomb Interaction under Nano-Scale Device Structures2011
- 著者名/発表者名
  N. Sano
- 学会等名
  The American Physica Society March Meeting
- 発表場所
  Dallas, U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices : Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction2010
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD-2010)
- 発表場所
  Bologna, Italy(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices : Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction2010
- 著者名/発表者名
  (INVITED) N. Sano
- 学会等名
  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2010)
- 発表場所
  Bologna, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Devices : Boundary Layer, Potential Fluctuation, and Coulomb Interaction2010
- 著者名/発表者名
  N. Sano and T. Karasawa
- 学会等名
  International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Scaling FETs to 10 nm : Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2010
- 著者名/発表者名
  (INVITED) M. V. Fischetti, S. Jin, T.-w. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S. E. Laux, N. Sano, and M. Rodwell
- 学会等名
  217th ECS Meeting
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Model-Comparison Study of Quasi-Ballistic Electron Transport in Nanoscale Semiconductor Devices2010
- 著者名/発表者名
  T-w. Tang, I. Yoon, N. Sano, S. Jin, M. Fischetti, and Y. J. Park
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-14)
- 発表場所
  Pisa, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Validation of nuclear reaction models relevant to cosmic-ray neutron induced single-event effects in microelectronics2010
- 著者名/発表者名
  S. Abe, Y. Watanabe, S. Hirayama, N. Sano, Y. Tosaka, M. Tsutsui, H. Furuta and T. Imamura
- 学会等名
  International Nuclear Physics Conference (INPC 2010)
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Self-Consistent Drift-Diffusion Approach for Analysis of Intermediate Band Solar Cells with Multi-Stacked Quantum Dots2010
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada, and N. Sano
- 学会等名
  25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (25thEUPVSEC)
- 発表場所
  Valencia, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Discrete Impurity and Mobility in Drift- Diffusion Simulations for Device Characteristics Variability2009
- 著者名/発表者名
  N. Shibano, N. Sano
- 学会等名
  2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009)
- 発表場所
  College Park, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Scaling FETs to 10 nm : Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2009
- 著者名/発表者名
  (INVITED) M. V. Fischetti, S. Jin, T.-w. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S. E. Laux, and N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-13)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations under Nano-Scale Device Structures : Role of Coulomb interaction, Degeneracy, and Boundary Condition2009
- 著者名/発表者名
  Kohei Nakanishi, Tadayoshi Uechi, Nobuyuki Sano
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM-2009)
- 発表場所
  Baltimore, MD, U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study2009
- 著者名/発表者名
  N.Sano
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire
- 発表場所
  東京工業大学、横浜市
- 年月日
  2009-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Physical Model and Mesh-Size Dependence in Drift-Diffusion Simulations for Single-Event Effects by Heavy Ions2009
- 著者名/発表者名
  N. Shibano, N. Sano, Y. Tosaka, H. Furuta, M. Tsutsui, and K. Imamura
- 学会等名
  2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009)
- 発表場所
  College Park, U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Discrete Impurity and Mobility in Drift-Diffusion Simulations for Device Characteristics Variability2009
- 著者名/発表者名
  T. Karasawa, K. Nakanishi, N. Sano
- 学会等名
  2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009)
- 発表場所
  College Park, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Simulation of Electron Transport in Si Nano Devices2009
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 -Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  東工大蔵前ホール
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study2009
- 著者名/発表者名
  N. Sano
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire
- 発表場所
  東工大、横浜市
- 年月日
  2009-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Discrete Impurity and Mobility in Drift-Diffusion Simulations for Device Characteristics Variability2009
- 著者名/発表者名
  T. Karasawa, K. Nakanishi, and N.Sano
- 学会等名
  2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009)
- 発表場所
  College Park, U.S.A
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Scaling FETs to 10 nm: Coulomb Effects, Source Starvation, and Virtual Source2009
- 著者名/発表者名
  M.V. Fischetti, S. Jin, T. -w. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S.E. Laux, N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-13)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics : A Monte Carlo Study2009
- 著者名/発表者名
  N.Sano
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire
- 発表場所
  東工大, 横浜市
- 年月日
  2009-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Numerical Analysis of Electron Transport in Quasi Quantum Dot Superlattice2009
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada and N. Sano
- 学会等名
  Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 (WINPTech2009)
- 発表場所
  Kobe University
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Simulation of Electron Transport in Si Nano Devices2009
- 著者名/発表者名
  (INVITED) N. Sano
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030-Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations under Nano-Scale Device Structures : Role of Coulomb interaction, Degeneracy, and Boundary Condition2009
- 著者名/発表者名
  K. Nakanishi, T. Uechi, and N. Sano
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM-2009)
- 発表場所
  Baltimore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360160
[学会発表] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study2009
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-colloquium for Nano-CMOS and Nano-wire
- 発表場所
  Tokyo Inst. Tech, Yokohama
- 年月日
  2009-02-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Simulation of Electron Transport in Si Nano Devices2009
- 著者名/発表者名
  N. Sano
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 - Prospects by World's Leading Scientists
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Numerical Analysis of Electron Transport in Quasi Quantum Dot Superlattice2009
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, Y. Okada, N. Sano
- 学会等名
  Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 (WINPTech2009)
- 発表場所
  Kobe University
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations under Nano-Scale Device Structures: Role of Coulomb interaction, Degeneracy, and Boundary Condition2009
- 著者名/発表者名
  K. Nakanishi, T. Uechi, N. Sano
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM-2009)
- 発表場所
  Baltimore, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] 3D Monte Carlo Simulations of Nano-scale Devices: Impact of Coulomb Interaction on Device Characteristics2008
- 著者名/発表者名
  N. Sano, T. Uechi, T. Fukui
- 学会等名
  Technical Seminar, International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] 3D Monte Carlo Simulations of Nano-scale Devices : Impact of Coulomb Interaction on Device Characteristics2008
- 著者名/発表者名
  N.Sano, T.Uechi, and T.Fukui
- 学会等名
  Technical Seminar, International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2008-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Impacts of Random Dopant Fluctuation on Transient Characteristics in CMOS Inverters : A Device Simulation Study2008
- 著者名/発表者名
  S.Toriyama, K.Matsuzawa, and N.Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)
- 発表場所
  Tsukuba (Proc. SSDM, pp.892-893 (2008))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Impacts of Random Dopant Fluctuation on Transient Characteristics in CMOS Inverters: A Device Simulation Study2008
- 著者名/発表者名
  S. Toriyama, K. Matsuzawa, N. Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Scaling Dependence of Electron Transport in Nano-scale Shottky Barrier MOSFETs. International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2008)2008
- 著者名/発表者名
  Shuichi Toriyama and Nobuyuk Sano
- 学会等名
  September 24-26, 2008
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Scaling Dependence of Electron Transport in Nano-scale Shottky Barrier MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S.Toriyama and N.Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst (Proc. IWCE, pp.141-142 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Electron Transport Simulations Including Full Coulomb Interaction in Si2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, T. Uechi, N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Electron Transport Simulations Including Full Coulomb Interaction in Si2007
- 著者名/発表者名
  Takayuki, Fukui・Tadayoshi, Uechi・Nobuyuki, Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst, MA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2007
- 著者名/発表者名
  S. Toriyama, N. Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2007)
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Scaling Dependence of Electron Transport in Nano-scale Shottky Barrier MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  S. Toriyama, N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2007
- 著者名/発表者名
  S.Toriyama, and N.Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2007)
- 発表場所
  Tsukuba (Proc. SSDM, pp.48-49 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2007
- 著者名/発表者名
  Takayuki Fukui, Tadayoshi Uechi, and Nobuyuki Sano
- 学会等名
  15-th International Conference on Nonequilibrium Carrier Transport in Semiconductors(HCIS-15)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Effects of Gate-Edge Metamorphoses (GEM) on Device Characteristics of Scaled MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamada and N.Sano
- 学会等名
  2007 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2007)
- 発表場所
  College Park (Proc. ISDRS, p.WP8-01 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2007
- 著者名/発表者名
  T.Uechi, T.Fukui, and N.Sano
- 学会等名
  15-th International Conference on Nonequilibrium Carrier Transport in Semiconductors (HCIS-15)
- 発表場所
  Tokyo (Proc. HCIS-15, p.89 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] 3D Monte Carlo Analysis ofpotential Fluctuations under High Electron Concentrations2007
- 著者名/発表者名
  T. Uechi, T. Fukui, N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] 3D Monte Carlo Analysis ofpotential Fluctuations under High Electron Concentrations2007
- 著者名/発表者名
  T.Uechi, T.Fukui, and N.Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst (Proc. IWCE, pp.128-129 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2007
- 著者名/発表者名
  S.Sato, H.Kusaka, and N.Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst (Proc. IWCE, pp.102-103 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Effects of Gate-Edge Metamorphoses (GEM) on Device Characteristics of Scaled MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamada, N. Sano
- 学会等名
  2007 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2007)
- 発表場所
  College Park, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Electron Transport Simulations Including Full Coulomb Interaction in Si2007
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst (Proc. IWCE, pp.102-103 (2007))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] 3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes2007
- 著者名/発表者名
  T. Uechi, T. Fukui, N. Sano
- 学会等名
  15-th International Conference on Nonequilibrium Carrier Transport in Semiconductors (HCIS-15)
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Consistency of Boundary Conditions in Nonequilibrium Green's Function Simulations2007
- 著者名/発表者名
  S. Sato, H. Kusaka, N. Sano
- 学会等名
  International Workshop on Computational Electronics (IWCE-12)
- 発表場所
  Amherst, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Hot Electrons Associated with the Long-Range Coulomb Interaction under the High-Density Regime2006
- 著者名/発表者名
  T. Uechi, N. Sano
- 学会等名
  2006 VLSI-TSA Technology Symposium
- 発表場所
  Hsinshu, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Device Simulation of Random Dopant Effects in Ultra- small MOSFETs Based on Advanced Physical Models2006
- 著者名/発表者名
  S. Toriyama, D. Hagishima, K. Matsuzawa, N. Sano
- 学会等名
  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2006)
- 発表場所
  Montley, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Device Simulation of Random Dopant Effects in Ultra- small MOSFETs Based on Advanced Physical Models2006
- 著者名/発表者名
  S.Toriyama, D.Hagishima, K.Matsuzawa and N.Sano
- 学会等名
  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2006)
- 発表場所
  Montley (Proc. SISPAD, pp.145-146 (2006))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Detailed Balance in Quasi-Ballistic Electron Transport under Nanoscale Device Structures2006
- 著者名/発表者名
  H. Kusaka, N. Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2006)
- 発表場所
  Yokohama
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063004
[学会発表] Hot Electrons Associated with the Long-Range Coulomb Interaction under the High-Density Regime2006
- 著者名/発表者名
  T.Uechi and N.Sano
- 学会等名
  2006 VLSI-TSA Technology Symposium
- 発表場所
  Hsinshu, Taiwan (Proc. 2006 VLSI-TSA, pp.141-142 (2006))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Detailed Balance in Quasi-Ballistic Electron Transport under Nanoscale Device Structures2006
- 著者名/発表者名
  H.Kusaka and N.Sano
- 学会等名
  International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2006)
- 発表場所
  Yokohama (Proc. SSDM, pp.356-357 (2006))
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360160
[学会発表] Screening Effect on Si Junctionless Nanowire Transistors
- 著者名/発表者名
  A. Ueda, M. Luisier, K. Yoshida, S. Honda, and N. Sano
- 学会等名
  Computational Science Workshop 2014 (CSW2014)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2014-08-20 – 2014-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs
- 著者名/発表者名
  A. Ueda, M. Luisier, and N. Sano
- 学会等名
  2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)
- 発表場所
  Paris, France
- 年月日
  2014-06-03 – 2014-06-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Monte Carlo Study of the long-range Coulomb interaction for Junctionless Transistors
- 著者名/発表者名
  K. Yoshida, and N. Sano
- 学会等名
  2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)
- 発表場所
  Paris, France
- 年月日
  2014-06-03 – 2014-06-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Conduction and Spin Transport via Edge States in Randomly Hydrogenated Graphene Nano-Ribbon
- 著者名/発表者名
  K. Inuzuka, S. Honda, and N. Sano
- 学会等名
  Computational Science Workshop 2014 (CSW2014)
- 発表場所
  Tsukuba, Ibaraki
- 年月日
  2014-08-20 – 2014-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130
[学会発表] Role of Coulomb Interaction in Nanoscale MOSFETs: A Theoretical Viewpoint
- 著者名/発表者名
  Nobuyuki Sano and Katsuhisa Yoshida
- 学会等名
  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD-2014) Workshop
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360130

1. 名取研二 (20241789)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 中西洸平

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
3. 中村淳 (50277836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 山部紀久夫 (10272171)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 柴野望己

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 吉田勝尚

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
7. 唐澤貴彦

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 上地忠良

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 福井貴之

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 本多周太

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
11. 岡田至崇

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

佐野 伸行 Sano Nobuyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

不純物離散性を初めて導入した非平衡グリーン関数法による現実的ナノデバイス特性予測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

局所的ポテンシャル揺らぎを反映する微視的手法によるナノデバイスシミュレータの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

単原子層FETデバイスにおける電子間クーロン相互作用と室温動作特性の予測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

立体型ナノスケール素子におけるクーロン相互作用の影響と現実的な特性解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノスケール素子における長距離クーロン相互作用のシミュレーションによる研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微視的揺らぎと少数電子系の輸送機構研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノスケール素子における高濃度電子輸送の3次元粒子シミュレーションによる研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

極微細半導体素子での基板電流ゆらぎに伴う素子寿命不確定性抑制の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドットを介した共鳴トンネル型電子輸送と新デバイス応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Shallow p-n Junctions under Discrete Impurities in Semiconductor Devices2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Variability and self-average of impurity-limited resistance in quasi-one dimensional nanowires2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

佐野伸行 Sano Nobuyuki