柿本浩一 Kakimoto Koichi

研究者番号	90291509
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所属 (現在)	2025年度: 東北大学, 金属材料研究所, 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 2022年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 2012年度 – 2020年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授 2007年度 – 2009年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授 2002年度 – 2004年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授 … もっと見る 1997年度 – 2000年度: 九州大学, 機能物質科学研究所, 助教授 1999年度: 州大学, 機能物質科学研究所, 助教授 1997年度: 九州大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 金属生産工学研究代表者以外中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連 / 金属生産工学 / 化学工学一般 / 表面界面物性
キーワード	研究代表者結晶成長 / シリコン / SiC / シミュレーション / 転位 / 3次元解析 / 結晶工学 / 欠陥制御 / マルチフジックス / マルチフィジックス … もっと見る / Al2O3 / Al203 / Aｌ203 / GaN / Convection / Electromagnetic force / Crystal growth / Silicon / 電磁場印加結晶成長 / バルク結晶成長 / 対流 / 電磁攪拌 / MIGRATION / PRESSURE / DIFFUSION / ELECTRONIC DEVICES / SEMICONDUCTOR / IMPURITY / POINT DEFECTS / MOLECULAR DYNAMICS / 拡散係数 / 酸素 / 移動 / 圧力 / 拡散 / 電子素子 / 半導体 / 不純物 / 点欠陥 / 分子動力学 / 結晶性長 / 残留応力 / シリコンカーバイド / ワイドバンドギャップ / 昇華法 / Si / 電磁場 … もっと見る研究代表者以外数値解析 / 磁場 / 結晶成長 / 結晶欠陥 / 基板 / パワー半導体 / ルツボフリー / 融液成長 / パワーデバイス / エピタキシャル成長 / 酸化ガリウム / 結晶成長シミュレーション / 単結晶成長 / SiC / エネルギー / 多形 / 表面 / 不純物 / 炭化ケイ素 / numerical analysis / magnetic field / continuous casting / Steel / 異形磁場 / カスプ磁場 / 鉄鋼連鋳 / 連鋳 / 鉄鋼 / TWO COILS MOTOR / GALLIUM / ROTATING MAGNETIC FIELD / CRYSTAL GROWTH / チョクラルスキー法 / 回転 / 2極モータ / ガリウム / 回転磁場 / マイクロマシン / エッチング / LIGA / リソグラフィ / LSI / シンクロトロン放射光隠す

融液成長の限界を超越する新規ルツボフリー成長法によるGa2O3の成長と欠陥評価
- 研究代表者
  
  吉川彰
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東北大学
速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス
- 研究代表者
  
  西澤伸一
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  九州大学
マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  九州大学
ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  九州大学
省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
電場・磁場を同時に用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
鉄鋼連鋳プロセスに対する異形磁場印加効果
- 研究代表者
  
  尾添紘之 (尾添絋之)
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  九州大学
九州シンクロトロン放射光のエレクトロニクス応用研究に関する調査研究
- 研究代表者
  
  黒木幸令
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  九州大学
電子デバイス用バルク単結晶中の欠陥形成過程の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  九州大学
回転磁場下における結晶成長の検討
- 研究代表者
  
  尾添紘之
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  化学工学一般
- 研究機関
  九州大学

[図書] Studies on flow Instabilities in Bulk Crystal Growth2008
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et al
- 総ページ数
  234
- 出版者
  Transworld Research Network
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[図書] Crystal Growth Technology2008
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et al
- 総ページ数
  505
- 出版者
  WILEY-VCH
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[図書] Modeling of Magnetic Fields, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, PERSPECTIVES ON INORGANIC, ORGANIC, AND BIOROGICALCRYSTAL GROWTH:FROM FUNDAMENTALS TO APPLICATIONS2007
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[図書] 実験化学講座5 化学実験のための基礎技術2005
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 出版者
  (株)丸善
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Heat transfer in β-Ga2O3 crystal grown through a skull melting method2024
- 著者名/発表者名
  Kakimoto Koichi、Takahashi Isao、Tomida Taketoshi、Kochurikhin Vladimir V.、Kamada Kei、Nakano Satoshi、Yoshikawa Akira
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 629 ページ: 127553-127553
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2023.127553
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H04961, KAKENHI-PROJECT-19H00672, KAKENHI-PROJECT-22H00204
[雑誌論文] Study of twisting of β-Ga2O3 crystals based on optical absorption and thermal conductivity anisotropy in the crystals grown by the Czochralski method2024
- 著者名/発表者名
  Kakimoto Koichi、Takahashi Isao、Tomida Taketoshi、Kochurikhin Vladimir V.、Kamada Kei、Nakano Satoshi、Yoshikawa Akira
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 628 ページ: 127550-127550
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2023.127550
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H04961, KAKENHI-PROJECT-19H00672, KAKENHI-PROJECT-22H00204
[雑誌論文] 3D calculation studies of dislocation density in a β-Ga2O3 crystal grown by vertical Bridgman method2023
- 著者名/発表者名
  Kakimoto Koichi、Takahashi Isao、Tomida Taketoshi、Kamada Kei、Yao Yongzhao、Nakano Satoshi、Yoshikawa Akira
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 609 ページ: 127126-127126
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2023.127126
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00672, KAKENHI-PROJECT-22H00204, KAKENHI-PROJECT-22H04961
[雑誌論文] Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals2018
- 著者名/発表者名
  Miyamura Y.、Harada H.、Nakano S.、Nishizawa S.、Kakimoto K.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 486 ページ: 56-59
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.01.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Effect of oxygen on dislocation multiplication in silicon crystals2018
- 著者名/発表者名
  Wataru Fukushima, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura Masato Imai, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 486 ページ: 45-49
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.12.030
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth2018
- 著者名/発表者名
  Liu Xin、Harada Hirofumi、Miyamura Yoshiji、Han Xue-feng、Nakano Satoshi、Nishizawa Shin-ichi、Kakimoto Koichi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 499 ページ: 8-12
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.07.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Silicon bulk growth for solar cells: Science and technology2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Bing Gao, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, and Yoshiji Miyamura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 (2) 号: 2 ページ: 020101-020101
- DOI
  10.7567/jjap.56.020101
- NAID
  210000147405
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] On the phase transformation of single-crystal 4H?SiC during nanoindentation2017
- 著者名/発表者名
  Mitsuhiro Matsumoto, Hu Huang, Hirofumi Harada, Koichi Kakimoto and Jiwang Yan
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 26 ページ: 265303-265303
- DOI
  10.1088/1361-6463/aa7489
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Studyontheusageofacommercialsoftware(Comsol-Multiphysicss) for dislocationmultiplicationmodel2017
- 著者名/発表者名
  B. Gallien, M.Albaric, T.Duffar, K.Kakimoto, M.M’Hamdi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 457 ページ: 60-64
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.05.027
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Mitsutoshi Mizutani, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 3 ページ: 031301-031301
- DOI
  10.7567/jjap.55.031301
- NAID
  210000146126
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351, KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Total pressure-controlled PVT SiC growth for polytype stability during using 2D nucleation theory2016
- 著者名/発表者名
  S. Araki, B. Gao, S. Nishizawa, S. Nakano, and K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Cryst. Res. Technol.
  
  巻: 51, No. 5 号: 5 ページ: 344-348
- DOI
  10.1002/crat.201500344
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[雑誌論文] Study on Mechanical Properties of Single-Crystal Silicon Carbide by Nanoindentation2015
- 著者名/発表者名
  Mitsuhiro Matsumoto, Hirofumi Harada, Koichi Kakimoto and Jiwang Yan
- 雑誌名
  
  Applied Mechanics and Materials
  
  巻: 806 ページ: 549-554
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[雑誌論文] Study on Mechanical Properties of Single-Crystal Silicon Carbide by Nanoindentation2015
- 著者名/発表者名
  M Matsumoto, H Harada, K Kakimoto, J Yan
- 雑誌名
  
  Advanced Materials Research
  
  巻: 1136 ページ: 549-554
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/amr.1136.549
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13838, KAKENHI-PROJECT-15K13351
[雑誌論文] Dislocation-density-based modeling of the plastic behavior of 4H-SiC single crystals using the Alexander-Haasen model2014
- 著者名/発表者名
  B. Gao, K.Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 386 ページ: 215-219
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.10.023
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Three-Dimensional Modeling of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Single Crystals Grown by the Physical Vapor Transport Method2014
- 著者名/発表者名
  Bing Gao and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Cryst. Growth Des.
  
  巻: 14 (3) 号: 3 ページ: 1272-1278
- DOI
  10.1021/cg401789g
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2014
- 著者名/発表者名
  T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 385 ページ: 95-99
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.03.036
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Optimization of power control in the reduction of basal plane dislocations during PVT growth of 4H-SiC single crystals2014
- 著者名/発表者名
  B. Gao, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 392 ページ: 92-97
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.02.005
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001).2014
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Iguchi, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 065601 号: 6 ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.53.065601
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Highly efficient and stable implementation of the Alexander-Haasen model for numerical analysis of dislocationin crystalgrowth2013
- 著者名/発表者名
  B. Gao n, S.Nakano,K.Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 369 ページ: 32-37
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.01.039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Effect of the Inclusion of T ransparency on the Thermal Field and Interface Shape in Long-term Sublimation Growth of SiC Crystals2013
- 著者名/発表者名
  Bing Gao and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: Vol.40、No.1 ページ: 20-24
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Relationship between the locations of activated dislocations and the cooling flux direction in monocrystalline-like silicon grown in the [001] and [111] directions2013
- 著者名/発表者名
  Bing Gao and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  J. Appl. Cryst.
  
  巻: Volume 46, Issue 6 号: 6 ページ: 1771-1780
- DOI
  10.1107/s002188981302517x
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Numerical investigation of the influence of cooling flux on the generation of dislocations in cylindrical mono-like silicon growth2013
- 著者名/発表者名
  B. Gao, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 384 ページ: 13-20
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.09.002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2012
- 著者名/発表者名
  T Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano Y Kangawa, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 352 号: 1 ページ: 177-180
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.01.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Analysis of growth velocity of SiC growth and by the Physical vapor transport method2012
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Bing Gao, Takuya Shiramomo, Satoshi Nakano and Shin-ichi Nishizawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 25-28
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] The impact of pressure and temperature on growth rate and layer uniformity in the sublimation growth of AIN crystals2012
- 著者名/発表者名
  B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 338 号: 1 ページ: 69-74
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.11.030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method2012
- 著者名/発表者名
  F. Inui, B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 348 号: 1 ページ: 71-74
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.03.036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Numerical Analysis of mc-Si Crystal Growth2010
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et al
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena 156-158
  
  ページ: 193-198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical Analysis of mc-Si Crystal Growth2010
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Hitoshi Matsuo, Syo Hisamatsu, Birava Ganesh, Gao Bing, X.J. Chen, Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Yoshihiro Kangawa
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena 156-158,4
  
  ページ: 193-198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Modeling and simulation of Si crystal growth from melt2009
- 著者名/発表者名
  Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Satoshi Nakano, Xin Liu, Zaoyang Li, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Physica status solidi C6,3
  
  ページ: 645-652
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Analysis of local segregation of impurities at a silicon melt-crystal interface during crystal growth in transverse magnetic field-applied Czochralski method2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et al
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2313-2316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Analysis of local segregation of impurities at a silicon melt-crystal interface during crystal growth in transverse magnetic field-applied Czochralski method2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et al
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Analysis of local segregation of impurities at a silicon melt-crystal interface during crystal growth in transverse magnetic field-applied Czochralski method2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Lijun Liu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2313-2316
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Study on thermal stress in a silicon ingot during a unidirectional solidification process2008
- 著者名/発表者名
  X.J. Chen, S. Nakano, L.J. Liu, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4330-4335
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Optimization of the design of a crucible for a SiC sublimation growth system using a global model2008
- 著者名/発表者名
  X.J. Chen, L.J. Liu, H. Tezuka, Y. Usuki, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1810-1814
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical Analyses of Czochralski Furnace for Single Crystal Growth2007
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO, Takao TSUKADA, Nobuyuki IMAISHI
- 雑誌名
  
  Journal of the Heat Society of Japan 46196
  
  ページ: 49-57
- NAID
  10019859850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Partly three-dimensional calculation of silicon Czochralski growth with a transverse magnetic field2007
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et. al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 303
  
  ページ: 135-140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical investigation of crystal growth process of bulk Si and nitrides-areview2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto, et. al.
- 雑誌名
  
  Cryst.Res.Technol 42, No.12
  
  ページ: 1185-1189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical investigation of induction heating and heat transfer in a SiC growth system2007
- 著者名/発表者名
  X.J. Chen, L.J. Liu, H Tezuka, Y. Usuki, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Cryst. Res. Technol. 42,10
  
  ページ: 971-975
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical Analyses of Czochralski Furnace for Single Crystal Growth2007
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, et. al.
- 雑誌名
  
  Journal of the Heat Society of Japan 46, No.196
  
  ページ: 49-57
- NAID
  10019859850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical investigation of crystal growth process of bulk Si and nitrides-a review2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto, L. Liu, H. Miyazawa, S. Nakano, D. Kashiwagi, X.J. Chen, Y. Kangawa
- 雑誌名
  
  Cryst. Res. Technol. 42,12
  
  ページ: 1185-1189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Heat and oxygen transfer in silicon melt in an electromagnetic Czochralski system with transverse magnetic fields2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Takashige Shinozaki, Yoshio Hashimoto
- 雑誌名
  
  International Journal of Materials and Product Technology 22・1/2/3
  
  ページ: 84-94
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Silicon crystal growth from the melt : Analysis from atomic and macro scales2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Lijun Liu, Tomonori Kitashima, et al.
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology 40,No.4-5
  
  ページ: 307-312
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Numerical study of the effect of cusp-shaped magnetic fields and thermal conductivity on the melt-crystal interface in CZ crystal growth2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Lijun Liu
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology 38,No.7-8
  
  ページ: 716-725
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Silicon crystal growth from the melt : Analysis from atomic and macro scales2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Lijun Liu, Tomonori Kitashima, et al.
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology 40, No.4-5
  
  ページ: 307-312
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Fundamentals for chemical experiment2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Jikken Kagaku Koza 5
  
  ページ: 259-270
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Heat and oxygen transfer in silicon melt in an electromagnetic Czochralski system with transverse magnetic fields2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Takashige Shinozaki, Yoshio Hashimoto
- 雑誌名
  
  Int.J.of Materials and Product Technology 22・1/2/3
  
  ページ: 84-94
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Numerical study of the effects of cusp-shaped magnetic fields and thermal conductivity on the melt-crystal interface in CZ crystal growth2005
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Lijun Liu
- 雑誌名
  
  Crystal Research and Technology 38, No.7-8
  
  ページ: 716-725
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Numerical analysis of continuous charge of lithium niobate in a double-crucible Czochralski system using the accelerated crucible rotation technique2004
- 著者名/発表者名
  Tomonori Kitashima, Lijun Liu, Kenji Kitamura, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 266
  
  ページ: 109-116
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Effects of shape of an inner crucible on convection of lithium niobate melt in a double-crucible Czochralski process using the accelerated crucible rotation technique2004
- 著者名/発表者名
  Tomonori Kitashima, Lijun Liu, Kenji Kitamura, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 267・3-4
  
  ページ: 574-582
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Effects of shape of an inner crucible on convection of lithium niobate melt in a double-crucible Czochralski process using the accelerated crucible rotation2004
- 著者名/発表者名
  Tomonori Kitashima, Lijun Liu, Kenji Kitamura, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 267・3-4
  
  ページ: 574-582
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Computational study of formation mechanism of impurity distribution in a silicon crystal during solidification2004
- 著者名/発表者名
  Lijun Liu, Koichi Kakimoto, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 265
  
  ページ: 399-409
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[雑誌論文] Numerical Analysis of Impurity Transport in a Unidirectional Solidification Furnace for Multicrystalline Silicon
- 著者名/発表者名
  Bing Gao, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[産業財産権] ハイブリッドEBセル2003
- 発明者名
  柿本浩一, 高橋弘
- 権利者名
  エイコーエンジニアリング
- 産業財産権番号
  平15-265437
- 出願年月日
  2003-11-15
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350010
[学会発表] ルツボレスで作製したβ-Ga2O3結晶の成長方位依存性2023
- 著者名/発表者名
  高橋勲、Vladimir Kochurikhin、富田健稔、菅原孝昌、庄子育宏、鎌田圭、柿本浩一、吉川彰
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] 結晶成長における数値計算と実験との融合2023
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  第52回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] 3D analysis of dislocation density in a Ga2O3 crystal grown by a vertical Bridgman method2023
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Isao Takahashi, Taketoshi Tomida, Yongzhao Yao, Yusuke Kida, Kei Kamada, Satoshi Nakano, Yukari Ishikawa, Akira Yoshikawa
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth and Epitaxy-ICCGE-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] ミストCVD法におけるGa2O3薄膜成長速度のGa原料種依存性2023
- 著者名/発表者名
  赤岩和明、市野邦男、高橋勲、柿本浩一、吉川彰
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] 垂直ブリッジマン成長時における高指数面成長Ga2O3の転位密度解析2023
- 著者名/発表者名
  柿本浩一、高橋勲、富田健稔、鎌田圭、Vladimir V. Kochurikhin、中野智、姚永昭、石川由香里、吉川彰
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] OCCC法によるβ-Ga2O3単結晶の育成と成長条件の検討2022
- 著者名/発表者名
  高橋勲, Vladimir Kochurikhin, 富田健稔, 姚永昭, 佐藤功二, 石川由加里, 菅原孝昌, 庄子育宏, 鎌田圭, 柿本浩一, 吉川彰
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] Evaluation of b-Ga2O3 crystalline quality grown by crucible-free technique2022
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, V. Kochurikhin, T. Tomida, T. Sugawara, Y. Yao, K. Sato, Y. Ishikawa, K. Kamada, K. Kakimoto and A. Yoshikawa
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] The crystalline quality of b-Ga2O3 single crystals grown by the specially-developed crucible free growth technique2022
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, V. Kochurikhin, T. Tomida, Y. Shoji, G. Liudmila, T. Sugawara, Y. Yao, K. Sato, Y. Ishikawa, K. Kamada, K. Kakimoto and A. Yoshikawa
- 学会等名
  The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] スカルメルト法を応用した新規ルツボフリー結晶育成法における酸化物単結晶育成の形状制御手法2022
- 著者名/発表者名
  富田健稔，高橋勲，V. Kochurikhin，庄子育宏，鎌田圭，柿本浩一，吉川彰
- 学会等名
  第51回結晶成長国内会議
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] 垂直ブリッジマン成長時におけるβ型酸化ガリウムの転位密度解析2022
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，高橋勲，富田健稔，鎌田圭，姚永昭, 石川由加里, 中野智, 吉川彰
- 学会等名
  第51回結晶成長国内会議
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] A new growth technique for b-Ga2O3 single crystals without a precious metal crucible2022
- 著者名/発表者名
  I. Takahashi, V. Kochurikhin, T. Tomida, T. Sugawara, Y. Shoji, K. Kamada, K. Kakimoto and A. Yoshikawa
- 学会等名
  The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00204
[学会発表] 結晶成長における実験とシミュレーションのシナジー効果：欠陥をどこまで予測可能か2019
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  第66回応用物理学会　春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Collaboration of Numerical and Experimental studies on Crystal Growth Processes2019
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  International Symposium on Modeling of Crystal Growth Processes and Devices（MCGPD-2019）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Effect of oxygen on dislocation density in si single crystal for solar cells during solidification and cooling process2018
- 著者名/発表者名
  Tomoro Ide, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Masato Imai, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Numerical investigation and experimental validation of crystal growth of semiconductors2018
- 著者名/発表者名
  Koich Kakimoto
- 学会等名
  International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] AlN結晶成長の昇華法におけるシード面近傍の物質流束解析2017
- 著者名/発表者名
  間地雄大、中野智、柿本浩一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] INFLUENCE OF CARRIER CONCENTRATION ON BULK LIFETIME IN CZ-SI CRYSTAL2017
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Numerical analysis of dislocation density in Si single crystal with oxygen diffusion2017
- 著者名/発表者名
  Wataru Fukushima, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Mass-flux Analysis of AlN Crystal Growth at a Seed Face in PVT Method2017
- 著者名/発表者名
  Yudai Maji, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Crystal Growth of Power Devices2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  CGCT-7
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Crystal growth for power devices and PVs2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  ISCGSCT2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Effect of Oxygen on Dislocation Multiplication during Growth of Crystalline Silicon for Solar Cell2017
- 著者名/発表者名
  Tomoro Ide, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Multi-scale Modelling of Crystal Growth: from Silicon to Wide bandgap materials2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  THE 9th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2017 & THE 2nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DIELECTRIC MATERIALS AND APPLICATIONS, ISyDMA 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] ANALYSIS OF RE-MELTING PROCESS OF SILICON GROWN BY TRANSVERSE MAGNETIC FIELD APPLIED CZ METHOD2017
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] AlN結晶成長の昇華法における物質流束解析2017
- 著者名/発表者名
  間地雄大，中野智，柿本浩一
- 学会等名
  第46回結晶成国内会議（JCCG-46）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal2016
- 著者名/発表者名
  W. Fukushima, B. Gao, S. Nakano, H. Harada, Y. Miyamura, and K. Kakimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya Congress Center
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling proces2016
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya Congress Center
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Relationship between the Dislocation Density and Residual Stress in a GaN Crystal during the Cooling Process2016
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Sheraton Kona Resort & Spa at Keauhou Bay, Hawaii, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] GaN 単結晶における基板と冷却速度の転位密度に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  中野智、高冰、柿本浩一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス、東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Crystal growth of AlN: from atomic scale to macro scale2016
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Satoshi Nakano, Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  E-MRS 2016 Fall Meeting
- 発表場所
  Central Campus of Warsaw University of Technology（Warsaw、Poland）
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] EFFECT OF COOLING RATE ON GROWN-IN DISLOCATION MULTIPLICATION ON PRISMATIC SLIP PLANES FOR GAN SINGLE CRYSTAL2015
- 著者名/発表者名
  Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  ACCGE-20/OMVPE-17
- 発表場所
  Big Sky, Montana, USA
- 年月日
  2015-08-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Numerical Analysis of the Effect of Substrate and Cooling Rate on Grown-in Dislocation Multiplication for GaN Single Crystal2015
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] ATOMIC AND MACRO SCALE CALCULATIONS ON CRYSTAL GROWTH OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS2015
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Shin-ichi NIshizawa, Bing Gao, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  ACCGE-20/OMVPE-17
- 発表場所
  Big Sky, Montana, USA
- 年月日
  2015-08-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] 物理的気相輸送法を用いた4H-SiC 単結晶成長における基底面転位の3 次元2014
- 著者名/発表者名
  高　　冰，中野　智，柿本浩一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT 成長法を用いた4H-SiC 単結晶における基底面転位の低減に対するヒーター電力制御の最適化2014
- 著者名/発表者名
  高　　冰，中野　智，柿本浩一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT を用いたSiC 結晶成長における不純物混入解析2014
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，Bing Gao，中野　智，寒川義裕，西澤伸一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] コンピュータシミュレーションによる多結晶シリコンの凝固過程と鉄不純物分布2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  専門研究会(第一グループ)「シリコン太陽電池の金属不純物評価とゲッタリング技術」
- 発表場所
  つま恋(招待講演)
- 年月日
  2013-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiCバルク結晶成長の現状と将来2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一、Gao Bing 、白桃拓哉、寨川義裕、西澤伸一
- 学会等名
  パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料にする研究会(第3回) 2013年千葉工業大学
- 発表場所
  千葉工業大学(招待講演)
- 年月日
  2013-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT成長法におけるAlexander-Haasenモデルを用いた4H-SiC単結晶の転位密度塑性挙動モデル2013
- 著者名/発表者名
  高冰，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Dislocation density-based modeling of plastic deformation of 4H-SiC single crystals by the Alexander-Haasen model during PVT growth2013
- 著者名/発表者名
  B. Gao, S. Nishizawa, K. Kakimoto
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学、京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] コンピュータシミュレーションによる多結晶シリコンの凝固過程と格子欠陥分布2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  第2回微量元素分析・マッピング技術研究会
- 発表場所
  静岡理工科大学(招待講演)
- 年月日
  2013-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Study of the effect of doped nitrogen and aluminum on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2013
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Takuya Shiramomo, Bing Gao, Frederic Mercier, Shin-ichi Nishizawa, Satoshi Nakano
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 昇華法成長SiC結晶中への不純物混入解析2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，高冰，白桃拓哉，西澤伸一，中野智，寒川義裕
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiC結晶成長の分子動力学シミュレーション2012
- 著者名/発表者名
  速水義之, 河村貴宏, 鈴木泰之, 寒川義裕, 柿本浩一
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議NCCG-42
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Numerical and experimental investigation of directional solidification of silicon with a seed2012
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  CSSC6
- 発表場所
  Aix-les-Bains, France(招待講演)
- 年月日
  2012-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVTを用いたSiCバルク結晶成長における転位および多結晶分布の非定常数値解析2012
- 著者名/発表者名
  高冰, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議NCCG-42
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] シリコン結晶系太陽電池の結晶成長と変換効率2012
- 著者名/発表者名
  柿本浩一, Bing Gao,中野智, 寒川義裕, 原田博文
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学(招待講演)
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Numerical investigation of solidification process of multi-crystalline silicon grown by directional solidification method2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  3rd International Workshop on Science and Technology of Crystalline Si Solar Cells
- 発表場所
  Trondheim, Norway
- 年月日
  2009-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Numerical investigation of heat and mass transfer during a unidirectional solidification process in crystalline silicon for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  K.Kakimoto
- 学会等名
  216th ECS Meeting-Vienna
- 発表場所
  Austria
- 年月日
  2009-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Bulk crystal growth from the melt : experimental and numerical approaches2009
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO
- 学会等名
  ROMANIAN CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2009
- 発表場所
  BRASOV, ROMANIA
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Bulk crystal growth from the melt: experimental and numerical approaches2009
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO
- 学会等名
  ROMANIAN CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2009
- 発表場所
  BRASOV, ROMANIA
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Numerical investigation of heat and mass transfer during a unidirectional solidification process in crystalline silicon for solar cells2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  IWMCG-6
- 発表場所
  LAKE GENEVA, WISCONSIN, USA
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] 半導体結晶成長の数値解析と育成実験2009
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  日本セラミックス協会2009年第22回秋季シンポジウム
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2009-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Numerical analysis of mc-Si crystal growth2009
- 著者名/発表者名
  K.Kakimoto
- 学会等名
  GADEST 2009
- 発表場所
  Dolnsee-Schorfheidenorth of Berlin, Germany,
- 年月日
  2009-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Simulation of Si casting2008
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  IWCGT-4
- 発表場所
  Beatenberg above Interlaken, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Time Dependent and/or 3D Investigation of Carbon, Nitrogen, and Dislocation Distributions in a Silicon Crystal During Solidification Process2008
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  18th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes
- 発表場所
  Vail, Colorado
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Modeling of crystal growth for solar cell2008
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO
- 学会等名
  ICNPAA 2008 : Mathematical Problems in E ngineering, Aerospace and Sciences
- 発表場所
  Faculty of Engineering of th University of Genoa, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Modeling of crystal growth for solar cell2008
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO
- 学会等名
  ICNPAA 2008: Mathematical Problems in Engineering, Aerospace and Sciences
- 発表場所
  aculty of Engineering of the University of Genoa, Italy
- 年月日
  2008-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Global Modeling of a Directional Solidification Process for Multi-Crystalline Silicon2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  FIERA MILANO / Rho in Milan, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Global Modeling of a Directional Solidification Process for Multi-Crystalline Silicon2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto, L. Liu, S. Nakano
- 学会等名
  2nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  FIERA MILANO/Rho in Milan, Italy
- 年月日
  2007-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Crystal growth of atomic scale and macro scale calculations
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  DKT-2015
- 発表場所
  Goethe- Universiat, Frnakfurt am Main, GERMANY
- 年月日
  2015-03-04 – 2015-03-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 単結晶SiCのナノインデンテーションに関する研究
- 著者名/発表者名
  松本光弘、原田博文、柿本浩一、閻紀旺
- 学会等名
  2015年精密工学会春季大会学術講演会
- 発表場所
  東洋大学　白山キャンパス
- 年月日
  2015-03-17 – 2015-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Crystal Growth of Energy Production and Energy Savin
- 著者名/発表者名
  Koichi KAKIMOTO
- 学会等名
  IUMRS-ICA 2014
- 発表場所
  Fukuoka University, Fukuoka
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 分子動力学法による4H-SiC のらせん転位解析
- 著者名/発表者名
  水谷充利，河村貴宏，鈴木泰之，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 数値解析による結晶成長の定量予測：マクロと原子スケールの融合
- 著者名/発表者名
  柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Crystal growth of SiC for power devices
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto
- 学会等名
  CGCT-6
- 発表場所
  Ramada Plaza, Jeju, KOREA
- 年月日
  2014-06-11 – 2014-06-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiC crystal growth of electrical and optical devices
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto
- 学会等名
  39th International Conference and Exposition on Advanced Ceramics and Composites
- 発表場所
  Daytona Beach Florida, USA
- 年月日
  2015-01-25 – 2015-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高冰，中野智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiC 表面分解法におけるステップ端からのグラフェン成長シミュレーション
- 著者名/発表者名
  雨川将大，吉村善徳，河村貴宏，鈴木泰之，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] SiC表面分解法によるステップ端近傍のグラフェン成長シミュレーション
- 著者名/発表者名
  土井優太，井口綾佑，河村貴宏，鈴木泰之，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 分子動力学法によるらせん転位を含む4H-SiCの歪エネルギー解析
- 著者名/発表者名
  水谷充利，河村貴宏，鈴木泰之，寒川義裕，柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC 昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高　　冰，中野　智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Three-dimensional modeling of basal plane dislocations in 4H-SiC
- 著者名/発表者名
  Bing Gao, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  E-MRS 2014 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center,Lille, France
- 年月日
  2014-05-27 – 2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012

1. 中野智 (80423557)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 45件
2. 西澤伸一 (40267414)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 14件
3. 尾添紘之 (10033242)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 劉立軍 (00380535)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件
5. 田川俊夫 (90294983)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 黄新明 (80375104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 岩本光生 (80232718)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 平野博之 (60264115)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 鎌倉勝善 (40042832)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 干川圭吾 (10231573)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 石井秀夫 (50038551)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 黒木幸令 (40234596)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 日高昌則 (50037298)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 佐道泰造 (20274491)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 鶴島稔夫 (10236953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 橋本良夫 (80180842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
19. 吉川彰 (50292264)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
20. 赤岩和明 (90778010)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
21. 高橋浩之

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
22. 鎌田圭

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件
23. 閻紀旺

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

柿本 浩一 Kakimoto Koichi

研究課題

研究成果

共同研究者

融液成長の限界を超越する新規ルツボフリー成長法によるGa2O3の成長と欠陥評価

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

速度論的表面エネルギーを考慮したSiC多形制御結晶成長プロセス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電場・磁場を同時に用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

鉄鋼連鋳プロセスに対する異形磁場印加効果

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

九州シンクロトロン放射光のエレクトロニクス応用研究に関する調査研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子デバイス用バルク単結晶中の欠陥形成過程の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

回転磁場下における結晶成長の検討

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Studies on flow Instabilities in Bulk Crystal Growth2008

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Crystal Growth Technology2008

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

柿本浩一 Kakimoto Koichi