関口隆史 SEKIGUCHI Takashi

研究者番号	00179334
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度: 物資・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー 2011年度: 物質・材料研究機構, グループリーダー 2009年度 – 2011年度: 物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー 2000年度: 東北大, 金属材料研究所, 助手 1999年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 … もっと見る 1997年度 – 1998年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手 1992年度 – 1993年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手 1986年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性 / 無機材料・物性研究代表者以外応用物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 GaAs / InGaAs / ZnO / Cathodoluminescence / Si / InGaAsP / カソードルミネッセンス / bonded Si / Quantum wire / Quantum dots … もっと見る / nanostructure / Semiconductor / 量子ドット / Diamond / 量子構造 / 半導体 / SiGe / Hetero Structure / Strain / Band Gap / Alloy Semiconductors / 準安定状態 / ヘテロ構造 / 格子歪 / バンドギャップ / 混晶半導体 / 欠陥 / 結晶成長 / 重水 / FTIR / カソートルミネッセンス … もっと見る研究代表者以外原子状水素 / 磁化分布 / 磁壁 / 磁区観察 / ローレンツ電子顕微鏡法 / 透過型走査電子顕微鏡 / 位相差電子顕微鏡法 / AlGaN / カソードルミネッセンス / フォトルミネッセンス / 発光 / 水蒸気プラズマ処理 / 水素プラズマ処理 / InGaN / 環境保全 / 水素 / 発光増大 / プラズマ処理 / 青色発光 / GaN系半導体 / 白色発光ダイオード / 照明 / 格子不整合 / MBE / 量子効率 / ホール測定 / 赤外受光素子 / 種結晶 / 鉄シリサイド / MOCVD / マイクロチャネルエピタキシー / 半導体シリサイド / 新機能材料隠す

マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜
- 研究代表者
  
  末益崇
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  筑波大学
水蒸気プラズマ処理によるGaN系半導体の発光増大機構の解明と発光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  上浦洋一
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  岡山大学
同位元素添加単結晶を用いた電子スピン共鳴法と発光測定による酸化亜鉛の欠陥分析研究代表者
- 研究代表者
  
  関口隆史
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  東北大学
弱励起カソードルミネッセンスによる材料のナノ電子構造評価研究代表者
- 研究代表者
  
  関口隆史
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学
カソードルミネッセンスによる混晶半導体薄膜のハンドギャップの揺らぎの評価研究代表者
- 研究代表者
  
  関口隆史
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学
位相差電子顕微鏡による磁区観察法の開発
- 研究代表者
  
  渡辺伝次郎
- 研究期間 (年度)
  1985 – 1986
- 研究種目
  
  試験研究
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  東北大学

すべて 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Minority-carrier diffusion length, minority-carrier lifetime and photoresponsivity in β-FeSi2 layers grown by molecular-beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  K.Akutsu, H.Kawakami, M.Suzuno, T.Yaguchi, K.Jiptner, J.Chen, T.Sekiguchi, T.Ootsuka, T.Suemasu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 109 号: 12 ページ: 1-6
- DOI
  10.1063/1.3596565
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-09J03500, KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2011
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, Y. Fuxing, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Physics Procedia
  
  巻: 11 ページ: 23-26
- DOI
  10.1016/j.phpro.2011.01.029
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[雑誌論文] Effect of introducing β-FeSi_2 template layers on the defect density and minority carrier diffusion length in Si nearby p-β-FeSi_2/n-Si heterointerface2011
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, K. Jiptner, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 4R ページ: 1-4
- DOI
  10.1143/jjap.50.041303
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Si基板上にエピ成長したβ-FeSi_2薄膜のSEM/EBSD/EBIC評価2011
- 著者名/発表者名
  カロリンイプトナー, 川上英輝, 陳君, 末益崇, 関口隆
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Characterization of epitaxial β-FeSi_2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging2011
- 著者名/発表者名
  K. Jiptner, H. Kawakami, J. Chen, T. Suemasu and T. Sekiguchi
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- 年月日
  2011-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] MBE法によるSi基板へのβ-FeSi_2膜の成長とEBICによる拡散長評価2010
- 著者名/発表者名
  川上英輝, 鈴野光史, 阿久津恵一, 陳君, 殷福星, 関口隆史, 末益崇
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] MBE法で形成したβ-FeSi_2膜のEBICによる拡散長評価2010
- 著者名/発表者名
  川上英輝, 鈴野光史, 阿久津恵一, 陳君, Karolin Jiptner, 関口隆史, 末益崇
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2010
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, J. Chen, Y. Fuxing, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 学会等名
  APAC Silicide
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002
[学会発表] Enhancement of photoresponsivity, minority-carrier diffusion length and lifetime in β-FeSi_2 films grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
- 著者名/発表者名
  H. Kawakami, M. Suzuno, K. Akutsu, T. Yaguchi, J. Chen, K. Jiptner, T. Sekiguchi, and T. Suemasu
- 学会等名
  Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
- 発表場所
  Vladivostok, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360002

1. 末益崇 (40282339)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
2. 秋山賢輔 (70426360)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 上浦洋一 (30033244)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 山下善文 (80251354)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 石山武 (40314653)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 末澤正志 (00005919)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 渡辺伝次郎 (50004239)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 北沢告一

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 富澤淳一郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 井上雅夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

関口 隆史 SEKIGUCHI Takashi

研究課題

研究成果

共同研究者

マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水蒸気プラズマ処理によるGaN系半導体の発光増大機構の解明と発光デバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

同位元素添加単結晶を用いた電子スピン共鳴法と発光測定による酸化亜鉛の欠陥分析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

弱励起カソードルミネッセンスによる材料のナノ電子構造評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

カソードルミネッセンスによる混晶半導体薄膜のハンドギャップの揺らぎの評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

位相差電子顕微鏡による磁区観察法の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Minority-carrier diffusion length, minority-carrier lifetime and photoresponsivity in β-FeSi2 layers grown by molecular-beam epitaxy2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of introducing β-FeSi_2 template layers on the defect density and minority carrier diffusion length in Si nearby p-β-FeSi_2/n-Si heterointerface2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Si基板上にエピ成長したβ-FeSi_2薄膜のSEM/EBSD/EBIC評価2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Characterization of epitaxial β-FeSi_2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging2011

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] MBE法によるSi基板へのβ-FeSi_2膜の成長とEBICによる拡散長評価2010

著者名/発表者名

学会等名

年月日

データソース

[学会発表] MBE法で形成したβ-FeSi_2膜のEBICによる拡散長評価2010

著者名/発表者名

学会等名

年月日

データソース

[学会発表] Molecular beam epitaxy of β-FeSi_2 films on Si (111) substrates and its influence on minority-carrier diffusion length of Si measured by EBIC2010

著者名/発表者名

学会等名

関口隆史 SEKIGUCHI Takashi