伊藤利道 Ito Toshimichi

… 別表記

伊藤利通 ITO Toshimichi

研究者番号	00183004
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2014年度 – 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2011年度 – 2012年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 … もっと見る 2009年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2007年度 – 2008年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 2001年度 – 2004年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 1991年度 – 1996年度: 大阪大学, 工学部, 助教授 1990年度: 大阪大学, 工学部, 講師 1988年度 – 1989年度: 大阪大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 結晶工学 / 薄膜・表面界面物性 / 表面界面物性 / 応用物性研究代表者以外応用物性 / 電子・電気材料工学 / 原子力学 / 応用物性・結晶工学 / 化学工学
キーワード	研究代表者マイクロ波プラズマCVD / CVDダイヤモンド / フォトルミネセンス / 可視発光 / 多孔質シリコン / CVD / ダイヤモンド薄膜 / Visible Luminescence / Porous Silicon / マイクロ波プラズマ … もっと見る / マイクロ波プラズマＣＶＤ / p型ダイヤモンド / n型ダイヤモンド / 軟X線検出器 / 紫外線検出器 / インジウムメッキ / 成膜装置 / ＣＶＤ成膜装置 / ｐ型半導体 / CVD成膜装置 / p型半導体 / CVD製膜装置 / 不純物ドーピング / ワイドギャップ半導体 / self-assembly / microwave plasma / hydrogen / buried structure / platinum particles / diamond thin film / platinum thin film / スケルトン構造 / 構造変化 / CVDダイヤモンド薄膜 / 水素 / ナノ構造 / 自己組織化 / 水素吸蔵 / 埋込み構造 / 白金微粒子 / 白金薄膜 / Indium Plating / Time-Resolved Spectrum / Photoluminescence / 時間分解スペクトル / Schottky Junction / Electron Emitter / Electron Affinity / Diamond Thin Film / ショットキー接合 / 電子エミッタ / 電子親和力 / Plasma Oxidation / Anodic Oxidation / Quantum Size Effect / Electroluminescence / Phtoluminescence / Microcrystallne Silicon / エレクトロルミネッセンス / 熱酸化 / プラズマ酸化 / 陽極酸化 / 量子サイズ効果 / エレクトロルミネセンス / 微結晶シリコン / 多結晶ダイヤモンド / キャビテーション / 超音波 / 負性電子親和力 / 液中プロセス / ダイヤモンドパワーデバイス / ダイヤモンド検出器 / 不純物伝導 / 自立膜 / 放射線検出器 / 微斜面基板 / 燐ドープダイヤモンド / ホウ素ドープダイヤモンド / 不純物バンド伝導 / パワーデバイス / 粒子検出器 / 燐ドープ / ホウ素ドープ / 微斜面(001)基板 / 応答速度 / 増幅機能 / ナノサイズ … もっと見る研究代表者以外 GaAs / Diamond / 半導体材料 / ダイヤモンド / 反射高速電子回折 / 光電子分光 / 光電子分光法 / ECR plasma CVD / Electro-luminescence / Growth sectors / Schottky diode / Free exciton, bound Exciton / B- or N-doping / Cathodoluminescence / CVD diamond / EL / ショットキー・ダイオード / 単結晶粒子アレ- / LED / エレクトロルミネセンス / ショットキ-・ダイオ-ド / 青色発光デバイス / 硼素、窒素 / ド-ピング / エレクトロルミネッセンス / 発光センタ- / カソ-ドルミネッセンス / 気相合成ダイヤモンド / Characterization of crystal / Energy spectroscopy / Layered structure / Chemical vapor deposition / Radiation detector / 結晶評価 / エネルギースペクトル / 積層構造 / 化学気相合成法 / 放射線検出器 / electrode / silicon substrate / nanocrystal seeding / bias enhanced nucleation / electron emitter device / semiconductor material / heteroepitaxial growth / diamond thin film / 電極形成 / シリコン基板 / 超微粒子種付け / バイアス核発生 / 電子放出素子 / ヘテロエピタキシャル成長 / ダイヤモンド薄膜 / UV Ozone treatment / photoemission spectroscopy / reflection high-energy electron diffraction / layr grwoth / Be atoms / monolayr of column II / charge-balanced structure / Si interface / Ge基板 / 界面電荷中性化 / Zn / X線光電子分光法 / GaAs薄膜 / Si基板 / UVオゾン処理 / 層状成長 / Be / II族単原子層 / 電荷中性化構造 / Si界面 / IRLAS / Optical Emission / Pulse modulation / Plasma CVD / ECR discharge / Polycrystal / Semiconductor / 赤外レーザー吸収分光測定 / 発光分光測定 / パルス変調 / プラズマCVD / ECR放電 / 多結晶薄膜 / lacalized level / quantum effect / surface state / brillouin zone / disoredering / luminescence / superlattice / indirect gap semiconductor / グリルアン領域折り返し / 界面効果 / サイズ効果 / ブリルアン領域折り返し / 不規則超格子 / 人工局在準位 / 局在準位 / 量子効果 / 界面準位 / ブリルアン領域 / 不規則 / 発光 / 超格子 / 間接遷移型半導体 / Lattice distortion / Interface structure / Auger electron spectroscopy / Low-energy electron diffraction / Ge / Si / Semiconductor heterointerface / Low-energy electron transmission spectroscopy / オ-ジェ電子分光法 / 格子歪 / 界面の構造 / オージェ電子分光法 / 低速電子回折 / ゲルマニウム / シリコン / 半導体ヘテロ界面 / 低速電子透過分光法 / Defects / Initial Growth Stage / Reflection High Energy Electron Diffraction / High energy Ion Scattering / Photoelectron Spectroscopy / Molecular Beam Epitaxy / Porous Si / 欠陥の低減 / ガリウムヒ素 / 高イオン散乱法 / SOI構造 / 電子顕微鏡 / 多孔質Si / 欠陥 / 初期成長過程 / 反射高速電子線回折 / 高速イオン散乱法 / 分子線エピタキシャル成長 / ガリウム・ひ素 / 多孔質シリコン / 複合酸化物 / 微粉体 / 焼結 / 加水分解 / 懸濁液 / アルコキシド / 凍結乾燥 / 高温超伝導体 / 積層界面 / 界面反応 / マイクロエレクトロニクス / 金属-半導体界面隠す

高濃度不純物ドープ縮退ダイヤモンド層の巨大クラスター化とその高機能デバイス応用研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
高品質ダイヤモンドにおける負性電子親和力表面の液中再生プロセスの開発とその応用研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
高品質CVDダイヤモンドを用いた高機能電子デバイス開発の基礎研究研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
巨大増幅機能を有する高感度ダイヤモンド検出器の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
積層構造をもったCVD単結晶ダイヤモンド放射線検出器の開発
- 研究代表者
  
  金子純一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  北海道大学
微細スケルトン構造白金/CVDダイヤモンド積層薄膜への水素の注入とその拡散研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ナノサイズ半導体微粒子表面の金属によるパッシベーション効果研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
ダイヤモンドの核発生とヘテロエピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  国際学術研究
- 研究機関
  大阪大学
半導体ダイヤモンド薄膜の負性電子親和力と電子エミッタへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
構造安定化多孔質シリコンによる電流注入型高効率可視発光素子の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
間接遷移型半導体による発光の研究
- 研究代表者
  
  佐々木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  総合研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  京都大学
ダイヤモンド薄膜の常温合成技術の開発
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
Si上のGaAs成長におけるII族単原子層の界面導入の効果
- 研究代表者
  
  前橋兼三
- 研究期間 (年度)
  1993 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
金属-半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  大阪大学
金属アルコキシドの加水分解懸濁液の凍結乾燥法による高温超伝導体の調製
- 研究代表者
  
  立脇徳松
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  化学工学
- 研究機関
  同志社大学
多孔質シリコンの部分酸化による結晶シリコンの量子サイズ化とその発光研究代表者
- 研究代表者
  
  伊藤利道
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  大阪大学
低速電子透過分光法による半導体ヘテロ界面のその場観察
- 研究代表者
  
  長谷川繁彦
- 研究期間 (年度)
  1991 – 1992
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  大阪大学
多孔質Si上へのGaAs分子線エピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  中島尚男
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  大阪大学
気相合成ダイヤモンド薄膜による高効率青色発光デバイスの試作
- 研究代表者
  
  平木昭夫
- 研究期間 (年度)
  1988 – 1990
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  大阪大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method2017
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processsing
  
  巻: 印刷中
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[雑誌論文] Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other in unintentionally boron-doped diamond layer2017
- 著者名/発表者名
  Maida Osamu、Tabuchi Tomohiro、Ito Toshimichi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 480 ページ: 51-55
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.10.008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06262, KAKENHI-PROJECT-15H03557
[雑誌論文] Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation with keV electron beam2017
- 著者名/発表者名
  Maruoka Kenji、Naito Taiki、Maida Osamu、Ito Toshimichi
- 雑誌名
  
  MRS Advances
  
  巻: 2 号: 43 ページ: 2355-2360
- DOI
  10.1557/adv.2017.414
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06262, KAKENHI-PROJECT-15H03557
[雑誌論文] Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method2017
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 印刷中ページ: 203-206
- DOI
  10.1016/j.mssp.2016.12.001
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06262, KAKENHI-PROJECT-15H03557
[雑誌論文] Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses2012
- 著者名/発表者名
  H. Sato, A. Yamaguchi, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Radiation Meas
  
  巻: Vol.47 ページ: 266-271
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Sensitivity improvement of γ-ray detector fabricated with self-standing CVD diamond by attaching heavy element film2012
- 著者名/発表者名
  H. Sato, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Diam. Relat. Mater.
  
  巻: Vol.29 ページ: 2-7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance2011
- 著者名/発表者名
  O. Maida, H. Sato, M. Kanasugi, S. Iguchi, T. Ito
- 雑誌名
  
  Diam. Relat. Mater.
  
  巻: Vol.20 ページ: 242-245
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands2011
- 著者名/発表者名
  M. Aono, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Diam. Relat. Mater
  
  巻: Vol.20 ページ: 1357-1362
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Improvement in low-voltage performance of surface-electrode soft-X-ray detectors composed of undoped homo- epitaxial CVD/HPHT Ib diamond layers2010
- 著者名/発表者名
  M. Kanasugi, Y. Iwakaji, T. Yamamoto, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
- 雑誌名
  
  Nucl. Instr. Methods Phys. Research A
  
  巻: Vol.621 ページ: 650-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces fabricated using micro- wave-plasma chemical-vapor-deposition method2010
- 著者名/発表者名
  S. Iguchi, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.518
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Characterization of diamond ultraviolet detec-tors fabricated with high-quality single- crystal- line chemical vapor deposition films2009
- 著者名/発表者名
  Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[雑誌論文] Fabrication and characterization of ultra-violet detectors using high-quality CVD diamond films2009
- 著者名/発表者名
  Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (発表予定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Characterization of the soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond thin films2008
- 著者名/発表者名
  Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh and T. Ito
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Characterization of substrate off-angle effects for high-quality homoepitaxial CVD diamond films2008
- 著者名/発表者名
  O. Maida, H. Miyatake, T. Teraji, T. Ito
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials Vol. 17
  
  ページ: 435-439
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakai, O. Maida and T. Ito
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber2008
- 著者名/発表者名
  T. Nakai, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol. 254
  
  ページ: 6281-6284
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Characterization of substrate off-angle effects for high-quality homoepitaxial CVD diamond films2008
- 著者名/発表者名
  O. Maida, H. Miyatake, T. Teraji and T. Ito
- 雑誌名
  
  Diamond and Related Materials 17(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Characterization of the soft-X-ray detectors fabricated with high-quality CVD diamond thin films2008
- 著者名/発表者名
  Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science Vol. 254
  
  ページ: 6277-6280
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Effects of vicinal angles from (001) surface on the boron-doping features of high-quality homoepitaxial diamond films grown by the high-power microwave plasma chemical-vapor-deposition method2007
- 著者名/発表者名
  K. Arima, H. Miyatake, T. Teraji, T. Ito
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.309
  
  ページ: 145-152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakai, K. Arima, O. Maida and T. Ito
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 309
  
  ページ: 134-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] High-quality diamond films grown at high deposition rates using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-type chamber2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakai, K. Arima, O. Maida, T. Ito
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol. 309
  
  ページ: 134-139
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[雑誌論文] Effects of vicinal angles from(001)surface on the boron-doping features of high-quality homoepitaxial diamond films grown by the high-power microwave plasma chemical-vapor-deposition method2007
- 著者名/発表者名
  K. Arima, H. Miyatake, T. Terajiand T. Ito
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 309
  
  ページ: 145-152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] ダイヤモンド(111)基板ホモエピタキシャル成長における基板オフ方位及びメタン濃度依存性2018
- 著者名/発表者名
  児玉大志、毎田修、伊藤利道
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年春季）、早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] 高温高圧合成ダイヤモンド基板上のホモエピタキシャルCVD成長段階で形成されるCVDダイヤモンド単結晶基板中の結晶欠陥の抑制2018
- 著者名/発表者名
  丸岡憲史、毎田修、伊藤利道
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年春季）、早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Characterization of the high-quality CVD diamond films for quantum information device2018
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Ito
- 学会等名
  Advanced Materials World Congress 2018, Singapore,
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] CVDダイヤモンド検出器のkeV電子に対する検出特性における信号電流増幅現象2017
- 著者名/発表者名
  福島慎市，清水彰人，毎田修，伊藤利道
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] SiOxハードマスクを用いた高アスペクト比ダイヤモンドエッチングプロセス2017
- 著者名/発表者名
  別府晟多，毎田修，伊藤利道
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation of keV electron beam2017
- 著者名/発表者名
  K. Maruoka, T. Naito, O. Maida, T. Ito
- 学会等名
  2017 MRS Spring Meeting, Arizona, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] ホウ素添加ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド薄膜の過渡光容量法を用いた結晶欠陥評価2017
- 著者名/発表者名
  児玉大志，毎田修，伊藤利道
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] 単結晶ダイヤモンドのレーザー切断(001)面におけるkeV電子線照射及び水素プラズマ照射効果2017
- 著者名/発表者名
  丸岡憲史，毎田修，伊藤利道
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Transient photocapacitance study of deep-level defects in boron-doped diamond films2016
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito
- 学会等名
  International Conference on Diamond and Carbon Materials
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] 単結晶ダイヤモンドのレーザー切断(001)面における電気伝導性及びCLスペクトルの表面処理依存性2016
- 著者名/発表者名
  丸岡憲史，内藤大樹，毎田修，伊藤利道
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟コンベンションセンター(新潟市)
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method2016
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito
- 学会等名
  7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces / International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 年月日
  2016-06-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other2016
- 著者名/発表者名
  O. Maida, T. Tabuchi and T. Ito
- 学会等名
  20th International Vacuum Congress
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2016-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03557
[学会発表] Micro- wave-plasma chemical-vapor-deposition homo- epitaxial processes suitable for heavily P-doped diamond films on vicinal (001) surfaces2012
- 著者名/発表者名
  S. Tada,H. Nishio, O. Maida, T. Ito
- 学会等名
  11th Asia Pacific Conf. on Plasma Sci. and Technol.
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2012-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Improvement on p-type performance of CVD diamond by isolating thin heavily-boron-doped layer as innumerable islands2011
- 著者名/発表者名
  O. Maida, M. Aono, T. Ito
- 学会等名
  15th Intl. Conf. on Thin Films
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Carrier transport property of heavily boron-doped degenerate diamond single-crystalline thin layers etched with hydrogen plasma2010
- 著者名/発表者名
  T. Kuki, O. Maida, T. Ito
- 学会等名
  2012 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Kyoto. Japan
- 年月日
  2010-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Reduced influ- ences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their UV detector performance2010
- 著者名/発表者名
  O. Maida, S. Iguchi, T. Ito
- 学会等名
  4th Intl. Conf. on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
- 発表場所
  Suzhou, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Investigation of diamond radiation detectors combined with heavy elements2010
- 著者名/発表者名
  H. Sato, A. Yamaguchi, M. Maida, T. Ito
- 学会等名
  21st European Conf. on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
- 発表場所
  Budapest, Hungary
- 年月日
  2010-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Fabrication of self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces and its application to the high-energy photon detectors2010
- 著者名/発表者名
  O. Maida, S. Iguchi, T. Igarashi, H. Sato, T. Ito
- 学会等名
  21st European Conf. on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
- 発表場所
  Budapest, Hungary
- 年月日
  2010-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] Growth and characterization of heavily phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with a conventional quartz-tube chamber2010
- 著者名/発表者名
  M. Maida, T. Hidaka, T. Ito
- 学会等名
  4th Intl. Conf. on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
- 発表場所
  Suzhou, China
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246011
[学会発表] 高出力マイクロ波プラズマCVD法によるホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の基板品質及びオフ角依存性2008
- 著者名/発表者名
  川嶋慎也、宮武秀宇、有馬和也、毎田修、寺地徳之、伊藤利道
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学,千葉
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 高品質CVDダイヤモンド積層構造におけるキャリア拡散制御2008
- 著者名/発表者名
  金杉将幸、岩鍛治陽子、山元貴、毎田修、伊藤利道
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学,千葉
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 高品質CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線・紫外線検出器の特性評価2008
- 著者名/発表者名
  岩鍛治陽子、金杉将幸、毎田修、竹田幸治、斉藤祐児、伊藤利道
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学,千葉
- 年月日
  2008-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 高品質CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線検出器の特性評価2007
- 著者名/発表者名
  岩鍛治陽子、金杉将幸、毎田修、竹田幸治、斉藤祐児、伊藤利道
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学,北海道
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 高品質CVDダイヤモンド軟X線検出器の開発とその特性評価2007
- 著者名/発表者名
  岩鍛治陽子、金杉将幸、毎田修、竹田幸治、斉藤祐児、伊藤利道
- 学会等名
  第48回真空に関する連合講演会
- 発表場所
  学習院大学,東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] Characterization of phosphorus-doped homoepitaxial (100 )diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with conventional quartz-tube chamber2007
- 著者名/発表者名
  T. Nakai, O. Maida and T. Ito
- 学会等名
  The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  首都大学東京、東京
- 年月日
  2007-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 石英管型低出力MWPCVD装置を用いた高電力密度化によるリンドープダイヤモンド薄膜の作製とその電気的特性の評価2007
- 著者名/発表者名
  中井孝洋、毎田修、伊藤利道
- 学会等名
  第48回真空に関する連合講演会
- 発表場所
  学習院大学,東京
- 年月日
  2007-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018
[学会発表] 石英管型簡易装置を用いた高電力密度MWPCVD法によるリンドープダイヤモンド薄膜合成2007
- 著者名/発表者名
  中井孝洋、毎田修、伊藤利道
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学,北海道
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360018

1. 平木昭夫 (50029013)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 八田章光 (50243184)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 毎田修 (40346177)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 47件
4. 前橋兼三 (40229323)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 長谷川繁彦 (50189528)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 川原田洋 (90161380)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 寺地徳之 (50332747)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 中島尚男 (20198071)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 佐々木昭夫 (10025900)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 越田信義 (50143631)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 舛本泰章 (60111580)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 柊元宏 (50013488)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 井上恒一 (50159977)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 河東田隆 (90013739)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 佐々木孝友 (50029237)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 金子純一 (90333624)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 澤村晃子 (30001316)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 寺倉清之 (40028212)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 安田幸夫 (60126951)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 大泊巌 (30063720)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 菊田惺志 (00010934)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 立脇徳松 (00066250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 山口修 (40097861)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 岡田繁信

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 李鍾武

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 西沢裕孝

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 羽場方紀

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 中島重夫

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 吉永博俊

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 羽馬方紀

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

伊藤 利道 Ito Toshimichi

伊藤 利通 ITO Toshimichi

研究課題

研究成果

共同研究者

高濃度不純物ドープ縮退ダイヤモンド層の巨大クラスター化とその高機能デバイス応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質ダイヤモンドにおける負性電子親和力表面の液中再生プロセスの開発とその応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質CVDダイヤモンドを用いた高機能電子デバイス開発の基礎研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

巨大増幅機能を有する高感度ダイヤモンド検出器の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微細スケルトン構造白金/CVDダイヤモンド積層薄膜への水素の注入とその拡散研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノサイズ半導体微粒子表面の金属によるパッシベーション効果研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

半導体ダイヤモンド薄膜の負性電子親和力と電子エミッタへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

構造安定化多孔質シリコンによる電流注入型高効率可視発光素子の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

伊藤利道 Ito Toshimichi

伊藤利通 ITO Toshimichi