徳光永輔 Tokumitsu Eisuke

… 別表記

徳光英輔トクミツエイスケ

研究者番号	10197882
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2023年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 2011年度 – 2015年度: 北陸先端科学技術大学院大学, グリーンデバイス研究センター, 教授 2009年度 – 2010年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 2004年度 – 2006年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 2002年度 – 2003年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 1993年度 – 2001年度: 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 1987年度: 東京工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野研究代表者以外小区分60040:計算機システム関連 / 電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者強誘電体 / 不揮発性メモリ / MOSFET / 高誘電率材料 / 強誘電体ゲートトランジスタ / ゾルゲル法 / gate insulator / La_2O_3 / HfO_2 / ゲート絶縁膜 … もっと見る / metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) / SrBi_2Ta_2O_9 / BaMgF_4 / GaAs / チタン酸ランタンビスマス / 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / チタン酸ランタンビスマス(BLT) / 電界効果型トランジスタ(FET) / チタンジルコン酸鉛(PZT) / 導電性酸化物 / 機能性デバイス / 強誘電体メモリ / 急峻スイッチトランジスタ / 負性容量 / 急峻スロープトランジスタ / 分極ダイナミクス / (Bi,La)_4Ti_3O_<12> / on-current / conductive oxide / field-effect transistor (FET) / ferroelectric material / チタンジルコン酸鉛 / オン電流 / 酸化物導電体 / 電界効果型トランジスタ / molecular beam deposition (MBD) / high-dielectric-constant (high-K) material / SrZrO_3 / ZrO_2 / ランタニア / ハフニア / 分子線蒸着法 / 有機金属化学気相堆積法 / plasma-assisted MOCVD / ferroelectric memory / 酸素プラズマ / プラズマ / 有機金属気相成長法(MOCVD) / ferroelectric-gate transistor / neural network / non-volatile memory / ferroelectrics / ニューラルネット / moleculat beam epitaxy (MBE) / two dimensional electron gas / high electron mobility transistor (HEMT) / ferroelectric thin film / 分子線エピタキシ-(MBE) / 2次元電子ガス / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / SiC / 単極性動作 / 半導体コンタクト / トランジスタ / シリコンカーバイド / グラフェン / 酸化物半導 / 可変キャパシタ / 可変容量キャパシタ / マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / ナノ材料 / ディスプレイ / インジウム・スズ酸化物 / 強誘電体ゲート / 透明トランジスタ / メモリ / 部分分極反転 / アナログメモリ / 多値メモリ / 強誘電体メモリ(FeRAM) / 導電率変調 / インジウムスズ酸化物(ITO) / 機能デバイス / ロジック回路 / (Bi,La)_4Ti_3O_<12>(BLT) / Sr_2(Ta, Nb)_2O_7 / (Bi, La)_4Ti_3O_<12>(BLT) / 誘導電体メモリ / エピタキシャル成長 / PZT / CeO_2 … もっと見る研究代表者以外 Si / SrBi_2Ta_2O_9 / YMnO_3 / SOI / GaAs-on-Si / MISFET / 強誘電体 / 弾性歪 / 超高圧 / メムキャパシタ / スパイキングニューラルネットワーク / アナログデバイス / 低消費電力 / コンパクト / 人工知能 / 局所的学習則 / アモルファス金属酸化物半導体 / 単一アナログデバイス / ニューロモーフィックシステム / Silicon / Memory / Ferroelectric / PbZr_<1-x>Ti_xO_3 / MFSFET / 強誘電体メモリ / シリコン / メモリ / strain-free / photoluminescence / annealing / elastic strain / thermal expansion coefficient / ultrahigh pressure / GaAs‐on‐Si / アニール / 熱膨張率 / Adaptive-Learning / Self-Learning / Ferroelectrics / Neural-Networks / ニューロ素子 / MOSFET / 自己学習機能 / 適応学習 / 自己学習 / ニューラルネット / 変調ドーピング / 物性制御 / MOMBE / MBE / 歪超格子 / II-VI族化合物半導体 / Contact resistance / Liquid material / Power device / Solution process / Silicon carbide / マイクロマイン / 半導体レーザー / マイクロマシン / ニューロトランジスタ / 光集積回路 / 光インターコネクト / 並列光情報処理 / 微小光学 / 光通信 / 半導体レーザ / GaAs / 熱不整 / ヘテロ構造隠す

強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
- 研究代表者
  
  木村睦
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
パワー半導体への適用を目指した液体プロセスによるSiC膜の研究
- 研究代表者
  
  井上聡
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
巨大電界効果を利用した可変面積電極の提案と可変容量キャパシタへの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
半導体コンタクトを用いたグラフェンチャネルトランジスタの電流制御研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
リソグラフィーレス液体ナノデバイス作製プロセスの基盤確立と不揮発性メモリ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
   東京工業大学
強誘電体ゲートを用いた大電流透明薄膜トランジスタの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
強誘電体を用いた不揮発性多値・アナログメモリの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2004
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
強誘電体を用いた巨大電荷制御トランジスタの提案と次世代集積回路への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
   東北大学
強誘電体・高誘電率材料・導電性酸化物を用いた新しい集積機能デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東北大学
強誘電体を用いた金属・導電体中の電荷制御とスイッチング素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
強誘電体・高誘電率材料を用いた機能性デバイスの試作とロジック回路への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(A)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
人工単結晶強誘電体ドットの形成とマイクロキャパシタへの適用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
次世代MOSFETゲート用高誘電率材料の系統的探索と物性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
   東京工業大学
強誘電体薄膜の低温MOCVD技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
単一トランジスタセル構造を持つ新しい強誘電体メモリの研究
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
不揮発性強誘電体ゲートトランジスタの記憶特性の解明とニューラルネットへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
強誘電体微細構造の形成と不揮発性微小メモリ効果の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超並列光エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  伊賀健一
- 研究期間 (年度)
  1995 – 2000
- 研究種目
  
  COE形成基礎研究費
- 研究機関
  東京工業大学
弗化物強誘電体のGaAs上への成長と2次元電子ガス制御への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  徳光永輔
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高圧下アニールにより形成したGaAs/Si構造中への長寿命レーザの試作
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京工業大学
超高圧下アニールと圧力・温度差比例降下法によるヘテロ構造の熱不整欠陥の抑制
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
電子デバイスにおける自己学習機能の創出とニューラルネットへの応用
- 研究代表者
  
  石原宏
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子機器工学
- 研究機関
  東京工業大学
歪超格子によるII-VI族化合物半導体の物性制御
- 研究代表者
  
  小長井誠
- 研究期間 (年度)
  1987
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学

[雑誌論文] Neuromorphic System Using Memcapacitors and Autonomous Local Learning2023
- 著者名/発表者名
  Kimura Mutsumi、Ishisaki Yuma、Miyabe Yuta、Yoshida Homare、Ogawa Isato、Yokoyama Tomoharu、Haga Ken-Ichi、Tokumitsu Eisuke、Nakashima Yasuhiko
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems
  
  巻: 34 号: 5 ページ: 2366-2373
- DOI
  10.1109/tnnls.2021.3106566
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[雑誌論文] Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment2022
- 著者名/発表者名
  Mohit、Wen Yuli、Hara Yuki、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Ohdaira Keisuke、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SH ページ: SH1004-SH1004
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac5a95
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  Miyasako Takaaki、Yoneda Shingo、Hosokura Tadasu、Kimura Masahiko、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 26 ページ: 262901-262901
- DOI
  10.1063/5.0089049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Electrical properties of ferroelectric Y-doped Hf-Zr-O thin films prepared by chemical solution deposition2022
- 著者名/発表者名
  Sasaki Keisuke、Mohit、Hashiguchi Sho、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SN ページ: SN1027-SN1027
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac7fda
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor With Ferroelectric ZrOx/HfZrO Gate Insulator by 2 Step Sequential Ar/O2 Treatment2022
- 著者名/発表者名
  Hasan Md Mehedi、Mohit、Islam Md Mobaidul、Bukke Ravindra Naik、Tokumitsu Eisuke、Chu Hye-Yong、Kim Sung Chul、Jang Jin
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 5 ページ: 725-728
- DOI
  10.1109/led.2022.3162325
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Fabrication of Ferroelectric Gate Thin‐Film Transistors with a Lanthanum‐Doped HZO Gate Insulator and Indium‐Tin‐Oxide Channel via a Solution Process2022
- 著者名/発表者名
  Mohit、Murakami Tatsuya、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters
  
  巻: 2022 号: 10 ページ: 2100581-2100581
- DOI
  10.1002/pssr.202100581
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Thermal stability of ferroelectricity in hafnium?zirconium dioxide films deposited by sputtering and chemical solution deposition for oxide-channel ferroelectric-gate transistor applications2021
- 著者名/発表者名
  Mohit、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 4 ページ: 041006-041006
- DOI
  10.35848/1882-0786/abebf4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Indium oxide and indium-tin-oxide channel ferroelectric gate thin film transistors with yttrium doped hafnium-zirconium dioxide gate insulator prepared by chemical solution process2021
- 著者名/発表者名
  Mohit、Miyasako Takaaki、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBM02-SBBM02
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd6da
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Impact of reduced pressure crystallization on ferroelectric properties in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering2021
- 著者名/発表者名
  Hara Yuki、Mohit、Murakami Tatsuya、Migita Shinji、Ota Hiroyuki、Morita Yukinori、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SF ページ: SFFB05-SFFB05
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac1250
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] High performance ferroelectric ZnO thin film transistor using AlOx/HfZrO/ZrOx gate insulator by spray pyrolysis2021
- 著者名/発表者名
  Hasan Md Mehedi、Mohit、Bae Jinbaek、Tokumitsu Eisuke、Chu Hye-Yong、Kim Sung Chul、Jang Jin
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 119 号: 9 ページ: 093502-093502
- DOI
  10.1063/5.0058127
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Impact of annealing environment on electrical properties of yttrium-doped hafnium zirconium dioxide thin films prepared by the solution process2020
- 著者名/発表者名
  Mohit、Murakami Tatsuya、Haga Ken-ichi、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SP ページ: SPPB03-SPPB03
- DOI
  10.35848/1347-4065/aba50b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Electrical properties of yttrium-doped hafnium-zirconium dioxide thin films prepared by solution process for ferroelectric gate insulator TFT application2020
- 著者名/発表者名
  Mohit、Haga Ken-ichi、Tokumitsu Eisuke
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMB02-SMMB02
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab86de
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[雑誌論文] Investigation of solution-processed bismuth-niobium-oxide films2014
- 著者名/発表者名
  Satoshi Inoue, Tomoki Ariga, Shin Matsumoto, Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Norimichi Chinone, Yasuo Cho and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 116 号: 15
- DOI
  10.1063/1.4898323
- NAID
  120005652019
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119, KAKENHI-PROJECT-24656027, KAKENHI-PROJECT-23226008
[雑誌論文] Observation of high dielectric constant of Bi-Nb-O<sub>x</sub> thin-film capacitors fabricated by chemical solution deposition process2014
- 著者名/発表者名
  Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express
  
  巻: 11 号: 16 ページ: 20140651-20140651
- DOI
  10.1587/elex.11.20140651
- NAID
  130004678212
- ISSN
  1349-2543
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Fabrication of 120-nm-channel-length ferroelectric-gate thin-film transistor by nanoimprint lithography2014
- 著者名/発表者名
  Koji Nagahara, Bui Nguyen Quoc Trinh, Eisuke Tokumitsu, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda,
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 2S ページ: 02BC14-02BC14
- DOI
  10.7567/jjap.53.02bc14
- NAID
  210000143362
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Relationship between Source/Drain-Contact Structures and Switching Characteristics in Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors2014
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Haga, Yuuki Nakada, Dan Ricinschi, and Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 9S ページ: 09PA07-09PA07
- DOI
  10.7567/jjap.53.09pa07
- NAID
  210000144476
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119, KAKENHI-PROJECT-24560007
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors with an Amorphous Oxide Semiconductor, a-In-Ga-Zn-O2014
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi　Haga and Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 53 号: 11 ページ: 111103-111103
- DOI
  10.7567/jjap.53.111103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Rheology printing for metal-oxide patterns and devices2014
- 著者名/発表者名
  Toshihiko Kaneda, Daisuke Hirose, Takaaki Miyasako, PhanTrong Tue, Yoshitaka Murakami, Shinji Kohara, Jinwang Li, Tadaoki Mitani, Eisuke Tokumitsu and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Chemistry C
  
  巻: 2 号: 1 ページ: 40-49
- DOI
  10.1039/c3tc31842g
- NAID
  120005477875
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Unipolar behavior in grapheme-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions2013
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Yuichi Harada, and Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 103 号: 22
- DOI
  10.1063/1.4833755
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Unipolar behavior in grapheme-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions2013
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Yuichi Harada, and Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol.103, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[雑誌論文] High-performance solution-processed ZrlnZnO thin-film transistors2013
- 著者名/発表者名
  Phan Trong Tue, Takaaki Miyasako, Jinwang Li, Huynh Thi Cam Tu, Satoshi Inoue, Eisuke Tokumitsu, and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: Vol.60, No.1 号: 1 ページ: 320-326
- DOI
  10.1109/ted.2012.2227483
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Evaluation of Channel Modulation in IN203/(Bi, La)4Ti3012 Ferrolectric-Gate Thin Film Transistors by Capacitance-Voltage Measurements2012
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu & Kazuya Kikuchi
- 雑誌名
  
  Ferroelectrics
  
  巻: 429:1,15-21 号: 1 ページ: 305-311
- DOI
  10.1080/00150193.2012.676933
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with N-Type Doped SiC Source/Drain Regions2012
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 679-682
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.679
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[雑誌論文] Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with N-Type Doped SiC Source/Drain Regions2012
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.717-720 ページ: 679-682
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[雑誌論文] Low-voltage Operation of Ferroelectric Gate Thin Film Transistors Using Indium Polymer Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2011
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, and Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] The flexible non-volatile memory devices using oxide semiconductors and ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2011
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Eisuke Tokumitsu, Sung-Min Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Joo-Won Yoon, and Hiroshi Ishiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.99, No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Ferroelectric-Gate Thin-Film Transitor Fabricated by Total Solution Deposition Process2011
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Bui Nguyen Quoc Trinh Masatoshi Onoue, Toshihiko Kaneda, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] The flexible non-volatile memory devices using oxide semiconductors and ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2011
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Eisuke Tokumitsu, Sung-Min Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Joo-Won Yoon, Hiroshi Ishiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.99 No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Ferroelectric-Gate Thin-Film Transitor Fabricated by Total Solution Deposition Process2011
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, B.N.Quoc Trinh, Masatoshi Onoue, Toshihiko Kaneda, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Low-voltage Operation of Ferroelectric Gate Thin Film Transistors Using Indium Polymer Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)2011
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol.4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Fabrication of IGZO and In_2O_3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Symp.Proc.(1250-G13-07)
  
  巻: 1250 ページ: 145-150
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Joo-Won Yoon, 藤崎芳久、石原宏、徳光永輔
- 雑誌名
  
  信学技報(IEICE Technical Report) SDM2010-16、OME2010-16(2010-04)
  
  巻: Vol.110 No.15 ページ: 71-75
- NAID
  110008001558
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Fabrication of IGZO andIn_2O_3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu and Tomohiro Oiwa
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc
  
  巻: Vol.1250, 1250-G13-07 ページ: 145-150
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Improvement of Sol-Gel DerivedPbZr_xTi_(1-x) O_3 Film Properties Using Thermal Press Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Toshihiko Kaneda, Joo-Nam Kim, Eisuke Tokumitsu and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: Vol.49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Alow-temperature crystallization path for device-quality ferroelectric films2010
- 著者名/発表者名
  Jinwan Li, Hiroyuki Kameda, Bui Nguyen Quoc Trinh, Takaaki Miyasako, Phan Tron Tue, Eisuke Tokumitsu, Tadaoki Mitani and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.97, No.10 ページ: 1029051-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Improvement of Sol-Gel Derived PbZr_xTi_<1-x>O_3 Film Properties Using Thermal Press Treatment2010
- 著者名/発表者名
  Toshihiko Kaneda, Joo-Nam Kim, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Totally solution-processed feerroelectric-gate thin-film transistor2010
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Bui Nguyen Quoc Trinh, Masatoshi Onoue, Toshihiko Kaneda, Phan Tron Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97 ページ: 1735091-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Joo-Won Yoon, 藤崎芳久、石原宏、徳光永輔
- 雑誌名
  
  信学技報(IEICE Technical Report)
  
  巻: Vol.110、No.15 ページ: 71-75
- NAID
  110008001558
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Totally solution-processed feerroelectric-gate thin-film transistor2010
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Bui Nguyen Quoc Trinh, Masatoshi Onoue, Toshihiko Kaneda, Phan Tron Tue, Eisuke Tokumitsu, and Tatsuya Shimoda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol.97, No.17 ページ: 1735091-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Yohei Kondo
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society 54-1
  
  ページ: 539-543
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors2009
- 著者名/発表者名
  Eisuke TOKUMITSU and Yohei KONDO
- 雑誌名
  
  Journal of the Korean Physical Society
  
  巻: Vol.54, No.1 ページ: 539-543
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Anomalously High Channel Mobility in SiC MOSFET with Al_2O_3/SiO_x/SiC Gate Structure2009
- 著者名/発表者名
  Shiro Hino, Tomohiro Hatayama, Jun Kato, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 683-686
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[雑誌論文] Data Retention and Readout Degradation Properties of Pt/Sr_<0.7>Sm<0.07>Bi_<2.2>Ta_2O_9/HfO_2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors2007
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Saiki, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Japan Journal of Applied Physics Vol.46, No.1
  
  ページ: 261-266
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Reduction of Off Current in ITO-Channel Thin Film Transistor with Ferroelectric(Bi,La)_4Ti_3O_<12> Gate Insurator2007
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Norifumi Fujimura, Takashi Sato, Etsu Shin, Masaru Senoo
- 雑誌名
  
  The Proceedings of the 3rd International TFT Conference(ITC'07) in conjunction with SIC-MID Europe Chapter Spring Meeting, Rome
  
  ページ: 238-241
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Improved Electrical Properties of ITO-Channel Thin Film Transistor Ferroelectric Gate Insulator2006
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu, T.Fujimura, E.Shin
- 雑誌名
  
  13th International Workshop on Oxide Electronics (WOE13)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] (Invited), ITO Channel Thin-Film Transistor with Ferroelectric Gate Insulator2006
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  ITC'06 International Thin-Film Transistor Conference, Kitakyuushu-City No.6.2
  
  ページ: 170-175
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures2006
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  2005 Fall meeting, Materials Research Society, Boston Vol.902E
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] (Invited), ITO Channel Thin-Film Transistor with Ferroelectric Gate Insulator2006
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu
- 雑誌名
  
  ITC'06 International Thin-Film Transistor Conference, Kitakyusyu-City No.62
  
  ページ: 170-175
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] ITO-channel thin film transistor with (Ba, Sr)TiO_3 gate insulator2006
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Etsu Shin, Masaru Senoo
- 雑誌名
  
  European Materials Research Society(E-MRS) IUMRS ICEM 2006 Spring Meeting, Nice (Paper R IX 04)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] (Invited), ITO Channel Thin-Film Transistor with Ferroelectric Gate Insulator2006
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu
- 雑誌名
  
  ITC'06 International Thin-Film Transistor Conference, Kitakyuushu-City No.6.2
  
  ページ: 170-175
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures2006
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Masaru Senoo, Etsu Shin
- 雑誌名
  
  2005 Fall meeting, Materials Research Society, Boston Vol.902E
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] ITO-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistor with Large On-Current2006
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  (ICSICT-2006) 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings(part 2 of 3), Shanghai
  
  ページ: 717-720
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Low Temperature Deposition of HfO_2 Gate Insulator on SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition2006
- 著者名/発表者名
  Shiro Hino, Tomohiro Hatayama, Naruhisa Miura, Tatsuo Ozeki, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum Vol.527-529
  
  ページ: 1079-1082
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Impact of low pressure consolidation annealing on electrical properties of sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O_3 films2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Journal of the European Ceramic Society Vol.25
  
  ページ: 2277-2280
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Journal of Microelectronic Engineering Vol.80
  
  ページ: 305-308
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Impact of low pressure consolidation annealing on electrical properties of sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O_3 films2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Taka-aki Miyasako, Masaru Senoo
- 雑誌名
  
  Journal of the European Ceramic Society 25
  
  ページ: 2277-2280
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel2005
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu, M.Senoo, T.Miyasako
- 雑誌名
  
  Journal of Microelectronic Engineering Vol.80
  
  ページ: 305-308
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel2005
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu, M.Senoo, T.Miyasako
- 雑誌名
  
  Journal of Microelectronic Engineering vol.80
  
  ページ: 305-308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Impact of low pressure consolidation annealing on electrical properties of sol-gel derived Pb(Zr, Ti)O_3 films2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Taka-aki Miyasako, Masaru Senoo
- 雑誌名
  
  Journal of the European Ceramic Society Vol.25
  
  ページ: 2277-2280
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Masaru Senoo, Etsu Shin
- 雑誌名
  
  2005 Fall meeting, Materials Research Society, Wisconsin Paper T10.54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Ferroelectric-gate thin-film transistors using indium-tin-oxide channel with large charge controllability2005
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masaru Senoo, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.86
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Masaru Senoo, Etsu Shin
- 雑誌名
  
  2005 Fall meeting, Materials Research Society, Wisconsin Paper T10.54
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Use of ferroelectric gate insulator for thin film transistors with ITO channel2005
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu, M.Senoo, T.Miyasako
- 雑誌名
  
  Journal of Microelectronic Engineering vol.80
  
  ページ: 305-308
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Impact of low pressure consolidation annealing on electrical properties of sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O_3 films2005
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Taka-aki Miyasako, Masaru Senoo
- 雑誌名
  
  Journal of the European Ceramic Society 25
  
  ページ: 2277-2280
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Ferroelectric-gate thin-film transistors using indium-tin-oxide channel with large charge controllability2005
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masaru Senoo, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters vol.86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Ferroelectric-gate thin-film transistors using indium-tin-oxide channel with large charge controllability2005
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masaru Sanoo, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters vol.86
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656105
[雑誌論文] Electrical Properties of Bi_<4-x>Pr_xTi_3O_<12>(BPT) Thin Films Prepared by Sol-Gel Method2005
- 著者名/発表者名
  Tomoharu Aoki, Takeo Tani, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  Transactions of the Materials Research Society of Japan Vol.30,No.1
  
  ページ: 249-251
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Electrical Properties of Sol-Gel Derived Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O_3 Films Fabricated Using Low-Pressure Consolidation Process2004
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masaru Senoo, Eisuke Tokumitsu
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics Vol.E87-C No.10
  
  ページ: 1694-1699
- NAID
  110003214778
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Ferroelectric Thin Films for Gate Insulator Applications of Field-Effect-Transistor(FET)2004
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu
- 雑誌名
  
  The 8th International Symposium on Ferroic Domains And Micro-to Nanoscopic Structures
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[雑誌論文] Ferroelectric Thin Films for Gate Insulator Applications of Field-Effect-Transistor (FET)2004
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu
- 雑誌名
  
  The 8th International Symposium on Ferroic Domains And Micro-to Nanoscopic Structrures Invited
  
  ページ: 57-58
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16656092
[産業財産権] 固体電子装置およびその作製方法2006
- 発明者名
  徳光永輔
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2006-074642
- 出願年月日
  2006-03-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[産業財産権] 固体電子装置2005
- 発明者名
  徳光永輔
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2005-039208
- 出願年月日
  2005-02-16
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[産業財産権] 固体電子装置2004
- 発明者名
  徳光永輔
- 権利者名
  東京工業大学
- 産業財産権番号
  2004-280381
- 出願年月日
  2004-09-27
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15360157
[学会発表] 酸化物半導体デバイスへの期待―強誘電体ゲートトランジスタを中心として－2023
- 著者名/発表者名
  徳光永輔
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] 原子状水素処理を用いたスパッタHf-Zr-O膜の強誘電特性改善2022
- 著者名/発表者名
  徳光永輔、モヒート、文昱力、原佑樹、右田真司、太田裕之、森田行則、大平圭介
- 学会等名
  第19回Cat-CVD研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Yドープ Hf-Zr-O 薄膜の化学溶液堆積における仮焼成の効果2022
- 著者名/発表者名
  佐々木啓介、モヒート、徳光永輔
- 学会等名
  第39回強誘電体会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] 溶液プロセスによる薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx積層構造の形成2022
- 著者名/発表者名
  齋藤　瑞、モヒート、東嶺　孝一、徳光　永輔
- 学会等名
  日本ゾルゲル学会第20回討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] 溶液プロセスによるIn-Sn-O（ITO）薄膜の形成と強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの応用2022
- 著者名/発表者名
  久保田剛郎、徳光永輔
- 学会等名
  第19回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Ferroelectric gate thin films transistors with Y-doped Hf-Zr-O gate insulator and In-Sn-O channel2022
- 著者名/発表者名
  E. Tokumitsu, Y. Kubota, Mohit, K. Sasaki
- 学会等名
  14th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applicatiopns (JCFMA-14),
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] ITO Channel Thin Film Transistor using Solution-Derived Ferroelectric Hf-Zr-O Gate Insulator2022
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  13th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] HfO2-based ferroelectric-gated variable-area capacitors2022
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Shingo Yoneda, Tadasu Hoisokura, Masahiko Kimura, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] 化学溶液堆積法によるHf-Zr-O膜へのドーピングと強誘電性評価2022
- 著者名/発表者名
  橋口　渉、徳光永輔
- 学会等名
  第19回薄膜材料デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Ferroelectric Thin Film for a Capacitor-type Synapse in Neuromorphic Systems2021
- 著者名/発表者名
  Yuma Ishisaki, Hiroki Umemura, Daiki Matsukawa, Eisuke Tokumitsu, Kenichi Haga, Toshihiro Doi, and Mutsumi Kimura
- 学会等名
  AM-FPD '21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] 溶液プロセスによるCeOx/ Hf-Zr-O積層構造の形成と評価2021
- 著者名/発表者名
  齋藤瑞、Mohit、徳光永輔
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Fabrication of ferroelectric gate thin film transistors using CSD Y-HZO and sputtered HZO with sputtered ITO channel2021
- 著者名/発表者名
  Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Memcapacitive Characteristics of Ferroelectric Capacitance for Neuromorphic Systems and Application of Y-doped Hf0.5Zr0.5O22021
- 著者名/発表者名
  Daiki Matsukawa, Yuma Ishisaki, Hiroki Umemura, Mutsumi Kimura, Mohit, and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  IMFEDK 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Preparation of ferroelectric lanthanum doped hafnium-zirconium oxide thin films by solution process2021
- 著者名/発表者名
  Mohit and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] ニューロモーフィックシステムにおけるキャパシタ型シナプス用強誘電体薄膜の誘電特性評価と文字補正応用2021
- 著者名/発表者名
  石﨑勇真, 梅村浩輝, 松川大毅, 徳光永輔, 羽賀健一, 木村睦
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第18回研究集会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] 化学溶液プロセスによるYドープHZO薄膜の作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  佐々木啓介、モヒート、徳光永輔
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Ferroelectric gate thin film transistor with La-HZO gate insulator and indium-tin-oxide channel prepared by solution process2021
- 著者名/発表者名
  Mohit, and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  European Materials Research Society
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] スパッタHf-Zr-O膜における強誘電性の安定性向上2021
- 著者名/発表者名
  原　佑樹,　モヒート,　右田　真司 ,　太田裕之,　森田裕史,　徳光永輔
- 学会等名
  第38回強誘電体会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Enhancement of ferroelectricity in sputtered hafnium-zirconium oxide thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment2021
- 著者名/発表者名
  Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Keisuke Ohdaira and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2021 International Wiorkshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Comparison of electrical properties of indium-tin-oxide channel ferroelectric-gate thin film transistors using solution processed and sputtered Hf-Zr-O2021
- 著者名/発表者名
  Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Yttrium Doping Concentration Dependence on Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium Oxide Prepared by Chemical Solution Deposition2021
- 著者名/発表者名
  Keisuke Sasaki, Mohit, and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Fabrication of Indium-Tin-Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using Yttrium Doped Hafnium-Zirconium Dioxide by Chemical Solution Process2020
- 著者名/発表者名
  Mohit, Takaaki Miyasako and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価2020
- 著者名/発表者名
  石崎勇真, 梅村浩輝, 松川大毅, 木村睦, 徳光永輔, 羽賀健一, 土井利浩
- 学会等名
  電子情報通信学会, EID2020-5, pp. 17-20, 2020年12月
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K11876
[学会発表] Effect of Annealing Environment on Ferroelectric Properties of Hf-Zr-O (HZO) Thin Films Prepared by Solution Process2020
- 著者名/発表者名
  Mohit，Ken-Ichi Haga，Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第37回強誘電体会議
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium-Dioxide Prepared by Chemical Solution Process for MFM and MFS Structures2020
- 著者名/発表者名
  Mohit，Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Robustness of Ferroelectricity in Hafnium- Zirconium Dioxide Films Deposited By Sputtering and Chemical Solution Deposition for Ferroelectric Transistor Applications2020
- 著者名/発表者名
  Mohit, S. Migita, H. Ota, Y. Morita, and E. Tokumitsu
- 学会等名
  PRiME (Pacific Rim Meeting on Electrochemical & Solid State Science) 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00240
[学会発表] Characterization of In2O3 Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2014
- 著者名/発表者名
  Ken-Ichi Haga, Yuki Nakada, Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  International Thin-FilmTransistor Conference (ITC 2014)
- 発表場所
  Delft, the Netherlands,
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions2013
- 著者名/発表者名
  Y.Nagahisa, Y.Harada, E.Tokumitsu
- 学会等名
  Graphene Week 2013, GW2013-142
- 発表場所
  Chemnitz, Germany(TuP-27, Poster発表4 June)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Electrical characterization of gate modulation in graphene/n-SiC contacts2013
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  5th International conference on Recent Progress in Graphene Research
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions2013
- 著者名/発表者名
  Y.Nagahisa, Y.Harada, E. Tokumitsu
- 学会等名
  Graphene Week 2013
- 発表場所
  City Hall, Chemnitz, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Use of low-temperature-deposited high-k gate insulators for SiC power MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013
- 発表場所
  Ramada Jeju, Jeju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Use of low-temperature-deposited high-k gate insulators for SiC power MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Use of low- temperature-deposited high-k gate insulators for SiC power MOSFETs2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013
- 発表場所
  Ramada Jeju, Jeju, Korea(492)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Fundamental Study on Thermal Nanoimprint Process for Oxide-channel Thin Film Transistor Fabrication2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Kei Sato, Ken-ichi Haga
- 学会等名
  the 12th International Conference on Nanoinprint and Nanoprint Technology 2013
- 発表場所
  Barcerona, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al_2O_3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al_2O_3 Buffer Layer2013
- 著者名/発表者名
  H.Yamada, S.Hino, N.Miura, M.Imaizumi, S.Yamakawa, and E.Tokumitsu
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan(We-P-25, Poster, Oct.2)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al2O3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al2O3 Buffer Layer2013
- 著者名/発表者名
  H.Yamada, S.Hino, N.Miura, M.Imaizumi, S.Yamakawa, and E.Tokumitsu
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
- 発表場所
  Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Ferroelectric-gate oxide channel thin film transistors fabricated by solution process2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  International Electron Devices and Materials Symposium
- 発表場所
  Nantou, Taiwan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Asymmetry of switching time in oxide-channel ferroelectric-gate thin film transistors2013
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Etsu Shin, Hiroshi Shibata
- 学会等名
  European Materials Research Sciety (EMRS) 2013 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Electrical characterization of gate modulation in graphene/n-SiC contacts2013
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  5th International conference on Recent Progress in Graphene Research
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Fabrication and Characterization of An-Sn-O series oxide thin film transistors2012
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Haga and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  ITC 2012(8thInternational Thin-Film Transistor Conference)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Switching properties of ferroelectric P(VDF-TrFE) films fabricated on oxide electrodes2012
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Gwang-Geun Lee
- 学会等名
  E-MRS 2012, Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2012-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Fabrication and Characterization of An-Sn-O series oxide thin film transistors2012
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  ITC 2012 (8th International Thin-Film Transistor Conference)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal(口頭発表)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Comparative Study of Metalorganic Chemical Vapour Deposition of HfO_2 and Al_2O_3 Gate Insulators on SiC for Power MOSFET Applications2012
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Isahaya Yamamura, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Hiroaki Sumitani and Tatsuo Oomori
- 学会等名
  WoDiM 2012(17th Workshop on Dielectrics in Microelectronics)
- 発表場所
  Dresden, Germany(Poster)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Fabrication and Characterization of An-Sn-O series oxide thin film transistors2012
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Haga and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  ITC 2012(8th International Thin-Film Transistor Conference)
- 発表場所
  Lisbon, Portugal
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Characterization of Electrical Properties of Graphene/n-SiC Contacts2012
- 著者名/発表者名
  Yuichi Nagahisa, Yuichi Harada, and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  3rd International Symposium on Graphene Devices
- 発表場所
  Saint-Aubin, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656204
[学会発表] Oxide-channel thin film transistors using ferroelectric and high-k gate insulators2012
- 著者名/発表者名
  (invited)Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials 2012(IUMR S-ICEM2012)
- 発表場所
  Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Low voltage operation of ferroelectric thin film transistors using P(VDF-TrFE) and IGZO2011
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara、Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Source solution dependence on electrical properties of In-Zn-O channel thin film transistors2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Yasuhiro Takahashi, Toshihiko Kaneda, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  E-MRS2011 Fall Meeting, XII6, Warsaw University of Technology
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] 様々な液体原料を用いたIn-Zn-O薄膜の形成と薄膜トランジスタ応用2011
- 著者名/発表者名
  清水貴也、羽賀健一、徳光永輔、金田敏彦、下田達也
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第8回研究集会、(ポスターセッション)
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] In_2O_3 & IZO Channel Thin-Film Transistors Prepared by Chemical Solution Process2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu and Yasuhiro Takahashi
- 学会等名
  7th International Thin-Film Transistor Conference(ITC2011)
- 発表場所
  Cambridge, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Switching Characteristics of In_2O_3/(Bi,La)_4Ti_3O_<12> Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Kazuya Kikuchi
- 学会等名
  EMF 2011 (12th European Meeting on Ferroelectricity)
- 発表場所
  Bordeaux Univ., France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] SUB-MICRON FERROELECTRIC-GATE THIN FILM TRANSISTOR USING SOL-GEL ITO CHANNEL AND STACKED(BLT/PZT) INSULATOR2011
- 著者名/発表者名
  Bui Nguyen Quoc Trinh, Takaaki Miyasako, Toshihiko Kaneda, Phan Trong Tue, Pham Van Thanh, Eisuke Tokumitsu, and Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  International Symposium on Intergrated Functionalities(ISIF 2011)
- 発表場所
  Cambridge, U. K
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Solution-processed oxide thin-film transistors using La-Ta-O/Bi-Nb-Ostacked gate insulator2011
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masatoshi Onoue, Hirokazu Tsukada, Eisuke Tokumitsu, and Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2011 Fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, U. S. A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Switching Characteristics ofIn_2O_3/(Bi, La) 4Ti_3O_(12) Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu and Kazuya Kikuchi
- 学会等名
  EMF 2011(12thEuropean Meeting on Ferroelectricity)
- 発表場所
  Bordeaux Univ., France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Leakage Cuurent property of the PZT films improved by thermal press treatment2011
- 著者名/発表者名
  Joo-Nam Kim, Toshihiko Kaneda, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  The 10th international conference on Nanoimprint and Nanoprint Technology(NNT 2011)
- 発表場所
  The Shilla Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] In_2O_3をチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTの電気的特性2011
- 著者名/発表者名
  菊池和哉、徳光永輔
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Source solution dependence on electrical properties of In-Zn-O channel thin film transistors2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Yasuhiro Takahashi, Toshihiko Kaneda, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  E-MRS 2011 Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] 液体プロセスによるIn_2O_3及びIn-Zn-O(IZO)チャネル薄膜トランジスタの形成2011
- 著者名/発表者名
  高橋泰裕、徳光永輔
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] (Poster) In_2O_3 & IZO Channel Thin-Film Transistors Prepared by Chemical Solution Process2011
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Yasuhiro Takahashi
- 学会等名
  7th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2011)
- 発表場所
  Cambridge, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Leakage Cuurent property of the PZT films improved by thermal press treatment2011
- 著者名/発表者名
  Joo-Nam Kim, Toshihiko Kaneda, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  The 10th international conference on Nanoimprint and Nanoprint Technology (NNT 2011)
- 発表場所
  The Shilla Jeju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Solution-processed oxide thin-film transistors using La-Ta-O/Bi-Nb-O stacked gate insulator2011
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Masatoshi Onoue, Hirokazu Tsukada, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2011 Fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] 様々な液体原料を用いたIn-Zn-O薄膜の形成と薄膜トランジスタ応用2011
- 著者名/発表者名
  清水貴也、羽賀健一、徳光永輔、金田敏彦、下田達也
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第8回研究集会
- 発表場所
  龍谷大学アバンティ響都ホール(京都)(ポスターセッション)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] High performance Bi-Nb-Ox thin-film capacitors fabricated by chemical solution deposition process2011
- 著者名/発表者名
  Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2011 Fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] (ポスターセッション)スパッタ法によるAl-Zn-Sn-OチャネルTFTの作製2010
- 著者名/発表者名
  羽賀健一、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第7回研究集会
- 発表場所
  奈良100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] (invited) Recent progress on ferroelectric-gate thin film trensistors with oxide channel2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  International Conference on Electronic Materials 2010 presented by International Union of Materials Research Societies (IUMRS-ICEM 2010)
- 発表場所
  Korea International Exhibition Center, GyeongGi-Do, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of Organic P(VDF-TrFE) Film on PEN Substrate or Flexible IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2010 Fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, U. S. A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Preparation of Bi-Zn-Nb-O(BZN) High-K Gate insulator by Sputtering for Oxide Channel Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Youhei Kondo, Tomohiro Oiwa
- 学会等名
  16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(Wo DiM 2010)
- 発表場所
  Blatislava, Slovakia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Preparation of Bi-Zn-Nb-O(BZN)High-K Gate insulator by Sputtering for Oxide Channel Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Youhei Kondo, Tomohiro Oiwa
- 学会等名
  16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2010)
- 発表場所
  Blatislava, Slovakia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Flexible Ferroelectric-TFTs Using IGZO-Channel and P(VDF-TrFE)2010
- 著者名/発表者名
  G.-G. Lee, S.-M. Yoon, J.-W. Yoon, Y. Fujisaki, H. Ishiwara, E. Tokumitsu
- 学会等名
  The 17th International DisplayWorkshops(IDW' 10)
- 発表場所
  Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] 液体プロセスによるIn2O3及びIn-Zn-O(IZO)薄膜の形成と酸化物チャネル薄膜トランジスタへの応用2010
- 著者名/発表者名
  高橋泰裕、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第7回研究集会、(ポスターセッション)
- 発表場所
  奈良100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Flexible on-volatile memory TFT with IGZO-channel and ferroelectric polymer2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee、Sung-Min Yoon、Joo-Won Yoon、Yoshihisa Fujisaki、Hiroshi Ishiwara、Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会、16a-NJ-5、長崎大学文教キャンパス
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistor Fabricated by Total Solution Deposition Process2010
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Bui Nguyen Quoc Trinh, Toshihiko Kaneda, Masatoshi Onoue, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of Organic P(VDF-TrFE) Film on PEN Substrate or Flexible IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee, Sung-Min Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2010 Fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, U.S.A. 口頭発表
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Recent progress on ferroelectric-gate thin film trensistors with oxide channel2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  International Conference on Electronic Materials 2010 presented by International Union of Materials Research Societies(IUMRS-ICEM 2010)
- 発表場所
  Korea International Exhibition Center, Gyeong Gi-Do, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] (ポスターセッション)液体プロセスによるIn2O3及びIn-Zn-O(IZO)薄膜の形成と酸化物チャネル薄膜トランジスタへの応用2010
- 著者名/発表者名
  高橋泰裕、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第7回研究集会
- 発表場所
  奈良100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Flexible non-volatile memory TFT with IGZO-channel and ferroelectric polymer2010
- 著者名/発表者名
  Gwang-Geun Lee、Sung-Min Yoon、Joo-Won Yoon、Yoshihisa Fujisaki、Hiroshi Ishiwara、Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] ゾルゲル法による酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製2010
- 著者名/発表者名
  奥村優作、徳光永輔
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合会講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of IGZO andIn_2O_3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu, Ken-ichi Haga and Tomohiro Oiwa
- 学会等名
  2010 MRS Spring meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  San Francisco, U. S. A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] スパッタ法によるAl-Zn-Sn-OチャネルTFTの作製2010
- 著者名/発表者名
  羽賀健一、徳光永輔
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Flexible Ferroelectric-TFTs Using IGZO-Channel and P(VDF-TrFE)2010
- 著者名/発表者名
  G.-G.Lee, S.-M.Yoon, J.-W.Yoon, Y.Fujisaki, H.Ishiwara, E.Tokumitsu
- 学会等名
  The 17th International Display Workshops(IDW'10)
- 発表場所
  Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] スパッタ法によるAl-Zn-Sn-OチャネルTFTの作製2010
- 著者名/発表者名
  羽賀健一、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会、第7回研究集会、(ポスターセッション)
- 発表場所
  奈良100年会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistor Fabricated by Total Solution Deposition Process2010
- 著者名/発表者名
  Takaaki Miyasako, Bui Nguyen Quoc Trinh, Toshihiko Kaneda, Masatoshi Onoue, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid-State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of In-Ga-Zn-O channel thin transistors with high-k and ferroelectric gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  E.Tokumitsu, T.Oiwa
- 学会等名
  23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANA 23)
- 発表場所
  the Netherland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of In-Ga-Zn-O channel thin film transistors with high-k and ferroelectric gate insulators2009
- 著者名/発表者名
  E. Tokumitsu, T. Oiwa
- 学会等名
  23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors(ICANS 23)
- 発表場所
  the Netherland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] ゾルゲル法によるITO及びIn_2O_3薄膜の形成と酸化物チャネル薄膜トランジスタへの応用2009
- 著者名/発表者名
  奥村優作、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第六回研究集会、(ポスターセッション)
- 発表場所
  京都龍谷大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] IGZOおよびIn_2O_3をチャルに用いた強誘電体ゲートTFTの作製2009
- 著者名/発表者名
  羽賀健一、大岩朝洋、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第六回研究集会
- 発表場所
  京都龍谷大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs with Organic P(VDF-TrFE) Film2009
- 著者名/発表者名
  Gwang Geun Lee, Sung Min Yoon, Joo Won Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, and Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  Fabrication of IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs with Organic2009 fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Recent Progress and Future Prospects of Oxide-channel Ferroelectric-gate Thin Film Transistor with Large Charge Controllability2009
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2009 MRS Spring meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  San Francisco, U. S. A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of IGZO-channel Ferroelectric-gate TFTs with Organic P (VDF-TrFE) Film2009
- 著者名/発表者名
  GwangGeun Lee, SungMin Yoon, JooWon Yoon, Yoshihisa Fujisaki, Hiroshi Ishiwara, Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2009 fall meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  Boston, MA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Ferroelectric Behaviors of P(VDF-TrFE) Thin Films on Transparent ITO Electrode2009
- 著者名/発表者名
  Gwang geun Lee、Hoowon Yoon、Yoshihisa Fujisaki、Hiroshi Ishiwara、Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学五福キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Recent Progress and Future Prospects of Oxide-channel Ferroelectric-gate Thin Film Transistor with Large Charge Controllability2009
- 著者名/発表者名
  (invited) Eisuke Tokumitsu
- 学会等名
  2009 MRS Spring meeting, Materials Research Society
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] IGZOおよびIn_2O_3をチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTの作製2009
- 著者名/発表者名
  羽賀健一、大岩朝洋、徳光永輔
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第六回研究集会、(ポスターセッション)
- 発表場所
  京都龍谷大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360144
[学会発表] Fabrication of Metal Oxide Thin Films and Transistors by Solution Process
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu and Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa Bunka Hall, Kanazawa
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Simultaneous formation of channel and source/drain regions by nano-rheology printing in ITO-based thin film transistors
- 著者名/発表者名
  T. Kaneda, E. Tokumitsu, T. Miyasako, T. Shimoda
- 学会等名
  European Materials Research Society (EMRS) 2015 Spring Meeting
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2015-05-11 – 2015-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Amorphous LaRuO Nano-Patterning Using Rheology Printing Method
- 著者名/発表者名
  K. Nagahara, J. Li, D. Hirose, E. Tokumitsu and T. Shimoda
- 学会等名
  International Conference on Nanoimprint and Nanoprint Technology (NNT 2014)
- 発表場所
  ANA Crown Plaza Kyoto, Kyoto
- 年月日
  2014-10-22 – 2014-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Crystallization Mechanism and Crystallographic Orientation Control of (Bi,La)4Ti3O12 (BLT) Films by Sol-gel technique
- 著者名/発表者名
  Eisuke Tokumitsu and Ken-ichi Haga
- 学会等名
  13th European Meeting on Ferroelectricity
- 発表場所
  Porto, Portugal
- 年月日
  2015-06-28 – 2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119
[学会発表] Novel Materials and Processing for Printed Metal Oxide Devices
- 著者名/発表者名
  Jinwang Li, Phan Trong Tue, Yoshitaka Murakami, Tadaoki Mitani, Eisuke Tokumitsu & Tatsuya Shimoda
- 学会等名
  European Materials Research Society (EMRS) 2014 Spring Meeting
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2014-05-26 – 2014-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360119

1. 石原宏 (60016657)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 0件
2. 會澤康治 (40222450)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
4. 井上聡 (60553237)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 下田達也 (70447689)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 増田貴史 (70643138)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 浅野種正 (50126306)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 山本修一郎 (50313375)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 木村睦 (60368032)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
10. 澤岡昭 (40029468)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 伊賀健一 (10016785)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 小山二三夫 (30178397)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 下河辺明 (40016796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 宮本智之 (70282861)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 中村健太郎 (20242315)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 馬場俊彦 (50202271)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 小長井誠 (40111653)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 木村龍平 (80161587)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 中島康彦 (00314170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
20. ZHANG Renyuan (00709131)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 松田時宜 (30389209)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 羽賀健一 (40751920)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
23. 藤村紀文 (50199361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 森田行則 (60358190)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
25. 太田裕之 (70356640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
26. 右田真司 (00358079)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
27. 片浜久

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 木島健

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 方浜久

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

徳光 永輔 Tokumitsu Eisuke

徳光 英輔 トクミツ エイスケ

研究課題

研究成果

共同研究者

強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

巨大電界効果を利用した可変面積電極の提案と可変容量キャパシタへの展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体コンタクトを用いたグラフェンチャネルトランジスタの電流制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リソグラフィーレス液体ナノデバイス作製プロセスの基盤確立と不揮発性メモリ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体ゲートを用いた大電流透明薄膜トランジスタの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体を用いた不揮発性多値・アナログメモリの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体を用いた巨大電荷制御トランジスタの提案と次世代集積回路への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体・高誘電率材料・導電性酸化物を用いた新しい集積機能デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

強誘電体を用いた金属・導電体中の電荷制御とスイッチング素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強誘電体・高誘電率材料を用いた機能性デバイスの試作とロジック回路への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

人工単結晶強誘電体ドットの形成とマイクロキャパシタへの適用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

徳光永輔 Tokumitsu Eisuke

徳光英輔トクミツエイスケ