上殿明良 Uedono Akira

研究者番号	20213374
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-6224-4869
外部サイト
所属 (現在)	2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2024年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授 2015年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 教授 2013年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 2012年度 – 2013年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 教授 2009年度 – 2011年度: 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 … もっと見る 2009年度 – 2010年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 2007年度 – 2009年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 2008年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 准教授 2006年度: 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教授 2004年度 – 2005年度: 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教授 2000年度 – 2002年度: 筑波大学, 物理工学系, 助教授 1999年度: 筑波大学, 物理工学系, 講師 1997年度 – 1998年度: 筑波大学, 物質工学系, 講師 1993年度 – 1995年度: 筑波大学, 物質工学系, 講師 1994年度: 筑波大学, 物資工学系, 講師 1992年度 – 1993年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 1991年度: 東京大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者金属物性 / 金属物性 / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 高分子構造物性(含繊維) 研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分30010:結晶工学関連 … もっと見る / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野 / 結晶工学 / 薄膜・表面界面物性 / 原子力学 / 工業分析化学 / 金属物性 / 応用物性隠す
キーワード	研究代表者陽電子消滅 / 点欠陥 / 陽電子 / GaN / 格子欠陥 / イオン注入 / 空孔型欠陥 / ZnO / 低速陽電子 / 低速陽電子ビーム … もっと見る / III族窒化物半導体 / 欠陥 / 不純物活性化 / II属窒化物半導体 / フォトルミネッセンス / III属窒化物半導体 / 空間分解能 / サブミリメートル空間分解能 / ナノ空隙 / 結晶工学 / 結晶成長 / 長周期InGaN/GaN超格子構造 / 捕獲 / キャリア / 光熱偏光分光法 / X線回折 / 0次元欠陥 / 理論計算 / 室温PL発光寿命 / 超格子構造 / キャリア捕獲 / 結晶特異構造 / 電気的特性 / 光学特性 / 結晶欠陥 / 光熱偏向分光法 / 陽電子消滅シミュレーション / 結晶 / positron annihilation / vacancy-type defect / interface / metal-oxide / 表面・界面 / 界面 / 金属酸化物 / REAR EARTH / IMPURITY DOPING / POINT DEFECT / MONOENERGETIC POSITRON BEAM / POSITRON ANNIHILATION / Eu / Tb / 希土類ドープ / 不純物ドープ / Doppler broadening / puls / lifetime / monoenergetic positron beam / モデレーター / ドップラー拡がり / パルス / 寿命 / 絶縁膜界面 / 絶縁膜 / CL / MBE / AIN / 非輻射再結合 / 第一原理計算 / 光学測定 / InN / AlN / 発光ダイナミックス / SiC / 熱平衡 / Si / 高分子 / 空孔-酸素複合体 / 空孔 / シリコン / ポジトロン / 半導体 … もっと見る研究代表者以外酸化亜鉛 / 結晶欠陥 / 陽電子消滅 / 低転位 / 気相成長 / 低抵抗 / GaN / OVPE / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / ヘリコン波励起プラズマ / エピタキシー / 励起子ポラリトン / 励起子 / 微小共振器 / 半導体 / Bi系III-V族半導体混晶 / 陽電子消滅法 / 低温成長 / 分子線エピタキシー法 / Bi系III-V族半導体半金属混晶 / 格子定数 / 欠陥評価 / PNダイオード / ポジトロニウム / Ps / BEC / ダイヤモンド / 新評価手法確立 / 分光偏光解析 / 界面微視的構造 / ヘテロ接合太陽電池 / 結晶シリコン / Siヘテロ接合太陽電池 / 分光エリプソメトリー / a-Si:H/c-Siヘテロ接合 / 新規評価手法 / ボイド / 水素化アモルファスシリコン / a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池 / magnesium zinc oxide / multilayer structures / epitaxy / distributed Bragg reflector / transparent conducting oxides / dielectric oxides / zinc oxide / Helicon-wave-excited-plasma / 量子井戸 / 酸化マグネシウム亜鉛 / MgZnO / 多層構造 / エピタキシャル成長 / 分布ブラッグ反射鏡 / 透明導電膜 / 誘電体酸化物 / Oxygen Deficiency / Silicon Dioxide / Reliability / Charge Trapping / Conduction Mechanism / Gate Dielectrics / Integrated Circuits / High-k Dielectrics / 酸素欠損 / シリコン酸化膜 / 信頼性 / 電荷捕獲 / 伝導機構 / ゲート絶縁膜 / 集積回路 / 高誘電率絶縁膜 / ELECTRIC RESISTIVITY MEARUREMENT / LOW TEMPERATURE IRRADIATION / ION IRRADIATION / IRRADIATION EMBRITTLEMENT / PRESSURE VESSELE STEEL / アニーリング / 電気抵抗測定 / 低温照射 / イオン照射 / 照射脆化 / 圧力容器鋼 / polypropylene / epoxy resin / polyvinyl alcohol / polyethylene / polymer / free volume / ortho-positronium / positron annihilation / oーポジトロニウム / ドップラ-広がり / エポキシ / 高分子 / ラプラス逆変換 / ポリビニルアルコ-ル / エポキシ樹脂 / 残留応力 / ポリプロピレン / ポリエチレン / 自由体積 / 2パラメ-タ-測定装置 / 縮退四光波混合 / ポラリトンレーザー / 電子・電気材料 / 電気・電子材料 / 陽電子 / ドーパント隠す

低温成長による点欠陥密度の制御に基づくBi系Ⅲ-Ⅴ族半導体の発現機能の最大活用
- 研究代表者
  
  富永依里子
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  広島大学
ナノ空隙検出のためのサブミリメートル空間分解能を有する陽電子消滅装置の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
  筑波大学
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  筑波大学
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
- 研究代表者
  
  森勇介
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  大阪大学
負性電子親和力を利用した高密度ポジトロニウム生成のためのダイヤモンド表面制御
- 研究代表者
  
  田中真伸
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
a-Si:H/c-Siヘテロ接合界面近傍のボイド構造解明
- 研究代表者
  
  松木伸行
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  神奈川大学
室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東北大学
低速陽電子ビームによる絶縁膜/Si界面の遷移層及び歪の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
酸化物薄膜における酸素欠損と電気的特性の関連性評価と膜質改善
- 研究代表者
  
  山部紀久夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  筑波大学
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体・誘電体エレクトロニクスの展開
- 研究代表者
  
  秩父重英
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅を用いた金属/金属酸化物の空孔型欠陥の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅によるGaN系半導体の点欠陥の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  筑波大学
低速陽電子線を用いた高温熱平衡状態におけるSiの点欠陥挙動解析研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅を用いた高分子の分子構造の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  高分子構造物性(含繊維)
- 研究機関
  筑波大学
ポジトロンを用いたシリコンの空孔-酸素複合体の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
半導体の融点直下に於ける熱平衡欠陥の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
超短パルス低速陽電子線の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  上殿明良
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  筑波大学
陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究
- 研究代表者
  
  堂山昌男
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  金属物性
- 研究機関
  西東京科学大学
陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究
- 研究代表者
  
  堂山昌男
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  西東京科学大学
鋼材の中性子照射脆化機構に対するイオン照射手法の適用
- 研究代表者
  
  石野栞
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  東京大学
陽電子消滅によるプラスチックスの転移の解析
- 研究代表者
  
  氏平祐輔
- 研究期間 (年度)
  1990 – 1991
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  工業分析化学
- 研究機関
  東京大学

[図書] Advances in Light Emitting Materials, edited by B. Monemar and H. Grimmeiss, (edited by B. Monemar and H. Grimmeiss), (Impact of Point Defects on the Luminescence Properties of (Al,Ga)N)2008
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck and S. Nakamura
- 総ページ数
  278
- 出版者
  Stafa-Zuerich
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] Advances in Light Emitting Materials(edited by B. Monemar and H.Grimmeiss)("Impact of Point Defects on the Luminescence Properties of (Al,Ga)N", Materials Science Forum 590, pp.233-248(2008) ISBN0-87849-358-1 ISBN-13978-087849-358-6)2008
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, S.P.DenBaars, U.K.Mishra, J.S.Speck, S.Nakamura
- 総ページ数
  278
- 出版者
  Trans Tech Publications, Stafa-Zuerich
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[図書] IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding2005
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 出版者
  Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO2-based High-k Gate Dielectrics
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[図書] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics, IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN and their impacts on acceptor formation2022
- 著者名/発表者名
  Kano Emi、Kataoka Keita、Uzuhashi Jun、Chokawa Kenta、Sakurai Hideki、Uedono Akira、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Bockowski Michal、Otsuki Ritsuo、Kobayashi Koki、Itoh Yuta、Nagao Masahiro、Ohkubo Tadakatsu、Hono Kazuhiro、Suda Jun、Kachi Tetsu、Ikarashi Nobuyuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 132 号: 6 ページ: 065703-065703
- DOI
  10.1063/5.0097866
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Stracture - Thermal Property Relationships of Polysilsesquioxanes for Thermal Insulation Materials2022
- 著者名/発表者名
  Hamada Takashi、Goto Taku、Takase Sakino、Okada Kenta、Uedono Akira、Ohshita Joji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Polymer Materials
  
  巻: 4 号: 4 ページ: 2851-2859
- DOI
  10.1021/acsapm.1c01812
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Effect of Ultra‐High‐Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation2022
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Sakurai Hideki、Uzuhashi Jun、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Bockowski Michal、Suda Jun、Ohkubo Tadakatsu、Ikarashi Nobuyuki、Hono Kazuhiro、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 259 号: 10 ページ: 2200183-2200183
- DOI
  10.1002/pssb.202200183
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Effect of conversion on epoxy resin properties: Combined molecular dynamics simulation and experimental study2022
- 著者名/発表者名
  Shoji Naoyuki、Sasaki Kohei、Uedono Akira、Taniguchi Yuichi、Hayashi Keiichi、Matsubara Norie、Kobayashi Tetsuya、Yamashita Takefumi
- 雑誌名
  
  Polymer
  
  巻: 254 ページ: 125041-125041
- DOI
  10.1016/j.polymer.2022.125041
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Role of Zn on the rapid age-hardening in Mg-Ca-Zn alloys2022
- 著者名/発表者名
  Li Z.H.、Sasaki T.T.、Uedono A.、Hono K.
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia
  
  巻: 216 ページ: 114735-114735
- DOI
  10.1016/j.scriptamat.2022.114735
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01675, KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Double-Decker Silsesquioxane-Grafted Polysilsesquioxane Hybrid Films as Thermal Insulation Materials2022
- 著者名/発表者名
  Hamada Takashi、Takase Sakino、Tanaka Arata、Okada Kenta、Mineoi Susumu、Uedono Akira、Ohshita Joji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Polymer Materials
  
  巻: 5 号: 1 ページ: 743-750
- DOI
  10.1021/acsapm.2c01743
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Effects of Hydrogen Incorporation on Mg Diffusion in GaN‐Doped with Mg Ions via Ultra‐High‐Pressure Annealing2022
- 著者名/発表者名
  Narita Tetsuo、Uedono Akira、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 259 号: 11 ページ: 2200235-2200235
- DOI
  10.1002/pssb.202200235
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Organic?Inorganic Hybrid Thermal Insulation Materials Prepared via Hydrosilylation of Polysilsesquioxane Having Hydrosilyl Groups and Triallylisocyanurate2022
- 著者名/発表者名
  Takase Sakino、Hamada Takashi、Okada Kenta、Mineoi Susumu、Uedono Akira、Ohshita Joji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Polymer Materials
  
  巻: 4 号: 5 ページ: 3726-3733
- DOI
  10.1021/acsapm.2c00241
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing2022
- 著者名/発表者名
  Okumura Hironori、Watanabe Yasuhiro、Shibata Tomohiko、Yoshizawa Kohei、Uedono Akira、Tokunaga Hiroki、Koseki Shuuichi、Arimura Tadanobu、Suihkonen Sami、Palacios Tom?s
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 026501-026501
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac47aa
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02166, KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Optical and electrical properties of silicon-implanted α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>2021
- 著者名/発表者名
  Okumura Hironori、Jinno Riena、Uedono Akira、Imura Masataka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 10 ページ: 106502-106502
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac21af
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg2021
- 著者名/発表者名
  Shima K.、Tanaka R.、Takashima S.、Ueno K.、Edo M.、Kojima K.、Uedono A.、Ishibashi S.、Chichibu S. F.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 119 号: 18 ページ: 182106-182106
- DOI
  10.1063/5.0066347
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Thermal Insulating Property of Silsesquioxane Hybrid Film Induced by Intramolecular Void Spaces2021
- 著者名/発表者名
  Hamada Takashi、Nakanishi Yuki、Okada Kenta、Tsukada Satoru、Uedono Akira、Ohshita Joji
- 雑誌名
  
  ACS Applied Polymer Materials
  
  巻: 3 号: 7 ページ: 3383-3391
- DOI
  10.1021/acsapm.1c00344
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15637, KAKENHI-PROJECT-21K18812
[雑誌論文] Dopant activation process in Mg-implanted GaN studied by monoenergetic positron beam2021
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Tanaka Ryo、Takashima Shinya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 11 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-021-00102-2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation2021
- 著者名/発表者名
  Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 570 ページ: 126219-126219
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02639, KAKENHI-PROJECT-21K18812, KAKENHI-PROJECT-23K21082
[雑誌論文] Dynamic observation and theoretical analysis of initial O2 molecule adsorption on polar and m-plane surfaces of GaN2020
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, M. Sumita, Y. Asai, R. Tamura, A. Uedono, A. Yoshigoe
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 124 号: 46 ページ: 25282-25290
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.0c07151
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05338, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Magnetic properties of metastable bcc phase in Fe64Ni36 alloy synthesized through polyol process2020
- 著者名/発表者名
  Jacob G. Antilen、Sellaiyan S.、Uedono A.、Joseyphus R. Justin
- 雑誌名
  
  Applied Physics A
  
  巻: 126 号: 2 ページ: 120-120
- DOI
  10.1007/s00339-020-3292-3
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam2020
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Sakurai Hideki、Narita Tetsuo、Sierakowski Kacper、Bockowski Michal、Suda Jun、Ishibashi Shoji、Chichibu Shigefusa F.、Kachi Tetsu
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 17349-17349
- DOI
  10.1038/s41598-020-74362-9
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams2020
- 著者名/発表者名
  Akira Uedono, Kanako Shojiki, Kenjiro Uesugi, Shigefusa F Chichibu, Shoji Ishibashi, Marcel Dickmann, Werner Egger, Christoph Hugenschmidt, Hideto Miyake
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 128 号: 8 ページ: 085704-085704
- DOI
  10.1063/5.0015225
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15025, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Hole capture-coefficient of intrinsic nonradiative recombination centers that commonly exist in bulk, epitaial, and proton-irradiated ZnO2020
- 著者名/発表者名
  Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Kazunobu Kojima, Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, Shoji Ishibashi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 127 号: 21 ページ: 215704-215704
- DOI
  10.1063/5.0011309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04506, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Selective trapping of positrons by Ag nanolayers in a V/Ag multilayer system2020
- 著者名/発表者名
  Qi N、Zhang X.、Chen Z. Q.、Ren F.、Zhao B.、M. Jiang M.、 Uedono A.
- 雑誌名
  
  AIP Adv.
  
  巻: 10 ページ: 035012-035012
- NAID
  120007183436
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Growth of high-quality GaN by halogen-free vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Kimura Taishi、Kataoka Keita、Uedono Akira、Amano Hiroshi、Nakamura Daisuke
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 8 ページ: 085509-085509
- DOI
  10.35848/1882-0786/aba494
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Pore structure analysis of ionic liquid-templated porous silica using positron annihilation lifetime spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  Sagara Akihiko、Yabe Hiroki、Chen X.、Vereecken Philippe M.、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Microporous and Mesoporous Materials
  
  巻: 295 ページ: 109964-109964
- DOI
  10.1016/j.micromeso.2019.109964
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Low-temperature annealing behavior of defects in Mg-ion-implanted GaN studied using MOS diodes and monoenergetic positron beam2020
- 著者名/発表者名
  Akazawa Masamichi、Kamoshida Ryo、Murai Shunta、Kachi Tetsu、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 1 ページ: 016502-016502
- DOI
  10.35848/1347-4065/abcf08
- NAID
  120007181819
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Morphological characterization and mechanical behavior by dicing and thinning on direct bonded Si wafer2020
- 著者名/発表者名
  Inoue Fumihiro、Podpod Arnita、Peng Lan、Phommahaxay Alain、Rebibis Kenneth June、Uedono Akira、Beyne Eric
- 雑誌名
  
  Journal of Manufacturing Processes
  
  巻: 58 ページ: 811-818
- DOI
  10.1016/j.jmapro.2020.08.050
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Annealing Behavior of Vacancy‐Type Defects in Mg‐ and H‐Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2019
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 256 号: 10 ページ: 1900104-1900104
- DOI
  10.1002/pssb.201900104
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Effect of dopant concentration and annealing of Yttrium doped CuO nanocrystallites studied by positron annihilation spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Sellaiyan S.、Vimala Devi L.、Sako K.、Uedono A.、Sivaji K.
- 雑誌名
  
  Journal of Alloys and Compounds
  
  巻: 788 ページ: 549-558
- DOI
  10.1016/j.jallcom.2019.02.247
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures2019
- 著者名/発表者名
  Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Takashima Shin-ya、Ueno Katsunori、Edo Masaharu、Iguchi Hiroko、Narita Tetsuo、Kataoka Keita、Ishibashi Shoji、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC0802-SC0802
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab0d06
- NAID
  210000156122
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Two-dimensional mapping of hydrogen and other elements in materials with microbeam-based transmission ERDA and PIXE2019
- 著者名/発表者名
  Yamazaki A.、Naramoto H.、Sasa K.、Ishii S.、Tomita S.、Sataka M.、Kudo H.、Ohkubo M.、Uedono A.
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 450 ページ: 319-322
- DOI
  10.1016/j.nimb.2018.10.015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Impact of defects on the electrical properties of p-n diodes formed by implanting Mg and H ions into N-polar GaN2019
- 著者名/発表者名
  H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, M. Kanechika, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 12 ページ: 125102-125102
- DOI
  10.1063/1.5116886
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate2019
- 著者名/発表者名
  Sato Yoshihiro、Shibata Satoshi、Uedono Akira、Urabe Keiichiro、Eriguchi Koji
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 37 号: 1 ページ: 011304-011304
- DOI
  10.1116/1.5048027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H05849, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal deflection spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Sumiya M.、Fukuda K.、Takashima S.、Ueda S.、Onuma T.、Yamaguchi T.、Honda T.、Uedono A.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 511 ページ: 15-18
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2019.01.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Vacancy-type defects in GaN self-assembled nanowires probed using monoenergetic positron beam2019
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Siladie Alexandra-Madalina、Pernot Julien、Daudin Bruno、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 125 号: 17 ページ: 175705-175705
- DOI
  10.1063/1.5088653
- NAID
  120007133415
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  Yamashita Yudai、Takahara Yuuki、Sato Takuma、Toko Kaoru、Uedono Akira、Suemasu Takashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 5 ページ: 055506-055506
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab14b9
- NAID
  120007127924
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K18865, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-18H03767, KAKENHI-PROJECT-19J21372
[雑誌論文] Computational study of positron annihilation parameters for cation mono-vacancies and vacancy complexes in nitride semiconductor alloys2019
- 著者名/発表者名
  Ishibashi Shoji、Uedono Akira、Kino Hiori、Miyake Takashi、Terakura Kiyoyuki
- 雑誌名
  
  Journal of Physics: Condensed Matter
  
  巻: 31 号: 47 ページ: 475401-475401
- DOI
  10.1088/1361-648x/ab35a4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018
- 著者名/発表者名
  H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, Y. Zhang, D. Piedra, and T. Palacios
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57
- NAID
  210000149017
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN2018
- 著者名/発表者名
  Chichibu S. F.、Uedono A.、Kojima K.、Ikeda H.、Fujito K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161413-161413
- DOI
  10.1063/1.5012994
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H02907, KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Polarity-Dependence of the Defect Formation in C-axis Oriented ZnO by the Irradiation of an 8 MeV Proton Beam2018
- 著者名/発表者名
  K. Koike, M. Yano, S. Gonda, A. Uedono, S. Ishibashi, K. Kojima, S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 16 ページ: 161562-161562
- DOI
  10.1063/1.5010704
- NAID
  120007133775
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04936, KAKENHI-PROJECT-17K06472, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of (000-1) p-type GaN fabricated by sequential ion-implantation of Mg and H2018
- 著者名/発表者名
  Shima K.、Iguchi H.、Narita T.、Kataoka K.、Kojima K.、Uedono A.、Chichibu S. F.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 19 ページ: 191901-191901
- DOI
  10.1063/1.5050967
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427, KAKENHI-PROJECT-17H04809
[雑誌論文] Positron Annihilation Studies on Chemically Synthesized FeCo Alloy2018
- 著者名/発表者名
  Rajesh P.、Sellaiyan S.、Uedono A.、Arun T.、Joseyphus R. Justin
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 8 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-018-27949-2
- NAID
  120007134015
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Al2O3/GaN structure probed by monoenergetic positron beams2018
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Nabatame Toshihide、Egger Werner、Koschine T?njes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Sumiya Masatomo、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 15 ページ: 155302-155302
- DOI
  10.1063/1.5026831
- NAID
  120007133778
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018
- 著者名/発表者名
  H. Okumura、S. Suihkonen、J. Lemettinen、A. Uedono、Y. Zhang、D. Piedra、T. Palacios
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 4S ページ: 04FR11-04FR11
- DOI
  10.7567/jjap.57.04fr11
- NAID
  210000149017
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K14110, KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Ion energy control and its applicability to plasma enhanced atomic layer deposition for synthesizing titanium dioxide films2018
- 著者名/発表者名
  Iwashita Shinya、Denpoh Kazuki、Kagaya Munehito、Kikuchi Takamichi、Noro Naotaka、Hasegawa Toshio、Moriya Tsuyoshi、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 660 ページ: 865-870
- DOI
  10.1016/j.tsf.2018.03.001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Annealing behavior of open spaces in AlON films studied by monoenergetic positron beams2018
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Yamada Takahiro、Hosoi Takuji、Egger Werner、Koschine Toenjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 号: 18 ページ: 182103-182103
- DOI
  10.1063/1.5027257
- NAID
  120007133766
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and InxGa1－xN films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, S. Ueda, K. Fukuda, Y. Asai, Y. Cho, L. Sang, A. Uedono, T. Sekiguchi, T. Onuma, and T. Honda
- 雑誌名
  
  APEX
  
  巻: 11 号: 2 ページ: 021002-021002
- DOI
  10.7567/apex.11.021002
- NAID
  210000136099
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Large electron capture-cross-section of the major nonradiative recombination centers in Mg-doped GaN epilayers grown on a GaN substrate2018
- 著者名/発表者名
  Chichibu S. F.、Shima K.、Kojima K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.、Uedono A.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 112 号: 21 ページ: 211901-211901
- DOI
  10.1063/1.5030645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Effect of ion energies on the film properties of titanium dioxides synthesized via plasma enhanced atomic layer deposition2018
- 著者名/発表者名
  Iwashita Shinya、Moriya Tsuyoshi、Kikuchi Takamichi、Kagaya Munehito、Noro Naotaka、Hasegawa Toshio、Uedono Akira
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films
  
  巻: 36 号: 2 ページ: 021515-021515
- DOI
  10.1116/1.5001552
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] 陽電子消滅による空孔型欠陥の評価2018
- 著者名/発表者名
  1.上殿明良
- 雑誌名
  
  New Diamond
  
  巻: 34 ページ: 49-52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Imanishi Masayuki、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo、Mori Yusuke
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 475 ページ: 261-265
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.06.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Takashima Shinya、Edo Masaharu、Ueno Katsunori、Matsuyama Hideaki、Egger Werner、Koschine Tonjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. B
  
  巻: 2017 号: 4 ページ: 1700521-1700521
- DOI
  10.1002/pssb.201700521
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424, KAKENHI-PLANNED-16H06427
[雑誌論文] Electron capture by vacancy-type defects in carbon-doped GaN studied using monoenergetic positron beams2017
- 著者名/発表者名
  Uedono Akira、Tanaka Taketoshi、Ito Norikazu、Nakahara Ken、Egger Werner、Hugenschmidt Christoph、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 639 ページ: 78-83
- DOI
  10.1016/j.tsf.2017.08.021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 14 ページ: 1421031-5
- DOI
  10.1063/1.4823826
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6
- DOI
  10.1063/1.4807906
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24560010
[雑誌論文] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 501-506
- DOI
  10.1002/pssc.201200676
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 50 号: 42 ページ: 1-8
- DOI
  10.1149/05042.0001ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.113,No.21 ページ: 2135061-6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam2012
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, K.Tenjinbayashi, T.Tsutsui, K.Nakahara, D.Takamizu, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 111 号: 1 ページ: 0145081-6
- DOI
  10.1063/1.3675516
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[雑誌論文] Major impacts of point defects and impurities on the carrier recombination dynamics in AlN2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Collateral evidence for an excellent radiative performance of Al_xGa_<1-x>N alloy films of high AlN mole fractions2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 5 ページ: 0519021-3
- DOI
  10.1063/1.3615681
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-23656206, KAKENHI-PROJECT-23760021
[雑誌論文] Application of positron annihilation technique to front and backend processes for modern LSI devices2011
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  J.Phys. : Conf.Ser.
  
  巻: 262
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Photoluminescence and positron annihilation studies on Mg-doped nitrogen-polarity semipolar (10-1-1) GaN heteroepitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, A.Uedono, H.Asamizu, H.Sato, J.F.Kaeding, M.Iza, S.P.DenBaars, S.Nakamura, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Defect characterization of crystalline metal oxides and high-k films by means of positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  Proc.of 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  
  ページ: 1498-1501
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] 陽電子消滅法を用いた材料解析-材料不良解析への応用-2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 雑誌名
  
  SDM2009 190
  
  ページ: 49-52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] 低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu配線の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 他
- 雑誌名
  
  電子デバイスにおける原子輸送・応力問題第15回研究会予稿集
  
  ページ: 31-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Damage characterization of low-k layers through Cu damascene process using monoenergetic positron beams2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  Proc.13th IEEE Int.Interconnect Tech.Conf.
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Vacancy-boron complexes in plasma immersion ion-implanted Si probed by a monoenergetic positron beam2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- NAID
  40017116081
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] 陽電子消滅の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 他
- 雑誌名
  
  応用物理学会結晶工学分科会第15回結晶工学セミナーテキスト
  
  ページ: 1-8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Epitaxial DyScO_3 films as passivation layers suppress the diffusion of oxygen vacancies in SrTiO32010
- 著者名/発表者名
  G.Yuan, K.Nishio, M.Lippmaa, A.Uedono
- 雑誌名
  
  J.Phys.D : Appl.Phys. 43
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Effect of V/III flux ratio on luminescence properties and defect formation of Er-doped GaN2010
- 著者名/発表者名
  S.Chen, A.Uedono, S.Ishibashi, S.Tomita, H.Kudo, K.Akimoto
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence2010
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, K.Hazu, A.Uedono, T.Sota, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 96
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated using plasma doping studied by positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  Proc.2010 Int.Workshop on Junction Technology Extended Abstracts
  
  ページ: 149-154
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Vacancy-boron complexes in plasma immersion ion-implanted Si probed by a monoenergetic positron beam2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Tsutsui, S.Ishibashi, H.Watanabe, S.Kubota, Y.Nakagawa, B.Mizuno, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- NAID
  40017116081
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] 陽電子消滅の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 他
- 雑誌名
  
  応用物理学会結晶工学分科会第15回結晶工学セミナーテキスト
  
  ページ: 1-8
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] 陽電子消滅の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 石橋章司, 大島永康, 大平俊行, 鈴木良一
- 雑誌名
  
  応用物理学会結晶工学分科会第15回結晶工学セミナーテキスト
  
  ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] A study on vacancy-type defects in the electroless Cu measured with a monoenergetic positron beam2009
- 著者名/発表者名
  K.Yamanaka, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia 61
  
  ページ: 8-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] III族窒化物半導体(Al, Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係2009
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 上殿明良
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌(総合報告)
  
  巻: 36 ページ: 166-177
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Characterization of low-k/Cu damascene structures using monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, N. Inoue, Y. Hayashi, K. Eguchi, T. Nakamura, Y. Hirose, M. Yoshimaru, N. Oshima, T. Ohdaira, R. Suzuki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 48
- NAID
  40016890464
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films During Electrical Stress Application2009
- 著者名/発表者名
  R. Hasunuma, C. Tamura, T. Nomura, Y. Kikuchi, K. Ohmori, M. Sato, A. Uedono, T. Chikyow, K. Shiraishi, K. Yamada, K. Yamabe
- 雑誌名
  
  Proc. IEEE Int. Electron Device Meeting (IEDM)
  
  ページ: 131-134
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Characterization of low-k/Cu damascene structures using monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良, et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016890464
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Characterization of low-k SiOCH layers in fine-pitch Cu-damascene interconnects by monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, N.Inoue, Y.Hayashi, K.Eguchi, T.Nakamura, M.Yoshimaru, N.Oshima, T.Ohdaira, R.Suzuki
- 雑誌名
  
  Proc.12tn IEEE 2009 Int.Interconnect Tech.
  
  ページ: 75-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Characterization of low-k SiOCH layers in fine-pitch Cu-damascene interconnects by monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良, et al.
- 雑誌名
  
  Proc.12tn IEEE 2009 Int.Interconnect Tech. 12
  
  ページ: 75-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Characterization of low-k SiOCH layers in fine-pitch Cu-damascene interconnects by monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, N. Inoue, Y. Hayashi, K. Eguchi, T. Nakamura, M. Yoshimaru, N. Oshima, T. Ohdaira, R. Suzuki
- 雑誌名
  
  Proc. 12tn IEEE 2009 Int. Interconnect Tech.
  
  ページ: 75-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Vacancy-oxygen complexes and their optical properties in AlN epitaxial films studied by positron annihilation2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌(総合報告)
  
  巻: 36 ページ: 155-165
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono and S. F. Chichibu
- 雑誌名
  
  J. App. Phys 105
- NAID
  120002338505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Point defects in group-III nitride semiconductors studied by positron annihilation2009
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth
  
  巻: 311 ページ: 3075-3079
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped InN probed by means of positron annihilation m2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped InN probed by means of positron annihilation2009
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, H.Nakamori, K.Narita, J.Suzuki, X.Wang, S.-B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, S.Ishibashi
- 雑誌名
  
  J.App.Phys. 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films During Electrical Stress Application2009
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, C.Tamura, T.Nomura, Y.Kikuchi, K.Ohmori, M.Sato, A.Uedono, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Proc.IEEE Int.Electron Device Meeting (IEDM)
  
  ページ: 131-134
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Characterization of low-k/Cu damascene structures using monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, N.Inoue, Y.Hayashi, K.Eguchi, T.Nakamura, Y.Hirose, M.Yoshimaru, N.Oshima, T.Ohdaira, R.Suzuki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- NAID
  40016890464
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Positron annihilation study on defects in HfSiON films deposited byelectron-beam evaporation2009
- 著者名/発表者名
  G.Yuan, X.Lu, H.Ishiwara, A.Uedono
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 48
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Mg-doped InN probed by means of positron annihilation2009
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Nakamori, K. Narita, and J. Suzuki, X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa and S. Ishibashi
- 雑誌名
  
  J. App. Phys 105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, T.Shibata, K.Kosaka, K.Asai, S.Sumiya, M.Tanaka, T.Sota, A.Uedono, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  J.App.Phys. 105
- NAID
  120002338505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam2008
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, C.Shaoqiang, S.Jongwon, K.Ito, H.Nakamori, N.Honda, S.Tomita, K.Akimoto, H.Kudo, S.Ishibashi
- 雑誌名
  
  J.App.Phys. 103
- NAID
  120007131318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam2008
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103
- NAID
  120007131318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-type defects in Er-doped GaN studied by a monoenergetic positron beam2008
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, C. Shaoqiang, S. Jongwon, K. Ito, H. Nakamori, N. Honda, S. Tomita, K. Akimoto, H. Kudo and S. Ishibashi
- 雑誌名
  
  J. App. Phys 103
- NAID
  120007131318
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Origin of localized excitations in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation Techniques2007
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han and T. Sot
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine 87
  
  ページ: 2019-2039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in strained SiN films studied by monoenergetic positron beams2007
- 著者名/発表者名
  A. Uedono
- 雑誌名
  
  J. App. Phys. 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Annealing properties of vacancy-type defects in ion-implanted GaN studied by monoenergetic positron beams2007
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 雑誌名
  
  J. App. Phys. 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Origin of localized excitations in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation Techniques2007
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, B.A.Haskell, A.Chakraborty, T.Koyama, P.T.Fini, S.Keller, S.P.Denbaars, J.S.Speck, U.K.Mishra, S.Nakamura, S.Yamaguchi, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, J.Han, T.Sota
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine 87
  
  ページ: 2019-2039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[雑誌論文] Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2007
- 著者名/発表者名
  A. Uedono
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[雑誌論文] Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, M.Kubota, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukuazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 99 (9)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Impact of nitridation on open volumes in HfSiO_x studied using monoenergetic positron beams2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Yamabe, K.Eguchi, M.Takayanagi, T.Odaira, M.Marumatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 88
  
  ページ: 171912-171912
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Impact of nitridation on open volumes in HfSiO_x studied using monoenergetic positron beams2006
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Yamabe, K.Eguchi, M.Takayanagi, T.Odaira, M.Marumatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 88
  
  ページ: 171912-171912
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects2006
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, M.Kubota, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukuazaki, A.Ohtomo, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 99(9)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] 低速陽電子ビームを用いたhigh-k膜の空隙評価2005
- 著者名/発表者名
  上殿明良ほか
- 雑誌名
  
  表面科学 26
  
  ページ: 268-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.yamabe
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 97
  
  ページ: 33508-33508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Characterization of open spaces in high-k materials by monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Surface Science 26
  
  ページ: 268-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 99
  
  ページ: 54507-54507
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  Chichibu, Uedono, Tsukazaki, Onuma, Zamfirescu, Ohtomo, Kavokin, Cantwell, Litton, Sota, Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology (4月出版)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiO_x and HfAlO_x gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Annealing Properties of Open Volumes in HfSiO_x and HfAlO_x gate dielectrics Studied Using Monoenergetic Positron Beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] 陽電子による先端半導体材料の評価2005
- 著者名/発表者名
  上殿明良ほか
- 雑誌名
  
  応用物理 74
  
  ページ: 1223-1226
- NAID
  130007718061
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, A.Tsukazaki, T.Onuma, M.Zamfirescu, A.Ohtomo, A.Kavokin, G.Cantwell, C.W.Litton, T.Sota, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Characterization of advanced semiconductor materials by positron annihilation2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Ouyoubutsuri 74
  
  ページ: 1223-1226
- NAID
  130007718061
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23508-23508
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Exeiton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO2005
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, A.Uedono, A.Tsukazaki, T.Onuma, M.Zamfirescu, A.Ohtomo, A.Kavokin, G.Cantwell, C.W.Litton, T.Sota, M.Kawasaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 20
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiOx arid HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, K.Yamabe, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Vacancy-type defects in wide-gap semiconductors probed by positron annihilation2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.F.Chichibu
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 24th Electronic Materials Symposium 24
  
  ページ: 333-334
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiOx and HfAlOx gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Ikeuchi, K.Yamabe, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, A.S.Hamid, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamada
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Suppression of oxygen diffusion by thin Al_2O_3 films grown on SrTiO_3 studied using a monoenergetic positron beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 97
  
  ページ: 33508-33508
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 99
  
  ページ: 54507-54507
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Defects Introduced Into Electroplated Cu Films During Room-Temperature Recrystallization Probed by a Monoenergetic Positron Beam2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Annealing properties of open volumes in HfSiO_x and HfAlO_x gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams2005
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 98
  
  ページ: 23506-23506
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterization of Hf0.3Al0.7Ox Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43(11B)
  
  ページ: 7848-7852
- NAID
  130004531545
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Point defects in thin HfAlO_x films probed by monoenergetic positron beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 786
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.-Z.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(23)
  
  ページ: 5586-5588
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Characterization of HfO.3A1O.70x Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43(11B)
  
  ページ: 7848-7852
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Vacancy-Type Defects in SrTiO_3 Probed by a Monoenergetic Positron Beam2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Kiyohara, K.Shimoyama, Y.Matsunaga, N.Yasui, K.Yamabe
- 雑誌名
  
  Materials Sci.Forum 445-446
  
  ページ: 201-203
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.-.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85 (23)
  
  ページ: 5586-5588
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Characterizing metal-oxide-semiconductor structures consisting of HfSiO_x as gate dielectrics using monoenergetic positron beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 1254-1259
- NAID
  10012859094
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x Fabricated by Atomic-Layer Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, et al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43
  
  ページ: 7848-7848
- NAID
  10014215085
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x fabricated by atomic-layer-deposition technique using monoenergetic positron beam2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 7848-7852
- NAID
  10014215085
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x fabricated by atomic-layer-deposition technique using monoenergetic positron beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 7848-7852
- NAID
  10014215085
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Characterizing metal-oxide-semiconductor structures consisting of HfSiO_x as gate dielectrics using monoenergetic positron beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 1254-1259
- NAID
  10012859094
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Suppression of the Transient Current of MOS Consisting of HfAlO_x as Gate Dielectrics Studied by Positron Annihilation2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Extended Abstracts of 2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Device, May 26-28, 2004, Tokyo, Japan
  
  ページ: 120-123
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Vacancy-Type Defects in SrTiO_3 Probed by a Monoenergetic Positron Beam2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 445-446
  
  ページ: 201-203
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Point defects in thin HfAlO_x films probed by monoenergetic positron beams2004
- 著者名/発表者名
  A.Uedono et al.
- 雑誌名
  
  Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 786
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16560574
[雑誌論文] Reduced defect densities in the ZnO epilayer grown on Si substrates by laser-assisted molecular-beam epitaxy using a ZnS epitaxial buffer layer2004
- 著者名/発表者名
  T.Onuma, S.F.Chichibu, A.Uedono, Y.Yoo, T.Chikyow, T.Sota, M.Kawasaki, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85(23)
  
  ページ: 5586-5588
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360146
[雑誌論文] Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado
- 雑誌名
  
  IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding
  
  ページ: 648-649
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360016
[産業財産権] 低速陽電子ビーム発生装置2009
- 発明者名
  上殿明良,服部信美,中村友二,江口和弘,五十嵐信行,吉丸正樹
- 権利者名
  株式会社半導体理工学研究センター,国立大学法人筑波大学
- 取得年月日
  2009-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子消滅を用いた半導体材料の点欠陥評価”，セミコンジャパン SEMIテクノロジーシンポジウム2023
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  東京ビックサイト
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Impacts of vacancy clusters on the recombination dynamics in Mg-implanted GaN on GaN structures2023
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Bockowski, J. Suda, T. Kachi, S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, M. Edo, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Annealing properties of vacancy-type defects in ion implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2023
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, M. Bockowski, and J. Suda
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 陽電子消滅の基礎科学・材料評価2023
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  ナノテクノロジー国際標準化ワークショップ2023
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 陽電子消滅の基礎科学・材料評価2023
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  ナノテクノロジー国際標準化ワークショップ2023
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[学会発表] 陽電子消滅を用いた材料の欠陥，自由体積の検出2022
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  コンピュータによる材料開発・物質設計を考える会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 空孔ガイドMg拡散法によるp型イオン注入GaNの空間分解CL評価2022
- 著者名/発表者名
  嶋紘平, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 江戸雅晴, 小島一信, 上殿明良, 秩父重英
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 第43回優秀論文賞受賞記念講演エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命2022
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，小島一信，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，井口紘子，成田哲生，片岡恵太，石橋章司，上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 陽電子消滅を用いた半導体材料の点欠陥評価2022
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  セミコンジャパン SEMIテクノロジーシンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[学会発表] 陽電子消滅を用いたMgイオン注入により形成したp型GaNのMg活性プロセスと空孔型欠陥の研究2022
- 著者名/発表者名
  上殿明良，田中亮，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，嶋紘平，小島一信，秩父重英，石橋章司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Study of point defects in group-III nitrides by means of positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  MLZ User meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] GaNへの Mgイオン注入により形成される結晶欠陥とMg凝集のアクセプタ形成に与える影響2022
- 著者名/発表者名
  狩野絵美，大築立旺，片岡恵太，埋橋淳，櫻井秀樹，上殿明良，成田哲生，K. Sierakowski，M. Bockowski，小林功季，大久保忠勝，宝野和博，加地徹，五十嵐信行
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] 超高圧アニールによる Mgイオン注入 p型GaNのルミネッセンス評価2022
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，櫻井秀樹，石橋章司，上殿明良，M. Bockowski，須田淳，加地徹，秩父重英
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Point defects in ion implanted GaN and their role of dopant activation studied by positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono and S. Ishibashi
- 学会等名
  19th Int. Conf. Defects-Recognition, Imaging & Phys. Semicond.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] aN への Mg イオン注入により形成される結晶欠陥の原子分解能分析2022
- 著者名/発表者名
  大築立旺，狩野絵美，片岡恵太，埋橋淳，櫻井秀樹，上殿明良，成田哲生，K. Sierakowski，M. Bockowski，小林功季，大久保忠勝，宝野和博，加地徹，五十嵐信行
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Defect characterization by positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono
- 学会等名
  J-FAST kick-off meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Carrier trapping by vacancies in semiconductors studied using positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  The joint MLZ and physics department lecture series
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Studies of native and process induced defects in GaN using positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, and S. Ishibashi
- 学会等名
  19th Int. Conf. Positron Annihilation
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] Defect characterization by positron annihilation spectroscopy2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono
- 学会等名
  J-FAST kick-off meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[学会発表] Open spaces and vacancy-type defects in solid state materials probed by means of positron annihilation2022
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Nuclear probes for materials, medicines and industry
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K21082
[学会発表] AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性2021
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，小島一信，Moody B.，三田清二，Collazo R.，Sitar Z.，熊谷義直，上殿明良
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Cathodoluminescence studies of AlN epilayers grown by MOVPE on sputtered AlN templates annealed at high temperature2021
- 著者名/発表者名
  T. Kasuya, K. Shima, K. Shojiki, K. Uesugi, K. Kojima, A. Uedono, H. Miyake, S. F. Chichibu
- 学会等名
  8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Growth of AlxGa1-xN/InyGa1-yN hetero structure on AlN/sapphire templates2021
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, Y. Takahara, A. Alghamdi, G. Andersson, A. Uedono, and Y. Imanaka
- 学会等名
  8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Mgイオン注入後の空孔ガイド拡散法により形成したp型GaNのルミネッセンス評価2021
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，田中亮，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，小島一信，上殿明良，秩父重英
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅による配線材料の空孔検出ー後工程材料評価への応用ー2021
- 著者名/発表者名
  上殿明良，大島永康，満汐孝治
- 学会等名
  第4回量子ビーム計測クラブ研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[学会発表] Investigation on vacancy type defects in Fe doped SrSnO3 perovskite nanostructures by Positron annihilation spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  M. Muralidharan, S. Sellaiyan, A. Uedono, K. Sivaji, M. Avinash and A. Kumari
- 学会等名
  Int. Work. Positron Study Defects
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacancies in AlN deposited by radio-frequency sputtering and MOVPE studied by positron annihilation spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, K. Shojiki, K. Uesugi, S. F. Chichibu, S. Ishibashi, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and H. Miyake
- 学会等名
  8th Asian Conf. Cryst. Growth and Cryst. Tech.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出2021
- 著者名/発表者名
  上殿明良，正直花奈子，上杉謙次郎，秩父重英，石橋章司，Dickmann Marcel，Egger Werner，Hugenschmidt Christoph，三宅秀人
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Interaction between hydrogen and vacancy-type defects in Mg-implanted2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Int. Work. Positron Study Defects
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] ehaviors of vacancy-type defects in Mg-implanted GaN during ultra-high-pressure annealing studied by using a monoenergetic positron beam2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S. Ishibashi, S. F. Chichibu, and T. Kachi
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Open spaces and vacancy-type defects in solid state materials probed by means of positron annihilation2021
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Nuclear probes for materials, medicines and industry, Mumbai
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18812
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  粕谷拓生，嶋紘平，正直花奈子，上杉謙次郎，小島一信，上殿明良，三宅秀人，秩父重英
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，正直花奈子，上杉謙次郎，小島一信，上殿明良，三宅秀人，秩父重英
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO2膜の空隙の検出2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良，上野航，細井卓治，Egger Werner，Hugenschmidt Christoph，Dickmann Marcel，渡部平司
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，小島一信，Moody Baxter，三田清二，Collazo Ramon，Sitar Zlatko，熊谷義直，上殿明良
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅法によるMgイオン注入GaNの空孔型欠陥の焼鈍特性及び欠陥によるキャリア捕獲の研究2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良，高島信也，江戸雅晴，上野勝典，松山秀昭，M. Dickmann，W. Egger， C. Hugenschmidt，嶋紘平，小島一信，秩父重英，石橋章司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] AlNテンプレート上AlGaN/InxGa1-xNヘテロ構造の成長2020
- 著者名/発表者名
  角谷正友，高原悠希，今中康貴，Alghamdi Amira，Gunther Andersson，竹端寛治，上殿明良
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] InGaN/GaNヘテロ構造成長におけるAlNテンプレートの変化2020
- 著者名/発表者名
  角谷正友，高原悠希，矢代秀平，本田徹，Dickerson Kindole1，竹端寛治，今中康貴，上殿明良
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020
- 著者名/発表者名
  嶋紘平，中須大蔵，正直花奈子，上杉謙次郎，小島一信，上殿明良，三宅秀人，秩父重英
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良，櫻井秀樹，成田哲生，Sierakowski Kacper，Bockowski Michal，須田淳，石橋章司，嶋紘平，秩父重英，加地徹
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020
- 著者名/発表者名
  中須大蔵，嶋紘平，正直花奈子，上杉謙次郎，小島一信，上殿明良，三宅秀人，秩父重英
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2020
- 著者名/発表者名
  秩父重英，小島一信，羽豆耕治，石川陽一，古澤健太郎，三田清二，Collazo Ramon，Sitar Zlatko，上殿明良
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] A study of vacancy-type defects in wide-gap semiconductors by means of positron annihilation spectroscopy2020
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  MLZ User Meeting and German Neutron Scattering Conf.
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出2020
- 著者名/発表者名
  上殿明良，上野航，細井卓治，W. Egger，T. Koschine，C. Hugenschmidt，M. Dickmann M.，渡部平司
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  SPIE Photonics West, OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] エピタキシャル成長およびイオン注入Mg添加GaN中の非輻射再結合中心2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，小島一信，高島信也，上野勝典，江戸雅晴，井口紘子，成田哲生，片岡恵太，石橋章司，上殿明良
- 学会等名
  第216回研究集会　シリコンテクノロジー分科会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacancy-type defects in ion-implanted GaN probed by monoenergetic positron beams2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
- 学会等名
  MLZ User Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 容量測定を用いたp-GaNエピへの低濃度Mg注入と共注入影響の評価2019
- 著者名/発表者名
  高島信也，上野勝典，田中亮，松山秀昭，江戸雅晴，嶋紘平，小島一信，秩父重英，上殿明良
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 注入深さ・極性面の異なるMgイオン注入GaNのフォトルミネッセンス2019
- 著者名/発表者名
  秩父重英，嶋紘平，井口紘子，成田哲生，片岡恵太，小島一信，上殿明良
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] The Infuence of AlN Nucleation Layer on Radio Frequency (RF) Transmission Loss of GaN-on-Si Structure2019
- 著者名/発表者名
  M. Zhao, V. Spampinato, A. Franquet, D. Hein, L. Chang and A. Uedono
- 学会等名
  13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN2019
- 著者名/発表者名
  S. Takashima, R. Tanaka, K. Ueno, H. Matsuyama, Y. Fukushima, M. Edo, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and A. Uedono
- 学会等名
  13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] In Line and Ex Situ Metrology and Characterization to Enable Area Selective Deposition2019
- 著者名/発表者名
  C. Vallee, M. Bonvalot, B. Pelissier, J.-H. Tortai, S. David, S. belahcen, V. Pesce, M. Jaffal, A. Bsiesy, R. Gassilloud, N. Posseme, T. Grehl, P. Bruner, and A. Uedono
- 学会等名
  American Vacuum Society Int. Sym.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Impact of Vacancy Complexes on the Nonradiative Recombination Processes in III-N Devices2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Annealing behaviors of open spaces in thin Al2O3 films deposited on semiconductors studied using monoenergetic positron beams2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and S. Ishibashi
- 学会等名
  15th Int. Workshop Slow Positron Beam Techniques and Applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2019
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  SPIE Photonics West, OPTO
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Open spaces in Al2O3 film deposited on widegap semiconductors probed by monoenergetic positron beams2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, M. Sumiya, and S. Ishibashi
- 学会等名
  American Vacuum Society Int. Sym. Ohio
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacancy-type defects in GaN-based power device structure defect characterization inion implanted GaN and Al2O3/GaN2019
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-Implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019
- 著者名/発表者名
  K Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  13th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅法によるp-GaNエピ層、イオン注入層の点欠陥評価2018
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第149回結晶工学分科会研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積2018
- 著者名/発表者名
  秩父重英，小島一信，小池一歩，矢野満明，權田俊一，石橋章司，上殿明良
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement2018
- 著者名/発表者名
  K. Yuge, T. Nabatame, Y. Irokawa, A. Ohi, N. Ikeda, A. Uedono, L. Sang, Y. Koide, and T. Ohishi
- 学会等名
  2018 Int. Conf. Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Carrier Trapping and Detrapping Processes in Wide Bandgap Semiconductors Studied by Positron Annihilation2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Egger, C. Hugenschmidt, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Int. Conf. Positron Annihilation
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価2018
- 著者名/発表者名
  福田清貴，高島信也，尾沼猛儀，山口智広，本田徹，上殿明良，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Study of the dependence of GaN surface oxidation on the crystalline plane by in-situ XPS during O2 molecular beam irradiation2018
- 著者名/発表者名
  Y. Asai, A. Yoshigoe, M. Sumita, A. Uedono, and M. Sumiya
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Structural disorder and in-gap states of Mg-implanted GaN films evaluated by photothermal election spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  M. Sumiya, K. Fukuda, S. Takashima, T. Yamaguchi, T. Onuma, T. Honda, and A. Uedono
- 学会等名
  19TH Int. Conf. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2018
- 著者名/発表者名
  嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018
- 著者名/発表者名
  角谷正友, 福田清貴，上田茂典, 浅井祐哉, Cho Yujin, 関口隆史, 上殿明良, 尾沼猛儀, Sang Liwen, 本田徹
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 陽電子消滅による窒化物半導体中0次元特異構造（点欠陥）のキャリア捕獲の評価2018
- 著者名/発表者名
  上殿明良，石橋章司，角谷正友
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Carrier trapping by vacancy-type defects in group-III nitrides studied by means of positron annihilation2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, M. Sumiya, and S. Ishibashi
- 学会等名
  Third DAE-BRNS Trombay Positron Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures2018
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacancy-Type Defects and Their Carrier Trapping Properties in GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, T. Tanaka, N. Ito, K. Nakahara, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and M. Sumiya
- 学会等名
  Electro Chemical Soc. and Americas Int. Meeting Electrochem. Solis state Science
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018
- 著者名/発表者名
  角谷正友，福田清貴，上田茂典，浅井祐哉，Cho Yujin，関口隆史，上殿明良，尾沼猛儀，Sang Liwen，山口智広，本田徹
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－2018
- 著者名/発表者名
  松木伸行、松井卓矢、満汐孝治、オロークブライアン、大島永康、上殿明良
- 学会等名
  第65回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] Evaluation of Al2O3/n-, p-GaN samples by photothermal deflection spectroscopy2018
- 著者名/発表者名
  K. Fukuda, Y. Asai, L. Sang, A. Yoshigoe, A. Uedono, T. Onuma, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Sumiya
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductor 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Mg イオン注入GaN MOSFET のチャネル特性向上2018
- 著者名/発表者名
  高島信也，田中亮，上野勝典，松山秀昭，江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 学術界における量子ビーム利用－陽電子消滅法を例に－2018
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第1回量子ビームクラブ研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Carrier Trapping Properties of Defects in Mg-implanted GaN Probed by Monoenergetic Positron Beams2018
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, H. Matsuyama, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Kojima, and S. Chichibu, S. Ishibashi
- 学会等名
  45th Int. Sym. Compound Semiconductors, 30th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 分子線酸素ビーム照射下その場観察XPS によるGaN 表面酸化の面方位依存性2018
- 著者名/発表者名
  浅井祐哉，関慶祐，吉越章隆，隅田真人，石垣隆正，上殿明良，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Al2O3/n-, p-GaN構造の光熱偏向分光法による評価2018
- 著者名/発表者名
  福田清貴，浅井祐哉，関慶祐，Sang Liwen，吉越章隆，上殿明良，石垣隆正，尾沼猛儀，山口智広，本田徹，角谷正友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Theoretical Calculation of Positron Annihilation Parameters in Group-III nitrides2017
- 著者名/発表者名
  S. Ishibashi and A. Uedono
- 学会等名
  29th Int. Conf. Defects in Semiconductors, Matsue
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価－ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－2017
- 著者名/発表者名
  松木伸行、オロークブライアン、大島永康、上殿明良
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] Theoretical calculation of positron annihilation parameters for defects in UV materials (AlN, ZnO, Ga2O3)2017
- 著者名/発表者名
  S. Ishibashi and A. Uedono
- 学会等名
  Int. Workshop on UV Materials and Devices
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017
- 著者名/発表者名
  H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, T. Palacios
- 学会等名
  2017 Material Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017
- 著者名/発表者名
  H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Study of point defects in nitrides and oxides by means of positron annihilation2017
- 著者名/発表者名
  A. Uedono
- 学会等名
  5th Int. Conf. on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
- 学会等名
  12th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Strasbourg Convention Center
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
- 学会等名
  11th Int. Sym. Semiconductor on Light Emitting Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Fast optical determination of microvoid size in hydrogenated amorpshous silicon layers based on data obtained from positron annihilation spectroscopy2017
- 著者名/発表者名
  N. Matsuki, N. Oshima, B. O’Rourke, A. Uedono
- 学会等名
  27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04663
[学会発表] GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2017
- 著者名/発表者名
  秩父重英，小島一信，嶋紘平，高島信也，江戸雅晴，上野勝典，石橋章司，上殿明良
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] 窒化物半導体合金中の陽イオン空孔における局所構造と陽電子消滅パラメータの間の相関の計算科学的研究2016
- 著者名/発表者名
  石橋章司、上殿明良、木野日織、三宅隆、寺倉清之
- 学会等名
  平成28年度京都大学原子炉実験所専門研究会
- 発表場所
  京都大学原子炉実験所（大阪府泉南郡）
- 年月日
  2016-12-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06424
[学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors2013
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2013-09-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会シンポジウム
- 発表場所
  東京(依頼講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Si添加Al_<0.6>Ga_<0.4>N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価2012
- 著者名/発表者名
  羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良
- 学会等名
  2012年春季応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学,東京都(シンポジウム招待)(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Identification of extremely radiative nature of AlN by time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence measurements2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono, T.Sota
- 学会等名
  SPIE Photonics West California
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation2011
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, S.F.Chichibu, K.Akimoto
- 学会等名
  SPIE Photonics West California
- 発表場所
  USA
- 年月日
  2011-01-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
- 発表場所
  Nice, France(招待)(招待講演)
- 年月日
  2011-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation2011
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  California, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  Glasgow, UK
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
- 学会等名
  2011年秋季応用物理学会
- 発表場所
  山形大学,山形県
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Point defects in GaN and related group-III nitrides studied by means of positron annihilation2011
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, et al.
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  California, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-01-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated using plasma doping studied by positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 学会等名
  10th Int.Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Shanghai, China(招待講演)
- 年月日
  2010-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第15回結晶工学セミナー
- 発表場所
  学習院大学(招待講演)
- 年月日
  2010-11-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Defect characterization of crystalline metal oxides and high-k films by means of positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, N.Oshima, T.Ohdaira, R.Suzuki
- 学会等名
  2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Defect characterization of crystalline metal oxides and high-k films by means of positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 学会等名
  10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
- 発表場所
  Shanghai, China(招待講演)
- 年月日
  2010-11-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] AlN及び高AlNモル分率AlxGa1・xNエピタキシャル層の時間分解分光計測2010
- 著者名/発表者名
  秩父重英, 尾沼猛儀, 羽豆耕治, 上殿明良, 宗田孝之
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「紫外光デバイスの進展:材料物性と応用」
- 発表場所
  大阪大学吹田キャンパス
- 年月日
  2010-05-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 三宅秀人, 平松和政, 石橋章司
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第15回結晶工学セミナー
- 発表場所
  学習院大学(招待講演)
- 年月日
  2010-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた材料の空孔型欠陥検出と評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会
- 発表場所
  名城大学(招待講演)
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Degradation in HfSiON film induced by electrical stress application2010
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, C.Tamura, T.Nomura, Y.Kikuchi, K.Ohmori, M.Sato, A.Uedono, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Yamabe
- 学会等名
  217th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Hyatt Regency Vancouver and The Fairmont Hotel Vancouver, Vancouver, Canada
- 年月日
  2010-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Application of positron annihilation technique to front and backend processes for modern LSI devices2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, S.Ishibashi, N.Oshima, T.Ohdaira, R Suzuki
- 学会等名
  12th Int.Workshop on Slow Positron Beam Technique
- 発表場所
  Magnetic Island, State of Queensland, Australia
- 年月日
  2010-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一
- 学会等名
  第15回結晶工学セミナー「物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する」-究極の分析を目指して-
- 発表場所
  東京学習院大学
- 年月日
  2010-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Damage characterization of low-k layers through Cu damascene process using monoenergetic positron beams2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 学会等名
  2010 IEEE Int.Interconnect Technology Conf.
- 発表場所
  California, USA
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Application of positron annihilation technique to front and backend processes for modern LSI devices2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono
- 学会等名
  12th Int.Workshop on Slow Positron Beam Technique
- 発表場所
  Magnetic Island, State of Queensland, Australia(招待講演)
- 年月日
  2010-08-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu配線の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第15回電子デバイスにおける原子輸送・応力問題研究会
- 発表場所
  白山ハイテクパーク(招待講演)
- 年月日
  2010-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, T.Sota, A.Uedono
- 学会等名
  Int.Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Florida, USA
- 年月日
  2010-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Vacancy-type defects in ultra-shallow junctions fabricated using plasma doping studied by positron annihilation2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, K.Tsutsui, S.Ishibashi, H.Watanabe, S.Kubota, K.Tenjinbayashi1, Y.Nakagawa, B.Mizuno, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  10th Int.Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  FuXuan Hotel at Fundan University, FuXuan Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2010-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた材料の空孔型欠陥検出と評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会
- 発表場所
  名城大学(招待講演)
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた材料の空孔型欠陥検出と評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 石橋章司, 大島永康, 大平俊行, 鈴木良一
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子の基礎と最先端2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 石橋章司, 大島永康, 大平俊行, 鈴木良一
- 学会等名
  第15回結晶工学セミナー
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2010-11-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一
- 学会等名
  配線・実装技術と関連材料技術,
- 発表場所
  機械振興会館東京
- 年月日
  2010-02-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良, 井上尚也, 林喜宏, 江口和弘, 中村友二, 廣瀬幸範, 吉丸正樹, 大島永康, 大平俊行, 鈴木良一
- 学会等名
  配線・実装技術と関連材料技術
- 発表場所
  機械振興会館東京
- 年月日
  2010-02-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu 配線の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一
- 学会等名
  第15回電子デバイスにおける原子輸送・応力問題研究会
- 発表場所
  横浜市白山ハイテクパーク
- 年月日
  2010-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子消滅によるAIGaN中の欠陥評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Structure-modification model of porogen-based porous SiOC film with UV curing2010
- 著者名/発表者名
  Y.Oka, A.Uedono, K.Goto, Y.Hirose, M.Matsuura, M.Fujisawa, K.Asai
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2010
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2010-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 低速陽電子ビームを用いた材料の空孔型欠陥検出と評価2010
- 著者名/発表者名
  上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一
- 学会等名
  応用物理学会薄膜・表面物理分科会第11回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
- 発表場所
  名古屋名城大学
- 年月日
  2010-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Damage characterization of low-k layers through Cu damascene process using monoenergetic positron beams2010
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, N.Inoue, Y.Hayashi, K.Eguchi, T.Nakamura, Y.Hirose, M.Yoshimaru, N.Oshima, T.Ohdaira, R.Suzuki
- 学会等名
  2010 IEEE Int.Interconnect Technology Conf.
- 発表場所
  Hyatt Regency San Francisco Airport Hotel, Burlingame, California, USA
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Novel low-k SiOC (k=2.4) with superior tolerance to direct polish and ashing for advanced BEOL integration2009
- 著者名/発表者名
  N.Asami, T.Owada, S.Akiyama, N.Ohara, Y.Iba, T.Kouno, H.Kudo, S.Takesako, T.Osada, T.Kirimura, H.Watatani, A.Uedono, Y.Nara, M.Kase
- 学会等名
  12tn IEEE 2009 Int.Interconnect Tech.
- 発表場所
  Royton Sapporo Hotel, Hokkaido, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Characterization of low-k SiOCH layers in fine-pitch Cu-damascene interconnects by monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  A.Uedono, N.Inoue, Y.Hayashi, K.Eguchi, T.Nakamura, M.Yoshimaru, N.Oshima, T.Ohdaira, R.Suzuki
- 学会等名
  12tn IEEE 2009 Int.Interconnect Tech.
- 発表場所
  Royton Sapporo Hotel, Hokkaido, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Characterization of low-k SiOCH layers in fine-pitch Cu-damascene interconnects by monoenergetic positron beams2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良, et al.
- 学会等名
  12tn IEEE 2009 Int.Interconnect Tech.
- 発表場所
  Royton Sapporo Hotel Hokkaido
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] 陽電子消滅法を用いた材料解析-材料不良解析への応用-2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  X線分析研究懇談会
- 発表場所
  大阪市立大学(大阪府大阪市)(招待講演)
- 年月日
  2009-11-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Theoretical calculations of positron states and annihilation parameters in group-III nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  S.Ishibashi, A.Uedono
- 学会等名
  25th International Conference on Defects in Semiconductors
- 発表場所
  St Petersburg, Russia
- 年月日
  2009-06-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子消滅法を用いた材料解析-材料不良解析への応用-2009
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  X線分析研究懇談会
- 発表場所
  大阪市立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films During Electrical Stress Application2009
- 著者名/発表者名
  R.Hasunuma, C.Tamura, T.Nomura, Y.Kikuchi, K.Ohmori, M.Sato, A.Uedono, T.Chikyow, K.Shiraishi, K.Yamada, K.Yamabe
- 学会等名
  2009 IEEE Int.Electron Devices Meeting
- 発表場所
  Hilton Baltimore, Baltimore, MD, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360285
[学会発表] Impacts of point defects on the recombination dynamics and emission efficiency of (Al,Ga)N2008
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, T. Onuma, and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Point defects in group-III nitride semiconductors studied by positron annihilation2008
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki
- 学会等名
  The 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  Izu, Japan
- 年月日
  2008-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子を用いたIII族窒化物半導体の点欠陥の研究2008
- 著者名/発表者名
  上殿明良
- 学会等名
  特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-」公開シンポジウム
- 発表場所
  学士会館(東京)
- 年月日
  2008-08-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Raditive and nonradiative processes in (Al,In,Ga)N alloy films2007
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, and T. Sota
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference
- 発表場所
  Fayetteville, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] 陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出2007
- 著者名/発表者名
  上殿明良・秩父重英
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069001
[学会発表] Effects of Si-doping on the recombination dynamics of excitons in AlGaN alloys studied by time-resolved cathodoluminescence
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Hazu, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting, Session L: Group III nitrides
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] 「ワイドバンドギャップ窒化物・酸化物半導体の発光寿命と点欠陥の関係」
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 10月定期研究会
- 発表場所
  名城大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, H. Miyake, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
- 学会等名
  The IUMRS International Conference in Asia 2013 (IUMRS-ICA-2013)
- 発表場所
  Bangalore, India
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線
- 著者名/発表者名
  秩父重英,上殿明良
- 学会等名
  応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会第148回研究集会
- 発表場所
  グランキューブ大阪（大阪国際会議場）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique
- 著者名/発表者名
  K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037
[学会発表] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys
- 著者名/発表者名
  S. F. Chichibu and A. Uedono
- 学会等名
  The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246037

1. 秩父重英 (80266907)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 62件
2. 宗田孝之 (90171371)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
3. 杉山睦 (40385521)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 山部紀久夫 (10272171)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
5. 堂山昌男 (40010748)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 大島永康 (00391889)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
7. 石橋章司 (30356448)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 50件
8. 奥村宏典 (80756750)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
9. 津坂佳幸 (20270473)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 河村貴宏 (80581511)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 内田和之 (10393810)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 羽豆耕治 (30367057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
15. 古澤健太郎 (40392104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
16. 氏平祐輔 (40010805)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 野村貴美 (40124680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 石野栞 (70010733)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 河西寛 (40010970)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 関村直人 (10183055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 秋本克洋 (90251040)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 蓮沼隆 (90372341)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 末益崇 (40282339)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
24. 松木伸行 (30373450)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
25. 田中真伸 (00222117)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 森勇介 (90252618)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 今西正幸 (00795487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
28. ORourke Brian (60586551)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 角谷正友 (20293607)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
30. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 富永依里子 (40634936)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 石川史太郎 (60456994)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 小林慶規

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 塚本哲生

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. ブライアンオローク

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
36. 小島一信

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
37. 嶋紘平

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
38. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
39. 小池一歩

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件
40. 矢野満明

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
41. 正直花奈子

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
42. Palacios Tomas

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
43. Suihkonen Sami

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
44. 佐々木泰祐

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
45. 占部継一郎

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
46. 塚田学

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

上殿 明良 Uedono Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノ空隙検出のためのサブミリメートル空間分解能を有する陽電子消滅装置の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低速陽電子ビームによる絶縁膜/Si界面の遷移層及び歪の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

陽電子消滅を用いた金属/金属酸化物の空孔型欠陥の研究研究代表者

上殿明良 Uedono Akira