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原田 信介  Harada Shinsuke

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 20392649
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度 – 2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長
2019年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長
2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長
2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, グループリーダー
2015年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究チーム長
2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究チーム長
2013年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性 / 小区分21010:電力工学関連 / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
キーワード
研究代表者以外
MOS界面 / 炭化ケイ素 / 電子スピン共鳴分光 / MOSFET / 4H-SiC / MOS界面欠陥 / GaN / 第一原理計算 / 電子スピン共鳴 / 窒化ガリウム … もっと見る / ワイドギャップ半導体 / 移動度劣化 / ESR / 界面欠陥 / 閾値変動 / 界面準位 / パワーエレクトロニクス / SiC/SiO2界面 / 引っ張り応力、せん断応力 / アルミ電極と銅電極 / TCADシミュレーション / 電気-熱-応力連成解析 / 負荷短絡破壊 / ゲートもれ電流 / SiCMOS結晶面 / ゲート底部電界保護層 / NIT密度 / Jd-Vgs特性 / 負荷短絡試験 / SiC-MOSFET / 残留ダメージ / 機械応力 / 負荷短絡 / 高信頼性特性 / SiC MOSFET / IV族系半導体 / 炭素ダングリングボンド / PbCセンター / BVセンター / スピン欠陥 / 電流検出型電子スピン共鳴 / 電流検出 / ダイヤモンド / スピン依存チャージポンピング / 電流検出型電子スピン共鳴分光 / SiC / ダングリングボンド / しきい値シフト / 界面水素 / チャネルドーピング / 界面窒素 / EDMR / しきい値電圧 / 電流検出ESR法 / ESR法 / 電界効果トランジスタ / 酸化膜界面 / チャネル移動度 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (44件)
  • 共同研究者

    (13人)
  •  SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究

    • 研究代表者
      岩室 憲幸
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21010:電力工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

    • 研究代表者
      藤ノ木 享英 (梅田享英)
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分29:応用物理物性およびその関連分野
    • 研究機関
      筑波大学
  •  ワイドギャップ半導体(SiCおよびGaN)MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定

    • 研究代表者
      藤ノ木 享英 (梅田享英)
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      筑波大学
  •  炭化ケイ素(SiC)MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明

    • 研究代表者
      藤ノ木 享英 (梅田享英 / 梅田 享英 / 藤ノ木 享英(梅田享英))
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      筑波大学

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すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 120 号: 6 ページ: 064001-064001

    • DOI

      10.1063/5.0078189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-20J15088
  • [雑誌論文] Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000 )/ SiO2 interfaces with wet oxidation2020

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 号: 15 ページ: 151602-151602

    • DOI

      10.1063/1.5116170

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2020

    • 著者名/発表者名
      E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 116 号: 17 ページ: 171602-171602

    • DOI

      10.1063/5.0002944

    • NAID

      120007132633

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2020

    • 著者名/発表者名
      Umeda T.、Kobayashi T.、Sometani M.、Yano H.、Matsushita Y.、Harada S.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 116 号: 7 ページ: 071604-071604

    • DOI

      10.1063/1.5143555

    • NAID

      120007003559

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4HSiC(0001)/SiO2 interfaces2020

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 127 号: 14 ページ: 145301-145301

    • DOI

      10.1063/1.5134648

    • NAID

      120007132646

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Anomalous carbon clusters in 4H-SiC/SiO2 interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Kagoyama, M. Okamoto, T. Yamasaki, N. Tajima, J. Nara, T. Ohno, H. Yano, S. Harada, and T. Umeda
    • 雑誌名

      J. Applied Physics

      巻: 125 号: 6 ページ: 065302-065302

    • DOI

      10.1063/1.5066356

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H03830, KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, G.-W. Kim, T. Okuda, M. Sometani, T. Kimoto, S. Harada
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 113 号: 6 ページ: 061605-061605

    • DOI

      10.1063/1.5041059

    • NAID

      120007127942

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 112 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.4994241

    • NAID

      120007133812

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Interface defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An electrically-detected-magnetic-resonance study2017

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 80 号: 1 ページ: 147-153

    • DOI

      10.1149/08001.0147ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Characterization of traps at nitrided SiO2/SiC interfaces near the conduction band edge by using Hall effect measurements2017

    • 著者名/発表者名
      T. Hatakeyama, Y. Kiuchi, M. Sometani, S. Harada, D. Okamoto, H. Yano, Y. Yonezawa, H. Okumura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 4 ページ: 046601-046601

    • DOI

      10.7567/apex.10.046601

    • NAID

      210000135827

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m-face {1-100} for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, H. Ishimori, A. Kinoshita, T. Kojima, M. Takei, H. Kimura, S. Harada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 4S ページ: 04CR08-04CR08

    • DOI

      10.7567/jjap.56.04cr08

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [雑誌論文] Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation2014

    • 著者名/発表者名
      M. Okamoto, Y. Makibuchi, M. Araoka, M. Miyazato, N. Sugahara, T. Tsutsumi, Y. Ohnishi, H. Kimura, S. Harada, K. Fukuda, A. Ohtsuki, H. Okumura
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 778-780 ページ: 975-978

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [雑誌論文] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance2014

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 778-780 ページ: 414-417

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [雑誌論文] 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価2013

    • 著者名/発表者名
      梅田享英, 岡本光央, 小杉亮治, 原田信介, 荒井亮, 佐藤嘉洋, 牧野高紘, 大島武, 奥村元
    • 雑誌名

      シリコンテクノロジー(応用物理学会分科会)

      巻: 161 ページ: 98-102

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [雑誌論文] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face2013

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 58 ページ: 55-60

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress2023

    • 著者名/発表者名
      Mitsuki Takahashi, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano and Noriyuki Iwamuro
    • 学会等名
      The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K20927
  • [学会発表] Electrical detection of Tv2a-type VSi centres in SiC-MOSFET2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study2019

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, T. Kobayashi, Y. Matsushita, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Identifications of major and minor interface defects at C-face 4H-SiC/SiO2 interfaces with wet oxidation2019

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] C面窒化4H-SiC/SiO2界面の電流検出型電子スピン共鳴分光2019

    • 著者名/発表者名
      成ケ澤雅人,比嘉栄斗,染谷満, 畠山哲夫,原田信介,梅田享英
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      E. Higa, M. Sometani, S. Harada, H. Yano, T. Umeda
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Carbon Pb center (the PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2019

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
    • 学会等名
      30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥:EDMR分光からの知見2019

    • 著者名/発表者名
      梅田享英,鹿児山陽平,富田和輝,阿部裕太, 岡本光央,畠山哲夫,原田信介
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価2019

    • 著者名/発表者名
      比嘉栄斗,染谷満,原田信介,矢野裕司,梅田享英
    • 学会等名
      第6回先進パワー半導体分科会講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahigh-temperature oxidation2018

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, T. Hosoi, T. Okuda, T. Kimoto, M. Sometani, S. Harada, H. Watanabe
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥(PbCセンター)2018

    • 著者名/発表者名
      梅田享英、神成田亘平、奥田貴史、木本暢恒、染谷満、原田信介
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングのESR定量2018

    • 著者名/発表者名
      梅田享英,染谷満,原田信介
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出2018

    • 著者名/発表者名
      鹿児山陽平、梅田享英、染谷満、原田信介、畠山哲夫
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] Interface defects related to threshold-voltage shift in C-face 4H-SiC MOSFETs: An EDMR study2017

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, H. Yoshioka, G.-W. Kim, S. Ma, R. Arai, T. Makino, T. Ohshima, S. Harada
    • 学会等名
      232nd Electrochemical Society Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H02781
  • [学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016

    • 著者名/発表者名
      梅田享英、阿部裕太、Y.-W. Zhu、岡本光央、小杉亮治、原田信介、春山盛善、小野田忍、大島武
    • 学会等名
      第63回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価2016

    • 著者名/発表者名
      梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本暢恒、小杉亮治、岡本光央、原田信介
    • 学会等名
      第63回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Microscopic difference between dry and wet oxidations of C-face 4H-SiC MOSFFETs studied by electrically detected magnetic resonance2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kagoyama, M. Okamoto, S. Harada, R. Arai, T. Umeda
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
    • 発表場所
      Sicily, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance Study on Interface Defects Responsible forThreshold‐Voltage Shift in C‐face 4H‐SiC MOSFETs2015

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, R. Arai, S.J. Ma, G.W. Kim, M. Okamoto, H. Yoshioka, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
    • 発表場所
      Sicily, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] An interfacial defect complex (the P8/9 centers) in C-face 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance2015

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, R. Arai, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016
    • 発表場所
      Sicily, Italy
    • 年月日
      2015-10-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] 電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察

    • 著者名/発表者名
      荒井亮、梅田享英、佐藤嘉洋、岡本光央、原田信介、小杉亮治、奥村元、牧野高紘、大島武
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学、京都府
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] C-face interface defects in 4H-SiC MOSFETs studied by electrically detected magnetic resonance

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, R. Arai, Y. Satoh, R. Kosugi, S. Harada, H. Okumura, T. Makino, T. Ohshima
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Study on Interface Defects in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistors

    • 著者名/発表者名
      G.W. Kim, S.J. Ma, R. Arai, M. Okamoto, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima, T. Umeda
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Nitrogen doping to channel regions of 4H-SiC MOSFETs characterized by electron spin resonance

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, Y. Sato, R. Kosugi, M. Okamoto), S. Harada, H. Okumura
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2014-09-21 – 2014-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] SiC MOS interface states: difference between Si face and C face

    • 著者名/発表者名
      T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, R. Arai, Y. Sato, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
    • 学会等名
      224th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      The Hilton San Francisco Hotel, San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] 水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET

    • 著者名/発表者名
      岡本光央、巻渕陽一、荒岡幹、宮里真樹、須ケ原紀之 、堤岳志、大西泰彦、木村浩、原田信介、福田憲司、大月章弘、奥村元
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館、埼玉県
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] 容量検出型電子スピン共鳴分光法による4H-SiC MOSFETの結晶欠陥の測定

    • 著者名/発表者名
      鹿児山陽平、岡本光央、小杉亮治、原田信介、牧野高紘、大島武、梅田享英
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Defects in 4H-SiC MOSFETs studied by Capacitively Detected Magnetic Resonance

    • 著者名/発表者名
      Y. Kagoyama, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, T. Makino, T. Ohshima
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2014
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2014-09-21 – 2014-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • [学会発表] Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation

    • 著者名/発表者名
      M. Okamoto, Y. Makibuchi, M. Araoka, M. Miyazato, N. Sugahara, T. Tsutsumi, Y. Ohnishi, H. Kimura, S. Harada, K. Fukuda, A. Ohtsuki, H. Okumura
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013
    • 発表場所
      Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25286054
  • 1.  藤ノ木 享英 (10361354)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  岡本 光央 (60450665)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 25件
  • 3.  小杉 亮治 (10356991)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件
  • 4.  牧野 俊晴 (20360258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  五十嵐 信行 (40771100)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  磯谷 順一 (60011756)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  染谷 満 (60783644)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  松下 雄一郎 (90762336)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 9.  岩室 憲幸 (50581203)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 10.  矢野 裕司 (40335485)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 11.  大野 隆央
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 12.  梅田 享英
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 36件
  • 13.  大島 武
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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