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松村 正清  MATSUMURA Masakiyo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30110729
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授
1987年度 – 1999年度: 東京工業大学, 工学部, 教授
1989年度: 東京工業大学, 工学部
1986年度: 東京工大, 工学部, 教授
1985年度: 東京工業大学, 工, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子機器工学 / 電子材料工学 / 応用物性 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
Germanium / Silicon / Si / ヘテロ接合 / MBE / MOCVD / シリコン / MIS構造 / Thin-Film Transistor / 薄膜トランジスタ … もっと見る / Hetero Structure / エキシマレーザ / 原子層成長 / ゲルマニウム / インジウムアンチモン / MISトランジスタ / カドミウムテルル / 水銀テルル / Thermal-Oxidation / Amorphous-Silicon / 熱酸化 / silicon / CAICISS / Super Lattice / Atomic Layer Epitaxy / SOI / 超格子 / ALE / 多結晶シリコン / Ge人工結晶 / Atomic Hydrogen / Atomic Layr Epitaxy / ヘテロ成長 / 原子状水素 / 水銀・カドミウム・テルル / カドミウム・テルル / エピタキシャル成長 / 界面準位 / MBE成長 / MIS Capacitor / Surface States / Cadmium Telluride / Indium Antimonide / Hetero Junction / MIS Transistor / 超高速MISトランジスタ / MIS構造ヘテロエピタキシャル成長 / MOCVDインジウムアンチモン / ヘテロ構造 / MISキャパシタ / Plasma CVD / Self-Alignment / Two-Step deposition / Ultra-Thin Film / 絶縁体界面 / 半導体 / プラズマCVD / 自己整合 / 2段階堆積 / アモルファスシリコン / 超薄膜 / Diode / MOS Interface / Integrated Circuit / 二次元デバイスシミュレーション / MOS界面 / ダイオード / 集積回路 / silicon on glass / oxide interface / large grain size / thinfilm transistors / re-crystallization / polycrystalline silicon / excimer laser annealing / phase shift / Siグレイン / TFT / ELA / Re-crystallization / Poly-Si / Excimer laser / Phase Shift / 最表面組成 / Ge界面 / Atomic Lager Epitary / Display / Phase-Shift / Lateral Growth / Poly Si / Excimer-Laser / デイスプレイ / シリコン薄膜 / 結晶粒径 / SiC / ディスプレイ / 位相シフト / 横方向成長 / 多結晶Si / エキシマレーザ結晶化 / Hetero Interface / Manmade Crystal / 人工結晶 / 原子層エピロキシ- / AES / 原子層エピタキシ- / Ge manmade Crystal / Tight Binding sps^* Model / Electronic Structure / Light Emission / 発光デバイス / 溶融再結晶化法 / 発光特性 / レーザ結晶化 / 強束縛近似 / 電子構造 / 発光 / Hetero Epitaxy / ジエチルゲルマン / ジクロロシラン / ヘテロエピタキシャル成長 / 結晶成長 / 低誘電率膜 / 層間絶縁膜 / 低誘電卒膜 / 二酸化シリコン / テトラ・エトキシ・シラン / 液相堆積 / ヘテロエピタキシ- … もっと見る
研究代表者以外
原子層エピタキシ- / Quantum Effect Devices / 量子効果デバイス / 超薄膜結晶成長 / 電子ビーム露光技術 / 極微細加工プロセス / 超伝導デバイス / 超高速デバイス / 薄膜トランジスタ / Electron Beam Lithography / 水銀増感光CVD法 / MOCVD / エピタキシャル成長 / 高温超伝導 / 高周波プラズマ / VHF / Nanofabrications / Atomic Layr Epitaxy / Superconductor Devices / Ultra-high speed devices / ゲルマニウム / ハイブリッド励起CVD法 / Arレ-ザ励起MOVPE / YBaCuO / 超伝導トランジスタ / 電子エネルギ-分布 / アモルファスシリコン / プラズマ発光スペクトル / グロ-放電プラズマ / Single Electron Transistors / Atomic Layer Epitaxy / Thinfilm Crystal Growth / Superconducting Devices / Untrahigh Speed Devices / 原子層エピタキシー / 量子効果デパイス / Thinfilm Transistors / Ultrathinfilm Crystal Growth / Electron Beam Lighography / Superconducting DEvices / Ultrahigh Speed Devices / Thin-Film Transistors / Ultra-Thin Film Growth / Ultra-Fine Structure / Ultra-Thin Film Crystal Growth / Ultra-Fine Structure Processing / ECRプラズマ / プラズマ診断 / プラズマ / 極短周期超格子 / 塩素 / 原子層エッチング / ヘテロ界面 / シリコン / デュアルビーム法 / アトミックレジスト / 表面光干渉法 / ディジタル光CVD法 / レ-ザ溶融再結晶化法 / 光アシスタントCVD / 光酸素アニ-ル / ハイブリッド励起CVD / 水素ラジカルアニ-ル / ラングミュアプロ-ブ 隠す
  • 研究課題

    (28件)
  • 共同研究者

    (26人)
  •  ツイングレイン薄膜トランジスタの研究研究代表者

    • 研究代表者
      町田 信也, 松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Si/Ge歪み制御原子層超格子の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  テトラ・イソシアネート・シランを用いたシリコンの液相堆積研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  システム・オン・ガラス基礎技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      立命館大学
  •  超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  1原子寸法オーダーで急峻なシリコン/ゲルマニウムヘテロ界面の形成法に関する研究

    • 研究代表者
      今井 茂
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超薄膜超微細構造デバイスに関する研究

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超活性ガスを用いたIV族半導体の原子層成長に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  シリコン高効率発光デバイスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  VHF帯プラズマの発生と制御

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  膜形成の基礎研究

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  VHF帯(100メガヘルツ領域)プラズマの発生と制御

    • 研究代表者
      小田 俊理
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  狭ギャップII-VI族半導体の極薄膜成長法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超高移動度半導体を用いたヘテロMIS接合の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファスシリコンの極薄膜内における電子の挙動とそのデバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  アモルファスシリコンを用いた高速集積回路の試作研究代表者

    • 研究代表者
      松村 正清
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1985
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  • 1.  小田 俊理 (50126314)
    共同の研究課題数: 15件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  杉浦 修 (10187643)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  内田 恭敬 (80134823)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  今井 茂 (40223309)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  座間 秀昭 (50206033)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  菅原 聡 (40282842)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  MILNE Willia
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  MOORE David
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  川合 真紀 (70177640)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  吉川 明彦 (20016603)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  垂井 康夫 (10143629)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  岩井 荘八 (40087474)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  KASTNER Marc
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  町田 信也 (70313335)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  木村 龍平 (80161587)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  伊藤 明 (30282833)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  畑谷 成郎 (90302942)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  葉山 浩
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  三村 秋男
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  W I ミルン
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  D F ムーア
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  WILLIAM Miln
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  DAVID Moore
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  KASTNER Mark
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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