篠塚雄三 SHINOZUKA Yuzo

研究者番号	30144918
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2020年度: 和歌山大学, 学内共同利用施設等, 名誉教授 2013年度 – 2017年度: 和歌山大学, システム工学部, 教授 2009年度 – 2011年度: 和歌山大学, システム工学部, 教授 2004年度 – 2007年度: 和歌山大学, システム工学部, 教授 1999年度 – 2002年度: 和歌山大学, システム工学部, 教授 … もっと見る 1999年度: 和歌山大学, 院・システム工学部, 教授 1995年度 – 1998年度: 山口大学, 工学部, 教授 1988年度 – 1992年度: 山口大学, 工学部, 助教授 1986年度: 山口大学, 工学部, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者物性Ⅰ / 固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 固体物性研究代表者以外固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 理工系 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 結晶工学
キーワード	研究代表者 CPA / 量子井戸 / 欠陥反応 / quantum well / superlattice / alloy semiconductor / 混晶半導体 / nitride / III-V compound / 窒化物 … もっと見る / XAFS / 超格子 / 光吸収スペクトル / metastable structure / 準安定構造 / 発光素子 / 混晶 / 化合物半導体 / 光物性 / 構造変化 / 電子励起 / キャリア移動度 / バンド構造 / 電子状態 / 電子状態の理論 / サイクロトロン共鳴 / 有効質量 / キャリア / 電子状態理論 / バンド構造制御 / exciton / ESR / 超格子半導体 / 電子相関 / スピン共鳴 / 半導体物性 / dimensionality / 次元性 / III-V族化合物半導体 / absorption spectrum / nano structure / quantum size effect / 液晶半導体 / ナノ構造 / 量子サイズ効果 / selection rule / gap state / Urbach rule / optical absorption / s-p hybridization / structural randomness / amorphous semiconductor / s-p混成軌道 / アモルファス / 選択則 / ギャップ状態 / Urbach則 / s-p混成 / 構造ゆらぎ / アモルファス半導体 / impurity defect / first-principle calculation / relaxation dynamics / structural change / non-equilibrium material / defect reaction / electronic excitation / 不純物・欠陥 / 第一原理計算 / 緩和ダイナミックス / 非平衡物質 / １次元物質 / 励起子 / 低次元物質 / フォトクロミズム / ジアセチレン / 断熱不安定性 / 光誘起構造変化 / 嫌光性 / 信頼性 / 再結合 / 半導体レーザー / 原子分子操作 / 構造相転移 / フェムト秒レーザー / 放射線・X線 / 量子ビーム / 非平衡プロセス / 半導体超微細化 / ナノ材料 / 物質設計 / 内殻励起 / 非平衡新物質 / 分子メス / 双安定性 / 原子操作 / 電子励起原子移動 / 格子緩和 / 電子格子相互作用 / 不純物・転位 / 非平衡固定 / 半導体 … もっと見る研究代表者以外励起子 / 超格子 / 光物性 / 窒化物半導体 / ルミネッセンス / ラマン散乱 / 混晶半導体 / 格子緩和 / 量子井戸 / 電場効果 / フォノン / 格子欠陥 / 半導体物性 / キャリアダイナミクス / フォノンダイナミクス / 原子分子操作 / 欠陥評価 / ラマン分光 / 欠陥構造 / エネルギー局在 / 複合材料 / ミスフィット転位 / LOフォノン / 共焦点ラマン散乱 / フォノン制御 / 表面マイクロ構造 / ２波長ラマン分光 / 深い準位 / 赤外分光 / 特異構造 / 励起子ダイナミクス / 中赤外発光 / GaN / フォノン輸送 / 縦光学モード / THz輻射 / 顕微ラマン分光 / 励起子ダイダイナミクス / Raman scattering / photoconductivity / absorption edge / photoluminescence / structural change / photo-polymezation / carbon cluster / fullerene / 光誘起固相重合 / アーバックテール / ナノクラスター / フレンケル励起子 / 光伝導 / 吸収端 / フォトルミネッセンス / 光誘起構造変化 / 光重合 / 炭素クラスター / フラーレン / site selectivity / defect control / surface control / optical excitation / nanoprocess / semiconductor / manipulation / electronic excitation / サイト選択性 / 欠陥制御 / 表面制御 / 光励起 / ナノプロセス / 半導体 / 電子励起 / stimulated emission / self trapping / isoelectronic impurity / localization / exciton / moleclar beam epitaxy / alloy semiconductor / nitride semiconductor / ラジカル源 / マイクロ波プラズマ / ドナー束縛励起子 / RF放電 / 誘導放出 / 誘電放出 / 自己束縛 / 等電子不純物 / 局在化 / 分子線エピタキシ-法 / superlattice / nanometer sized structure / luminescence / amorphous semicondutor / ナノ構造 / アモルファス半導体 / ダブル量子井戸 / 電媒定数ミスマッチ / 励起子の量子サイズ効果 / タイプII量子井戸系 / 光学的特性 / 磁場効果 / ポーラロン / 束縛電子 / フォノン局在制御 / 時間分解計測 / 時間分解PL / 発光デバイス / 太陽電池 / 結晶工学 / 結晶欠陥 / フォノンエンジニアリング / 欠陥反応制御 / 2次量子過程スペクトル / ワイドギャップ半導体 / 欠陥反応 / 低抵抗p型化 / ZnO / 同時ドーピング / 内殻励起 / 励起状態ダイナミックス / 電子励起原子移動 / 再結合促進反応 / ゲッタリング / マテリアルデザイン / 超高速拡散 / 第一原理計算 / 光誘起強磁性 / コヒーレントダイナミックス / 電子状態制御 / 偏光分光 / ひずみ超格子 / 変調分光スペクトル / 共鳴ラマン効果 / 束縛励起子 / 電子ビ-ム励起分光 / ヤ-ン・テラ-効果 / 光学型フォノン / 量子井戸ワイヤ / 2重量子井戸隠す

混晶半導体基礎物性研究の新展開研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学
フォノン科学による特異構造3次元分光評価と応用欠陥物性
- 研究代表者
  
  石谷善博
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  千葉大学
洞穴（嫌光性）物質の探索研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学
非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開
- 研究代表者
  
  石谷善博
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  千葉大学
混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  和歌山大学
励起ナノプロセスの基盤形成研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  和歌山大学
窒化物混晶半導体の発光機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学
超格子混晶半導体の光学特性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学
混晶を用いた半導体超格子構造の電子状態に関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  和歌山大学
電子励起による原子分子操作の理論
- 研究代表者
  
  萱沼洋輔
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  特定領域研究(B)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪府立大学
電子励起を用いた原子分子操作
- 研究代表者
  
  前田康二
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2002
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
時間分解過渡分光法によるC_<60>単結晶の光誘起重合機構の研究
- 研究代表者
  
  神野賢一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  和歌山大学
電子励起を用いた原子操作法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山口大学
アモルファス半導体の結合ゆらぎに関する理論的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  和歌山大学
   山口大学
InGaN混晶半導体の成長と励起子光物性
- 研究代表者
  
  田口常正
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
電子励起による新物質相の理論的探索と統一モデル研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  山口大学
ナノ構造非晶質半導体における量子効果の研究
- 研究代表者
  
  荻原千聡 (萩原千聡)
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  山口大学
局在電子状態の制御に関する研究
- 研究代表者
  
  西野種夫
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  神戸大学
電子励起が誘起する原子移動過程研究代表者
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  総合研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性
- 研究機関
  山口大学
局在電子の制御に関する研究
- 研究代表者
  
  西野種夫
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  神戸大学
局在電子状態の制御に関する研究
- 研究代表者
  
  西野種夫
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  神戸大学
励起子・束縛電子に対する超格子効果とその光学的特性
- 研究代表者
  
  松浦満
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  山口大学
励起子・束縛電子に対する超格子効果とその光学的特性
- 研究代表者
  
  松浦満
- 研究期間 (年度)
  1988
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  山口大学
混晶半導体を用いた量子井戸の光学的特性
- 研究代表者
  
  松浦満
- 研究期間 (年度)
  1986
- 研究種目
  
  特定研究
- 研究機関
  山口大学

[図書] Electron-Lattice Interactions in Semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 総ページ数
  256
- 出版者
  Jenny Stanford Publishing
- ISBN
  9789814800969
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[図書] Mechanism of Defect Reactions in Semiconductors in "Reliability and Materials Issues of Optical Devices"(Ed.by O.Ueda and S.Pearton)2012
- 著者名/発表者名
  Y.Shinozuka
- 出版者
  Springer Verlag(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[図書] "Mechanism of Defect Reactions in Semiconductors" in" Reliability and Materials Issues of Optical Devices"2012
- 著者名/発表者名
  Y. Shinozuka
- 出版者
  Springer Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First-Principles Calculation2020
- 著者名/発表者名
  R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGK11-SGGK11
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab658e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498, KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PUBLICLY-19H04547
[雑誌論文] Electronic structure of (ZnO)1?x (InN) x alloys calculated by interacting quasi-band theory2019
- 著者名/発表者名
  Furuki Ryota、Oda Masato、Shinozuka Yuzo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 2 ページ: 0210021-8
- DOI
  10.7567/1347-4065/aaf56f
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498, KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[雑誌論文] lectronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory2017
- 著者名/発表者名
  M. Oda, Y. Kuroda, A. Kishi, and Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 2
- DOI
  10.1002/pssb.201600519
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Electronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory2017
- 著者名/発表者名
  M. Oda, Y. Kuroda, A. Kishi, and Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  巻: 254 ページ: 1600519-1600519
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[雑誌論文] First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga2017
- 著者名/発表者名
  T. Tsujio, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 9 ページ: 091001-091001
- DOI
  10.7567/jjap.56.091001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425, KAKENHI-PUBLICLY-17H05339
[雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys:Wurtzite structure2016
- 著者名/発表者名
  Ayaja Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5 ページ: 051202-051202
- DOI
  10.7567/jjap.55.051202
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure2015
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka and Masato Oda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 9 ページ: 091202-091202
- DOI
  10.7567/jjap.54.091202
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Nonradiative coherent carrier captures and defect reaction at deep-level defects via2014
- 著者名/発表者名
  Masaki Wakita, Kei Suzuki, and Yuzo Shinozuka
- 雑誌名
  
  AIP Conference Proceedings
  
  巻: 1583 ページ: 204-204
- DOI
  10.1063/1.4865636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in alloy semiconductors: Relation to average t-matrix approximation and band anticrossing model2014
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 7 ページ: 071201-071201
- DOI
  10.7567/apex.7.071201
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Mechanisms of structural changes induced by electronic excitations in solids2013
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE Optics and Optoelectronics 2013
  
  巻: 8777 ページ: 12-12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Feedback and Inflation Mechanism in Successive Multiphonon Carrier Captures at Deep-level Defects2012
- 著者名/発表者名
  K. Suzuki, M. Wakita and Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  MRS Spring Meeting proceedings
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] Feedback and Inflation Mechanism in Successive Multiphonon Carrier Captures at Deep-level Defects2012
- 著者名/発表者名
  Kei Suzuki, Masaki Wakita, Yuzo Shinozuka
- 雑誌名
  
  2012 MRS Spring Meeting proceedings
  
  巻: Symposium G(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shinozuka
- 雑誌名
  
  Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 1195
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  Y. Shinozuka
- 雑誌名
  
  Mater. Res. Soc. Symp. Proc
  
  巻: 1195
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2010
- 著者名/発表者名
  原愛美、篠塚雄三
- 雑誌名
  
  光物性研究会論文集
  
  巻: Vol.21 ページ: 158-161
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 雑誌名
  
  光物性研究会論文集 20
  
  ページ: 365-368
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 雑誌名
  
  光物性研究会論文集
  
  巻: Vol.20 ページ: 365-368
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[雑誌論文] Electronic Structures of a Quantum Well of A_<1-x>B_x Alloy Semiconductor in the Coherent Potential Approximation2006
- 著者名/発表者名
  Yuzo SHINOZUKA
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 45(11)
  
  ページ: 8733-8739
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540320
[雑誌論文] Electronic Structures of Quantum Well of A_<1-x>B_x Alloy Semiconductor in Coherent Potential Approximation2006
- 著者名/発表者名
  Yuzo SHINOZUKA
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45 No.11
  
  ページ: 8733-8739
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540320
[雑誌論文] Electronic Structures of a Quantum Well of A_1-xB_x Alloy Semiconductor in the Coherent Potential Approximation2006
- 著者名/発表者名
  Yuzo, SHINOZUKA
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 45
  
  ページ: 8733-8739
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540320
[学会発表] Note on Electronic Structures in Alloy Semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] Note on Electronic Structures in Alloy Semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] (ZnO)1-x(InN)xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究2019
- 著者名/発表者名
  古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三
- 学会等名
  第 80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First principles Calculation2019
- 著者名/発表者名
  R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Material
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] (ZnO)1-x(InN)xの結晶成長初期段階の第一原理計算による研究2019
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  第 80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] Study on Initial Growth Mechanism of (ZnO)1-x(InN)x Using First principles Calculation2019
- 著者名/発表者名
  R. Furuki, M. Oda, Y. Shinozuka
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Material
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] 化合物半導体電子状態の混晶化による変容2018
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第13回励起ナノプロセス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  2018年応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated using IQB theory2018
- 著者名/発表者名
  Ryota Furuki, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  CSW2018(Compound Semiconductor Week 2018, Boston, USA)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated using IQB theory2018
- 著者名/発表者名
  Ryota Furuki, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論2018
- 著者名/発表者名
  古木凌太、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  応用物理学会2018年春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] 化合物半導体電子状態の混晶化による変容2018
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第13回励起ナノプロセス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] Electronic Structure of (ZnO)1-x(InN)x Alloys Calculated Using IQB Theory2018
- 著者名/発表者名
  Ryota Furuki, Masato Oda and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  Compound semiconductor Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] General Trends in Electronic Structures of III-V and II-VI Alloys Based on the Interacting-Quasi-Band Theory2017
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05498
[学会発表] General Trends in Electronic Structures of III-V and II-VI Alloys Based on the Interacting-Quasi-Band Theory2017
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] First-principles Calculation of Electronic States of Ga2O32017
- 著者名/発表者名
  Y. Nakano, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 学会等名
  International Conference of Deftcts in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN2017
- 著者名/発表者名
  T. Takeshi, M. Oda, and Y. Shinozuka
- 学会等名
  9th International Conference on Materials for Advanced Technologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] 自己束縛励起子間の協力的相互作用2016
- 著者名/発表者名
  松田一真、篠塚雄三
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26610087
[学会発表] 窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算2016
- 著者名/発表者名
  岸彩香、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  第27回光物性研究会
- 発表場所
  神戸大学
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06425
[学会発表] Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB theory2016
- 著者名/発表者名
  Ayaka Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] IQB理論によるII-VI族化合物半導体の電子状態の計算2016
- 著者名/発表者名
  藤本徳明，小田将人，篠塚雄三
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 窒化物混晶半導体の IQB 理論による電子状態計算2016
- 著者名/発表者名
  岸彩香，小田将人，篠塚雄三
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算2016
- 著者名/発表者名
  岸彩香，小田将人，篠塚雄三
- 学会等名
  第27回光物性研究会
- 発表場所
  神戸大学
- 年月日
  2016-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] ELECTRONIC STATES OF ZINC-BLENDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka and Masato Oda
- 学会等名
  11th International Symposium on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijin, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 混晶化合物半導体のIQB modelによる電子状態計算：III-V(ZB)2015
- 著者名/発表者名
  岸　彩香，小田将人，篠塚雄三
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] ELECTRONIC STATES OF WURZIDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015
- 著者名/発表者名
  Ayaka Kishi and Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  11th International Symposium on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijin, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算2015
- 著者名/発表者名
  辻尾健志、小田将人、篠塚雄三
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2012
- 著者名/発表者名
  鈴木圭以、篠塚雄三
- 学会等名
  第59回応用物理学会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2012
- 著者名/発表者名
  鈴木圭以、篠塚雄三
- 学会等名
  第59回応用物理学会18p-E1-1
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 励起ナノプロセス入門総論2011
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第48回応用物理学会スクール
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 半導体中の欠陥反応の機構2011
- 著者名/発表者名
  鈴木圭以、篠塚雄三
- 学会等名
  第7回励起ナノプロセス研究会
- 発表場所
  堺市国際障害者交流センター
- 年月日
  2011-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 励起ナノプロセス入門「総論」2011
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第48回応用物理学会スクール
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 混晶半導体の電子状態の理論的研究2010
- 著者名/発表者名
  原愛美、篠塚雄三
- 学会等名
  応用物理学会2010年度秋季大会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2010
- 著者名/発表者名
  原愛美、篠塚雄三
- 学会等名
  第20回光物性研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2010-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] Mechanism of Capture-Enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  M. Negoro, S. Matsutani, T. Higashi, and Y. Shinozuka
- 学会等名
  Int. Symposium on the Physic of Excitation-assisted Nano-processes
- 発表場所
  Daiwa Roynet Hotel, Wakayama, Japan
- 年月日
  2009-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 学会等名
  第20回光物性研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2009-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 学会等名
  化合物混晶半導体の電子状態の理論
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 学会等名
  応用物理学会2009年度秋季大会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 化合物混晶半導体の電子状態の理論2009
- 著者名/発表者名
  日野篤、篠塚雄三
- 学会等名
  第20回光物性研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- 年月日
  2009-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] Mechanisms of Recombination-enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  Y. Shinozuka
- 学会等名
  Materials Research Society 2009 Fall Meeting
- 発表場所
  Sheraton Hotel Boston USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] Mechanism of Capture-Enhanced Defect Reactions in Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  M.Negoro, S.Matsutani, T.Higashi, Y.Shinozuka
- 学会等名
  International Symposium on the Physic of Excitation-assisted Nano-processes
- 発表場所
  Daiwa Roynet Hotel Wakayama, Japan
- 年月日
  2009-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560017
[学会発表] 非対角乱れを伴う混晶半導体の電子状態の理論:光吸収スペクトル2008
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋校舎
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540320
[学会発表] Theory of electronic structure of alloy semiconductors with off-diagonal randomness: optical absorption spectrum2008
- 著者名/発表者名
  Yuzo, Shinozuka
- 学会等名
  Spring meeting of Japanese Society of Applied Physics
- 発表場所
  Nihon University (Funabashi, Chiba)
- 年月日
  2008-03-28
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18540320
[学会発表] 混晶半導体の電子状態の理論：非対角乱れ
- 著者名/発表者名
  藤川雄兵、篠塚雄三
- 学会等名
  第24回光物性研究会
- 発表場所
  大阪市立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Materials Modification by Electronic Excitations
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  WCAM-2015
- 発表場所
  重慶　中国
- 年月日
  2015-05-27 – 2015-05-29
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26610087
[学会発表] Energy Conversion between Electron and Phonon via Deep-level Defects
- 著者名/発表者名
  Yuzo Shinozuka
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposium B
- 発表場所
  Doshisha Univ.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 混晶化合物半導体の電子状態計算：IQB model の拡張
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三、小田将人
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 混晶半導体の電子状態に対する新しい計算法：IQB
- 著者名/発表者名
  篠塚雄三
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048

1. 萱沼洋輔 (80124569)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
2. 田口常正 (90101279)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 蟹江寿 (20120181)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 前田康二 (10107443)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 伊東千尋 (60211744)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
7. 松浦満 (60091211)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
8. 嶋村修二 (40144919)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
9. 西野種夫 (60029452)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
10. 馬ベイ (90718420)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
11. 山門英雄 (30242035)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 神野賢一 (80024339)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 上浦洋一 (30033244)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 石谷善博 (60291481)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 宇野和行 (90294305)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
16. 秋元郁子 (00314055)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
17. 小田将人 (70452539)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 森田健 (30448344)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 荻原千聡 (90233444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 末岡修 (00012378)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 森垣和夫 (60013471)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 中山隆史 (70189075)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 住斉 (10134206)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 山田陽一 (00251033)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 金崎順一 (80204535)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 長岡伸一 (30164403)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 木田博嗣 (30186275)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 谷村克己 (00135328)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 魚住孝幸 (80295724)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 田中智 (80236588)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 村上浩一 (10116113)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 北島正弘 (00343830)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 小森文夫 (60170388)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
37. 相原正樹 (70091163)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 越野和樹 (90332311)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 大木健輔

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 石橋晃

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 望月康則

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

篠塚 雄三 SHINOZUKA Yuzo

研究課題

研究成果

共同研究者

混晶半導体基礎物性研究の新展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

洞穴（嫌光性）物質の探索研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

励起ナノプロセスの基盤形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物混晶半導体の発光機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超格子混晶半導体の光学特性の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

混晶を用いた半導体超格子構造の電子状態に関する理論的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子励起を用いた原子操作法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アモルファス半導体の結合ゆらぎに関する理論的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

篠塚雄三 SHINOZUKA Yuzo