岩井荘八 IWAI Sohachi

研究者番号	40087474
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2002年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 主任研究員 1997年度 – 2002年度: 理化学研究所, 半導体工学研究室, 先任研究員 1994年度 – 1997年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 先任研究員 1992年度: 理化学研究所, レーザ科学研究グループ, 研究員 1991年度: 理科学研究所, レーザ科学研究グループ, 研究員 1990年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 研究員 1986年度 – 1987年度: 理化学研究所, レーザー科学研究グループ, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性
キーワード	研究代表者 GaAs / 有機金属気相成長法 / MOVPE / 自己停止機構 / 原子層成長 / Self-limiting effect / 量子閉じ込め効果 / フォトルミネッセンス / 選択成長 / 量子ナノ構造 … もっと見る / Activation energy / Hole concentration / P-type conduction / Impurity doping / Alternative source supply / Aluminum Gallium Nitride / Gallium Nitride / 有機金属気相成長 / 原子層成長法 / 原子位置制御 / 紫外レーザー / スーパーラティス / Mg-ドーピング / AlGaN / III族窒化物半導体 / 活性化エネルギー / 正孔密度 / p型伝導 / 不純物ドーピング / 原料交互供給 / 窒化アルミニウムガリウム / 窒化ガリウム / 有機金属化合物気相成長 / Fibonacci progression / X-ray diffraction / Atomic layer superlattice / Quasi-crystal / Atomic Layer Epitaxy / フィボナッチ数列 / X線回折 / 原子層超格子 / 準結晶 / Quantum confinement effect / Photoluminescnec / Selective growth / Quantum Nano-structures / Atomic Layr Epitaxy / photoassisted decomposition / atomic layer epitaxy / triethylgallium / laser MOVPE / gallium arsenide … もっと見る研究代表者以外 GaN / AlGaN / RHEED / MOCVD / SSBE / Wide bandgap / 紫外半導体レーザ / 紫外LED / 交互供給成長法 / 貫通転位密度 / Mgドーピング / 交互供給法 / MOCVD法 / ワイドバンドギャップ / 深紫外LED / In-doping / GSMBE / Quantum dot / GaAs / ガスソースMBE / 量子箱 / 超音速ビーム / 超音速 / 半導体薄膜の結晶成長 / ハイブリッド励起CVD法 / 水銀増感光CVD法 / Ar^+ laser / MOVPE / パターン化結晶成長 / 原子層エピタキシー / ALE / レーザーMOCV / アルコンイオンレーザ / 有機金属 / カリウム砒素 / 単原子層成長 / Photoluminescence / Optical properties / Threading dislocation density / UV-LEDs / In segregation / Quaternary InAlGaN / 電流注入 / MOCVD成長 / 内部量子効率 / GaN基板 / 貫通転移密度 / 紫外高効率発光 / フォトルミネッセンス / In組成変調 / InAlGaN4元混晶 / Hall-effect measurement / Co-doping / Mg-doping / Alternating supply method / Deep UV-LED / パルス供給法 / ホール濃度 / サファイヤ / p型 / 不純物対 / 第一原理計算 / MBE / 窒化物半導体 / 高濃度P型 / 交互供給コドーピング / III族窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / コドーピング / フォートルミネセンス / Inドーピング / Epitaxial growth / 吸着原子の脱離過程の観察 / 高速応答の電子線回折観察 / SSBE法 / 拡散を促進 / 素過程を制御 / 並進運動エネルギー / 短パルス超音速ビームエピタキシ法 / 結晶成長 / エピタキシャル / 短パルスビーム / Ultra-fine controlled epitaxial growth / High kinetic energy / Epitaxial crystal growth / Supersonic beam / Controllability of epitaxial growth / Control of surface process / Surface processes / Short pulse supersonic beam epitaxy / 反応制御 / 時間分割的な制御 / 高速表面観察 / ミリ秒時間分解 / エピタキシ- / ノズルビーム / 短パルス / 短パルス超音速ノズルビームエピタキシ-法 / 精密な成長制御性 / 短パルス状 / エピタキシャル成長法 / 超音速分子ビーム / 成長制御性 / 素過程 / 短パルス超音速ノズルビームエピタキシャル法 / 遷移金属 / X線多層膜ミラー / 原子層成長 / デュアルビーム法 / アトミックレジスト / 表面光干渉法 / Arレ-ザ励起MOVPE / ディジタル光CVD法 / レ-ザ溶融再結晶化法隠す

InAlGaN4元混晶を用いた紫外域高輝度発光ダイオードの開発研究
- 研究代表者
  
  平山秀樹
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人理化学研究所
交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用
- 研究代表者
  
  平山秀樹, 青柳克信
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人理化学研究所
   東京工業大学
原子位置制御不純物コドーピングに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  特殊法人理化学研究所
短パルス超音速ビームエピタキシャル法によるIII族窒化物結晶成長とその応用
- 研究代表者
  
  沈旭強
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
金属原子層成長法による高性能X線ミラーの作製
- 研究代表者
  
  石井真史
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  理化学研究所
原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
反応制御型超音速ノズルビームエピタキシャル結晶成長法の開発
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
原子層エピタキシ-選択成長による低次元量子構造作製に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
短パルス超音速分子線エピタキシャル成長法の開発
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  理化学研究所
原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  理化学研究所
膜形成の基礎研究
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
膜形成の基礎研究
- 研究代表者
  
  高橋清
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京工業大学
レ-ザ-単原子層制御エピタキシ-の成長機構の解明と単原子層制御ヘテロ構造の製作研究代表者
- 研究代表者
  
  岩井荘八
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  理化学研究所
レーザMOCVDによるパターン化結晶成長法の開発とその新光機能素子開発への応用
- 研究代表者
  
  青柳克信
- 研究期間 (年度)
  1986 – 1987
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性
- 研究機関
  理化学研究所

すべて 2003 2002

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] High Doped p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002
- 著者名/発表者名
  S.Iwai
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceeding 719
  
  ページ: 3-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205006
[雑誌論文] High Doped p-Type GaN Grwon by Alternative Co-Doping Technique2002
- 著者名/発表者名
  S.Iwai
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceeding 719
  
  ページ: 3-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355001
[雑誌論文] High Doped p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002
- 著者名/発表者名
  S.Iwai, H.Hirayama, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceeding Vol.719
  
  ページ: 3-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205006
[雑誌論文] High Doped 'p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002
- 著者名/発表者名
  S.Iwai, H.Hirayama, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  Material Research Society Symposium Proceeding Vol.719
  
  ページ: 3-9
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355001
[産業財産権] 半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法及びその装置並びに半導体材料2003
- 発明者名
  岩井荘八
- 権利者名
  独立行政法人理化学研究所
- 産業財産権番号
  2003-016940
- 出願年月日
  2003-01-27
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14205006
[産業財産権] 半導体の結晶成長方法、半導の不純物ドーピング方法及その装置並びに半導体材料2003
- 発明者名
  岩井荘八
- 権利者名
  独立行政法人理化学研究所
- 産業財産権番号
  2003-016940
- 出願年月日
  2003-01-27
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13355001

1. 青柳克信 (70087469)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 1件
2. 目黒多加志 (20182149)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
3. 平山秀樹 (70270593)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
4. 一色秀夫 (60260212)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 瀬川勇三郎 (30087473)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 張随安 (20260218)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 沈旭強 (50272381)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 高橋清 (10016313)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 松村正清 (30110729)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
11. 坪内和夫 (30006283)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 垂井康夫 (10143629)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 田中悟 (80281640)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 野村晋太郎 (90271527)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 川崎宏治 (10234056)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 吉田博 (30133929)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 石井真史 (90281667)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 田昭治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 土居功年

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

岩井 荘八 IWAI Sohachi

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子位置制御不純物コドーピングに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層制御エピタキシーによる周期構造変調超格子作製と機能性新物質の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層エピタキシ-選択成長による低次元量子構造作製に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子層制御された微細量子構造の作製とその物性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

レ-ザ-単原子層制御エピタキシ-の成長機構の解明と単原子層制御ヘテロ構造の製作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] High Doped p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

岩井荘八 IWAI Sohachi