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松波 弘之  MATSUNAMI Hiroyuki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50026035
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1995年度 – 2002年度: 京都大学, 工学研究科, 教授
1997年度: 京大, 工学(系)研究科, 教授
1986年度 – 1994年度: 京都大学, 工学部, 教授
1985年度: 京都大学, 工, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 応用物性 / 物理系 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物理学一般 / エネルギー学一般・原始力学 / 応用物性
キーワード
研究代表者
シリコンカーバイド / エピタキシャル成長 / MOSFET / イオン注入 / パワーデバイス / silicon carbide / epitaxial growth / フォトルミネセンス / Silicon Carbide / pn接合ダイオード … もっと見る / 熱酸化 / power device / 価電子制御 / 表面超構造 / シリコン / SiC / 広禁制帯幅半導体 / ion implantation / photoluminescence / 不純物ド-ピング / 深い準位 / Schottky Barrier Diode / pn Junction Diode / Thermal Oxidation / シリコンカーバイド(SiC) / step-flow growth / ステップフロ-成長 / シリコンカ-バイド / 表面再結合 / 電位障壁 / 太陽電池 / メゾスコピック構造 / 原子層エピタキシー / III-V族半導体 / 表面反応 / 光照射効果 / X線励起 / 光励起プロセス / ヘテロ接合 / isoelectronic trap / doping / blue LED / 原子ステップ制御 / 気相エピタキシャル法 / 青色発光ダイオード / 注入効率 / 原子ステップ制御エピタキシ- / 等電子トラップ / ド-ピング / 青色発光ダイオ-ド / superstructure / amorphous silicon carbon / amorphous silicon / tunneling conduction / hot-electron / heterojunction / amorphous semiconductor / 光電子分光法 / 膜内水素 / キャリア輸送過程 / アモルファスシリコンカーボン / 熱電子放出伝導 / 超格子 / 超構造 / アモルファスシリコンカ-ボン / アモルファスシリコン / トンネル伝導 / ホットエレクトロン / 異種接合 / アモルファス半導体 / field effect transistor / プラズマエッチング / 電界効果型トランジスタ / refractory crystals / 光イオン化 / 高融点結晶 / thermal oxidation / pn diode / Schottky Barrier / Mos Transitor / Epitaxial Growth / Widegap semiconductor / ショットキー障壁 / MOSトランジスタ / Ion Implantation / Power Device- / Schottkyダイオード / Saturated adsorption / GaP / RHEED / In-situ observation / Photo-induced ALE / Surface reaction / Photo-chemical reaction / MOMBE / 反射電子線回析 / 質量分析 / 原子層エピタキシ- / 反射高速電子線回折法 / 飽和吸着 / ガリウムリン / 反射高速電子回折法 / その場観察 / 光励起原子層エピタキシ- / 光励起反応 / 有機金属分子線エピタキシ- / deep level / 結晶評価 / Growth Mechanism / Vapor Phase Epitaxy / Power Device / 不純物ドーピング / 結晶成長 / Schottky障壁ダイオード / 成長機構 / 気相エピタキシ- / polytype control / low-temperature growth / breakdown field / 低温結晶成長 / ポリタイプ制御 / 低温成長 / 絶縁破壊電界 / パワ-デバイス / 窒化シリコン / キャリア閉じ込め効果 / ヘテロエピタキシャル成長 / ガスソース分子線 / メチルラジカル / 分子線エピタキシ- / ラジカル / しきい値イオン化質量分析法 / ガスソース分子線成長法 / X線固相成長 / 酸化物 / 気相反応 / 絶縁物半導体界面 / シンクトロン放射光 / 光反応素過程の解明 / 酸化膜 / IIIーV族半導体 / 分子軌道法 / シンクロトロン放射光 / 有機金属分子線エピタキシ / 二酸化シリコン / 半導体 / 薄膜太陽電池 / 電位井戸 / 高効率太陽電池 … もっと見る
研究代表者以外
広禁制帯幅半導体 / 太陽電池 / 格子整合 / シリコン / プラズマの有効長 / プラズマの時定数 / マイクロ波放電 / エチレンの分解 / ECRプラズマ / 複合プラズマ / 原子層エピタキシ- / シリコンカ-バイド / 表面超格子 / MOSFET / SiGe / ガリウムリン / シリコンカーバイド / 化学的気相堆積法 / 光CVD / ホローカソード / パルスプロセス / 原子層制御成長 / 反射電子線回折法 / Channel Mobility / Semiconductor Interface / Oxide / Power Device / Silicon Carbide / チャネル移動度 / 半導体界面 / 酸化膜 / パワーデバイス / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / photoluminescence / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / ferroelectric / field effect transistor / quantum chemistry calculation / low contact resistance / high aspect ratio / point defect relaxation process / ultra thin Si oxide / 無損傷化 / 欠陥緩和 / ヘテロ界面 / 欠損測定 / Siプロセス量子化学研究 / 高アスペクト比プロセス / 低抵抗コンタクト / 極薄酸化膜 / Ge歪超格子 / Si / Si高精度化プロセス / 強誘電体 / 電界効果型トランジスタ / 量子化学計算 / 低抵抗コンタクト抵抗 / 高アスペクト比 / 点欠陥緩和過程 / 極薄Si酸化膜 / 積層プラズマ / アモルファスシリコンカーボン / 励起活性種 / 複探針法 / 質量分析法 / 二酸化シリコン膜 / マイクロ波プラズマ / 太陽光発電 / 波長分割方式 / 光起電力素子 / ヘテロエピタキシ- / タンデム型太陽電池 / 有機金属気相成長法 / 高効率太陽電池 / 反射高速電子線回折 / 光励起 / 分子線エピタキシ- / 有機金属 / 表面反応 / 二次イオン質量分析法 / 有機金属分子線エピタキシャル成長法 / 反射高速電子線回折法 / その場観測 / 原子層エピタキシャル成長 / レーザ誘起反応 / 高速反射電子線回析 / 有機アミン / 可視発光材料 / 超高真空 / 窒化ガリウム / 有機金属分子線成長法 / 青色発光ダイオード / 表面超構造 / 原子層エピタキシー / ステップ制御エピタキシ- / 局在中心 / 反射電子回線折法 / ホロ-カソ-ド / 発光中心 / 活性種 / 水素結合構造 / 赤外吸収分光法 / 光化学反応 / 一定生電流法 / 内部光電子放出法 / 局在準位密度 / 極紫外光 / 非晶質シリコン / 高速反射電子線回折法 / 自己制限機構 / エピタキシャル成長 / 反応の計測・診断 / 膜形成の基礎 / 表面反応の研究 / 反応過程の制御 / 光励起プロセス 隠す
  • 研究課題

    (42件)
  • 共同研究者

    (35人)
  •  ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

    • 研究代表者
      木本 恒暢
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 2000
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      物理系
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体Sicの原子レベル物性制御と高性能デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置

    • 研究代表者
      更家 淳司, 吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  集積化知能システム極限材料・プロセス

    • 研究代表者
      堀池 靖浩
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1998
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
      東洋大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ励起による表面反応ダイナミクスの究明とエピタキシャル成長の原子層レベル制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  広禁制帯幅半導体との複合による極限高効率シリコン太陽電池の開発

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原始力学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体純正結晶の電子的挙動と新規デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシ-への応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCのパワーデバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシー法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  反応過程の制御研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  ワイドギャップ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御原子層エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  反応過程の制御研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  格子整合系複合材料を用いたシリコン太陽電池の極限高効率化

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  表面制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶の製作と光物性制御

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  反応過程の制御研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法によるSiC純正結晶製作とパワ-デバイスへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1990 – 1991
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  半導体における光励起プロセスの基礎

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  表面超格子を用いた単結晶シリコンカ-バイドの原子層制御エピタキシ-

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  極紫外域高エネルギ-光子を用いた安定構造非晶質シリコン系薄膜の形成

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  複合プラズマの生成と反応の制御

    • 研究代表者
      板谷 良平
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  アモルファス半導体超構造におけるキャリアのダイナミックスの研究研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  原子ステップ制御エピタキシ-法による高輝度SiC青色発光ダイオ-ドの開発研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  励起活性種ダイナミックスの解析と薄膜形成の精密制御への応用

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1988
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都大学
  •  光発電素子の高効率化とシステム設計

    • 研究代表者
      高橋 清
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1986
    • 研究種目
      エネルギー特別研究(エネルギー)
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  高融点結晶の光イオン化による低温エピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1985
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  耐環境半導体材料SiCを用いた能動電子デバイスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      松波 弘之
    • 研究期間 (年度)
      1984 – 1985
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  • 1.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 28件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  吉本 昌広 (20210776)
    共同の研究課題数: 27件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  木本 恒暢 (80225078)
    共同の研究課題数: 19件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  浜川 圭弘 (10029407)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  板谷 良平 (90025833)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  池畑 隆 (00159641)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  真瀬 寛 (30007611)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  小宮山 宏 (80011188)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  千川 純一 (20175459)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  津田 穣 (90009506)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  高橋 清 (10016313)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  久保 寔 (80089127)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  CHOYKE W.J.
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  堀池 靖浩 (20209274)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  服部 健雄 (10061516)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  立花 明知 (40135463)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  松村 信男 (60107357)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  須田 淳 (00293887)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  英 貢 (90124734)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  小長井 誠 (40111653)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  村田 好正 (10080467)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  八坂 保能 (30109037)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  本間 琢也 (30134208)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  後川 昭雄 (20013625)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  青木 昌治 (80010619)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  鶴島 稔夫 (10236953)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  PENSL G.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  PENSL G
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  CHOYKE W.J
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  安達 伸雄
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 34.  GERHARD Pens
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 35.  WOLFGANG.J. チョイケ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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