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越田 信義  KOSHIDA Nobuyoshi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50143631
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2024年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授
2014年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授
2012年度 – 2013年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2009年度 – 2011年度: 東京農工大学, 大学院・工学府, 特任教授
2008年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 教授 … もっと見る
2007年度 – 2008年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授
2006年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 教授
2004年度: 国立大学法人東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 教授
1992年度 – 2003年度: 東京農工大学, 工学部, 教授
1989年度 – 1990年度: 東京農工大学, 工学部, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学 / 理工系 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 電子機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 計測工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者
量子閉じ込め効果 / 弾道電子放出 / 平面ディスプレイ / ポーラスシリコン / 可視発光 / 弾道電子 / ナノ結晶シリコン / quantum confinement / ナノシリコン / 機能集積 … もっと見る / 超音波放出 / 熱音響効果 / Flat panel display / 多重トンネル効果 / 陽極酸化 / 多結晶シリコン膜 / visible luminescence / シリコン光集積 / シリコン発光ダイオード / 水素生成 / 還元効果 / シリコン / 固体面発光素子 / 弾道電子伝導 / シリコンナノクリスタル / 熱誘起超音波 / 量子サイズ効果 / 多孔質シリコン / Functional integration / Ultrasound emitter / Hydrogen generation / Ballistic electron emission / Electroluminescence / Silicon photonics / Quantum confinement / Nanosilicon / 負イオン生成 / EL素子 / シリコンフォトニクス / Simple-matrix drive / Ballistic lighting / Electron emission / Time-of-flight analysis / Ballistic transport / Multiple-tunneling effect / Nanocrystalline Silicon / 単純マトリクス駆動 / 弾道電子励起発光 / 電子放出 / 飛行時間解析 / Solid-state light source / Poly-crystalline silicon film / Cold electron emission / Ballistic electron / Nanocrystalline silicon / Anodization / Silicon / 蛍光体励起 / 面放出冷電子源 / 高電界伝導 / 冷電子放出 / Thermally induced ultrasound / Porous silicon / tele-taction / Selective stimulation / Tactile feeling display / Sensitive skin / Tactile sensor / Haptic Interface / 触感ディスプレイ / 超音波送受信 / インターフェース / 皮膚感覚センサ / 触覚インターフェース / 皮膚感覚 / 感覚量計測 / 選択刺激法 / 触覚ディスプレイ / 触覚センサ / 触感インターフェース / photonic integration / optical wave guide / quantum efficiency / silicon LED / nanocrystalline silicon / porous silicon / 量子効率 / 光導波路 / 発光効率 / thin film transistor / flat-panel display / light-emitting diode / electroluminescence / anodization / poly-Si film / 薄膜トランジスタ / 発光ダイオード / 注入エレクトロルミネセンス / ballistic electron emission / bistable memory / Si photonic integration / Si light-emiting diode / Si nanocrystallites / porous Si / シリコン発光素子 / コールドカソード / 双安定メモリ / シリコンナノクリスタリット / refractory metals / metallization / transition metal oxide / thin amorphous film / ULSI process / focused in beam / inorganic resist / microlithography / 高融点金属 / リソグラフィ / 微細加工 / 高融点金属細線 / メタライゼ-ション / 超LSIプロセス技術 / アモルファス薄膜 / 遷移金属酸化物 / 集束イオンビ-ム / 無機レジスト / 徴細加工 / 表面・界面物性 / 超薄膜 / 電解還元効果 / シリコンナノドット / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 電解還元 / 薄膜素子 / プリンティング / 還元 / 薄膜デバイス / 薄膜堆積 / 金属薄膜堆積 / 弾道雷子放出 / 固体薄膜堆積 / 光キャリア増倍 / 真空紫外光発生 / 弾道雷子 / 多重トンネル / 量子閉じ込め / 集積回路 / 電子デバイス / 弾道電子効果 / 表面終端 / 光集積 / 発光 / ナノ構造 / 情報端末 / 高機能スピーカー / 熱誘起超音波放出 / 音波発生 / 弾道電子励起発行 / 発光素子 / 超音波発生素子 / 熱誘起音響効果 / キャリア空乏効果 / 放射圧 / 非線形音響効果 / フェーズドアレイ / シリコン微粒子 / 陽極化成 / エレクトロルミネッセンス / フオトルミネッセンス … もっと見る
研究代表者以外
量子ドット / Porous Silicon / Telemetry / Artificial Skin / Wireless Tactile Element / Haptic Interface / Tactile Display / Robot / Tactile Sensor / 光結合 / 触感インターフェース / ポーラスシリコン / テレメトリ / 人工皮膚 / 無線触覚素子 / 触覚インターフェース / 触覚ディスプレイ / ロボット / 触覚センサ / lacalized level / quantum effect / surface state / brillouin zone / disoredering / luminescence / superlattice / indirect gap semiconductor / グリルアン領域折り返し / 界面効果 / サイズ効果 / ブリルアン領域折り返し / 不規則超格子 / 人工局在準位 / 局在準位 / 量子効果 / 界面準位 / ブリルアン領域 / 不規則 / 発光 / 超格子 / 間接遷移型半導体 / surface excitation reaction / surface migration / digital epitaxy / electron-beam-induced excitation / laser-induced excitation / disilane / silicon / atomic layr epitaxy / ディジタル成長 / 反射型高速電子線回折 / 表面励起 / 原子層エピキタキシー / ディジタルエピタキシー / 原子層エピタキシー / 表面励起反応 / 表面泳動 / デジタルエピタキシ- / 電子線励起 / レーザー励起 / ジシラン / シリコン / 原子層エピタキシ- 隠す
  • 研究課題

    (19件)
  • 研究成果

    (591件)
  • 共同研究者

    (16人)
  •  自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現

    • 研究代表者
      中村 俊博
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      法政大学
  •  ナノシリコン弾道電子源の還元効果を用いた薄膜堆積研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  ナノシリコン弾道電子源の液体・気体・固体中動作と応用研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  量子サイズシリコンの光・電子・音響特性の解明と情報機能統合研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  ナノ結晶シリコンの弾道電子現象と素子化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      マイクロ・ナノデバイス
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  映像・音響情報機能パッケージングの研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  映像・音響情報機能パッケージングの研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2001
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  面放出形シリコン弾道電子源の開発と平面ディスプレイへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  光を利用した無線触覚素子による人工触覚の研究

    • 研究代表者
      篠田 裕之
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  シリコン微細加工による熱超音波アレイの研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  触感インターフェースに関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  高効率・高安定シリコンLEDの開発と光集積化研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  多結晶シリコン膜による発光素子の開発と大面積ディスプレイへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  多孔質シリコンの可視発光機構の解明とシリコン光集積への展開研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  間接遷移型半導体による発光の研究

    • 研究代表者
      佐々木 昭夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      総合研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  •  多孔質シリコンの可視域発光に関する基礎的研究研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  Si表面の電子線励起反応に関する研究

    • 研究代表者
      須田 良幸
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京農工大学
  •  酸化物イオンレジストによる極徴細加工技術の開発と応用研究代表者

    • 研究代表者
      越田 信義
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東京農工大学

すべて 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Thermal Properties of Porous Silicon, in “Handbook of Porous Silicon”, Part II, ed. Leigh Canham2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 総ページ数
      1017
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [図書] Thermal Properties of Nanoporous Silicon Materials, Part I: Fundamentals of porous silicon for biomedical applications, Chapter 3 in “Porous Silicon for Biomedical Applications”, ed. Hélder A. Santos2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 総ページ数
      517
    • 出版者
      Woodhead Publ., Cambridge, UK
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [図書] Nanosilicon for advanced post-scaling applications, Chapter 14 in ”Nanostructured Semiconductors: from basic research to applications”, ed. P. Granitzer and K. Rumpf2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 総ページ数
      684
    • 出版者
      Pan Stanford Publishing, Singapore
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [図書] 異種機能デバイス集積化技術の基礎と応用(監修:益一哉・年吉洋・町田克之)、第7章「ナノポーラスシリコンとそのデバイス」2012

    • 著者名/発表者名
      越田信義・小山英樹
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [図書] Photonic, Electronic, and Acoustic Applications of Nanosilicon, Chapter in "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", pp.11-182011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, Y.Hirano, R.Mentek, B.Gelloz
    • 総ページ数
      631
    • 出版者
      World Scientific Publishing
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [図書] Photonic, Electronic, and Acoustic Applications of Physics, Chemistry and Application of Nanostructures2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 出版者
      World Scientific Publishing
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開2010

    • 著者名/発表者名
      越田信義(監修)
    • 総ページ数
      245
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida (Ed.)
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, (Ed.)
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer, New York
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida(Ed.)
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida(Ed.)
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer(New York)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [図書] Luminescence and related properties of nanocrystalline porous silicon, in"Semiconductor Quantum Structures"2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 出版者
      Springer-Verlag, Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] 『ナノ蛍光体の開発と応用』3-1節"Siナノ蛍光体"2007

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 出版者
      シーエムシー、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] ナノ蛍光体の開発と応用2007

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 他
    • 総ページ数
      269
    • 出版者
      シーエムシー、東京
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] Luminescence and related properties of nanocrystalline porous silicon(ed. E. Kasper and C. Klingshirn, Semiconductor Quantum Structures)2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 出版者
      Springer-Verlag
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Development and Application of Nanofluorescent Materials2007

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, et. al.
    • 総ページ数
      269
    • 出版者
      CMC Publ., Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] 『ナノ蛍光体の開発と応用』3-1節"Siナノ蛍光体"2007

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 出版者
      シーエムシー、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] Luminescence and related properties of nanocrystalline porous silicon, in"Semiconductor Quantum Structures"2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 出版者
      Springer-Verlag, Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Semiconductor Quantum Structures2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, 他
    • 総ページ数
      136
    • 出版者
      Springer-Verlag
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] Advanced MEMS/NEMS Technology and Applications2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, et. al.
    • 総ページ数
      285
    • 出版者
      Frontier Publ., Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] エコマテリアルハンドブック(III部 第2章 ナノ構造制御材料を担当)2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義(分担執筆)
    • 総ページ数
      816
    • 出版者
      丸善
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] Handbook of Electronic Properties and Materials2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, et. al.
    • 総ページ数
      695
    • 出版者
      Maruzen Publ., Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] エコマテリアルハンドブック2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 他
    • 総ページ数
      816
    • 出版者
      丸善
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] 電子物性・材料の事典2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 他
    • 総ページ数
      696
    • 出版者
      朝倉書店
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] エコマテリアルハンドブック(III部 第2章 ナノ構造制御材料を担当)2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義(分担執筆)
    • 総ページ数
      816
    • 出版者
      丸善
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] Eco-Materials Handbook2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, et. al.
    • 総ページ数
      816
    • 出版者
      Maruzen Publ., Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] 電子物性・材料の事典(4.4.2ディスプレイデバイスを担当)2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義(分担執筆)
    • 総ページ数
      696
    • 出版者
      朝倉書店
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [図書] MEMS/NEMSの最先端技術と応用展開2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 他
    • 総ページ数
      285
    • 出版者
      フロンティア出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] 電子物性・材料の事典(4.4.2 ディスプレイデバイスを担当)2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義(分担執筆)
    • 総ページ数
      696
    • 出版者
      朝倉書店
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [図書] Silicon and porous silicon, in "The Handbook of Electroluminescent Materials", Chapter 10(Edited by D.R.Vij)2004

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 出版者
      Institute of Physics Publishing, Bristol
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [図書] Silicon and porous silicon, in "The Handbook of Electroluminescent Materials", Chapter 10 (Edited by D.R.Vij)2004

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 出版者
      Institute of Physics Publishing, Bristol
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Deposition of thin Si and Ge films by ballistic hot electron reduction under a solution dripping mode and its application to the growth of thin SiGe films2015

    • 著者名/発表者名
      R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, N., J. Shirakashi, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 4S ページ: 04DH11-04DH11

    • DOI

      10.7567/jjap.54.04dh11

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Development of Ballistic Hot Electron Emitter and its Applications to Parallel Processing: Active-Matrix Massive Direct-Write Lithography in Vacuum and Thin Films Deposition in Solutions2015

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Kojima, N. Ikegami, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, T. Yoshida, H. Miyaguchi, M. Muroyama, H. Nishino, S. Yoshida, M. Sugata, K. Totsu, and M. Esashi
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Symp. on Advanced Lithography)

      巻: 9423 ページ: 942313-942313

    • DOI

      10.1117/12.2085782

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] DEVELOPMENT OF MEMS PIERCE-TYPE NANOCRYSTALLINE SI ELECTRON-EMITTER ARRAY FOR MASSIVELY PARALLEL ELECTRON BEAM DIRECT WRITING2014

    • 著者名/発表者名
      H. Nishino, S. Yoshida, A. Kojima, N. Ikegami, N. Koshida, S. Tanaka, and M. Esashi
    • 雑誌名

      Proc. 27th IEEE Int. Conf. on MEMS

      巻: 27 ページ: 467-470

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Low-temperature deposition of thin Si, Ge, and SiGe films using reducing activity of ballistic hot electrons2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, and J. Shirakashi
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 64 号: 6 ページ: 405-410

    • DOI

      10.1149/06406.0405ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053, KAKENHI-PROJECT-24360117
  • [雑誌論文] Ballistic hot electron effects in nanosilicon dots and their photonic applications (Invited)2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, B. Gelloz, and N. Mori
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: 61 号: 5 ページ: 47-54

    • DOI

      10.1149/06105.0047ecst

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053, KAKENHI-PROJECT-24360117
  • [雑誌論文] Electro-Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Hot Electron Injection2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Kojima, T. Ohta, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, J. Shirakashi
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: 3 (5) 号: 5 ページ: P57-P60

    • DOI

      10.1149/2.002405ssl

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053, KAKENHI-PROJECT-25630122
  • [雑誌論文] Ultraviolet and Long-Lived Blue Luminescence of Oxidized Nano-Porous Silicon and Pure Nano-Porous Glass2014

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 3 (5) 号: 5 ページ: R83-R88

    • DOI

      10.1149/2.022405jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Liquid-phase deposition of thin Si films by ballistic electro-reduction2013

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, A. Kojima, N. Koshida
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 2 ページ: 22107-22107

    • DOI

      10.1063/1.4788678

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Ultraviolet and Long-lived Blue Luminescence of Oxidized Porous Silicon2013

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 53 号: 4 ページ: 103-111

    • DOI

      10.1149/05304.0103ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] 超並列電子線描画装置の開発2013

    • 著者名/発表者名
      江刺正喜、池上尚克、小島明、宮口裕、西野仁、越田信義、吉田孝、室山真徳、吉田慎哉
    • 雑誌名

      金属

      巻: 83(9) ページ: 751-756

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Ballistic Electron Effects in Nanosilicon and Their Applications2013

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 53 号: 4 ページ: 95-102

    • DOI

      10.1149/05304.0095ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Disorder-induced enhancement of avalanche multiplication in a silicon nanodot array2013

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, M. Tomita, H. Minari, T. Watanabe, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 4S ページ: 04CJ04-04CJ04

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04cj04

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560296, KAKENHI-PROJECT-24246053, KAKENHI-PROJECT-24310082
  • [雑誌論文] Development of maskless electron-beam lithography using nc-Si electron-emitter array2013

    • 著者名/発表者名
      A. Kojima, N. Ikegami, T. Yoshida, H. Miyaguchi, M. Muroyama, H. Nishino, S. Yoshida, M. Sugata, S. Cakir, H. Ohyi, N. Koshida, and M. Esashi
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Symp. on Advanced Lithography

      巻: 8680 ページ: 86800I-86800I

    • DOI

      10.1117/12.2011553

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Active-matrix nanocrystalline Si electron emitter array with a function of electronic aberration correction for massively parallel electron beam direct-write lithography: electron emission and pattern transfer characteristics2013

    • 著者名/発表者名
      N. Ikegami, N. Koshida, A. Kojima, H. Ohyi, T. Yoshida, and M. Esashi
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. & Tech. B

      巻: 31 号: 6 ページ: 06F703-06F703

    • DOI

      10.1116/1.4827819

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Liquid-phase deposition of thin Si and Ge films based on ballistic electro-reduction2012

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, and N. Koshida
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: Vo. 50, No. 9 号: 9 ページ: 691-698

    • DOI

      10.1149/05009.0691ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Energy transfer induced Eu^<3+> photoluminescence enhancement in tellurite glass2012

    • 著者名/発表者名
      W.Stambouli, H.Elhouichet, B.Gelloz, M.Ferid, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.of Luminescence

      巻: 132 号: 1 ページ: 205-209

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2011.08.018

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037, KAKENHI-PROJECT-23560388
  • [雑誌論文] Optical properties of phosphorescent nano-silicon electro-chemically doped with terbium2012

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 9 (12) 号: 12 ページ: 2318-2321

    • DOI

      10.1002/pssc.201200226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Photovoltaic Property of Wide-Gap Nanocrystalline Silicon Layers2012

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 51 号: 2S ページ: 02BP05-02BP05

    • DOI

      10.1143/jjap.51.02bp05

    • NAID

      210000140306

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Blue Phosphorescence in Oxidized Nano-Porous Silicon2012

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 1 (6) 号: 6 ページ: R158-R162

    • DOI

      10.1149/2.025206jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Ballistic Electron Emission from Nanosilicon Diode and its Application to Ultra-Thin Film Deposition of Silicon and Germanium2012

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, B. Gelloz
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 45 号: 5 ページ: 221-228

    • DOI

      10.1149/1.3700430

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560388, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Strain effects on avalanche multiplication in a silicon nanodot array2012

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 4S ページ: 04DJ01-04DJ01

    • DOI

      10.1143/jjap.51.04dj01

    • NAID

      210000140546

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560296, KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Enhanced magnetic anisotropy of Ni nanowire arrays fabricated on nano-structured silicon templates2012

    • 著者名/発表者名
      P. Granitzer, K. Rumpf, T. Ohta, N. Koshida, M. Reissner, P. Poelt
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101 号: 3 ページ: 33110-33110

    • DOI

      10.1063/1.4738780

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [雑誌論文] Functional device applications of nanosilicon2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials

      巻: 470 ページ: 20-16

    • DOI

      10.4028/www.scientific.net/kem.470.20

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Ballistic electron emission from quantum-sized nanosilicon diode and its applications2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, B. Gelloz, and A Kojima
    • 雑誌名

      Current Opinion in Solid State and Mater. Sci

      巻: 15 号: 5 ページ: 183-187

    • DOI

      10.1016/j.cossms.2011.04.003

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037, KAKENHI-PROJECT-23560388
  • [雑誌論文] Theory of quasi-ballistic transport through nanocrystalline silicon dots2011

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 98 号: 6 ページ: 62104-62104

    • DOI

      10.1063/1.3553501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Counter-electrode-free thin Cu film deposition based on ballistic electron injection into CuSO_4 solution from nanosilicon emitter2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 50 号: 1R ページ: 010104-010104

    • DOI

      10.1143/jjap.50.010104

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Theory of quasi-ballistic transport through nanocrystalline silicon dots.2011

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari, S.Uno, H.Mizuta, N.Koshida.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Functional Device Applications of Nanosilicon.2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, Y.Hirano, R.Mentek, B.Gelloz
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials

      巻: 470 ページ: 20-26

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Thin Cu film deposition by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in solution.2011

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Multilayered thin metal films deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solution2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 50 号: 6S ページ: 06GG03-06GG03

    • DOI

      10.1143/jjap.50.06gg03

    • NAID

      210000070706

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037, KAKENHI-PROJECT-23560388
  • [雑誌論文] Counter-electrode-free thin Cu film deposition based on ballistic electron injection into CuSO_4 solution from nanosilicon emitter.2011

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.STAP

      巻: 50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Thin Cu film deposition by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in solution2010

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Electrochem. Solid-State Lett

      巻: 13 号: 10 ページ: 73-75

    • DOI

      10.1149/1.3463815

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Stabilization and operation of porous silicon photonic structures from near-ultraviolet to near-infrared using high-pressure water vapor annealing2010

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518(12) 号: 12 ページ: 3276-3279

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2009.08.043

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Direct Electropolymerization of polyvinylene films on Si and porous Si2010

    • 著者名/発表者名
      T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, L. Jin, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Electrochem. Soc

      巻: 157(5) 号: 5 ページ: 534-539

    • DOI

      10.1149/1.3355855

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Reduction of surface recombination and enhancement of light emission in silicon photonic crystals treated by high-pressure water vapor annealing2010

    • 著者名/発表者名
      M. Fujita, B. Gelloz, N. Koshida, and S. Noda
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 97 号: 12

    • DOI

      10.1063/1.3489419

    • NAID

      120002561290

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced by photoluminescence and its polarization memory2010

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, H. Koyama, B. Gelloz, M. Oueslati, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518 号: 6 ページ: 212-216

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2009.10.091

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Stabilization and operation of porous silicon photonic structures from near-ultraviolet to near-infrared using high-pressure water vapor annealing.2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 518 ページ: 3276-3279

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Reduction of surface recombination and enhancement of light emission in silicon photonic crystals treated by high-pressure water vapor annealing.2010

    • 著者名/発表者名
      M.Fujita, B.Gelloz, N.Koshida, S.Nods
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 97

    • NAID

      120002561290

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, M. Nanba, N. Egami, S. Yamazaki, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 28 号: 2 ページ: C2B6-C2B10

    • DOI

      10.1116/1.3275746

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Fabrication and optical characterization of self-standing wide-gap nanocrystalline silicon layers2010

    • 著者名/発表者名
      R. Mentek, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 49 号: 4S ページ: 04DG22-04DG22

    • DOI

      10.1143/jjap.49.04dg22

    • NAID

      210000068303

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission2010

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Soc. Information Display

      巻: 18(3) 号: 3 ページ: 223-227

    • DOI

      10.1889/jsid18.3.223

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文]2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B28

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission(Invited).2010

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Hatai, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Soc.Information Display 18

      ページ: 223-227

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced by photoluminescence and its polarization memory2010

    • 著者名/発表者名
      A.Chouket, H.Elhouichet, H.Koyama, B.Gelloz, M.Oueslati, N.Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] 2/3-inch ultra-high-sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emission device2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 28 号: 2 ページ: C2D11-C2D14

    • DOI

      10.1116/1.3271163

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced byphotoluminescence and its polarization memory2010

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, H. Koyama, B. Gelloz, M. Oueslati, N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirano, M.Nanba, N.Egami, S.Yamazaki, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 28

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Energy transfer from phosphorescent blue-emitting oxidized porous silicon to rhodamine 1102010

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N. Harima, H. Koyama, H. Elhouichet, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 97 号: 17 ページ: 171107-171107

    • DOI

      10.1063/1.3511740

    • NAID

      120003273635

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, M. Nanba, N. Egami, S. Yamazaki, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B28

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission2010

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Soc. Information Display 18

      ページ: 223-227

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Hatai, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Soc.Information Display 18

      ページ: 223-227

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Electropolymerization ofpoly(para-phenylene)vinylene films onto and inside porous Silayers of different types and morphologies.2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, M.Mentek, T.Djenizian, F.Dumur, L.Jm, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Electrochem.Soc.

      巻: 157

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced by photoluminescence and its polarization memory.2010

    • 著者名/発表者名
      A.Chouket, H.Elhouichet, H.Koyama, B.Gelloz, M.Oueslati, N.Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Fabrication and Optical Characterization of Self-standing Wide-gap Nanocrystalline Silicon Layers.2010

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 49

    • NAID

      210000068303

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Direct Electropolymerization of Poly(para-phenylene)vinylene Films on Si and Porous Si.2010

    • 著者名/発表者名
      T.Djenizian, B.Gelloz, F.Dmnur, C.Chassigneux, L.Jin, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Electrochem. Soc.

      巻: 157

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] 2/3-inch ultra-high-sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emission device2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nakada, T.Sato, Y.Matsuba, K.Sakemura Y.Okuda, N.Negishi, A.Watanabe, T.Yoshikawa K.Ogasawara, M.Nanba K.Tanioka, N.Egami, A.Kobayashi, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 28

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Electropolymerization of poly vinylene films onto and inside porous Si layers of different types and morphologies2010

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Mentek, T. Djenizian, F. Dumur, L. Jin, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Electrochem. Soc

      巻: 157(12) 号: 12 ページ: 648-655

    • DOI

      10.1149/1.3497359

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties.2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirano, M.Nanba, N.Egami, S.Yamazaki, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 28

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] 2/3-inch ultra-high-sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emission device.2010

    • 著者名/発表者名
      T.Nakada, T.Sato, Y.Matsuba, K.Sakemura Y.Okuda, N.Negishi, A.Watanabe T.Yoshikawa K.Ogasawara, M.Nanba, K.Tanioka, N.Egami, A.Kobayashi, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 28

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Energy transfer from phosphorescent blue-emitting oxidized porous silicon to rhodamine 110.2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Harima, H.Koyama, H.Elhouichet, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett.

      巻: 97

    • NAID

      120003273635

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device (HEED) array with 13. 75μm pixels2009

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B27

      ページ: 735-739

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing.2009

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, R.Mentek, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • NAID

      210000066630

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirano, K.Okamoto, S.Yamazaki, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

      ページ: 63109-63111

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals2009

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, N Koshida
    • 雑誌名

      J. Phys. Conf. Ser. 193

      ページ: 12008-12011

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals.2009

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari S.Uno, H.Mizuta, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Phys.Conf.Ser. 193

      ページ: 12008-12011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 78 ページ: 329-332

    • NAID

      10024751517

    • URL

      http://www.jsap.or.jp/ap/2009/ob7804/p780329.html

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode.2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Hatai, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 27

      ページ: 772-774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode2009

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 27 号: 2 ページ: 772-774

    • DOI

      10.1116/1.3070655

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing2009

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, R.Mentek, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • NAID

      210000066630

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon.2009

    • 著者名/発表者名
      A.Chouket, B.Gelloz, H.Koyama, H.Elhouichet, M.Oueslati, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Luminescence 129

      ページ: 1332-1335

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode2009

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B27

      ページ: 772-774

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, K. Okamoto, S. Yamazaki, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 95 号: 6 ページ: 63109-63109

    • DOI

      10.1063/1.3205119

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon.2009

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 94

      ページ: 201903-201905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing2009

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 48

    • NAID

      210000066630

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon2009

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 94 号: 20 ページ: 201903-5

    • DOI

      10.1063/1.3140570

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon2009

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 94

      ページ: 201903-201905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers.2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirano, K.Okamoto, S.Yamazaki, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 95

      ページ: 63109-63111

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon2009

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, B. Gelloz, H. Koyama, H. Elhouichet1, M. Oueslati1, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Luminescence 129

      ページ: 1332-1335

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon2009

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, B. Gelloz, H. Koyama, H. Elhouichetl, M. Oueslatil, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Luminescence

      巻: 129 号: 11 ページ: 1332-1335

    • DOI

      10.1016/j.jlumin.2009.06.021

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開.2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 雑誌名

      応用物理 78

      ページ: 329-332

    • NAID

      10024751517

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers2009

    • 著者名/発表者名
      Y Hirano, K Okamoto, S Yamazaki, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 95

      ページ: 63109-63111

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 雑誌名

      応用物理 78

      ページ: 329-332

    • NAID

      10024751517

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon2009

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 94

      ページ: 201903-2019005

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals2009

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Phys. Conf. Ser

      巻: 193 ページ: 12008-12011

    • DOI

      10.1088/1742-6596/193/1/012008

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals2009

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari S.Uno, H.Mizuta, N Koshida
    • 雑誌名

      J.Phys.Conf.Ser. 193

      ページ: 12008-12011

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device(HEED)array with 13.75μm pixels.2009

    • 著者名/発表者名
      T.Nakada, T.Sato, Y.Matsuba, R.Tanaka, K.Sakemura, N.Negishi, Y.Okuda, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, M.Nanba, K.Tanioka, N.Egami, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 27

      ページ: 735-739

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Hatai, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 27

      ページ: 772-774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing2009

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 48 号: 4S ページ: 04C119-04C119

    • DOI

      10.1143/jjap.48.04c119

    • NAID

      210000066630

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon2009

    • 著者名/発表者名
      A.Chouket, B.Gelloz, H.Koyama, H.Elhouichet, M.Oueslati, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Luminescence 129

      ページ: 1332-1335

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device(HEED) array with 13. 75μm pixels2009

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B

      巻: 27 号: 2 ページ: 735-739

    • DOI

      10.1116/1.3079653

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device(HEED)array with 13.75μm pixels2009

    • 著者名/発表者名
      T.Nakada, T.Sato, Y.Matsuba, R.Tanaka, K.Sakemura, N.Negishi, Y.Okuda, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, M.Nanba, K.Tanioka, N.Egami, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 27

      ページ: 735-739

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] 溶液中でも動作する電子源電極の開発と水素発生.2008

    • 著者名/発表者名
      越田信義、太田敢行、Bernard Gelloz
    • 雑誌名

      燃料電池 7

      ページ: 88-92

    • NAID

      40015853214

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Sakai, C. Oshima, T. Ohta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1782-1786

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Stabilized porous silicon optical superlattices with controlled surface passivation2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ghulinyan, B. Gelloz, T. Ohta, L. Pavesi, D.J. Lockwood, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 93

      ページ: 61113-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 716-719

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640x480 pixelactive-matrix high-efficency electrion emission device.2008

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 711-715

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato and N, Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2902-2905

    • NAID

      10022548317

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Improved photoconduction effects of nanometer-sized Si dot multilayers.2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki, and N, Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3095-3098

    • NAID

      10022551826

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of Electron-bmitung Electrode Compatible with Operation in Solutions Leading to Hydrogen Generation (in Japanese)2008

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, T., Ohta, B., Gelloz
    • 雑誌名

      The J. Fuel Cell Technol 7

      ページ: 88-92

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3123-3126

    • NAID

      10022551893

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Improved photoconduction effects of nanometer-sized Si dot multilayers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 3095-3098

    • NAID

      10022551826

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2902-2905

    • NAID

      10022548317

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Acoustic Wave Manipulation by Phased Operation of Two-Dimensionally Arrayed Nanocrystalline Silicon Ultrasonic Emitters2008

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, M., Sugawara, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 3123-3126

    • NAID

      10022551893

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B 26

      ページ: 716-719

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Sub-30 nm Parallel EB Lithography using Nano-Si Planar Ballistic Electron Emitter2008

    • 著者名/発表者名
      A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol.・Sci. Technol B 26(6)・B 26

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama and N, Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 376-379

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device2008

    • 著者名/発表者名
      N., Negishi, T., Sato, Y., Matsuba, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, Y., Okuda, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B. 26

      ページ: 711-715

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters.2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3123-3126

    • NAID

      10022551893

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Sub-30 nm parallel EB lithography using nano-Si planar ballistic electron emitter2008

    • 著者名/発表者名
      A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B26

      ページ: 2053-2057

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, N Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B26

      ページ: 716-719

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Acoustic wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3123-3126

    • NAID

      10022551893

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device.2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2902-2905

    • NAID

      10022548317

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stabilized porous silicon optical superlattices with controlled surface passivation2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ghulinyan, B. Gelloz, T. Ohta, L. Pavesi, D.J. Lockwood, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

      ページ: 61113-61115

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device2008

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, g. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 711-715

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Formation Mechanism of 100 nm-Scale Periodic-Structures in Silicon Using Magnetic-Field-Assisted Anodization2008

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 7398-7402

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama, N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 376-379

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Improved Photoconduction Effects of Nanometer-sized Si dot multilayers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3095-3098

    • NAID

      10022551826

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Acoustic Wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 3123-3126

    • NAID

      10022551893

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Improved Photoconduction Effects of Nanometer-Sized Si Dot Multilayers2008

    • 著者名/発表者名
      Y., Hirano, S., Yamazaki, N, i Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 3095-3098

    • NAID

      10022551826

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Improved photoconduction effects of nanometer-sized Si dot multilayers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3095-3098

    • NAID

      10022551826

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] 溶液中でも動作する電子源電極の開発と水素発生2008

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 太田敢行, Bernard Gelloz
    • 雑誌名

      燃料電池 7

      ページ: 88-92

    • NAID

      40015853214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2008

    • 著者名/発表者名
      T., Ohta., B., Gelloz, N, Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B 26

      ページ: 716-719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device2008

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B26

      ページ: 711-715

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode.2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 716-719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Sakai, C. Oshima, T. Ohta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B 26 (5)

      ページ: 1782-1786

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Sub-30 nm parallel EB lithography using nano-Si planar ballistic electron emitter2008

    • 著者名/発表者名
      A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 2053-2057

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Stabilized porous silicon optical superlattices with controlled surface passivation2008

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

      ページ: 61113-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Sakai, C. Oshima, T. Ohta, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B26

      ページ: 1782-1786

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device.2008

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka. N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 711-715

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device2008

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, M., Sato, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 2902-2905

    • NAID

      10022548317

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing2007

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B25

      ページ: 661-666

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      A. Uematsu, T. Kikusui, T. Kihara, T. Hanada, M. Kato, K. Nakano, O.Murakami, N.Koshida, Y.Takeuchi, and Y. Mori
    • 雑誌名

      Brain Research. 1163

      ページ: 91-99

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effects of thermal effusivity in nanocrystalline porous silicon on long-term operation of thermally induced ultrasonic emission.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3645-3647

    • NAID

      10022546529

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Pronounced Photonic Effects of High-Pressure Water Vapor Annealing on Nanocrystalline Porous Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, T.Shibata, R.Mentek, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater. Res. Symp. Proc. 958

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, T., Shibata, N., Koshida
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) Vol. 204

      ページ: 2141-2144

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] 1インチ256×192画素アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板2007

    • 著者名/発表者名
      難波正和、宮川和典、渡部俊久、岡崎三郎、谷岡健吉、江上典文、田中亮太、中田智成、酒村一到、奥田義行、根岸伸安、渡辺温、吉川高正、小笠原清秀、小林昭、小楠功一、越田信義
    • 雑誌名

      映像情報メディア学会誌 61

      ページ: 387-392

    • NAID

      110006854561

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing2007

    • 著者名/発表者名
      N., Negishi, Y., Matsuba, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, Y., Okuda, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B 25

      ページ: 661-666

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] New design principle and Fabrication Process of Silicon 3-dimensional Photonic Crystal Structures2007

    • 著者名/発表者名
      D., Hippo, K., Urakawa, Y., Kawata, Y., Tsuchiya, H., Mizuta, N., Koshida, S., Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 633-637

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Energy transfer in porous-silicon/laser-dye composite evidenced by polarization memory of photoluminescence.2007

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in liquid water and hydrogen generation effect.2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, and B. Gelloz
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Effect of bi-layer sructure on the long-term stability of nanocrystalline porous silicon ultrasonic emitter2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 6218-6221

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Pronounced Photonic Effects of High-Pressure Water Vapor Annealing on Nanocrystalline Porous Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, R. Mentek, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 958

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] New design principle and Fabrication Process of Silicon 3-dimensional Photonic Crystal Structures2007

    • 著者名/発表者名
      D.Hippo, K.Urakawa, Y.Kawata, Y.Tsuchiya, H.Mizuta, N.Koshida, S.Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 633-637

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Low Voltage and High Speed Operation of 640X480 Pixel Ac-tive-matrix HEED(High-efficiency Electron Emission Device)Array for HARP Image Sensor.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Okuda, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Proc. Int. Display Workshop IDW07

      ページ: 2165-2168

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      A., Uematsu, T, Kikusui, T., Kihara, T., Harada, M., Kato, K., Nakano, O., Murakami, N., Koshida, Y., Takeuchi, Y., Mori
    • 雑誌名

      Brain Research 1163

      ページ: 91-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly Efficient and Stable Photoluminescence of Nanocrystalline Porous Silicon by Combination of Chemical Modification and Oxidation under High Pressure2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 3462-3465

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Effect of bi-layer structure on long-tem stability of nanocrystalline porous silicon ultrasonic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 6218-6221

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effect of Bi-layer Structure on the Long-Term Stability of Nanocrystalline Porous Silicon Ultrasonic Emitter2007

    • 著者名/発表者名
      Y, Watabe, Y, Honda, N, Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 6218-6221

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Pronounced Photonic Effects of High-Pressure Water Vapor Annealing on Nanocrystalline Porous Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, T., Shibata, R., Mentek, N., Koshida
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 958, L08

      ページ: 2-7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Synthesis and photoluminescence properties of silicon nanowires treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Salhi B. Gelloz, N. Koshida, and R. Boudherroub
    • 雑誌名

      Physica status solidi(a) 204

      ページ: 1302-1306

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience.2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, A. Kojima, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 524-527

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Energy transfer in porous-silicon/laser-dye composite evidinced by polarization memory of photoluminescence.2007

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

      ページ: 2119021-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a high-resolution acteve-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing.2007

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K, Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T Yoshikawa, K, Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci Technol. B 25

      ページ: 661-666

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 雑誌名

      physica status solide(a) 204

      ページ: 2141-2144

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in liquid water and hydrogen generation effect2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, B. Gelloz
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

      ページ: 163505-7

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effects of thermal effusivity in nanocrystalline porous silicon on long-term operation of thermally induced ultrasonic emission2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3645-3647

    • NAID

      10022546529

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Synthesis and Optical Properties of Silicon Oxide Nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      Bernard, Gelloz, Yannick, Coffinier, Billel, Salhi, Nobuyoshi, Koshida, Gilles, Patriarche, Rabah, Boukherroub
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 958, L05

      ページ: 10-15

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] 1-inch 256×192 Pixel HARP Image Sensor with Active-matrix HEED (in Japanese)2007

    • 著者名/発表者名
      M., Namba, K., Miyakawa, T., Watabe, S., Okabe, K., Tanioka, N., Egami, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, Y., Okuda, N., Negishi, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, A., Kobayashi, K., Ogusu, N., Koshida
    • 雑誌名

      J. Inst. Image and TV Eng 61

      ページ: 387-392

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience.2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, A, Kojima, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 524-527

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] New design principle and fabrication process of silicon 3-dimensional photonic crystal structures.2007

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 633-637

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly efficient and stable photoluminescence of nanocrystalline porous sillicon by combination of chemical modification and oxidation under high pressure.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3462-3465

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Synthesis and Optical Properties of Silicon Oxide Nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, Y.Coffinier, B.Salhi, N.Koshida, G.Patriarche, R.Boukherroub
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 958

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience2007

    • 著者名/発表者名
      T., Ohta, A., Kojima, N., Koshidal
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol B 25

      ページ: 524-527

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter2007

    • 著者名/発表者名
      A. Uematsu, T. Kikusui, T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, N. Koshida, Y. Takeuchi, Y. Mori
    • 雑誌名

      Brain Research 1163

      ページ: 91-99

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Synthesis and photoluminescence properties of silicon nanowires treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Salhi, B. Gelloz, N. Koshida, and R. Boukherroub
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) 204

      ページ: 1302-1306

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] New design principle and fabrication process of silicon 3-dimensional photonic crystal structures.2007

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 633-637

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of Flexible Electrochromic Device with Thin Film Configuration.2007

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura, T. Sakaguchi and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3479-3481

    • NAID

      10022546290

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      A. Uematsu, T. Kikusui, T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, N. Koshida, Y. Takeuchi, and Y. Mori
    • 雑誌名

      Brain Research 1163

      ページ: 91-99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Synthesis and Optical Properties of Silicon Oxide Nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, Y.Coffinier, B.Salhi, N.Koshida, G.Patriarche, R.Boukherroub
    • 雑誌名

      Mater. Res. Symp. Proc. 958

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Low Voltage and High Speed Operation of 640X480 Pixel Ac-tive-matrix HEED (High-efficiency Electron Emission Device) Array for HARP Image Sensor2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Okuda, T., Sato, Y., Matsuba, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, N., Negishi, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba*, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, A., Kobayashi, N., Koshida
    • 雑誌名

      Proc. Int. Display Workshop

      ページ: 2165-2168

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Effects of thermal effusivity in nanocrystalline porous silicon on long-term operation of thermally induced ultrasonic emission.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3645-3647

    • NAID

      10022546529

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly efficient and stable photoluminescence of nanocrystalline porous silicon by combination of chemical modification and oxidation under high pressure.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3462-3465

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly efficient and stable photoluminescence of nanocrystalline porous silicon by combination of chemical modification and oxidation under high pressure2007

    • 著者名/発表者名
      Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3462-3465

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Luminescence and related properties of nanocrystalline porous silicon, in Semiconductor Quantum Structures2007

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 雑誌名

      Landolt-bornstein - New Series Vol. III-34

      ページ: 121-136

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] New design principle and Fabrication Process of Silicon 3-dimensional Photonic Crystal Structures2007

    • 著者名/発表者名
      D.Hippo, K.Urakawa, Y.Kawata, Y.Tsuchiya, H.Mizuta, N.Koshida, S.Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 633-637

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) Vol.204

      ページ: 2141-2144

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, A. Kojima, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B25

      ページ: 524-527

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effects of Thermal Effusivity in Nanocrystalline Porous Silicon on Long-Term Operation of Thermally Induced Ultrasonic Emission2007

    • 著者名/発表者名
      Y., Watabe, Y., Honda, N., Koshidal
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 3645-3647

    • NAID

      10022546529

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in liquid water and hydrogen generation effect2007

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, T., Ohta, B., Gelloz
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 90

      ページ: 163505-7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Synthesis and Optical Properties of Silicon Oxide Nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Coffinier, B. Salhi, N. Koshida, G. Patriarche, and R. Boukherroub
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 958

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 雑誌名

      physica status solidi(a) 204

      ページ: 2141-2144

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Effects of thermal effusivity in nanocrystalline porous silicon on long-term operation of thermally induced ultrasonic emission.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3645-3647

    • NAID

      10022546529

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Energy transfer in porous-silicon / laser-dye composite evidenced by polarization memory of photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      A., Chouket, H., Elhouichet, M., Oueslati, H., Koyama, B., Gelloz, N., Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Synthesis and photoluminescence properties of silicon nanowires treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B., Salhi, B., Gelloz, N., Koshida, R., Boukherroub
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) Vol. 204

      ページ: 1302-1306

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Synthesis and photoluminescence properties of silicon nanowires treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Salhi, B. Gelloz, N. Koshida, and R. Boukherroub
    • 雑誌名

      physica status solidi(a) 204

      ページ: 1302-1306

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Energy transfer in porous-silico/laser-dye composite evidenced by polarization memory of photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of Flexible Electrochromic Device with Thin Film Configuration2007

    • 著者名/発表者名
      H., Yoshimura, T., Sakaguchi, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 3479-3481

    • NAID

      10022546290

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in lipuid water and hydrogen generation effect2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, and B. Gelloz
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

      ページ: 1635051-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] 1インチ256X192画素アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板.2007

    • 著者名/発表者名
      難波正和、宮川和典、渡部俊久、岡崎三郎、谷岡健吉、江上典文、田中亮太、中田智成、酒村一伊到、奥田義行、根岸伸安、渡辺温、吉川高正、小笠原清秀、小林昭、小楠功一、越田信義
    • 雑誌名

      映像情報メディア学会誌 61

      ページ: 387-392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Effect of bi-layer structure on the long-term stability of nanocrystalline porous silicon ultrasonic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 6218-6221

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Development of flexible electrochromic device with thin flm configuration2007

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura, T. Sakaguchi, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 3479-3481

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Maternal approaches to pup ultrasonic vocalizations produced by a nanocrystalline silicon thermo-acoustic emitter.2007

    • 著者名/発表者名
      A Uematsu, T. Kikusui, T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, N. Koshida, Y. Takeuchi, and Y. Mori
    • 雑誌名

      Brain Research 1163

      ページ: 91-99

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Pronounced Photonic Effects of High-Pressure Water Vapor Annealing on Nanocrystalline Porous Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, T.Shibata, R.Mentek, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 958

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing.2007

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 25

      ページ: 661-666

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) 204

      ページ: 2141-2144

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Fabrication of active-matrix high-efficiency electron emission device and its application to high-sensitivity image sensing2006

    • 著者名/発表者名
      N.Negishi, R.Tanaka, T.Nakada, K.Sakemura, Y.Okuda, H.Satoh, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, M.Nanba, S.Okazaki, K.Tanioka, N.Egami, N.Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 24

      ページ: 1021-1025

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 406-409

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 406-409

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly Enhanced Efficiency and Stability of Photo- and Electro- Luminescence of Nano-Crystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 45

      ページ: 3462-3465

    • NAID

      10022541088

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 7240-7242

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 406-409

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Appl. Phys. Lett.2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, T. Kikusui, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 88

      ページ: 43902-4

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Quick response observed in solid-state electrochromic device with an interfacial barrier structure.2006

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3479-3481

    • NAID

      10022541895

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kihara, T. Harada, N. Koshida
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A: Physical Vol.125

      ページ: 422-428

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, T., Shibata, N., Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 89

      ページ: 191103-5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, T.Shibata, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 191103-191105

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Fast electrochromic effect obtained from solid-state inorganic thin film configuration with a carrier accumulation structure2006

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 88

      ページ: 93509-11

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly enhanced efficiency and stability of photo-and electro-luminescence of nano-crystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3462-3465

    • NAID

      10022541088

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 191103-5

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly Enhanced Efficiency and Stability of Photo- and Electro-Luminescence of Nano-Crystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3462-3465

    • NAID

      10022541088

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 406-409

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, T.Shibata, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 191103-5

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Fabrication of active-matrix high-efficiency electron emission device and its application to high-sensitivity image sensing.2006

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, H. Satoh, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 24

      ページ: 1021-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Fabrication of active-matrix high-efficiency electron emission device and its application to high-sensitivity image sensing.2006

    • 著者名/発表者名
      N., Negishi, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, Y., Okuda, H., Satoh, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 24

      ページ: 1021-1025

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Reproduction of mouse-pup ultrasonic vocalizations by nanocrystalline silicon thermoacoustic emitter.2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kihara, T. Harada, M. Kato, K. Nakano, O. Murakami, T. Kikusui, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 88

      ページ: 43902-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon.2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 7240-7242

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Reproduction of mouse-pup ultrasonic vocalizations by nanocrystalline silicon thermoacoustic emitter2006

    • 著者名/発表者名
      T., Kihara, T., Harada, M., Kato, K., Nakano, O., Murakami, T., Kikusui, N., Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 88

      ページ: 43902-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic emission characteristics of nanocrystalline porous silicon device driven as an ultrasonic speaker.2006

    • 著者名/発表者名
      K. Tsubaki, T. Komoda and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3642-3644

    • NAID

      10022542101

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kihara, T.Harada, N.Koshida
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A : Physical 125

      ページ: 422-428

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y., Watabe, Y., Honda, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 45

      ページ: 7240-7242

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Fabrication of active-matrix high-efficiency electron emission device and its application to high-sensitivity image sensing2006

    • 著者名/発表者名
      N.Negishi, R.Tanaka, T.Nakada, K.Sakemura, Y.Okuda, H.Satoh, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, M.Nanba, S.Okazaki, K.Tanioka, N.Egami, N.Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 24

      ページ: 1021-1025

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] The characteristics of thermally induced ultrasonic emission from nanocrystalline porous silicon device under impulse operation2006

    • 著者名/発表者名
      Y., Watabe, Y., Honda, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 45

      ページ: 3645-3647

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters.2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kihara, T. Harada and N. Koshida
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A: Physical 125

      ページ: 422-428

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] The characteristics of thermally induced ultrasonic emission from nanocrystalline porous silicon device under impulse operation2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3645-3647

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Fast electrochromic effect obtained from solid-state inorganic thin film configuration with a carrier accumulation structure.2006

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 88

      ページ: 93509-11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic emission characteristics of nanocrystalline porous silicon device driven as an ultrasonic speaker.2006

    • 著者名/発表者名
      K., Tsubaki, T., Komoda, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3642-3644

    • NAID

      10022542101

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Stable electroluminescence of nanocrystalline silicon device activated by high pressure water vapor annealing.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 191103-5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kihara, T.Harada, N.Koshida
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A : Physical 125

      ページ: 422-428

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Characteristics of thermally induced ultrasonic emission from nanocrystalline porous silicon device under impulse operation.2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3645-3647

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon.2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 7240-7242

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Highly enhanced photoluminescence of as-anodized and electrochemically oxidized nanocrystalline p-type porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 406-409

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] The characteristics of thermally induced ultrasonic emission from nanocrystalline porous silicon device under impulse operation2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3645-3647

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Fast electrochromic effect obtained from solid-state inorganic thin film configuration with a carrier accumulation structure2006

    • 著者名/発表者名
      H., Yoshimura, N., Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 88

      ページ: 93509-11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic emission characteristics of nanocrystalline porous silicon device driven as an ultrasonic speaker2006

    • 著者名/発表者名
      K.Tsubaki, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3642-3644

    • NAID

      10022542101

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Wafer-compatible fabrication and characteristics of nanocrystalline silicon thermally induced ultrasound emitters2006

    • 著者名/発表者名
      T., Kihara, T., Harada, N., Koshida
    • 雑誌名

      Sensors and Actuators A : Physical Vol. 125

      ページ: 422-428

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Highly enhanced efficiency and stability of photo- and electroluminescence of nano-crystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3462-3465

    • NAID

      10022541088

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Tunable output directivity of thermally induced ultrasonic generator based on nanocrystalline porous silicon.2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 7240-7242

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Quick response observed in solid-state electrochromic device with an interfacial barrier structure2006

    • 著者名/発表者名
      H., Yoshimura, N., Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 45

      ページ: 3479-3481

    • NAID

      10022541895

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [雑誌論文] Acoustic emission characteristics of nanocrystalline porous silicon device driven as an ultrasonic speaker2006

    • 著者名/発表者名
      K. Tsubaki, T. Komoda, N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3642-3644

    • NAID

      10022542101

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [雑誌論文] Precise thermal characterization of confined nanocrystalline silicon by a 3ω method.2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kihara, T.Harada, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44(in press)

    • NAID

      10022540577

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Theoretical investigation of electron-phonon interaction in one-dimensional silicon quantum dot array interconnected with silicon oxide layers.2005

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, N.Mori, K.Nakazato, N.Koshida, H.Mizuta
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 72(In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Three-dimensional image sensing in air by thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline porous silicon.2005

    • 著者名/発表者名
      K.Tsubaki, H.Yamanaka, K.Kitada T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44(In press)

    • NAID

      10016584353

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Reduction of acoustic-phonon deformation potential in one-dimensional array of Si quantum dot interconnected with tunnel oxides.2005

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, N.Mori, K.Nakazato, N.Koshida, H.Mizuta
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 97

      ページ: 113506-113511

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Improved optoelectronic characteristics of nanocrystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing.2005

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.832(in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Quasiballistic electron emission from planarized nanocrystalline-Si cold cathode2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsuchiya, T.Nakatsukasa, H.Mizutal, S.Oda, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 832(In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Possible operation of periodically layered nanocrystalline porous silicon as an acoustic band crystal device.2005

    • 著者名/発表者名
      A.Kiuchi, B.Gelloz, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 832(In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Enhancing the sound pressure of thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline porous silicon.2005

    • 著者名/発表者名
      K.Tsubaki, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 832(In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Reduction of acoustic-phonon deformation potential in one-dimensional array of Si quantum dot interconnected with tunnel oxides.2005

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, N.Mori, K.Nakazato, N.Koshida, H.Mizuta
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys 97

      ページ: 113506-113511

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Improved optoelectronic characteristics of nanocrystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing.2005

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 832(In press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Possible operation of periodically layered nanocrystalline porous silicon as an acoustic band crystal device.2005

    • 著者名/発表者名
      A.Kiuchi, B.Gelloz, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.832(in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] New operating mode of nanocrystalline silicon ultrasonic emitters for use as audio speakers.2005

    • 著者名/発表者名
      A.Kiuchi, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 2634-2636

    • NAID

      10022538657

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Three-dimensional image sensing in air by thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline porous silicon.2005

    • 著者名/発表者名
      K.Tsubaki, H.Yamanaka, K.Kitada, T Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44(in press)

    • NAID

      10016584353

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Precise thermal characterization of confined nanocrystalline silicon by a 3ω method.2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kihara, T.Harada, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44(In press)

    • NAID

      10022540577

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Ballistic transport mode detected by picosecond time-of-flight measurements for nanocrystalline porous silicon layer.2005

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 86

      ページ: 22102-22104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Electroluminescence enhancement assisted with ballistic electron excitation in nanocrystalline silicon diodes.2005

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, T.Kanda, T.Uchida, M.Niibe, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 2676-2679

    • NAID

      10022539599

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Quasiballistic electron emission from planarized nanocrystalline-Si cold cathode2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsuchiya, T.Nakatsukasa, H.Mizutal, S.Oda, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.832(in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Enhancing the sound pressure of thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline porous silicon.2005

    • 著者名/発表者名
      K.Tsubaki, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.832(in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Theoretical investigation of electron-phonon interaction in one-dimensional silicon quantum dot array interconnected with silicon oxide layers.2005

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, N.Mori, K.Nakazato, N.Koshida, H.Mizuta
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 72(in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] A solid-state multicolor light-emitting device based on ballistic electron excitation.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, T.Uchida, H.Toyama, A.Kojima, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 43

      ページ: 1076-1079

    • NAID

      10012949380

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] A solid-state multicolor light-emitting device based on ballistic electron excitation.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.NaKajima T.Uchida, H.Toyama, A.Kojima, B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 2076-2079

    • NAID

      10012949380

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Fabrication of a 7.6-in.-diagonal prototype ballistic electron surface-emitting display on a glass substrate.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Komoda, Y.Honda, T.Ichihara, T.Hatai Y.Watabe, K.Aizawa, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.of Soc.for Information Display 12

      ページ: 29-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Generation of radiation pressure in thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline silicon.2004

    • 著者名/発表者名
      J.Hirota, H.Shinoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 43

      ページ: 2080-2082

    • NAID

      10012949389

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Fabrication of a 7.6-in.-diagonal prototype ballistic electron surface-emitting display on a glass substrate.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Komoda, Y.Honda, T.Ichihara, T.Hatai, Y.Watabe, K.Aizawa, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.of Soc.for Information Display 12

      ページ: 29-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] A solid-state multicolor light-emitting device based on ballistic electron excitation.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, T.Uchida, H.Toyama, A.Kojima, H.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 2076-2076

    • NAID

      10012949380

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Annealing effects on the operation stability of ballistic electron emission from electrochemically oxidized nanocrystalline silicon diodes.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, Y.Honda, T.Baba, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 1784-1787

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Correlation between nanostracture and electron emission characteristics of a ballistic electron surface-emitting device.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Baba, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 1372-1376

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] New insights in high-energy electron emission and underlying transport physics of nanocrystalline Si.2004

    • 著者名/発表者名
      S.Uno, K.Nakazato, S.Yamaguchi, A.Kojima, N.Koshida, H.Mizuta
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nanotechnology 3

      ページ: 301-307

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Annealing effects on the operation stability of ballistic electron emission from electrochemically oxidized nanocrystallme silicon diodes.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara1, Y.Honda1, T.Baba1, T.Komoda1, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 23

      ページ: 1784-1787

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Generation of radiation pressure in thermally induced ultrasonic emitter based on nanocrystalline silicon.2004

    • 著者名/発表者名
      J.Hirota, H.Shinoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 2080-2082

    • NAID

      10012949389

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Development of an advanced high efficiency electro-emission device.2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sakemura, N.Negishi, T.Yamada, H.Satoh, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 1367-1371

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Key role of nanocrystalline feature in porous polycrystalline silicon diodes for efficient ballistic electron emission.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Hatai, K.Aizawa, T.Komoda, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 57-59

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Correlation between nanostructure and electron emission characteristics of a ballistic electron surface-emitting device.2004

    • 著者名/発表者名
      T.Ichihara, T.Baba, T.Komoda, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 1372-1376

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Silicon and Porous Silicon, "The Handbook of Electroluminescent Materials"2004

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 雑誌名

      Chap.10(Edited by D.R.Vij)(Bristol,2004)(Institute of Physics Publishing)

      ページ: 393-475

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Development of an advanced high efficiency electro-emission device2004

    • 著者名/発表者名
      K.Sakemura, N.Negishi, T.Yamada, H.Satoh, A.Watanabe, T.Yoshikawa, K.Ogasawara, N.Koshida
    • 雑誌名

      J.Vac.Sci.Technol.B 22

      ページ: 1367-1371

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Photon, electron, and utlrasonic emission from nanocrystallme porous silicon devices(Invited).2003

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, B.Gelloz, A.Kojima, T.Migita, Y.Nakajima, T.Kihara, T.Ichihara, Y.Watabe, T.Komoda
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 737

      ページ: 801-812

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Characteristics of light emission by ballistic electron excitation in nanocrystalline silicon device formed on a p-type substrate.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, H.Toyama, T.Uchida, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 42

      ページ: 2412-2414

    • NAID

      10010802074

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Stabilization of porous silicon electroluminescence by surface passivation with controlled covalent bonds.2003

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, H.Sano, R.Boukherroub, D.D.M.Wayner, D.J.Lockwood, N.Koshida
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 83

      ページ: 2342-2344

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Characteristics of light emission by ballistic electron excitation in nanocrystalline silicon device formed on a p-type substrate.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, H.Toyama, T.Uchida, A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 2412-2414

    • NAID

      10010802074

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] An analysis of electron transport in surface-passivated nanocrystalline porous silicon.2003

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 42

      ページ: 2395-2398

    • NAID

      10010802018

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] An analysis of electron transport in surface-passivated nanocrystalline porous silicon.2003

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, N.Koshida
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 2395-2398

    • NAID

      10010802018

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [雑誌論文] Photon, electron, and utlrasonic emission from nanocrystalline porous silicon devices (Invited).2003

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, B.Gelloz, A.Kojima, T.Migita, Y.Nakajima, T.Kihara, T.Ichihara, Y.Watabe, T.Komoda
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 737

      ページ: 801-812

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15201031
  • [産業財産権] 処理装置及び薄膜の製造方法2015

    • 発明者名
      越田信義・白樫淳一・須田隆太郎・八木麻実子
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-031822
    • 出願年月日
      2015-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法2012

    • 発明者名
      越田信義・太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2012-02-20
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法2011

    • 発明者名
      越田信義・太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2011-02-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成2010

    • 発明者名
      越田信義、太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2010-02-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法2010

    • 発明者名
      越田信義・太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2010-02-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法2010

    • 発明者名
      越田信義、太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2010-02-02
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法2010

    • 発明者名
      越田信義・太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2010-021463
    • 出願年月日
      2010-02-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] シリコン系青色発光材料の製造方法及びシリコン系青色発光材料2008

    • 発明者名
      越田信義、B. Gelloz
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2008-223583
    • 出願年月日
      2008-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] シリコン系青色発光材料の製造方法及びシリコン系青色発光材料2008

    • 発明者名
      越田信義、Bernard Gelloz
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2008-223583
    • 出願年月日
      2008-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] シリコン系青色発光材料の製造方法及びシリコン系青色発光材料2008

    • 発明者名
      越田信義、B.Gelloz
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2008-223583
    • 出願年月日
      2008-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] 多孔質シリコン光素子2007

    • 発明者名
      越田信義
    • 権利者名
      越田信義
    • 取得年月日
      2007-02-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 電子源電極およびそれを用いた装置2006

    • 発明者名
      越田信義, 太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2006-281866
    • 出願年月日
      2006-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 電子源電極及びそれを用いた装置2006

    • 発明者名
      越田信義・大田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2006-281866
    • 出願年月日
      2006-10-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 熱誘起圧力波発生装置2006

    • 発明者名
      篠田裕之・越田信義・浅村直也
    • 権利者名
      科学技術振興機構
    • 取得年月日
      2006-04-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 電子源電極およびそれを用いた装置2006

    • 発明者名
      越田信義、太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2006-281866
    • 出願年月日
      2006-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] 超音波音源および超音波センサ2006

    • 発明者名
      越田信義・椿健治
    • 権利者名
      農工大ティー・エル・オー
    • 取得年月日
      2006-09-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 音波発生装置とその製造方法2006

    • 発明者名
      越田信義・椿健治
    • 権利者名
      農工大ティー・エル・オー
    • 取得年月日
      2006-07-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [産業財産権] 電子源電極およびそれを用いた装置2006

    • 発明者名
      越田信義, 太田敢行
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      2006-281866
    • 出願年月日
      2006-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [産業財産権] 超音波音源および超音波センサ2006

    • 発明者名
      越田信義・椿健治
    • 権利者名
      農工大ティー・エル・オー
    • 産業財産権番号
      2006-223380
    • 出願年月日
      2006-08-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源を用いたCu薄膜のプリンティング堆積2015

    • 著者名/発表者名
      須田 隆太郎、八木 麻実子、小島 明、Romain Mentek、白樫 淳一、越田 信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Thin Film Deposition Based on Reduction Effect of Ballistic Hot Electrons2015

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, N. Mori , and J. Shirakashi
    • 学会等名
      Int. Conf. on Nanotechnol., Nanomater. & Thin Films for Energy Applications
    • 発表場所
      Manchester, UK
    • 年月日
      2015-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Functional applications of nanostructured silicon2015

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Mentek, A. Kojima, N. Ikegami, R. Suda, M. Yagi, N. Mori, and J. Shirakashi
    • 学会等名
      2015 Collaborative Conf. on 3D and Mater. Res.
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-06-16
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源を用いたⅣ族半導体薄膜の堆積2014

    • 著者名/発表者名
      八木麻実子, 須田隆太郎, 小島明, M. Romain, 白樫淳一, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      北海道大学(札幌市北区)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Low-Temperature Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films Using Reducing Activity of Ballistic Hot Electrons2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, and J. Shirakashi
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp. on SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 6
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2014-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films by Ballistic Electro-Reduction2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, and J. Shirakashi
    • 学会等名
      The 15th Int. Union of Mater. Res. Soc., Int. Conf. in Asia 2014
    • 発表場所
      福岡大学(福岡市城南区)
    • 年月日
      2014-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Ballistic hot electron effects in nanosilicon dots and their photonic applications2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, B. Gelloz, and N. Mori
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp. on Nanoscale Luminescent Materials 3
    • 発表場所
      Orlando, USA
    • 年月日
      2014-05-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Applications of Ballistic Hot Electron Effects in Nanosilicon Dots2014

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, R. Suda, M. Yagi, B. Gelloz, N. Mori
    • 学会等名
      9th Int. Conf. on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials
    • 発表場所
      Dublin, Ireland
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Deposition of thin Si, Ge, and SiGe films by ballistic hot electron reduction2014

    • 著者名/発表者名
      M. Yagi, R. Suda, A. Kojima, R. Mentek, N. Mori, J. Shirakashi, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Materials,
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県つくば市)
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の還元効果による半導体薄膜堆積2012

    • 著者名/発表者名
      太田敢行, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京都
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Luminescence of nano-porous powders treated by high-pressure water vapor annealing2012

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, A.Loni, L.Canham, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Malaga, Spain
    • 年月日
      2012-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Porous Silicon : electronic and optoelectronic applications(招待講演)2012

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Malaga, Spain
    • 年月日
      2012-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 超並列電子線描画装置用ナノシリコン面電子源接合型コンデンサレンズの開発2012

    • 著者名/発表者名
      小島明, 大井英, 池上尚克, 太田敢行, 越田信義, 吉田孝, 江刺正喜
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京都
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 乱れたシリコンナノドットにおけるインパクトイオン化率2012

    • 著者名/発表者名
      森伸也,富田将典,三成英樹,渡邉孝信,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京都
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Influence of magnetic field assisted pore formation on the magnetic properties of a porous silicon/Ni composite2012

    • 著者名/発表者名
      P.Granitzer, K.Rumpf, T.Ohta, N.Koshida, P.Poelt, M.Reissner
    • 学会等名
      Int.Conf.Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Malaga, Spain
    • 年月日
      2012-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の還元効果による半導体薄膜堆積2012

    • 著者名/発表者名
      太田敢行,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光起電特性2012

    • 著者名/発表者名
      Romain Mentek, Bernard Gelloz, 筆宝大平, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京都
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Luminescence of Nanosilicon Powders Treated by High-Pressure Water Vapor Annealing2012

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, A.Loni, L.Canham, N.Koshida
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大、東京都
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Porous Silicon : electronic and optoelectronic applications2012

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Malaga, Spain(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Blue and red luminescence bands in oxidized porous Si and effect of external electric field2011

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, K. Nishikawa, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Symp. Electrochem. Soc. Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin Silicon Film Deposition by Unilateral Electroreduction at the Surface of Nanosilicon Ballistic Electron Emitter2011

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, H.Yoshimura, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Meeting Int.Symposium
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Multi-functionality of Quantum-sized Nanosilicon2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, R.Mentek, B.Gelloz
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D Materials Research
    • 発表場所
      Jeju, Korea(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 弾道電子源の還元効果による湿式シリコン薄膜堆積2011

    • 著者名/発表者名
      太田敢行, Bernard Gelloz, 越田信義
    • 学会等名
      応用物群会(講演予稿集発行3月9日)
    • 発表場所
      神奈川工科大学(厚木市)
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Technological Potential of Nanosilicon for Post-Scaling Phase2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Symposium and Summer School : Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy
    • 発表場所
      Moscow, Russia(招待講演)
    • 年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin film deposition by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in solutions(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, H. Yoshimura, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      京都テルサ、京都
    • 年月日
      2011-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Strain effects on avalanche multiplication in a silicon nanodot array2011

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター、愛知県
    • 年月日
      2011-09-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photovoltaic Characterizations of Wide-gap Nanocrystalline Silicon Layers2011

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター、愛知県
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin Silicon Film Deposition by Operation of Nanosilicon Electron Emitter in SiCl_4 Solution2011

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic, Electronic, and Acoustic Applications of Nanosilicon2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, Y.Hirano, R.Mentek, B.Gelloz
    • 学会等名
      NanoMeeting 2011 : Physics, Chemistry and Application of Nanostructures
    • 発表場所
      Minsk, Belarus(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Nano-Science & Technology
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2011-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Fast and large field electron beam exposure by CSEL2011

    • 著者名/発表者名
      A. Kojima, H. Ohyi, T. Ohta, and N. Koshida
    • 学会等名
      SPIE Int. Conf. on Advanced Lithography
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2011-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Impact ionization and avalanche multiplication in a silicon nanodot array2011

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Electron Dynamics in Semiconductors Optoelectronics, and Nanostructures
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2011-08-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 弾道電子源の還元効果による湿式シリコン薄膜堆積2011

    • 著者名/発表者名
      太田敢行, B. Gelloz,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工科大学,厚木市
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 超並列電子線露光装置用アクテイブマトリクス型nc-Si面電子源の開発2011

    • 著者名/発表者名
      池上尚克, 吉田孝, 小島明, 太田敢行, 大井英之, 越田信義, 江刺正喜
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      山形大、山形県
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] シリコンナノ構造のセンサー応用(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン・フォトニクス研究会
    • 発表場所
      東工大、東京
    • 年月日
      2011-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic and Photovoltaic Functions of Nanosilicon2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida
    • 学会等名
      Congress of Low Carbon Earth Science
    • 発表場所
      Dalian, China(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Nano Meeting 2011 : Physics, Chemistry and Application of Nanostructures
    • 発表場所
      Minsk, Belarus
    • 年月日
      2011-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Blue and Red Luminescence Bands in Oxidized Porous Si and Effect of External Electric Field2011

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, K.Nishikawa, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Symp.Electrochem.Soc.Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光起電特性2011

    • 著者名/発表者名
      Romain Mentek, Bernard Gelloz, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      山形大、山形県
    • 年月日
      2011-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Multi-functionality of quantum-sized nanosilicon(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Collaborative Conference on 3D Materials Research
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2011-06-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin silicon film deposition by operation of nanosilicon electron emitter in SiCl4 solution2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Technological potential of nanosilicon for post-scaling phase(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Symposium and Summer School : Nano and Giga Challenges in Electronics
    • 発表場所
      Moscow, Russia
    • 年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Properties and applications of nanosilicon as a functional material(招待講演)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Symp. on Functional Materials
    • 発表場所
      東北大、宮城県
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin semiconductor film deposition based on electron injection into solutions from nanosilicon ballistic emitter2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, H. Yoshimura, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
    • 発表場所
      ANAホテル、京都
    • 年月日
      2011-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Electronic, and Acoustic Applications of Nanosilicon2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Nano-Science & Technology
    • 発表場所
      Dalian, China(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin Semiconductor Film Deposition based on Electron Injection into Solutions from Nanosilicon Ballistic Emitter2011

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, H.Yoshimura, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Microprocesses and Nanotechnology Conf.
    • 発表場所
      ANAホテル、京都府
    • 年月日
      2011-10-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン列における光励起キャリアの雪崩増倍2011

    • 著者名/発表者名
      森伸也,三成英樹,宇野重康,水田博,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      山形大、山形県
    • 年月日
      2011-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Properties and Applications of Nanosilicon as a Functional Material2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Symp.on Functional Materials
    • 発表場所
      東北大、宮城県(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] レアアースをドープした青色燐光性ナノシリコンの光学特性2011

    • 著者名/発表者名
      Bernard Gelloz, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      山形大、山形県
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Strain Effects on Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array2011

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari, S.Uno, H.Mizuta, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      愛知県産業労働センター、愛知県
    • 年月日
      2011-09-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Impact Ionization and Avalanche Multiplication in a Silicon Nanodot Array2011

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari, S.Uno, H.Mizuta, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2011-08-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin Films Deposition by Operation of Nanosilicon Ballistic Electron Emitter in Solutions2011

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, H.Yoshimura, R. Mentek, B.Gelloz
    • 学会等名
      International Conference on Thin Films
    • 発表場所
      京都テルサ、京都府(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Fast and Large Field Electron Beam Exposure by CSEL.2011

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, H.Ohyi, T.Ohta, N.Koshida
    • 学会等名
      SPIE Int.Conf.on Advanced Lithography
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2011-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] シリコンナノ構造のセンサー応用2011

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン・フォトニクス研究会
    • 発表場所
      東工大、東京都(招待講演)
    • 年月日
      2011-07-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Thin silicon film deposition by unilateral electroreduction at the surface of nanosilicon ballistic electron emitter2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, H. Yoshimura, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Meeting Int.
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2011-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の溶液中動作によるCu薄膜堆積2010

    • 著者名/発表者名
      太田敢行、B.Gelloz、越田信義
    • 学会等名
      第57回 応用物理学会関係連合会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川県
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Multilayered thin metal films deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solution2010

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル小倉(北九州市)
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Electrodeposition of Poly(para-phenylene)vinylene Films Inside Porous Si and Related Photonic Properties2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, R.Mentek, T.Djenizian, F.Dumur, L.Jin, N.Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int, Symposium
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2010-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, Y. Hirano, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs
    • 発表場所
      Athens, Greece
    • 年月日
      2010-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Characteristics and Functions of the Blue Phosphorescence of Nanocrystalline Porous Silicon2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, K.Nishikawa, N.Koshida
    • 学会等名
      Materials Research Society 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Optical and photoelectrical characterizations of wide-gap nanocrystalline silicon layers2010

    • 著者名/発表者名
      R. Mentek, B. Gelloz, M. Kawabata, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大,東京
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Enhancement of Light Emission from Silicon by a Photonic Crystal Nanocavity and High-Pressure Water Vapor Annealing2010

    • 著者名/発表者名
      M.Fujita, B.Gelloz, N.Koshida, S.Noda
    • 学会等名
      International Conference on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic and related applications of quantum-sized nanosilicon (Invited).2010

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, R.Mentek, B.Gelloz
    • 学会等名
      Int.Conf.on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Budapest, Hungary
    • 年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Symp. on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for‘More-than-Moore' &‘Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      Southampton, UK.(Invited)
    • 年月日
      2010-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic applications of nanosilicon (Invited).2010

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, R.Mentek, Y.Hirano, B.Gelloz
    • 学会等名
      International Conference on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs
    • 発表場所
      Athens, Greece
    • 年月日
      2010-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Multilayered thin metal films deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solution2010

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル,北九州市
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子エミッタの金属塩溶液中動作による薄膜堆積2010

    • 著者名/発表者名
      太田敢行、B.Genoz、越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Characteristics and functions of the blue phosphorescence of nanocrystalline porous silicon2010

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, K. Nishikawa, and N. Koshida
    • 学会等名
      Materials Research Society 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2010-12-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光電特性2010

    • 著者名/発表者名
      R. Mentek, B. Gelloz,川端茉莉,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大,長崎市
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photon Energy Harvesting by Rare-Earth Doping into Blue-Phosphorescent Nanosilicon2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      International Conference on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Surface electron emission lithography system based on a planar type Si nanowire array ballistic electron source2010

    • 著者名/発表者名
      A. Kojima, T. Ohta, H. Ohi, and N. Koshida
    • 学会等名
      SPIE Int. Meeting on Advanced Lithography
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2010-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic and Related Functions of Nanosilicon(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, Y. Hirano, and B. Gelloz
    • 学会等名
      German-Japan Seminar
    • 発表場所
      Ilmenau, Germany
    • 年月日
      2010-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Functional properties of nanosilicon ballistic electron emitter in vacuum, atmospheric-pressure gases, and solutions2010

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Valencia, Spain
    • 年月日
      2010-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Properties of quantum-sized nanosilicon as a functional photonic material(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, B. Gelloz, R. Mentek, H. Yoshimura, and Y. Hirano
    • 学会等名
      Material Research Society Int. Symp.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2010-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Photonic and related applications of quantum-sized nanosilicon(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Budapest, Hungary
    • 年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Surface Electron Emission Lithography System based on a planar type Sinanowire array ballistic electron source2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, T.Ohta, H.Ohi, N.Koshida
    • 学会等名
      SPIE Int.Meeting on Advanced Lithography
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2010-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Functional properties of nanosilicon ballistic electron emitter in vacuum2010

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      atmospheric-pressure gases, and solutions, Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Valencia, Spain
    • 年月日
      2010-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Functional properties of nanosilicon ballistic electron emitter in vacuum, atmospheric-pressure gases, and solutions.2010

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Valencia, Spain
    • 年月日
      2010-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の溶液中動作によるCu薄膜堆積2010

    • 著者名/発表者名
      太田敢行、B. Gelloz、越田信義
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合会
    • 発表場所
      東海大、神奈川県
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Properties of quantum-sized nanosilicon as a functional photonic material (Invited).2010

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, B.Gelloz, R.Mentek, H.Yoshimura, Y.Hirano
    • 学会等名
      Material Research Society Int.Symp.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2010-04-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Surface Electron Emission Lithography System based on a planar type Sinanowire array ballistic electron source2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kojima, T.Ohta, H.Ohi, N.Koshida
    • 学会等名
      SPIE Int.Meeting on Advanced Lithography
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2010-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] High magnetic anisotropy of a porous silicon/Ni composite due to magnetic field assisted pore formation.2010

    • 著者名/発表者名
      P.Granitzerl, K.Rumpfl, T.Ohta, N.Koshida, P.Poelt
    • 学会等名
      International Conference on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs
    • 発表場所
      Athens, Greece
    • 年月日
      2010-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      Int.Symp.on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for 'More-than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      Southampton, UK
    • 年月日
      2010-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Electropolymerized Poly(para-phenylene)vinylene Films onto and Inside Porous Si2010

    • 著者名/発表者名
      B.Gelloz, M.Mentek, T.Djenizian, F.Dumur, L.Jin, N.Koshida
    • 学会等名
      217th Electrochemical Society Int.Symp.
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2010-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      Int.Symp.on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for'More-than-Moore'&'Beyond CMOS'Era
    • 発表場所
      Southampton, UK
    • 年月日
      2010-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications(招待講演)2010

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Symp. on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for' More-than-Moore' & ' Beyond CMOS' Era
    • 発表場所
      Southampton, UK
    • 年月日
      2010-03-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子エミッタの金属塩溶液中動作による薄膜堆積2010

    • 著者名/発表者名
      太田敢行、B. Gelloz、越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大,長崎市
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光電特性2010

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, 川端茉莉, 越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎市)
    • 年月日
      2010-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の溶液中動作によるCu薄膜堆積2010

    • 著者名/発表者名
      太田敢行、B.Gelloz、越田信義
    • 学会等名
      第57回 応用物理学会関係連合会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川県
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic and Related Functions of Nanosilicon (Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      N.Koshida, T.Ohta, R.Mentek, Y.Hirano, B.Gelloz
    • 学会等名
      German-Japan Seminar
    • 発表場所
      Ilmenau, German
    • 年月日
      2010-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Illumination effects on the characteristics of nanosilicon ballistic electron emitter as an active electrode2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, S.Ogawa, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Vac.Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2009-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン技術の可能性2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      日本学術振興会第136委員会研究会
    • 発表場所
      弘済会館、東京
    • 年月日
      2009-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals.2009

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari, S.Uno, H.Mizuta, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Electron Dynamics In Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2009-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      5th Kurt Schwabe Int. Symp.
    • 発表場所
      Erlangen, Germany.(Invited)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Structural and Optical Properties of Electropolymerized Poly(paraphenylene)vinylene Films on Si and Porous Si2009

    • 著者名/発表者名
      T.Djenizian, B.Gelloz, F.Dumur, C.Chassigneux, N.Koshida
    • 学会等名
      ECS 2009 Int.Symp.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Fabrication and Optical Characterization of Self-standing Wide-gap Nanocrystalline Silicon Layers2009

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.Solid State Devices and Mater.
    • 発表場所
      Sendai, Miyagi
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      5th Kurt Schwabe Int. Symp.
    • 発表場所
      Erlangen, Germany
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Illumination effects on the characteristics of nanosilicon ballistic electron emitteras an active electrode2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohta, S.Ogawa, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Vac.Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Hamamatsu, Shizuoka
    • 年月日
      2009-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Fabrication and Optical Characterization of Self-standing Wide-gap Nanocrystalline Silicon Layers.2009

    • 著者名/発表者名
      R.Mentek, B.Gelloz, N.Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.Solid State Devices and Mater.
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Structural and optical properties of electropolymerized poly(paraphenylene) vinylene films on Si and porous Si2009

    • 著者名/発表者名
      T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, and N. Koshida
    • 学会等名
      ECS 2009 Int. Symp.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] 2/3-inch ultra-high sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emitter array2009

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2009-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Illumination effects on the characteristics of nanosilicon ballistic electron emitter as an active electrode2009

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2009-07-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals2009

    • 著者名/発表者名
      N.Mori, H.Minari, S.Uno, H.Mizuta, N Koshida
    • 学会等名
      Int.Conf.on Electron Dynamics In Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2009-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode(Invited).2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      5th Kurt Schwabe Int.Symp.
    • 発表場所
      Erlangen, Germany
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Fabrication and optical characterization of self-standing wide-gap nanocrystalline silicon layers2009

    • 著者名/発表者名
      R. Mentek, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] ナノシリコン電子源-電子加速機能と応用展開2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義, 太田敢行, B. Gelloz
    • 学会等名
      第6回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      大阪(招待講演)
    • 年月日
      2009-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] ナノシリコン電子源-電子加速機能と応用展開(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義N, 太田敢行, B. ジェローズ
    • 学会等名
      第6回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2009-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Effects of Thermal Effusivity in Nanocrystalline Porous Silicon on Long-Term Operation of Thermally Indued Ultrasonic Emission.2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2009-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si2009

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek, N. Koshida
    • 学会等名
      Ext. Abst. 2008 Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals2009

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Electron Dynamics In Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2009-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode(Invited)2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      5th Kurt Schwabe Int.Symp.
    • 発表場所
      Erlangen, Germany
    • 年月日
      2009-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Sub-30-nm resolution parallel EB lithography based on a planar type Si nanowire array ballistic electron source2009

    • 著者名/発表者名
      A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
    • 学会等名
      on Alternative Lithographic Technologies
    • 発表場所
      San Jose, CA, USA.
    • 年月日
      2009-02-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Structural and Optical Properties of Electropolymerized Poly(paraphenylene)vinylene Films on Si and Porous Si.2009

    • 著者名/発表者名
      T.Djenizian, B.Gelloz, F.Dumur, C.Chassigneux, N.Koshida
    • 学会等名
      ECS 2009 Int.Symp.
    • 発表場所
      Wien, Austria
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Structural and Optical Properties of Electropolymerized Poly(paraphenylene) vinylene Films on Si and Porous Si2009

    • 著者名/発表者名
      T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, N. Koshida
    • 学会等名
      ECS Transactions
    • 発表場所
      Wien, Austria.
    • 年月日
      2009-10-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] ナノシリコン技術の可能性(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      日本学術振興会第136委員会研究会
    • 発表場所
      弘済会館、東京
    • 年月日
      2009-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21241037
  • [学会発表] Direct Excitation of Xenon by Ballistic Electrons Emitted from Nanocrystalline Silicon Planar Cathode and Vacuum-Ultraviolet Light Emission2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Display Workshop 2008
    • 発表場所
      Niigata
    • 年月日
      2008-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Sound emission from nanocrystalline silicon device under operation of electroluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 学会等名
      2008 Int. Conf
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Sound emission from nanocrystalline silicon device under operation of electroluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, N. Koshida
    • 学会等名
      Ext. Abst. Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
    • 発表場所
      Tsukuba.
    • 年月日
      2008-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory in enhanced photoluminescence of porous silicon as a trace of energy transfer to embedded laser dye molecules2008

    • 著者名/発表者名
      A., Chouket, H., Koyama, B., Gelloz, H., Elhouichet, M., Oueslati, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Porous Semiconductors Sci. Technol
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si, treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Sound emission from nanocrystalline silicon device under operation of electroluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Activity of nanocrystalline silicon planar ballistic electron emitter in solutions2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Fall Meeting Int. Symposium
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Hydrogen generation by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Characteristics of thermo-acoustic nanocrystalline porous silicon ultrasound generator as a wide-band tweeter2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Asami, N. Koshida
    • 学会等名
      Abst Mater. Res. Soc. Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA.
    • 年月日
      2008-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Direct Excitation of Xenon by Ballistic Electrons Emitted from Nanocrystalline Silicon Planar Cathode and Vacuum-Ultraviolet Light Emission2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Display Workshop
    • 発表場所
      Niigata
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory in enhanced photoluminescence of porous silicon as a trace of energy transfer to embedded laser dye molicules2008

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Koyama, B. Gelloz, H. Elhouichet, M. Oueslati, N. Koshida
    • 学会等名
      Int Conf. On porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Mechanism of one-directional nano etching in silicon using magnetic-field-assisted anodization.2008

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Mechanism of one-directional nano etching silicon using magnetic-field-assisted anodization.2008

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K, Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Characteristics of thermo-acoustic nanocrystalline porous silicon ultrasound generator as a wide-band tweeter2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Asami and N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Fall Meeting Int. Symposium
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Mechanism of one-directional nano etching in silicon using magnetic-field-assisted anodization.2008

    • 著者名/発表者名
      D. Hippol, K. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Sci. Technol.
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic characteristics of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Sci. Technol.
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode, Tech. Digest, 2008, pp. 58-59.2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si, treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek and N. Koshida
    • 学会等名
      2008 Int. Conf
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Optoelectronic effect of high-pressure water vapor annealing for nanocrystalline silicon films prepared by ion implantation2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Takeuchi, and N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Sorento, Italy
    • 年月日
      2008-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform(Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int Conf. On porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] High emission current from an active-matrix HEED with 13.75 mm pixels2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba,R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vac. Nanoelectron. Cof.
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Hydrogen generation by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, N. Koshida
    • 学会等名
      Tech. Digest 21th Int. Vac. Nanoelectron. Cof.
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland.
    • 年月日
      2008-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic characteristics of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Porous Semiconductors Sci. Technol
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Development of efficient broadband digital acoustic device based on nanocrystalline silicon ultrasound emitter2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Asami, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Electron Device Meeting 2008
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2008-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory in enhanced photoluminescence of porous silicon asa trace of energy transfer to embedded laser dye molecules.2008

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Koyama, B. Gelloz, H. Elhouichet, M. Oueslati, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Sci. Technol.
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, B. Gelloz
    • 学会等名
      Meet. Abstr. ECS 802
    • 発表場所
      Honolulu, USA.(Invited)
    • 年月日
      2008-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic device applications of nanocrystalline Silicon (Invited).2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • 年月日
      2008-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Stabilization of porous silicon free-standing coupled optical microcavities by surface chemical modification2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, K. Murata, T. Ohta, M. Ghulinyan, L. Pavesi, D. J. Lockwood. and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Enhanced controllability of periodic silicon nanostructures by magnetic field anodization2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Masunaga, T. Shirasawa, R. Mentek, T. Ohta, and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic characteristics of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic characteristics of nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain.(Invited)
    • 年月日
      2008-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform(Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Development of efficient broadband digital acoustic device based on nanocrystalline silicon ultrasound emitter2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Asami, B. Gelloz
    • 学会等名
      IEDM Tech. Digest
    • 発表場所
      San Francisco, USA.
    • 年月日
      2008-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Optoelectronic effect of high-pressure water vapor annealing for nanocrystalline silicon films prepared by ion implantation2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Takeuchi, N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Sorrento, Italy.
    • 年月日
      2008-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Stabilization of porous silicon free-standing coupled optical microcavities by surface chemical modification2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, K. Murata, T. Ohta, M. Ghulinyan, L. Pavesi, D.J. Lockwood, N. Koshida
    • 学会等名
      ECS Trans.
    • 発表場所
      Honolulu, USA.
    • 年月日
      2008-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Device applications of quantum-sized nanocrystalline silicon2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. On Thin Films and Photonic Materials
    • 発表場所
      Argier, Argeria
    • 年月日
      2008-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform(Invited).2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida,
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Sci. Technol.
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Polarization memory in enhanced photoluminescence of porous silicon asa trace of energy transfer to embedded laser dye molecules2008

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Koyama, B. Gelloz, H. Elhouichet, M. Oueslati, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Porous silicon technology as a nanodevice platform (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Porous Semiconductors Sci. Technol
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      ECS Meet
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Mechanism of one-directional nano etching in silicon using magnetic-field-assisted anodization2008

    • 著者名/発表者名
      D., Hippol, K., Urakawa, Y., Tsuchiya, H., Mizuta, N., Koshida, S., Oda
    • 学会等名
      Int. Conf. on Porous Semiconductors Sci. Technol
    • 発表場所
      Mallorca, Spain
    • 年月日
      2008-03-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Low Voltage and High Speed Operation of 640X480 Pixel Ac-tive-matrix HEED(High-efficiency Electron Emission Device)Array for HARP Image Sensor.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Okuda, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Display Workshop Sapporo 2007
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2007-12-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cathode in liquids as an active electrode.2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Improved photoconduction effects of manometer-sized Si dot multilayers.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Flexible electrochromic device on polymers(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      International Conference on Coating on Glasses and Plastics
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2007-03-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic, electronic and acoustic devices based on nanocrystal silicon(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      London, UK
    • 年月日
      2007-07-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon (Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      SPIE Optics East
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama, and N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Yoshida, N. Koshida
    • 学会等名
      4th IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functional Devices Based on Quantum-sized Nanosilicon(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      2007 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • 年月日
      2007-06-25
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Acoustic Wave Manipulation by Phased Operation of Two-Dimensionally Arrayed Nanocrystalline Silicon Ultrasonic Emitters2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Improved Photoconduction Effects of Nanometer-Sized Si Dot Multilayers, Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, 2007, pp. 1116-11172007

    • 著者名/発表者名
      Y., Hirano, S., Yamazaki, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba Japan
    • 年月日
      2007-09-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, Y., Yoshida, N., Koshida
    • 学会等名
      4th IEEE Int. Conf. on Grou IV Photonics
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Improved Photoconduction Effects of Nanometer-Sized Si Dot Multilayers.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2007-09-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2007

    • 著者名/発表者名
      T., Ohta, B., Gelloz, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectron. Conf
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Yoshida, N. Koshida
    • 学会等名
      4th IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon(Invited.)2007

    • 著者名/発表者名
      Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      SPIE Optics East
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2007-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode.2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic, electronic, acoustic based on nanocrystalline silicon(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
    • 発表場所
      London, UK
    • 年月日
      2007-04-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode.2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectron. Conf.
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Yoshida, N. Koshida
    • 学会等名
      4th IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      N., Negishi, T., Sato, Y., Matsuba, R., Tanaka, T., Nakada,. Sakemura, Y., Okuda, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectron. Conf
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectron. Conf.
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory blue red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama, and N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, M., Sato, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba Japan
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Improved photoconduction effects of nanometer-sized Si dot multilayers.2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Functional Devices Based on Quantum-sized Nanosilicon (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, B., Gelloz
    • 学会等名
      2007 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advance Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • 年月日
      2007-06-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      Koshida, B., Gelloz
    • 学会等名
      SPIE Optics East
    • 発表場所
      Boston. USA
    • 年月日
      2007-09-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      SPIE Optics East 2007
    • 発表場所
      Boston. USA
    • 年月日
      2007-09-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] ナノクリスタルSi発光デバイスの展望(招待).2007

    • 著者名/発表者名
      越田 信義
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会第126回研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functional Devices Based on Quantum-sized Nanosilicon (Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      2007 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongju, Korea
    • 年月日
      2007-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Cavity Effect in Nanocrystalline Porous Silicon Ballistic Lighting Device2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba.
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2007

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, H., Koyama, N., Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructure
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Light-emissive nonvolatile memory based on nanocrystalline porous Si.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Yoshida, N. Koshida
    • 学会等名
      4th IEEE Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] ナノクリスタルSi発光デバイスの展望(招待).2007

    • 著者名/発表者名
      越田, 信義
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会第126回研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
    • 発表場所
      London, UK
    • 年月日
      2007-07-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device.2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] ナノクリスタルSi発光デバイスの展望2007

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会第126回研究会
    • 発表場所
      東京(招待)
    • 年月日
      2007-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida, B., Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Application
    • 発表場所
      London, UK.
    • 年月日
      2007-07-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic and related device applications of nano-crystalline silicon2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, B. Gelloz
    • 学会等名
      Active and passive Optical Components for Communications VII
    • 発表場所
      Boston, USA(Invited)
    • 年月日
      2007-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Functional Devices Based on Quantum-sized Nanosilicon(Invited), , ,2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      2007 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Gyeongiu, Korea
    • 年月日
      2007-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing(Invited).2007

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vac. Nanoelectron. Conf.
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-07-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon2007

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, B. Gelloz
    • 学会等名
      Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
    • 発表場所
      London, UK(Invited)
    • 年月日
      2007-07-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2007

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama, N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Development of an active-matrix "HEED" cold cathode and its application to animage sensor.2006

    • 著者名/発表者名
      R. Tanaka, Y. Matsuba, T. Nakada, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, H. Sato, A. Watanabe T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida.
    • 学会等名
      Int. Symp. on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      2006-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Pronounced photonic effects of high-pressure water vapor annealing on nanocrystalline porous silicon.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, R. Mentek, and N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Symp.
    • 発表場所
      Boston. USA
    • 年月日
      2006-11-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Fabrication of silicon 3D photonic crystal structures in 100nm scale using double directional etchings method.2006

    • 著者名/発表者名
      D., Hippo, K., Urakawa, Y., Kawata, Y., Tsuchiya, H., Mizuta, N., Koshida, S., Oda
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics'06
    • 発表場所
      Los Angeles, USA.
    • 年月日
      2006-05-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functions and Device Applications of Quantum-sized Silicon (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Development of Flexible Electrochromic Device with Thin Film Configuration2006

    • 著者名/発表者名
      H., Yoshimura, T., Sakaguchi, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan.
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Luminescence and Related Functions of Nanocrystalline Porous Silicon (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 学会等名
      International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications
    • 発表場所
      Darwin. Australia
    • 年月日
      2006-07-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Flexible electrochromic device on polymers (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 学会等名
      International Conference on Coating on Glasses and Plastics
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-03-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Luminescence and related functions of nanocrystalline porous silicon2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications
    • 発表場所
      Darwin, Australia(Invited)
    • 年月日
      2006-07-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Effects of Thermal Effusivity in Nanocrystalline Porous Silicon on Long-Term Operation of Thermally Induced Ultrasonic Emission2006

    • 著者名/発表者名
      Y., Watabe, Y., Honda, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Effect of Bi-Layer Structure of the Long-Term Stability of Nanocrystalline Porous Silicon Ultrasonic Emitter2006

    • 著者名/発表者名
      Y., Watabe, Y., Honda, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kamakura, Japan
    • 年月日
      2006-10-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode inatmospheric ambience.2006

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, A. Kojima, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Guilin, China
    • 年月日
      2006-07-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] 量子サイズナノシリコンの光・電子・音響・バイオ機能2006

    • 著者名/発表者名
      越田信義
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会
    • 発表場所
      東京(招待)
    • 年月日
      2006-05-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Highly Efficient and Stable Photoluminescence of Nanocrystalline Porous Silicon with Fully Annealed and Passivated Surfaces.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gellozl and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functional Properties of Nanosilicon and its Possible Application to Image Devices(Invited).2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      The 13th International Display Workshop
    • 発表場所
      Ohtsu, Japan
    • 年月日
      2006-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Blue and Red Luminescence Bands of Nanocrystalline Porous Silicon Induced by High-Pressure Water Vapor Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp.
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2006-11-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Fabrication of silicon 3D photonic crystal structures in 100nm scale using double directional etching method.2006

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, S. Oda
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics' 06
    • 発表場所
      Los Angeles, USA
    • 年月日
      2006-05-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Highly Efficient and Stable Photoluminescence of Nanocrystalline Porous Silicon with Fully Annealed and Passivated Surfaces2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Blue and Red Luminescence Bands of Nanocrystalline Porous Silicon Induced by High-Pressure Water Vapor Annealing.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2006-11-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Blue and Red Luminescence Bands of Nanocrystalline Porous Silicon Induced by High-Pressure Water Vapor Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, N.. Koshida
    • 学会等名
      Meet. Abst. Electrochem. Soc.
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 年月日
      2006-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing.2006

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, S. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Guilin, China
    • 年月日
      2006-07-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functions and Device Applications of Quantum-sized Silicon(Invited).2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functions and Device Applications of Quantum-sized Silicon2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama(Invited)
    • 年月日
      2006-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Synthesis and optical properties of silicon oxide nanowires2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, Y., Coffinier, B., Salhi, N., Koshida, G., Patriarche, R., Boukherroub
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Int. Symp.
    • 発表場所
      Boston, USA.
    • 年月日
      2006-11-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Synthesis and optical properties of silicon oxide nanowires2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Coffinier, B. Salhi, N. Koshida, G. Patriarche, R. Boukherroub
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Symp.
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2006-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Pronounced photonic effects of high-pressure water vapor annealing on nanocrystalline porous silicon2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata, R. Mentek, N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Symp.
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2006-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Development of a high-resolution active-matrix electron emitter array for application to high-sensitivity image sensing2006

    • 著者名/発表者名
      N., Negishi, Y., Matsuba, R., Tanaka, T., Nakada, K., Sakemura, K., Sakemura, Y., Okuda, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Guilin, China
    • 年月日
      2006-07-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Development of an active-matrix "HEED" cold cathode and its application to an image sensor.2006

    • 著者名/発表者名
      R., Tanaka, Y., Matsuba, T., Nakada, K., Sakemura, N., Negishi, Y., Okuda, H., Sato, A., Watanabe, T., Yoshikawa, K., Ogasawara, M., Nanba, S., Okazaki, K., Tanioka, N., Egami, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Symp. on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      2006-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Effect of Bi-Layer Structure of the Long-Term Stability of Nanocrystalline Porous Silicon Ultrasonic Emitter.2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Watabe, Y. Honda, and N. Koshida, 2006,
    • 学会等名
      Int. 1 Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      Kamakura, Japan
    • 年月日
      2006-10-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Pronounced photonic effects of high-pressure water vapor annealing on nanocrystalline porous silicon2006

    • 著者名/発表者名
      B., Gelloz, T., Shibata, R., Mentek, N., Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Int. Symp
    • 発表場所
      Boston, USA.
    • 年月日
      2006-11-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Development of Flexible Electrochromic Device with Thin Film Configuration.2006

    • 著者名/発表者名
      H. Yoshimura, T. Sakaguchi and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama, Japan
    • 年月日
      2006-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functional Properties of Nanosilicon and its Possible Application to Image Devices (Invited)2006

    • 著者名/発表者名
      N., Koshida
    • 学会等名
      13th International Display Workshop
    • 発表場所
      Ohtsu, Japan
    • 年月日
      2006-12-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Emission characteristics of nanocrystalline porous silicon ballistic cold cathode in atmospheric ambience2006

    • 著者名/発表者名
      T., Ohta, A., Kojima, N., Koshida
    • 学会等名
      Int. Vacuum Nanoelectronics Conf.
    • 発表場所
      Guilin, China
    • 年月日
      2006-07-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Functional properties of nanosilicon and its possible application to image devices2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Display Workshop
    • 発表場所
      Ohtsu(Invited)
    • 年月日
      2006-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Luminescence and Related Functions of Nanocrystalline Porous Silicon(Invited).2006

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Darwin, Australia
    • 年月日
      2006-07-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] Synthesis and optical properties of silicon oxide nanowires.2006

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, Y. Coffinier, B. Salhi, N. Koshida, G Patriarche, and R. Boukherroub
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Symp.
    • 発表場所
      Boston. USA
    • 年月日
      2006-11-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206039
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源を用いたSi, Ge, SiGe薄膜の堆積

    • 著者名/発表者名
      須田隆太郎,八木麻実子,小島明,Mentek Romain,白樫淳一,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大学、相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] 弾道電子の直接還元効果を用いた半導体薄膜堆積

    • 著者名/発表者名
      伊藤光樹,須田隆太郎,八木麻実子,小島明, Romain Mentek,白樫淳一,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学、京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Ballistic Electron Emission from Nanostructured Si Diode and Its Applications

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, B. Gelloz, and N. Mori
    • 学会等名
      8th Int. Conference on Si Epitaxy and Hetero-structures
    • 発表場所
      Kyushu University, Fukuoka, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Ballistic Electron Effects in Nanosilicon and Their Applications

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, N. Ikegami, A. Kojima, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      ECS Int. Symp. on Advances in Nano Systems
    • 発表場所
      Toronto, Canada
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Ballistic electro-deposion of thin Si, Ge, and SiGe films

    • 著者名/発表者名
      R. Suda, M. Ito, M.Yagi, A. Kojima, R. Mentek, N. Mori, J. Shirakashi, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] 超並列電子線描画装置用アクテイブマトリクスnc-Si面電子源の開発(IV)

    • 著者名/発表者名
      池上尚克,小島明,吉田孝,西野仁,吉田慎哉,宮口裕,室山真徳,大井英之,越田信義,江刺正喜
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大学、相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Functional applications of nanostructured silicon

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] ナノ結晶シリコンの光起電力特性に対する雪崩増倍効果

    • 著者名/発表者名
      森伸也,越田信義
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大学、相模原
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の還元効果によるSi 薄膜堆積

    • 著者名/発表者名
      須田隆太郎, 伊藤光樹, 小島明, 白樫淳一,越田信義
    • 学会等名
      第60 回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Electronic and Optoelectronic Applications of Nanoporous Silicon

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      9th Int. Conf. on Porous Semiconductors Science and Technology
    • 発表場所
      Alicante, Spain
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Disorder-induced enhancement of avalanche multiplication in a silicon nanodot array

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, M. Tomita, H. Minari, T. Watanabe, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Kyoto International Conference Center, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Photonic and related functional applications of quantum-sized nanosilicon

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Otical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Nara Prefectural New Public Hall, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] 超並列電子線描画装置のためのピアース型ナノ結晶シリコン電子源アレイの作製

    • 著者名/発表者名
      西野 仁、吉田慎哉、田中秀治、江刺正喜、小島 明、池上尚克、越田信義
    • 学会等名
      第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
    • 発表場所
      仙台国際センター、仙台
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Effects of atomic disorder on impact ionization rate in silicon nanodots

    • 著者名/発表者名
      N. Mori, M. Tomita, H. Minari, T. Watanabe, and N. Koshida
    • 学会等名
      In. Conf. on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] 超並列電子線描画装置用アクテイブマトリクスnc-Si面電子源の開発(III)

    • 著者名/発表者名
      池上尚克,小島明,吉田孝,大井英之,越田信義,江刺正喜
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学、京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Development of efficient broadband digital acoustic device based on nanocrystalline silicon ultrasound emitter

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Asami, and B. Gelloz
    • 学会等名
      IEDM 2008 Technical Digest
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063007
  • [学会発表] Liquid-phase deposition of thin Si and Ge films based on ballistic electro-reduction

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, R. Mentek, B. Gelloz, N. Mori, and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp. on "SiGe, Ge, and Related Compounds 5: Materials, Processing, and Devices"
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Applications of Nanosilicon Ballistic Electron Emitter to Nanofabrication Process

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, R. Suda, M. Yagi, J. Shirakashi, A. Kojima, N. Ikegami, T. Yoshida, H. Miyaguchi, M. Muroyama, S. Yoshida, K. Totsu, and M. Esashi
    • 学会等名
      Int. IEEE Conf. on Nanotechnology
    • 発表場所
      Rome, Italy
    • 年月日
      2015-07-27 – 2015-07-31
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Ballistic electron emission from nanosilicon diode and its application to ultra-thin film deposition of Si and Ge

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, T. Ohta, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp. on Nanoscale Luminescent Materials 2
    • 発表場所
      Seattle, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • [学会発表] Multi-functionality of nanosilicon and its device applications

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochem. Soc. Int. Symp. on Pits and Pores 5
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24246053
  • 1.  ジェローズ ベルナール (40343157)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  小山 英樹 (40234918)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  須田 良幸 (10226582)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  篠田 裕之 (40226147)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  白樫 淳一 (00315657)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 17件
  • 6.  菰田 卓哉
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  佐々木 昭夫 (10025900)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  伊藤 利道 (00183004)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  舛本 泰章 (60111580)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  柊元 宏 (50013488)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  安藤 繁 (70134468)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  中村 俊博 (90451715)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  芹川 正
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  BERNAD GELLOZ
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 264件
  • 16.  森 伸也
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件

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