大島武 Ohshima Takeshi

研究者番号	50354949
その他のID	https://orcid.org/0000-0002-7850-3164
所属 (現在)	2024年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, センター長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, センター長 2022年度 – 2023年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, センター長 2020年度 – 2021年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 部長 2019年度 – 2020年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 部長(定常) 2016年度 – 2019年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 上席研究員(定常) … もっと見る 2016年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 上席研究員 2016年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所・先端機能材料研究部, プロジェクトリーダー 2015年度: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 2015年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 2005年度 – 2012年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 2011年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 半導体耐放射線性研究グループリーダー 2009年度: 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門・環境・産業応用研究開発ユニット, 研究主幹 2006年度: 日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門・半導体・高分子材料耐放射線性評価研究グループ, 副主任研究員 2004年度: 日本原子力研究所, 材料開発部, 副主任研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 原子力学 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 原子力学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 大区分C / 電子デバイス・電子機器 / エネルギー学 … もっと見る / 素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理 / 応用物性・結晶工学 / ナノ構造科学 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者光物性 / 結晶工学 / 量子センシング / 放射線 / 半導体物性 / 格子欠陥 / 炭化ケイ素(SiC) / スピン欠陥 / 量子エレクトロニクス / 単一光源欠陥中心 … もっと見る / 量子コンピューティング / 新機能材料 / スピン / 欠陥エンジニアリング / 炭化ケイ素 / 界面準立 / 結晶損傷 / 電荷収集 / イオン照射効果 / 炭化ケイ素(Sic) / 界面準位 / イオンビーム誘起過渡電流 / Mosキャパシタ / ゲート酸化膜リーク電流 / 容量変化 / MOSキャパシタ / ビーム科学 / 放射線工学 / イオンビーム誘起過度電流(TIBIC) / 少数キャリア拡散長 / 電荷収集効率(CCE) / イオン誘起過渡電流(TIBIC) / n^+pダイオード / 非イオン化エネルギー損失 / 照射損傷 / 電荷収集効率 / p^+n及びn^+pダイオード / 耐放射線性検出器 / 放射線理工学 … もっと見る研究代表者以外 SiC / 耐放射線 / CMOS集積回路 / MOS界面 / 単一光子源 / 炭化ケイ素(SiC) / 界面 / DFT / 電子デバイス / 極限環境エレクトロニクス / シリコンカーバイド半導体 / ダイヤモンド / 炭化ケイ素 / 量子コンピュータ / 円偏光 / スピン電流注入 / 単一光子源(SPS) / 偏光 / スピン電流 / ワイドバンドギャップ半導体 / 高温 / 量子暗号通信 / 炭化ケイ素(SiC)半導体 / もつれ光子対 / 移動度キラー / SiC-MOS / 局在 / 電子状態計算 / 界面欠陥 / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 耐放射線デバイス / 高温動作 / 密度汎関数理論 / 第一原理計算 / 酸化 / ダングリングボンド / Pbcセンタ / 点欠陥 / α-Ga2O3 / 移動度 / SiC/SiO2 / 単一光子光源 / 欠陥 / 極限環境 / 電子デバイス・集積回路 / 電子デバイス・電子機器 / 廃炉技術 / 耐高温動作 / MOSFET / シリコンカーバイド / 格子欠陥 / 表面改質 / 欠陥デザイン / 水素吸蔵初期反応速度 / 水素吸蔵合金 / 量子ビーム / マイクロビーム / 位置敏感型検出器 / 位置敏感型 / ワイドバンドギャップ / IBIC / 高エネルギーイオン / 大気取出し窓兼イオン位置検出器 / ダイヤモンド薄膜 / ダイヤモンド検出器 / 低質量ダークマター / ダークマター / 低雑音集積回路 / ワイドギャップ半導体 / 軽い暗黒物質 / 半導体検出器 / 暗黒物質 / radiation effect / characterization / solar cell / luminescence / レミネッセンス / 放射線劣化 / 結晶評価 / 太陽電池 / ルミネッセンス / 同位体制御 / 電子スピン共鳴 / NVセンター / 量子コンピューティング / スピントロニクス / 量子情報 / 実験 / 照射効果 / 挙動 / 粒子 / 超高エネルギー / スピン緩和 / 燐ドナー / パルス電子スピン共鳴 / シリコン / 電子スピン / 半導体物性隠す

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  広島大学
炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  埼玉大学
炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  広島大学
光を高度に操った炭化ケイ素半導体中スピン欠陥の量子状態制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響
- 研究代表者
  
  松下雄一郎
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京工業大学
炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
シリコンカーバイドによる極限環境エレクトロニクスの研究
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  広島大学
炭化ケイ素中の高輝度単一発光中心のフォトン・スピン制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
   国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
高エネルギーイオン大気取出し窓兼位置敏感型検出器としてのダイヤモンド薄膜の研究
- 研究代表者
  
  神谷富裕
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  群馬大学
   独立行政法人日本原子力研究開発機構
水素吸蔵材料高機能化に及ぼす量子ビーム照射による欠陥デザイン
- 研究代表者
  
  阿部浩之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  エネルギー学
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
   国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
低質量暗黒物質探査用低物質量半導体ピクセル検出器の開発
- 研究代表者
  
  田中真伸
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
- 研究機関
  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構
炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
イオンビーム誘起電荷による炭化ケイ素半導体上の酸化膜破壊機構に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
超高エネルギー粒子の挙動と照射効果に関する実験的研究(JASMIN)
- 研究代表者
  
  中島宏
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
2キュービットゲートを用いた鎖状スケーラブル量子コンピュータの開発
- 研究代表者
  
  磯谷順一
- 研究期間 (年度)
  2009
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  筑波大学
炭化ケイ素半導体を基板とする放射線検出器開発のための誘起電荷評価研究代表者
- 研究代表者
  
  大島武
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  原子力学
- 研究機関
  独立行政法人日本原子力研究開発機構
半導体電子スピン系量子コンピュータの要素技術の開発
- 研究代表者
  
  磯谷順一
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  筑波大学
ルミネッセンスを利用した太陽電池用半導体材料の精密診断技術の開発
- 研究代表者
  
  田島道夫
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構

[雑誌論文] Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments2023
- 著者名/発表者名
  Motoki Shu、Sato Shin-ichiro、Saiki Seiichi、Masuyama Yuta、Yamazaki Yuichi、Ohshima Takeshi、Murata Koichi、Tsuchida Hidekazu、Hijikata Yasuto
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 133 号: 15 ページ: 154402-154402
- DOI
  10.1063/5.0139801
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023
- 著者名/発表者名
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 44 号: 1 ページ: 100-103
- DOI
  10.1109/led.2022.3226494
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment2023
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y. Nishiya, Y.-i. Matsushita, K. Harii, Y. Masuyama, Y. Hijikata, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 032006-032006
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292, KAKENHI-PROJECT-20K05352, KAKENHI-PROJECT-21H04553, KAKENHI-PROJECT-23K22787
[雑誌論文] Two-Emitter Multimode Cavity Quantum Electrodynamics in Thin-Film Silicon Carbide Photonics2023
- 著者名/発表者名
  Lukin Daniil M.、Guidry Melissa A.、Yang Joshua、Ghezellou Misagh、Deb Mishra Sattwik、Abe Hiroshi、Ohshima Takeshi、Ul-Hassan Jawad、Vuckovic Jelena
- 雑誌名
  
  Physical Review X
  
  巻: 13 号: 1
- DOI
  10.1103/physrevx.13.011005
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Electrical detection of nuclear spins via silicon vacancies in silicon carbide at room temperature2022
- 著者名/発表者名
  Nishikawa Tetsuri、Morioka Naoya、Abe Hiroshi、Morishita Hiroki、Ohshima Takeshi、Mizuochi Norikazu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 121 号: 18 ページ: 184005-184005
- DOI
  10.1063/5.0115928
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K20502, KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-21H04653, KAKENHI-PROJECT-23K22796
[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 244503-244503
- DOI
  10.1063/5.0095841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Five-second coherence of a single spin with single-shot readout in silicon carbide2022
- 著者名/発表者名
  Anderson Christopher P.、Glen Elena O.、Zeledon Cyrus、Bourassa Alexandre、Jin Yu、Zhu Yizhi、Vorwerk Christian、Crook Alexander L.、Abe Hiroshi、Ul-Hassan Jawad、Ohshima Takeshi、Son Nguyen T.、Galli Giulia、Awschalom David D.
- 雑誌名
  
  Science Advances
  
  巻: 8 号: 5
- DOI
  10.1126/sciadv.abm5912
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 10 ページ: 1713-1716
- DOI
  10.1109/led.2022.3200124
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Electromagnetically induced transparency in inhomogeneously broadened divacancy defect ensembles in SiC2022
- 著者名/発表者名
  Zwier Olger V.、Bosma Tom、Gilardoni Carmem M.、Yang Xu、Onur Alexander R.、Ohshima Takeshi、Son Nguyen T.、van der Wal Caspar H.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 9 ページ: 094401-094401
- DOI
  10.1063/5.0077112
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Spin-Optical Dynamics and Quantum Efficiency of a Single V1 Center in Silicon Carbide2022
- 著者名/発表者名
  Morioka Naoya、Liu Di、Soykal Oney O.、Gediz Izel、Babin Charles、Stohr Rainer、Ohshima Takeshi、Son Nguyen Tien、Ul-Hassan Jawad、Kaiser Florian、Wrachtrup Jorg
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 17 号: 5
- DOI
  10.1103/physrevapplied.17.054005
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Modified divacancies in 4H-SiC2022
- 著者名/発表者名
  Son N. T.、Shafizadeh D.、Ohshima T.、Ivanov I. G.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 132 号: 2 ページ: 025703-025703
- DOI
  10.1063/5.0099017
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Growth of vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayer with ultrahigh-resistivity2022
- 著者名/発表者名
  Kazutoshi Kojima, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 245107-245107
- DOI
  10.1063/5.0095457
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252, KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Infrared erbium photoluminescence enhancement in silicon carbide nano-pillars2021
- 著者名/発表者名
  Parker R. A.、Dontschuk N.、Sato S.-I.、Lew C. T.-K.、Reineck P.、Nadarajah A.、Ohshima T.、Gibson B. C.、Castelletto S.、McCallum J. C.、Johnson B. C.
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 130 号: 14 ページ: 145101-145101
- DOI
  10.1063/5.0055100
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-18H01483, KAKENHI-PROJECT-17KK0137
[雑誌論文] Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi formation in 4H-silicon carbide2021
- 著者名/発表者名
  Narahara Takuma、Sato Shin-ichiro、Kojima Kazutoshi、Hijikata Yasuto、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 2 ページ: 021004-021004
- DOI
  10.35848/1882-0786/abdc9e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Fluorescent Silicon Carbide Nanoparticles2021
- 著者名/発表者名
  de Vries Mitchell O.、Sato Shin‐ichiro、Ohshima Takeshi、Gibson Brant C.、Bluet Jean‐Marie、Castelletto Stefania、Johnson Brett C.、Reineck Philipp
- 雑誌名
  
  Advanced Optical Materials
  
  巻: 9 号: 20 ページ: 2100311-2100311
- DOI
  10.1002/adom.202100311
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Narrow inhomogeneous distribution of spin-active emitters in silicon carbide2021
- 著者名/発表者名
  Nagy Roland、Dasari Durga Bhaktavatsala Rao、Babin Charles、Liu Di、Vorobyov Vadim、Niethammer Matthias、Widmann Matthias、Linkewitz Tobias、Gediz Izel、Stohr Rainer、Weber Heiko B.、Ohshima Takeshi、Ghezellou Misagh、Son Nguyen Tien、Ul-Hassan Jawad、Kaiser Florian、Wrachtrup Jorg
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 14 ページ: 144003-144003
- DOI
  10.1063/5.0046563
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Microwave-Assisted Spectroscopy of Vacancy-Related Spin Centers in Hexagonal SiC2021
- 著者名/発表者名
  Shang Z.、Berencen Y.、Hollenbach M.、Zhou S.、Kraus H.、Ohshima T.、Astakhov G.V.
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 15 号: 3
- DOI
  10.1103/physrevapplied.15.034059
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces2021
- 著者名/発表者名
  Hijikata Yasuto、Komori Shota、Otojima Shunsuke、Matsushita Yu-Ichiro、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 20 ページ: 204005-204005
- DOI
  10.1063/5.0048772
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations2021
- 著者名/発表者名
  Yamazaki Yuichi、Chiba Yoji、Sato Shin-ichiro、Makino Takahiro、Yamada Naoto、Satoh Takahiro、Kojima Kazutoshi、Hijikata Yasuto、Tsuchida Hidekazu、Hoshino Norihiro、Lee Sang-Yun、Ohshima Takeshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 2 ページ: 021106-021106
- DOI
  10.1063/5.0028318
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-20H02673
[雑誌論文] Thermometric quantum sensor using excited state of silicon vacancy centers in 4H-SiC devices2021
- 著者名/発表者名
  Hoang Tuan Minh、Ishiwata Hitoshi、Masuyama Yuta、Yamazaki Yuichi、Kojima Kazutoshi、Lee Sang-Yun、Ohshima Takeshi、Iwasaki Takayuki、Hisamoto Digh、Hatano Mutsuko
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 4 ページ: 044001-044001
- DOI
  10.1063/5.0027603
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355, KAKENHI-PROJECT-20H02673
[雑誌論文] Color Centers Enabled by Direct Femto-Second Laser Writing in Wide Bandgap Semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  Castelletto Stefania、Maksimovic Jovan、Katkus Tomas、Ohshima Takeshi、Johnson Brett C.、Juodkazis Saulius
- 雑誌名
  
  Nanomaterials
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 72-72
- DOI
  10.3390/nano11010072
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Influence of Irradiation on Defect Spin Coherence in Silicon Carbide2020
- 著者名/発表者名
  C. Kasper, D. Klenkert, Z. Shang, D. Simin, A. Gottscholl, A. Sperlich, H. Kraus, C. Schneider, S. Zhou, M. Trupke, W. Kada, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Appl.
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 1-11
- DOI
  10.1103/physrevapplied.13.044054
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Universal coherence protection in a solid-state spin qubit2020
- 著者名/発表者名
  Miao Kevin C.、Blanton Joseph P.、Anderson Christopher P.、Bourassa Alexandre、Crook Alexander L.、Wolfowicz Gary、Abe Hiroshi、Ohshima Takeshi、Awschalom David D.
- 雑誌名
  
  Science
  
  巻: 369 号: 6510 ページ: 1493-1497
- DOI
  10.1126/science.abc5186
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Entanglement and control of single nuclear spins in isotopically engineered silicon carbide2020
- 著者名/発表者名
  Bourassa Alexandre、Anderson Christopher P.、Miao Kevin C.、Onizhuk Mykyta、Ma He、Crook Alexander L.、Abe Hiroshi、Ul-Hassan Jawad、Ohshima Takeshi、Son Nguyen T.、Galli Giulia、Awschalom David D.
- 雑誌名
  
  Nature Materials
  
  巻: 19 号: 12 ページ: 1319-1325
- DOI
  10.1038/s41563-020-00802-6
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[雑誌論文] Electrical and optical control of single spins integrated in scalable semiconductor devices2019
- 著者名/発表者名
  C. P. Anderson, A. Bourassa, K. C. Miao, G. Wolfowicz, P. J. Mintun, A. L. Crook, H. Abe, J. U. Hassan, N. T. Son, T. Ohshima, D. D. Awschalom
- 雑誌名
  
  Science
  
  巻: 366 号: 6470 ページ: 1225-1230
- DOI
  10.1126/science.aax9406
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Coherent electrical readout of defect spins in silicon carbide by photo-ionization at ambient conditions2019
- 著者名/発表者名
  M. Niethammer, M. Widmann, T. Rendler, N. Morioka, Y-C. Chen, R. Stohr, J. U. Hassan, S. Onoda, T. Ohshima, S-Y. Lee, A. Mukherjee, J. Isoya, N. T. Son, Jorg Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Nat. Commun.
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 1-8
- DOI
  10.1038/s41467-019-13545-z
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Identification of divacancy and silicon vacancy qubits in 6H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  J. Davidsson, V. Ivady, R. Armiento, T. Ohshima, N. T. Son, A. Gali, I. A. Abrikosov
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 114 号: 11 ページ: 112107-112111
- DOI
  10.1063/1.5083031
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Ligand hyperfine interactions at silicon vacancies in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  N. T. Son, P. Stenberg, V. Jokubavicius, T. Ohshima, J. U. Hassan, I. G Ivanov
- 雑誌名
  
  J. Phys.: Condens. Matter
  
  巻: 31 号: 19 ページ: 195501-195501
- DOI
  10.1088/1361-648x/ab072b
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] First-Principles Study of Oxygen-Related Defects on 4H-SiC Surface: The Effects of Surface Amorphous Structure2019
- 著者名/発表者名
  Y. Matsushita, Y. Furukawa, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 464 ページ: 451-454
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2018.09.072
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Ishii, Shin-Ichiro Kuroki, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 613-616
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.613
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Electrical Charge State Manipulation of Single Silicon Vacancies in a Silicon Carbide Quantum Optoelectronic Devic2019
- 著者名/発表者名
  M. Widmann, M. Niethammer, D. Y. Fedyanin, I. A. Khramtsov, T. Rendler, I. D. Booker, J. U Hassan, N. Morioka, Y.-C. Chen, I. G. Ivanov, N. T. Son, T. Ohshima, M. Bockstedte, A. Gali, C. Bonato, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Nano Lett.
  
  巻: 19 号: 10 ページ: 7173-7180
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.9b02774
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Abe, Y. Hijikata, T. Umeda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 8 ページ: 083105-083105
- DOI
  10.1063/1.5099327
- NAID
  120007132685
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Energy levels and charge state control of the carbon antisite-vacancy defect in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  N. T. Son, P. Stenberg, V. Jokubavicius, H. Abe, T. Ohshima, J. U. Hassan, I. G. Ivanov
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 114 号: 21 ページ: 212105-212105
- DOI
  10.1063/1.5098070
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2019
- 著者名/発表者名
  Jun Inoue, Shin-Ichiro Kuroki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Mikael Ostling, Carl-Mikael Zetterling
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 837-840
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.837
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Gamma-ray irradiation-induced mobility enhancement of 4H-SiC NMOSFETs with a Ba-silicate interface layer2019
- 著者名/発表者名
  Kosuke Muraoka, Hiroshi Sezaki, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 8 ページ: 081007-081007
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab2dab
- NAID
  210000156569
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2019
- 著者名/発表者名
  Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 963 ページ: 726-729
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.726
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Creation of Color Centers in SiC PN Diodes Using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 963 ページ: 709-713
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.963.709
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] High-fidelity spin and optical control of single silicon-vacancy centres in silicon carbide2019
- 著者名/発表者名
  Nagy Roland、Niethammer Matthias、Widmann Matthias、Chen Yu-Chen、Udvarhelyi P?ter、Bonato Cristian、Hassan Jawad Ul、Karhu Robin、Ivanov Ivan G.、Son Nguyen Tien、Maze Jeronimo R.、Ohshima Takeshi、Soykal ?ney O.、Gali ?d?m、Lee Sang-Yun、Kaiser Florian、Wrachtrup J?rg
- 雑誌名
  
  Nature Communications
  
  巻: 10 号: 1
- DOI
  10.1038/s41467-019-09873-9
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Electrically driven optical interferometry with spins in silicon carbide2019
- 著者名/発表者名
  K. C. Miao, A. Bourassa, C. P. Anderson, S. J. Whiteley, A. L. Crook, S. L. Bayliss, G. Wolfowicz, G. Thiering, P. Udvarhelyi, V. Ivady, H. Abe, T. Ohshima, A. Gali, D. D. Awschalom
- 雑誌名
  
  Sci. Adv.
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 1-7
- DOI
  10.1126/sciadv.aay0527
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770
[雑誌論文] Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2018
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, R. Kosugi, S. Harada, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, S. Onoda, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 112 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4994241
- NAID
  120007133812
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-17H02781
[雑誌論文] Excitation properties of the divacancy in 4H-SiC2018
- 著者名/発表者名
  B. Magnusson, N. T. Son, A. Csore, A. Gallstrom, T. Ohshima, A. Gali, I. G. Ivanov
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 98 号: 19
- DOI
  10.1103/physrevb.98.195202
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Ab Initio Theory of Si-Vacancy Quantum Bits in 4H and 6H-SiC2018
- 著者名/発表者名
  V. Ivady, J. Davidsson, N. T. Son, T. Ohshima, I. A. Abrikosov, A. Gali
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 895-900
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.895
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Various Single Photon Sources Observed in SiC pin Diodes2018
- 著者名/発表者名
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S.-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 204-207
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.204
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, T. Horii, Y. Furukawa, Y. Matsushita, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  J. Phys. Commun.
  
  巻: 2 号: 11 ページ: 111003-111003
- DOI
  10.1088/2399-6528/aaede4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2018
- 著者名/発表者名
  T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M.Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 971-974
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.971
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Creation of Silicon Vacancy in Silicon Carbide by Proton Beam Writing toward Quantum Sensing Applications2018
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Satoh, H. Kraus, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, P. G. Baranov
- 雑誌名
  
  J. Phys. D: Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 33 ページ: 333002-333002
- DOI
  10.1088/1361-6463/aad0ec
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Highly Efficient Optical Pumping of Spin Defects in Silicon Carbide for Stimulated Microwave Emission2018
- 著者名/発表者名
  M. Fischer, A. Sperlich, H. Kraus, T. Ohshima, G. V. Astakhov, V. Dyakonov
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Appl.
  
  巻: 9 号: 5
- DOI
  10.1103/physrevapplied.9.054006
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2018
- 著者名/発表者名
  J. Kajihara, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 423-427
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.423
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Bright single photon sources in lateral silicon carbide light emitting diodes2018
- 著者名/発表者名
  M. Widmann, M. Niethammer, T. Makino, T. Rendler, S. Lasse, T. Ohshima, J. Ul Hassan, N. T. Son, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 112 号: 23
- DOI
  10.1063/1.5032291
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Onoda, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 924 ページ: 281-284
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface2018
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Honda, T. Makino, Y. Hijikata, S.-Y. Lee, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  ACS Photonics
  
  巻: 5 号: 8 ページ: 3159-3165
- DOI
  10.1021/acsphotonics.8b00375
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Quantum Properties of Dichroic Silicon Vacancies in Silicon Carbide2018
- 著者名/発表者名
  R. Nagy, M. Widmann, M. Niethammer, D. B.R. Dasari, I. Gerhardt, O. O. Soykal, M. Radulaski, T. Ohshima, J. Vuckovic, N. T. Son, I. G. Ivanov, S. E. Economou, C. Bonato, S.-Y. Lee, J. Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Applied
  
  巻: 9 号: 3
- DOI
  10.1103/physrevapplied.9.034022
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -I. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  J. Mater. Res.
  
  巻: 33 号: 20 ページ: 3355-3361
- DOI
  10.1557/jmr.2018.302
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, Y. Suda, S. Kawabata, W. Kada, T. Honda, Y. Hijikata, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: - 号: 5 ページ: 2865-2870
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.6b05395
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047, KAKENHI-PROJECT-16K13721, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Locking of Electron Spin Coherence above 20 ms in Natural Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  D. Simin, H. Kraus, A. Sperlich, T. Ohshima, G. V. Astakhov, V. Dyakonov
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 95 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.95.161201
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Transient current induced in thin film diamonds by swift heavy ions2017
- 著者名/発表者名
  S.Sato, T.Makino, T.Ohshima, T.Kamiya, W.Kada, O.Hanaizumi, V.Grilj, N.Skukan, M.Pomorski, G.Vizkelethy
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials
  
  巻: 75 ページ: 161-168
- DOI
  10.1016/j.diamond.2017.04.005
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] 4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics2017
- 著者名/発表者名
  S-I. Kuroki, T. Kurose, H. Nagatsuma, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Kikkawa, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 雑誌名
  
  Mat. Sci. Forum
  
  巻: 897 ページ: 669-672
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[雑誌論文] Creation and Functionalization of Defects in SiC by Proton Beam Writing2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, M. Haruyama, T. Kamiya, T. Satoh, Y. Hijikata, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 897 ページ: 233-237
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.897.233
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047, KAKENHI-PROJECT-15H03967
[雑誌論文] Stark tuning and electrical charge state control of single divacancies in silicon carbide2017
- 著者名/発表者名
  C. F. de las Casas, D. J. Christle, J. Ul Hassan, T. Ohshima, N. T. Son, D. D. Awschalom
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 111 号: 26
- DOI
  10.1063/1.5004174
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Scalable Quantum Photonics with Single Color Centers in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  M. Radulaski, M. Widmann, M. Niethammer, J. L. Zhang, S.-Y. Lee, T. Rendler, K. G. Lagoudakis, N. T. Son, E. Janzeen, T. Ohshima, J. Wrachtrup, J. Vuckovic
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: 17 号: 3 ページ: 1782-1786
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.6b05102
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Identification of Si-vacancy related room-temperature qubits in 4H silicon carbide2017
- 著者名/発表者名
  V. Ivady, J. Davidsson, N. T. Son, T. Ohshima, I. A. Abrikosov, A. Gali
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: 96 号: 16
- DOI
  10.1103/physrevb.96.161114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[雑誌論文] Activation and Control of Visible Single Defects in 4H-, 6H-, and 3C-SiC by Oxidation2016
- 著者名/発表者名
  A. Lohrmann, S. Castelletto, J. R. Klein, T. Ohshima, M. Bosi, M. Negri, D. W. M. Lau, B. C. Gibson, S. Prawer, J. C. McCallum and B. C. Johnson
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter
  
  巻: 108 号: 2
- DOI
  10.1063/1.4939906
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Charge multiplication effect in thin diamond films2016
- 著者名/発表者名
  50.N. Skukan, V. Grilj, I. Sudic;, M. Pomorski, W. Kada, T. Makino, Y. Kambayashi, Y. Andoh, S. Onoda, S. Sato, T. Ohshima, T. Kamiya and M. Jaksic;,
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 109 号: 4 ページ: 043502-043502
- DOI
  10.1063/1.4959863
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] Vector Magnetometry Using Silicon Vacancies in 4H-SiC Under Ambient Conditions2016
- 著者名/発表者名
  M. Niethammer, M. Widmann, S.-Y. Lee, P. Stenberg, O. Kordina, T. Ohshima, N. T. Son, E. Janzen, J. Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Appl.
  
  巻: 6 号: 3 ページ: 034001-034001
- DOI
  10.1103/physrevapplied.6.034001
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Investigation of electrically-active deep levels in single-crystalline diamond by particle-induced charge transient spectroscopy,2016
- 著者名/発表者名
  45.W. Kada, Y. Kambayashi, Y. Ando, S. Onoda, H. Umezawa, Y. Mokuno, S. Shikata, T. Makino, M. Koka, O. Hanaizumi, T. Kamiya, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 372 ページ: 151-155
- DOI
  10.1016/j.nimb.2015.12.044
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] The evaluation of radiation damage parameter for CVD diamond2016
- 著者名/発表者名
  44.V. Grilj, N. Skukan, M. Jaksic;, M. Pomorski, W. Kada, T. Kamiya, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 372 ページ: 161-164
- DOI
  10.1016/j.nimb.2015.12.046
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] Coherent Control of Single Spins in Silicon Carbide at Room Temperature2015
- 著者名/発表者名
  MatthiasWidmann, Sang-Yun Lee, Torsten Rendler, Nguyen Tien Son, Helmut Fedder, Seoyoung Paik, Li-Ping Yang, Nan Zhao, Sen Yang, Ian Booker, Andrej Denisenko, Mohammad Jamali, S. Ali Momenzadeh, Ilja Gerhardt, Takeshi Ohshima, Adam Gali, Erik Janzen and Jorg Wrachtrup
- 雑誌名
  
  Nature Materials
  
  巻: 14 号: 2 ページ: 165-168
- DOI
  10.1038/nmat4145
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] X-Ray Characterization of Short Pulse Laser Illuminated Hydrogen Storae Alloys Having Very High Performance2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Daido, Hiroshi ABE, Takashi Shobu, Takuya Shimomura, Shinnosuke Tokuhira, Yusuke Takeyama, Takehiro Furuyama, Akihiko Nishimura Hirohisa Uchida and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE 9589, X-Ray Lasers and Coherent X-Ray Sources: Development and Applications XI
  
  巻: 9589 ページ: 95890K-95890K
- DOI
  10.1117/12.2186898
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420891
[雑誌論文] Isolated Electron Spins in Silicon Carbide with Millisecond Coherence Times2015
- 著者名/発表者名
  David J. Christle, Abram L. Falk, Paolo Andrich, Paul V. Klimov, Jawad Ul Hassan, Nguyen T. Son, Erik Janzen, Takeshi Ohshima and David D. Awschalom
- 雑誌名
  
  Nature Materials
  
  巻: 14 号: 2 ページ: 160-163
- DOI
  10.1038/nmat4144
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Single-Photon Emitting Diode in Silicon Carbide2015
- 著者名/発表者名
  A. Lohrmann, N. Iwamoto, Z. Bodrog, S. Castelletto, T. Ohshima, T. J. Karle, A. Gali, S. Prawer, J. C. McCallum and B. C. Johnson
- 雑誌名
  
  Nature Communications
  
  巻: 6 号: 1
- DOI
  10.1038/ncomms8783
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[雑誌論文] Development of diagnostic method for deep levels in semiconductors using charge induced by heavy ion microbeams2015
- 著者名/発表者名
  41.W. Kada, Y. Kambayashi, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Koka, T. Kamiya, N.Hoshino, H. Tsuchida, K. Kojima, O. Hanaizumi, and T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
  
  巻: 348 ページ: 240-245
- DOI
  10.1016/j.nimb.2014.12.054
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] Surface Modification of Hydrogen Storage Alloy by Heavy Ion Beams with keV to MeV Irradiation Energies2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi ABE, Shinnosuke Tokuhira, Hirohisa Uchida and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B365 (2015) 214-217
  
  巻: 365 ページ: 214-217
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420891
[雑誌論文] Charge Collection Characteristics of A Super-Thin Diamond Membrane Detector Measured With High-Energy Heavy Ions2014
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, T.Makino, W.Kada, N.Skukan, M.Pomorski, V.Grilj, M.Jaksic, S.Onoda, T.Ohshima, T.Kamiya
- 雑誌名
  
  IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
  
  巻: 61 号: 6 ページ: 3732-3738
- DOI
  10.1109/tns.2014.2360937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] A silicon Carbide Room-Temperature Single-Photon Source2014
- 著者名/発表者名
  S. Castelletto, B. C. Johnson, V. Ivády, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Nature Materials
  
  巻: 13 号: 2 ページ: 151-156
- DOI
  10.1038/nmat3806
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[雑誌論文] Continuous observation of polarization effects in thin SC-CVD diamond detector designed for heavy ion microbeam measurement2014
- 著者名/発表者名
  W.Kada, N,Iwamoto, T.Satoh, S.Onoda, V.Grilj, N.Skukan, M. Koka, T.Ohshima, M.Jaksic, T.Kamiya,
- 雑誌名
  
  NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
  
  巻: 331 ページ: 113-116
- DOI
  10.1016/j.nimb.2013.11.040
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[雑誌論文] Peak Degradation of Heavy-Ion Induced Transient Currents in 6H-SiC, MOS Capacitors2012
- 著者名/発表者名
  T. Makino, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, S. Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 469-472
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy : Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency2012
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, A. Koizumi, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, S. Koike, K. Uchida, S. Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 267-270
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima. T. Umeda
- 雑誌名
  
  IEEE conference publication, Proceedings of 2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2012)
  
  巻: 1 ページ: 217-218
- DOI
  10.1109/commad.2012.6472328
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10F00802, KAKENHI-PROJECT-24656025
[雑誌論文] Single-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p^+n Diode Irradiated With High-Energy Electrons2011
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, A.Koizumi, S.Onoda, T.Makino, T.Ohshima, K.Kojima, S.Koike, K.Uchida, S.Nozaki
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Nuclear Science
  
  巻: 58 ページ: 3328-3332
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays2011
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, S. Nozaki, K. Kojima
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 679-680 ページ: 370-373
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] ingle-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p^+n Diode Irradiated With High-Energy Electrons2011
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, A. Koizumi, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, S. Koike, K. Uchida, and S. Nozaki
- 雑誌名
  
  IEEE Transaction on Nuclear Science
  
  巻: 58 ページ: 3328-3332
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Refreshable Decrease In Peak Height Of Ion Beam Induced Transient Current From Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2011
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Deki, S. Nozaki
- 雑誌名
  
  AIP conference proceedings 1336 Application of Accelerators in Research and Industry
  
  ページ: 660-664
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam2010
- 著者名/発表者名
  S.Onoda, G.Vizkelethy, T.Makino, N.Iwamoto, K.Kojima, S.Nozaki, T.Ohshima
- 雑誌名
  
  Proc.of 9th Internat.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
  
  ページ: 230-233
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P^+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation2010
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, S.Onoda, T.Ohshima, K.Kojima, A.Koizumi, K.Uchida, S.Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 921-924
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions2010
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Makino, M.Deki, S.Nozaki
- 雑誌名
  
  Proc.of 9th Internat.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
  
  ページ: 85-91
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam2010
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, G. Vizkelethy, T. Makino, N. Iwamoto, K. Kojima, S. Nozaki, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  Proc. of 9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
  
  ページ: 230-233
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation2010
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, S. Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 645-648 ページ: 921-924
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal. Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions2010
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Deki, S. Nozaki
- 雑誌名
  
  Proc. of 9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
  
  ページ: 85-91
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike2010
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Makino, N. Iwamoto, G. Vizkelethy, K. Kojima, S. Nozaki, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science
  
  巻: 57 ページ: 3373-3379
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n+p Diodes2009
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1039-1042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC Diodes by Electron Irradiation2009
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1043-1046
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Reduction of Effective Carrier Density and Charge Collection Efficiency in SiC Devices due to Radiations2009
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, T. Hirao, K. Kawano, K. Kojima, T. Ohshima
- 雑誌名
  
  American Institute of Physics Conference Proceedings 1099
  
  ページ: 1010-1013
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n^+p Diodes2009
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1039-1042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Charge Collection Properties of 6H-SiC Diodes by Wide Variety of Charged Particles up to Several Hundreds MeV2009
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, M. Murakami, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kojima, K. Kawano, I. Nakano
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 861-864
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] NIEL Analysis of Charge Collection Efficiency in Silicon Carbide Diodes Damaged by Gamma-Rays, Electrons and Protons2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S. Onoda, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Proc. the 8th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
  
  ページ: 175-178
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Charge Collection Efficiency of 6H-SiC Diodes Damaged by Electron Irradiation2007
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, T. Ohshima, S. Onoda, S. Hishiki, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Proc. of the 26th Sympo. on Mater. Sci. and Engineer. Res. Center of Ion Beam Tech. Hosei Univ.
  
  ページ: 27-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Impact of Auger Recombination on Charge Collection of a 6H-SiC Diode by Heavy Ions2007
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, K. Mishima, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kawano
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 54
  
  ページ: 2706-2713
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n+p Diodes Irradiated with Gold Ions2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Satoh, M. Oikawa, S. Onoda, S. Hishiki, T. Hirao, T. Kamiya, T. Yokoyama, A. Sakamoto, R. Tanaka, I Nakano, G. Wagner, H. Itoh
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 913-916
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Decrease in Ion Beam Induced Charge of 6H-SiC Diodes2007
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Proc. of the 26th Sympo. on Mater. Sci. and Engineer. Res. Center of Ion Beam Tech. Hosei Univ.
  
  ページ: 35-40
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Decrease of Charge Collection due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diode2007
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, K. Mishima, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Nuclear Science 54
  
  ページ: 1953-1960
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Structural Study on(Al) InGaP Single-Junction Solar Cell for Performance Improvement of Triple-Junction Solar Cells2007
- 著者名/発表者名
  C. Morioka, M. Imaizumi, H. Sugimoto, S. Sato, T. Ohshima and M. Tajima
- 雑誌名
  
  Proc. 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Fukuoka, Japan
  
  ページ: 504-505
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206002
[雑誌論文] Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n^+p Diodes Irradiated with Gold Ions2007
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, T.Satoh, M.Oikawa, S.Onoda, S.Hishiki, T.Hirao, T.Kamiya, T.Yokoyama, A.Sakamoto, R.Tanaka, I Nakano, G.Wagner, H.Itoh
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 913-916
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Observation of Charge Collection Efficiency of 6H-SiC n+p Diodes Irradiated with Au-Ions2006
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, T. Ohshima, T. Satoh, M. Oikawa, S. Onoda, S. Hishiki, T. Hirao, T. Kamiya, T. Yokoyama, A. Sakamoto, R. Tanaka, I. Nakano, G. Wagner, H. Itoh, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
  
  ページ: 185-185
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Analysis of Transient Current in SiC Diodes Irradiated with MeV Ions2006
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, K. Mishima, N. Iwamoto, T. Kamiya, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
  
  ページ: 115-115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[雑誌論文] Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy : Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, A.Koizumi, S.Onoda, T.Makino, T.Ohshima, K.Kojima, S.Koike, K.Uchida, S.Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Peak Degradation of Heavy-Ion Induced Transient Currents in 6H-SiC MOS capacitors
- 著者名/発表者名
  T.Makino, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Ohshima, K.Kojima, S.Nozaki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[雑誌論文] Comparative Study of Transient Current Induced in SiC p+n and n+p Diodes by Heavy Ion Microbeams
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Kamiya, K. Kawano
- 雑誌名
  
  Nucl. Inst. Meth. B (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成2023
- 著者名/発表者名
  張啓航, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張盛杰, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] Creation of spin defects in silicon carbide and their applications for quantum sensing2023
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohshima
- 学会等名
  International Workshop of Spin/Quantum Materials and Devices (IWSQMD)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Vuong Van Cuong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (IEEE EDTM2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係2023
- 著者名/発表者名
  張盛杰, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張啓航, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 炭化ケイ素中の量子欠陥形成と量子特性評価2023
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] 固体中スピン欠陥を活用した量子センシング2023
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  国際ナノテクノロジー総合展・技術会議特別シンポジウム「ナノテクで加速する量子未来社会」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成2023
- 著者名/発表者名
  張啓航, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張盛杰, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係2023
- 著者名/発表者名
  張盛杰, 佐藤真一郎, 村田晃一, 花輪雅史, 元木秀, 張啓航, 土田秀一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] 電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量2022
- 著者名/発表者名
  元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一, 増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Creation on Silicon Vacancy in Silicon Carbide and its Application for Quantum Sensing2022
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, T. Tanaka
- 学会等名
  The 20th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA 2022)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Temperature sensitivity improvement of SiC-VSi-based quantum sensor by simultaneous-resonated optically detected magnetic resonance2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Masuyama, K. Kojima, T. Ohshima
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits2022
- 著者名/発表者名
  Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成2022
- 著者名/発表者名
  元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一，村田晃一，増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022
- 著者名/発表者名
  武山昭憲, 牧野高紘, 田中保宣, 黒木伸一郎, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 基底・励起準位同時共鳴を用いたシリコン空孔量子センサ温度計測高感度化2022
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 増山雄太, 児島一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] SiC中のVSiによる同時共鳴法を用いた磁場・温度同時計測手法の最適化2022
- 著者名/発表者名
  田中友晃，山崎雄一，児島一聡，大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Impact of conductivity type of vanadium doped 4H-SiC epilayer on semi-insulating characteristics2022
- 著者名/発表者名
  Kazutoshi Kojima Shinichiro Sato, Takeshi Ohshima and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之, 目黒達也, 武山昭憲, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 炭化ケイ素（SiC）の量子技術応用の可能性－スピン欠陥形成と量子センシング応用－2022
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Creation of Spin Defects in Silicon Carbide by Particle Irradiation for Quantum Applications2022
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohshima
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] 基底・励起準位同時共鳴ODMRを用いたシリコン空孔量子センサ高感度温度計測2022
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 増山雄太, 児島一聡, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Coverage Enhancement of Si-SOI/4H-SiC Wafer Direct Bonding by SiO2 insertion2022
- 著者名/発表者名
  Kazuya Kawamura, Tatsuya Meguro, Masayuki Tsutsumi, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥、児島一聡、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation2022
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
- 学会等名
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  Conference on Defects in Solids for Quantum Technologies
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] Noise Margins and BTI Characteristics of 4H-SiC CMOS Circuits in High-Temperature Environment2022
- 著者名/発表者名
  Takuma Shima, Toya Kai, Kazutoshi Kojima, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之、目黒達也、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成2022
- 著者名/発表者名
  元木秀, 佐藤真一郎, 佐伯誠一，村田晃一，増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  Defects in solids for quantum technologies (DSQT)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18292
[学会発表] Output Characteristics of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Pixel Device for Radiation Hardend CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures2022
- 著者名/発表者名
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  Defects in solids for quantum technologies (DSQT)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22787
[学会発表] Spin Defects in Silicon Carbide and their Applications for Quantum Technology2022
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohshima
- 学会等名
  2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] 4H-SiC CMOS SRAM のノイズマージン評価2022
- 著者名/発表者名
  甲斐陶弥, 児島一聡, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成および磁気センシング感度評価2022
- 著者名/発表者名
  元木秀，佐藤真一郎, 佐伯誠一, 村田晃一, 増山雄太, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第19回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体中の発光・スピン欠陥による量子センシング2021
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  薄膜材料デバイス研究会第18回研究集会「結晶成長技術とデバイスの新展開」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] エピタキシャル成長による n/p ウェル構造を用いた 4H-SiC CMOS インバータの特性評価2021
- 著者名/発表者名
  志摩拓真, 甲斐陶弥, 児島一聡, 田中保宣, 大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- 著者名/発表者名
  大島武, 武山昭憲、牧野高紘、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド（SiC）極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から医療応用まで2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  文部科学省共同利用・共同研究拠点生体医歯工学共同研究拠点　令和2年度成果報告会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 炭化ケイ素中への単一光子源・スピン欠陥の形成と量子科学技術への応用2021
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  2021年日本表面真空学会学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成2021
- 著者名/発表者名
  甲斐　陶弥 , 児島一聡, 志摩　拓真, 大島武, 田中保宣, 黒木　伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, 西垣内健汰, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 19 回研究会　「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素プロセス2020
- 著者名/発表者名
  目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC 短チャネル n/p MOSFETs における閾値の評価2020
- 著者名/発表者名
  志摩拓真，前田智徳，石川誠治，瀬崎洋，牧野高紘, 大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体の量子科学技術への展開2020
- 著者名/発表者名
  大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第7回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾, 牧野高紘, 山崎雄一, 大島武, 黒木伸一郎, 田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 炭化ケイ素中のシリコン空孔を用いた量子センシング2020
- 著者名/発表者名
  山崎雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗,　児島一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第7回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00355
[学会発表] 耐放射線UVイメージセンサのためのフル4H-SiC画素デバイス2019
- 著者名/発表者名
  西垣内健汰、目黒達也、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC 表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗, 松下雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] ノーマリーオフ型 4H-SiC JFET のガンマ線耐性2019
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾，牧野高紘，山﨑雄一，大島武，黒木伸一郎，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide using proton beam writing techniques for quantum sensing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima
- 学会等名
  Workshop on Ion beams for future technologies 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes2019
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 児島一聡, 山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定2019
- 著者名/発表者名
  土方泰斗，松下　雄一郎，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Pixel Array Integration with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened image sensors2019
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide using proton beam writing techniques for quantum sensing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima
- 学会等名
  Workshop on Ion beams for future technologies 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC による耐放射線エレクトロニクス技術開発2019
- 著者名/発表者名
  田中保宣，清水奎吾，小野田忍，武山昭憲，牧野高紘，大島武，目黒達也，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles2019
- 著者名/発表者名
  S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御22019
- 著者名/発表者名
  阿部裕太，梅田享英，岡本光央，原田信介，佐藤真一郎，山﨑雄一，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，常見大貴，佐藤真一郎, 土方泰斗，大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
- 学会等名
  Quantum 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けた SOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス2019
- 著者名/発表者名
  目黒達也，長谷部史明，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC Pixel Device for UV Image Sensors2019
- 著者名/発表者名
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Radiation hardness of 4H-SiC JFETs in MGy dose ranges,” The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)2019
- 著者名/発表者名
  A. Takeyama, K. Shimizu, T. Makino, Y. Yamazaki, S. Kuroki, Y. Tanaka, T. Ohshima
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 短チャネル SiC nMOSFET の温度特性評価2019
- 著者名/発表者名
  石井友康，瀬崎洋，石川誠治，前田智徳，牧野高紘，大島武, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，児島一聡，山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
- 学会等名
  Quantum 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真，佐藤真一郎，児島一聡，山﨑雄一, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal2019
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Pixel Array Integration with SOI-Si photodiode and 4H-SiC MOSFETs for Radiation-Hardened image sensors2019
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes2019
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] The effect of γ-ray irradiation on optical properties of single photon sources in 4H- SiC MOSFET2019
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響2019
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC-NMOSFETs におけるガンマ線誘起移動度増加現象とその増加機構2019
- 著者名/発表者名
  村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出2019
- 著者名/発表者名
  小野寺奎, 鎌田憲彦, 土方泰斗, 武山昭憲, 大島武, 吉江徹
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC2019
- 著者名/発表者名
  T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] 耐放射線 UV イメージセンサのためのフル 4H-SiC 画素デバイス2019
- 著者名/発表者名
  西垣内健汰，目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment2019
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC Pixel Device with UV Photodiode and MOSFETs for Radiation-Hardened UV Image Sensors2019
- 著者名/発表者名
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定2019
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一, 千葉陽史, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 児嶋一聡, 土田秀一, 星乃紀博, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果2019
- 著者名/発表者名
  武山昭憲、清水奎吾、牧野高紘、山﨑雄一、大島武、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 耐放射線イメージセンサのための 4H-SiC/SOI 基板貼り合わせ技術2019
- 著者名/発表者名
  長谷部史明，目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響2019
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 山﨑雄一, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素集積化プロセス2019
- 著者名/発表者名
  目黒達也、長谷部史明、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation2019
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
- 学会等名
  30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高紘，佐藤真一郎，山田尚人,　佐藤隆博, 児島一聡, 土方泰斗，大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Position-selective introduction of electrically excitable color centers in SiC pn junction diode by proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S. -i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S. Y. Lee, T. Ohshima
- 学会等名
  16th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史, 常見大貴, 本多智也, 牧野高紘, 佐藤真一郎, 山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Radiation Hardened Silicon Carbide Electronics2018
- 著者名/発表者名
  K. Muraoka, S. Ishikawa, H. Sezaki, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, S.-I. Kuroki
- 学会等名
  Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定2018
- 著者名/発表者名
  千葉陽史，山﨑雄一，牧野高紘，佐藤真一郎，山田尚人,　佐藤隆博，加田渉，児島一聡，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Magnetic Field Sensing with Silicon Vacancy in 4H-SiC Under Ambient Conditions2018
- 著者名/発表者名
  Hoang Minh Tuan, Takeshi Ohshima, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Quantum Sensing in 4H-SiC Power Devices2018
- 著者名/発表者名
  Hoang Minh Tuan, Takeshi Ohshima, Makoto Nakajima, Kosuke Mizuno, Yuta Masuyama, Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano
- 学会等名
  2018 MRS Fall Meeting and Exhibit, Materials Research Society
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Direct Bonding of 4H-SiC and SOI Wafers for Radiation-Hardened Image Sensors2018
- 著者名/発表者名
  Fumiaki Hasebe, Tatsuya Meguro, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上2018
- 著者名/発表者名
  赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing2018
- 著者名/発表者名
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters2018
- 著者名/発表者名
  J. Inoue, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T Ohshima, M. Ostling, and C-M. Zetterling
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y. -i. Matsushita, T. Ohshima
- 学会等名
  2018 E-MRS Spring meeting and Exhibit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer2018
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
- 学会等名
  European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Spring Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] Short-channel 4H-SiC trench MOSFETs for harsh environment electronics2018
- 著者名/発表者名
  T. Ishii, S.-I. Kuroki, H. Sezaki, S. Ishikawa, T. Maeda, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  Fukushima Research Conference“Radiation Hardness and Smartness in Remote Technology for Nuclear Decommissioning” Organized by CLADS/JAEA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高紘,　佐藤真一郎，山田尚人, 佐藤隆博, 土方泰斗，児島一聡,　 S. -Y. Lee, 大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究2018
- 著者名/発表者名
  山﨑雄一，千葉陽史，牧野高紘, 佐藤真一郎，山田尚人, 佐藤隆博, 加田渉, 土方泰斗，児島一聡, S. -Y. Lee, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子光源に与える影響の理論的分析2018
- 著者名/発表者名
  古川頼誉, 土方泰斗, 大島武, 松下雄一郎
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源の探索2018
- 著者名/発表者名
  阿部裕太，梅田享英，原田信介，佐藤真一郎，山﨑雄一，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creation of silicon vacancy in silicon carbide device by proton beam writing toward quantum applications2018
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohshima, Yuichi Yamazaki, Yuji Chiba, Naoto Yamada, Shin-ichiro Sato, Takahiro Satoh, Yasuto Hijikata, Sang-Yun Lee, Kazutoshi Kojima
- 学会等名
  25th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果2018
- 著者名/発表者名
  石井友康、黒木伸一郎、瀬崎洋、石川誠治、前田智徳、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling 、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高紘，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03770
[学会発表] SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴，佐藤真一郎，山﨑雄一，牧野高紘，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Effects of High Gamma-Ray Radiation on 3C-SiC nMOSFETs2018
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Kohei Nagano, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, and Yasunori Tanaka
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察2018
- 著者名/発表者名
  常見大貴, 佐藤真一郎, 山﨑雄一, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2018年第79回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Near Infrared Photoluminescence from Nitrogen-Vacancy Centers in Silicon Carbide2018
- 著者名/発表者名
  S.-I. Sato, Y. Abe, T. Umeda, T. Ohshima
- 学会等名
  12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性2018
- 著者名/発表者名
  楢原拓真, 佐藤真一郎, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会　先進パワー半導体分科会第5回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性2017
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、岡本光央、小野田忍、大島武、春山盛善、加田渉、花泉修、小杉亮治、原田信介、梅田享英
- 学会等名
  2017年　第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H-SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析2017
- 著者名/発表者名
  古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Radiation Response of Silicon Carbide Devices - Degradation and Functionalization -2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors 2017
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御2017
- 著者名/発表者名
  梅田亨英, 阿部裕太, 岡本光央, 原田信介, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田忍, 大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線照射特性2017
- 著者名/発表者名
  永野耕平、目黒達也、武山昭憲、牧野高紘、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] SiC pinダイオード中の発光中心の観察2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴、本多智也、牧野高紘、小野田忍、佐藤真一郎、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  2017年　第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Various single photon sources observed in SiC pin diodes2017
- 著者名/発表者名
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics2017
- 著者名/発表者名
  T. Kurose, S.-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 4H-SiC pMOSFETs with Al-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts2017
- 著者名/発表者名
  J. Kajihara, S-I. Kuroki, S. Ishikawa, T. Maeda, H. Sezaki, T. Makino, T. Ohshima, M. Ostling, and C.-M. Zetterling
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] 高周波CMOSインバータに向けた4H-SiCトレンチpMOSFETsの研究2017
- 著者名/発表者名
  井上純、黒木伸一郎、石川誠治、前田知徳、瀬崎洋、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Enhanced single photon emission near stacking fault in 4H-SiC epilayer2017
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Akahori, T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  赤堀周平、古川頼誉、松下雄一郎、大島武、土方泰斗
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス2017
- 著者名/発表者名
  黒瀬達也、黒木伸一郎、石川誠治、前田知徳、瀬崎洋、牧野高紘、大島武、Mikael Ostling、Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也, 常見大貴, 小野田忍, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Ba導入nMOSFETsに対するBTS試験およびガンマ線照射2017
- 著者名/発表者名
  村岡幸輔，瀬崎洋，石川誠治，前田知徳，牧野高紘，大島武，黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Observation of Single Photon Sources in Silicon Carbide PiN Diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata, B. C. Johnson, J. R. Klein, A. Lohrmann, J. C. McCaiium
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies, The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC pMOSFETsの高温特性及びガンマ線曝露効果2017
- 著者名/発表者名
  梶原純, 黒木伸一郎, 瀬崎洋, 石川誠治，前田知徳, 牧野高紘, 大島武, Mikael Ostling, and Carl-Mikael Zetterling
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Research on 400°C Thermal Stability of Ni/Nb Ohmic Contacts on 4H-SiC For Harsh Environment Applications2017
- 著者名/発表者名
  Vuong Van Cuong, Milantha De Silva, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03253
[学会発表] Oxidation-process dependence of Single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs2017
- 著者名/発表者名
  Y. Abe, M. Okamoto, S. Onoda, T. Ohshima, M. Haruyama, W. Kada, O. Hanaizumi, R. Kosugi, S. Harada, Y. Kagoyama, T. Umeda
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] ダイヤモンドの高速重イオン誘起過渡電流測定とポーラリゼーション効果2017
- 著者名/発表者名
  佐藤真一郎 , 牧野高紘 , 大島武 , Vizkelethy Gyorgy , 神谷富裕
- 学会等名
  第６４回応用物理春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード表面に形成される単一光子源の発光特性2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴, 本多智也, 佐藤真一郎, 小野田忍, 牧野高紘, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル2017
- 著者名/発表者名
  常見大貴，本多智也，牧野高紘，小野田忍，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Coherent defect engineering with varying irradiation methods2017
- 著者名/発表者名
  C. Kasper, D. Simin, H. Kraus, W. Kada, T. Ohshima, A. Sperlich, C. Salter, M. Trupke, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化2017
- 著者名/発表者名
  本多智也, 常見大貴, 児島一聡, 佐藤真一郎, 牧野高紘, 小野田忍, 土方泰斗, 大島武
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] 4H-SiC MOSFETチャネル中の単一光子源に対する水素の影響2017
- 著者名/発表者名
  阿部裕太, 岡本光央, 小野田忍, 大島武, 春山盛善, 加田渉, 花泉修, 原田信介, 鹿児山陽平, 梅田亨英
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Controlled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide2017
- 著者名/発表者名
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. V. Astakhov
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01056
[学会発表] Creation of Single Photon Sources in Wide Bandgap Semiconductors by Ion Irradiation2016
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson3, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
- 学会等名
  第26回　日本MRS年次大会
- 発表場所
  横浜市開港記念会館　他、神奈川県横浜市
- 年月日
  2016-12-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の界面酸化プロセス依存性の共焦点顕微鏡評価2016
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、梅田享英、岡本光央、小杉亮治、原田信介、波多野睦子、岩崎孝之、小野田忍、大島武、春山盛善、加田渉、花泉修
- 学会等名
  2016年　第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成2016
- 著者名/発表者名
  本多智也、Kraus Hannes、加田渉、小野田忍、春山盛善、佐藤隆博、江夏昌志、神谷富裕、川端駿介、三浦健太、花泉修、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 3C-SiC中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処理の関係2016
- 著者名/発表者名
  本多智也、小野田忍、土方泰斗、大島武
- 学会等名
  2016年　第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Visible Range Photoluminescence from Single Photon Sources in 3C, 4H and 6H Silicon Carbide2016
- 著者名/発表者名
  A. Lohrmann, S. Castelletto, J. Klein, M. Bosi, M. Negri, D. W. M. Lau, B. C. Gibson, S. Prawer, J. C. McCallum, T. Ohshima, and B. C. Johnson
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016
- 発表場所
  National Convention Center (Canberra, Australia)
- 年月日
  2016-02-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Creation of Single Photon Emitters in Silicon Carbide using Particle Beam Irradiation2016
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
- 学会等名
  20th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2016)
- 発表場所
  Wellington, New Zealand
- 年月日
  2016-10-30
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Transient Current Induced in Thin Film Diamonds by Swift Heavy Ions2016
- 著者名/発表者名
  S-I. Sato, T. Makino, T. Ohshima, T. Kamiya, W. Kada, V. Grilj, N. Skukan, M. Jaksic, M. Pomorski, G. Vizkelethy
- 学会等名
  27th International Conference on Diamond and Carbon Materials
- 発表場所
  Le Corum, Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Creation and Functionalization of Defects in SiC by Irradiation and Thermal Treatment2016
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
- 学会等名
  11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Development of radiation detector based on CVD diamond membrane with embedded living-cell cultivation environment,2016
- 著者名/発表者名
  2.W. Kada, M. Sakai, M. Pomorski, N. Skukan, T. Makino, M. Jaksic;, S. Onoda, T. Ohshima,T. Kamiya, and O. Hanaizumi,
- 学会等名
  The 12th International Workshop on Ionizing Radiation Monitoring(IWIRM)
- 発表場所
  大洗パークホテル
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Charge State Switching of Single Silicon Vacancies in SiC2016
- 著者名/発表者名
  M. Widmann, M. Niethammer, S.-Y. Lee, I. Booker, T. Ohshima, A. Gali, N. T. Son, E. Janzen, J. Wrachtrup
- 学会等名
  11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 次世代高機能デバイスを目指し原子のスピンと光を操る2016
- 著者名/発表者名
  大島　武
- 学会等名
  第6回CSJ化学フェスタ2016
- 発表場所
  タワーホール船堀、東京都江戸川区
- 年月日
  2016-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Coherence Properties of the Silicon Vacancy in SiC: from Ensemble to Single Defects2016
- 著者名/発表者名
  D.Simin, H. Kraus, A. Sperlich, M. Trupke, T. Ohshima, G. V. Astakhov, V. Dyakonov
- 学会等名
  11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Vector Magnetic Field Sensing using Defect Spins in 4H-SiC2016
- 著者名/発表者名
  M. Niethammer, M. Widmann, S.-Y. Lee, P. Neumann, P. Stenberg, H. Pedersen, O. Kordina, T. Ohshima, N. T. Son, E. Janzen, J. Wrachtrup
- 学会等名
  11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Excitation Properties of the Divacancy in 4H and 3C SiC2016
- 著者名/発表者名
  I. G. Ivanov, N. T. Son, T. Ohshima, E. Janzen
- 学会等名
  11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の酸化膜界面依存性の共焦点顕微鏡評価2016
- 著者名/発表者名
  阿部裕太、岡本光央、小杉亮治、原田信介、波多野睦子、岩崎孝之、小野田忍、春山盛善、加田渉、花泉修、大島武、梅田享英
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場、茨城県つくば市
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 4H-SiC MOSFET中の単一表面欠陥の共焦点顕微鏡観察2016
- 著者名/発表者名
  梅田享英，阿部裕太，Y.-W. Zhu，岡本光央，小杉亮治，原田信介，春山盛善，牧野高紘，小野田忍，大島武
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Investigation of Deep Levels in Diamond based Radiation Detector by Transient Charge Spectroscopy with Focused Heavy Ion Microbeam2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ando, Y. Kambayashi, W. Kada, S. Onoda, T. Makino, S. Sato, H. Umezawa, Y. Mokuno, S. Shikata, O. Hanaizumi, T. Kamiya and T. Ohshima
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Surface Modification Effects on Hydrogen Absorpton Property of a Hydrogen Storage Alloy by Short Pulse Laser Irradiation2015
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Abe, Takuya Shimomura, Shinnosuke Tokuhira, Yukihiro Shimada, Yusuke Takeyama, Takehiro Furuyama, Akihiro Nishimura, Hirohisa Uchida, Hiroyuki Daido and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing
- 発表場所
  KITAKYUSHU INTERNATIONAL CONFERENCE CENTER(Kitakyushu-shi, Fukuoka)
- 年月日
  2015-05-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420891
[学会発表] X-Ray Characterization of Short Pulse Laser Illuminated Hydrogen Storage Alloys Having Very High Performance2015
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Daido, Hiroshi Abe, Takashi Shobu, Takuya Shimomura, Shinnosuke Tokuhira, Yusuke Takeyama, Takehiro Furuyama, Akihiro Nishimura, Hirohisa Uchida and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  SPIE Optical Engineering +Applications Conferences
- 発表場所
  San Diego, California (USA)
- 年月日
  2015-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420891
[学会発表] Study of diamond membrane detector aiming at highly-efficient and position-sensitive particle detection for ion beam applications2015
- 著者名/発表者名
  T. Kamiya, W. Kada, Y. Kambayashi, T. Makino, S. Onoda, T. Ohshima, N.Iwamoto, S. Shikata, Y. Mokuno, H. Umezawa, M. Pomorski, V. Grilj, N.Skukan, and M. Jakšić
- 学会等名
  22nd International Conference on Ion Beam Analysis(IBA2015)
- 発表場所
  Opatija, Croatia
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Single-Photon Emitting Diode in 4H- and 6H-SiC2015
- 著者名/発表者名
  A. Lohrmann, N. Iwamoto, Z. Bodrog, S. Castelletto, T. Ohshima, T. J. Karle, A.Gali3, S.Prawer, J.C. McCallum, and B.C. Johnson
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
- 発表場所
  Giardini Naxos (Sicily, Italy)
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Engineering Single Defects in Silicon Carbide Bulk, Nanostructures and Devices2015
- 著者名/発表者名
  S. Castelletto, A. Lohrmann, A.F.M. Almutairi, D.W.M. Lau, M. Negri, M. Bosi, B. C. Johnson, B.C. Gibson, J. C. McCallum, A. Gali, and T. Ohshima
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015
- 発表場所
  Giardini Naxos (Sicily, Italy)
- 年月日
  2015-10-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] 高温熱処理したSiC中に存在する単一光子源2015
- 著者名/発表者名
  大島　武，A. Lohrmann，B. C. Johnson，S. Castelletto，小野田忍，牧野高紘，武山昭憲，J. Klein，M. Bosi，M. Negri，D. W. M. Lau，B. C. Gibson，S. Prawer，J. C. McCallum
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会講演会第2回講演会
- 発表場所
  大阪国際交流センター（大阪府大阪市）
- 年月日
  2015-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Optically Active Defect Centres in Silicon Carbide Devices2014
- 著者名/発表者名
  B.C. Johnson, N. Iwamoto, S. Castelletto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Karle and J. C. McCallum
- 学会等名
  2014 Internat. Conf. on Nanoscience and Nanotechnology
- 発表場所
  Adelaide Convention Centre (Adelaide, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] Optically Active Defect Centres in Silicon Carbide Devices2014
- 著者名/発表者名
  B.C. Johnson, N. Iwamoto, S. Castelletto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Karle and J. C. McCallum
- 学会等名
  2014 International Conference on Nanoscience and Nanotechnology
- 発表場所
  Adelaide Convention Centre (Adelaide, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima and T. Umeda
- 学会等名
  2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  University of Melbourne (Melbourne, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] Fabrication of Single Photon Centres in Silicon Carbide2012
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, S. Castelletto, T. Ohshima and T. Umeda
- 学会等名
  2012 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  Univ. of Melbourne (Melbourne, Australia)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656025
[学会発表] Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy : Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency2011
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, A. Koizumi, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, S. Koike, K. Uchida, S. Nozaki
- 学会等名
  Internat. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2011(ICSCRM2011)
- 発表場所
  Cleveland(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Peak Degradation of Heavy-Ion Induced Transient Currents in 6H-SiC MOS capacitors2011
- 著者名/発表者名
  T.Makino, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Ohshima, K.Kojima, S.Nozaki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM2011)
- 発表場所
  Renaissance Cleveland Hotel, Cleveland (USA)
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Peak Degradation of Heavy-Ion Induced Transient Currents in 6H-SiC MOS capacitors2011
- 著者名/発表者名
  T. Makino, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, S. Nozaki
- 学会等名
  Internat. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2011(ICSCRM2011)
- 発表場所
  Cleveland(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy : Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency2011
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, A.Koizumi, S.Onoda, T.Makino, T.Ohshima, K.Kojima, S.Koike, K.Uchida, S.Nozaki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM2011)
- 発表場所
  Renaissance Cleveland Hotel, Cleveland (USA)
- 年月日
  2011-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam2010
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, G. Vizkelethy, T. Makino, N. Iwamoto, K. Kojima, S. Nozaki, T. Ohshima
- 学会等名
  9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(9thRASEDA)
- 発表場所
  Takasaki(Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Refreshable Decrease in Peak Height of Ion Beam Induced Transient Current from Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2010
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Deki, S. Nozaki
- 学会等名
  21st International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry(CAARI)
- 発表場所
  Fort Worth(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Refreshable Decrease in Peak Height of Ion Beam Induced Transient Current from Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors2010
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Makino, M.Deki, S.Nozaki
- 学会等名
  21st International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI)
- 発表場所
  Worthington Renaissance, Fort Worth, Texas (USA)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays2010
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Makino, S.Nozaki, K.Kojima
- 学会等名
  The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
- 発表場所
  Sundvolden Conf.Center, Oslo (Norway)
- 年月日
  2010-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal. Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions2010
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, M. Deki, S. Nozaki
- 学会等名
  9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(9thRASEDA)
- 発表場所
  Takasaki(Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam2010
- 著者名/発表者名
  S.Onoda, G.Vizkelethy, T.Makino, N.Iwamoto, K.Kojima, S.Nozaki, T.Ohshima
- 学会等名
  9th Internat.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
- 発表場所
  Takasaki City Gallery, Takasaki (Japan)
- 年月日
  2010-10-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions2010
- 著者名/発表者名
  T.Ohshima, N.Iwamoto, S.Onoda, T.Makino, M.Deki, S.Nozaki
- 学会等名
  9th Internat.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
- 発表場所
  Takasaki City Gallery, Takasaki (Japan)
- 年月日
  2010-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike2010
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Makino, N. Iwamoto, G. Vizkelethy, K. Kojima, S. Nozaki, T. Ohshima
- 学会等名
  IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
- 発表場所
  Denver(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays2010
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, S. Nozaki, K. Kojima
- 学会等名
  The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM)
- 発表場所
  Oslo(Norway)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike2010
- 著者名/発表者名
  S.Onoda, T.Makino, N.Iwamoto, G.Vizkelethy, K.Kojima, S.Nozaki, T.Ohshima
- 学会等名
  IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
- 発表場所
  Sheraton, Denver, Colorado (USA)
- 年月日
  2010-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation2009
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, and S. Nozaki
- 学会等名
  The 13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009(ICSCRM2009)
- 発表場所
  Nuremberg(Germany)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P^+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation2009
- 著者名/発表者名
  N.Iwamoto, S.Onoda, T.Ohshima, K.Kojima, A.Koizumi, K.Uchida, S.Nozaki
- 学会等名
  The 13^<th> International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009)
- 発表場所
  Nuremberg(Germany)
- 年月日
  2009-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360471
[学会発表] Reduction of Effective Carrier Density and Charge Collection Efficiency in SiC Devices due to Radiations2008
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, T. Hirao, K. Kawano, K. Kojima, T. Ohshima
- 学会等名
  20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI)
- 発表場所
  Fort Worth(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Comparative Study of Transient Current Induced in SiC p^+n and n^+p Diodes by Heavy Ion Microbeams2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Kamiya, K. Kawano
- 学会等名
  11th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA)
- 発表場所
  Debrecen (Hungary)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Charge Collection Properties of 6H-SiC Diodes by Wide Variety of Charged Particles up to Several Hundreds MeV2008
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, M. Murakami, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kojima, K. Kawano, I. Nakano
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
- 発表場所
  Barcelona (Spain)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] NIEL Analysis of Charge Collection Efficiency in Silicon Carbide Diodes Damaged by Gamma-Rays, Electrons and Protons2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, S. Onoda, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)
- 発表場所
  Tsukuba (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 数百MeV 級高エネルギー重イオンによる6H-SiCダイオードの電荷収集効率の測定2008
- 著者名/発表者名
  小野田忍、大島武、岩本直也、平尾敏雄、児島一聡、河野勝泰
- 学会等名
  008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Comparative Study of Transient Current Induced in SiC p+n and n+p Diodes by Heavy Ion Microbeams2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohshima, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Kamiya, K. Kawano
- 学会等名
  11th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications (ICNMTA)
- 発表場所
  Debrecen(Hungary)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Charge Collection Properties of 6H-SiC Diodes by Wide Variety of Charged Particles up to Several Hundreds MeV2008
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, M. Murakami, T. Ohshima, T. Hirao, K. Kojima, K. Kawano, I. Nakano
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
- 発表場所
  Barcelona(Spain)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Reduction of Effective Carrier Density and Charge Collection Efficiency in SiC Devices due to Radiations2008
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, N. Iwamoto, T. Hirao, K. Kawano, K. Kojima, T. Ohshima
- 学会等名
  20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI)
- 発表場所
  Fort Worth (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 数百MeV級高エネルギー重イオンによる6H-SiCダイオードの電荷収集効率の測定2008
- 著者名/発表者名
  小野田忍, 大島武, 岩本直也, 平尾敏雄, 児島一聡, 河野勝泰
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 高エネルギー重イオンによるTIBIC測定技術の開発II2007
- 著者名/発表者名
  小野田忍、平尾敏雄、菱木繁臣、大島武
- 学会等名
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 電子線照射により損傷を導入した6H-SiCダイオードの電荷収集効率2007
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, T. Ohshima, S. Onoda, S. Hishiki, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano
- 学会等名
  第26回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
- 発表場所
  東小金井(日本)
- 年月日
  2007-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n+p diodes2007
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 6H-SiCダイオードにおけるイオンビーム誘起電荷量の低下2007
- 著者名/発表者名
  小野田忍, 岩本直也, 大島武, 平尾敏雄,河野勝泰
- 学会等名
  第26回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
- 発表場所
  東小金井(日本)
- 年月日
  2007-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC Diodes by Electron Irradiation2007
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano
- 学会等名
  Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] 電子線照射された6H-SiC pnダイオードの電荷収集効率2007
- 著者名/発表者名
  岩本直也、小野田忍、菱木繁臣、大島武、村上允、中野逸夫、河野勝泰
- 学会等名
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道(日本)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Decrease of Charge Collection Due to Displacement Damage by Gamma Rays in a 6H-SiC Diodes2007
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, K. Mishima, S. Hishiki, N. Iwamoto, K. Kojima, K. Kawano
- 学会等名
  2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
- 発表場所
  Hawaii (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Observation of Charge Collection Efficiency of 6H-SiC n+p Diodes Irradiated with Au-Ions2006
- 著者名/発表者名
  N. Iwamoto, T. Ohshima, T. Satoh, M. Oikawa, S. Onoda, S. Hishiki, T. Hirao, T. Kamiya, T. Yokoyama, A. Sakamoto, R. Tanaka, I. Nakano, G. Wagner, H. Itoh, K. Kawano
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Analysis of Transient Current in SiC Diodes Irradiated with MeV Ions2006
- 著者名/発表者名
  S. Onoda, T. Ohshima, T. Hirao, S. Hishiki, K. Mishima, N. Iwamoto, T. Kamiya, K. Kawano
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki(Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360458
[学会発表] Transmission diamond membrane detector and vacuum window for external microbeams
- 著者名/発表者名
  N.SKUKAN, W.KADA, N. IWAMOTO, T.KAMIYA,M. Jakšić, T.OHSHIMA, V.GRILJ, M.POMORSKI,
- 学会等名
  14th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications
- 発表場所
  イタリア、パドバ、パドバ大学及びサンガエターノ文化センター
- 年月日
  2014-07-06 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Investigation of Deep Levels in Silicon Carbide using Ion-Induced Charge Transient Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  W.KADA, S. ONODA, N.IWAMOTO, N.HOSHINO, H.TSUCHIDA, T.MAKINO, Y.KANBAYASHI, O.HANAIZUMI, M. KOKA,T. KAMIYA, T.OHSHIMA,
- 学会等名
  14th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications
- 発表場所
  イタリア、パドバ、パドバ大学及びサンガエターノ文化センター
- 年月日
  2014-07-06 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Development of Diagnostic Method for Deep Levels in Semiconductors using Charge Induced by Heavy Ion
- 著者名/発表者名
  T.OHSHIMA, N. IWAMOTO, M.KOKA,S.ONODA, T. MAKINO, T. KAMIYA, W.KADA, Y.KANBAYASHI, N. HOSHINO, H.TSUCHIDA, K. KOJIMA,
- 学会等名
  14th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications
- 発表場所
  イタリア、パドバ、パドバ大学及びサンガエターノ文化センター
- 年月日
  2014-07-06 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] Optically Active Defects in Silicon Carbide
- 著者名/発表者名
  B. C. Johnson, Alex Lohrmann, H. Bowers, J. C. McCallum and Takeshi Ohshima
- 学会等名
  Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2014)
- 発表場所
  The University of Western Australia (Perth, Australia)
- 年月日
  2014-12-14 – 2014-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047
[学会発表] Development of single ion detection technique for microbeam applications
- 著者名/発表者名
  Tomihiro Kamiya, Takahiro Satoh, Masashi Koka, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Takahiro Makino, Wataru Kada, Veljko Grilj,
- 学会等名
  8th International Symposium on BioPIXE
- 発表場所
  クロアチア、ブレッド、ホテルゴルフ
- 年月日
  2014-09-14 – 2014-09-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249149
[学会発表] SiC中の単一発光源となる欠陥の探索
- 著者名/発表者名
  大島武，小野田忍，牧野高紘，岩本直也，B. C. Johnson，A. Lohrmann，T. Karle，J. C. McCallum，S. Castelletto，梅田享英，佐藤嘉洋，朱煜偉，V. Ivády，A. Gali，春山盛善，加田渉，花泉修
- 学会等名
  2014年　第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26286047

1. 梅田享英 (10361354)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 19件
2. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 77件
3. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 39件
4. 黒木伸一郎 (70400281)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 67件
5. 松下雄一郎 (90762336)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 8件
6. 小野田忍 (30414569)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 77件
7. 神谷富裕 (70370385)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 25件
8. 佐藤隆博 (10370404)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 47件
9. 伊藤久義 (40354930)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
10. 中野逸夫 (90133024)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
11. 磯谷順一 (60011756)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 波多野睦子 (00417007)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
13. 押山淳 (80143361)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
15. 児島一聡 (40371041)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
16. 武山昭憲 (50370424)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
17. 中島宏 (20354764)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 柴田徳思 (80028224)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 春日井好己 (40354724)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 坂本幸夫 (90354703)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 岩元洋介 (10391327)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 松田規宏 (80354760)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 中村尚司 (70026029)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 平山英夫 (00044785)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 伴秀一 (70141976)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 佐波俊哉 (90321538)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 松村宏 (30328661)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 萩原雅之 (10450363)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 岩瀬広 (00469876)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 八島浩 (40378972)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 関本俊 (10420407)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 大石晃嗣 (70393585)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 石橋健二 (00159766)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 執行伸寛 (40304836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 田島道夫 (30216965)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
36. 今泉充 (90421859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
37. 田中真伸 (00222117)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
38. 金子純一 (90333624)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 嶋岡毅紘 (80650241)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 身内賢太朗 (80362440)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
41. 杢野由明 (60358166)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
42. 阿部浩之 (30354947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
43. 内田裕久 (20147119)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
44. 大道博行 (70144532)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
45. 西村昭彦 (90370452)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
46. 菖蒲敬久 (90425562)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
47. 原木岳史 (70439735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
48. 水落憲和 (00323311)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
49. 谷口尚 (80354413)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
50. 鹿田真一 (00415689)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
51. 加田渉 (60589117)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
52. 櫻井鉄也 (60187086)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
53. 吉岡裕典 (60712528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
54. 針井一哉 (00633900)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
55. 下村拓也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
56. 徳平真之介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
57. 島田幸洋

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
58. 竹仲祐介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
59. 古山雄太

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
60. 川北史朗

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
61. 高本達也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
62. 森岡直也

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
63. JOHNSON Brett

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

大島 武 Ohshima Takeshi

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光を高度に操った炭化ケイ素半導体中スピン欠陥の量子状態制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素中の高輝度単一発光中心のフォトン・スピン制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭化ケイ素中のシリコン空孔欠陥を用いた単一フォトン操作研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンビーム誘起電荷による炭化ケイ素半導体上の酸化膜破壊機構に関する研究研究代表者

研究代表者

大島武 Ohshima Takeshi