本田善央 Honda Yoshio

研究者番号	60362274
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2025年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 2015年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 2015年度: 名古屋大学, 未来材料システム研究所, 准教授 2014年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 准教授 2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 … もっと見る 2013年度 – 2014年度: 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 2012年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 2011年度 – 2012年度: 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2010年度 – 2012年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教 2007年度 – 2010年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 2006年度: 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助手 2004年度 – 2005年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手 2003年度 – 2004年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / マイクロ・ナノデバイス / 応用物性・結晶工学 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 中区分14:プラズマ学およびその関連分野 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 … もっと見る / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連 / 小区分80040:量子ビーム科学関連 / 応用物理学一般 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 工学 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者 GaN / InGaN / Si基板 / MOVPE / 半極性 / 半極性・非極性 / 選択成長 / HVPE / HVPE法 / バンドエンジニアリング … もっと見る / 電子デバイス応用 / AlInGaN / 分極ドーピング / バンドオフセット制御 / HBT / 4元混晶 / SJダイオード / Mgのメモリー効果 / Mgの偏析 / 高速エピタキシャル成長 / パワーデバイス / SJ / SJ構造 / Mgドーピング / pn接合 / 窒化物半導体 / レーザー構造 / 加圧MOVPE / レーザー / 半極性面 / レーザ / Si / LED / 双晶 / STEM / フォトルミネッセンス / ナノワイヤ / 量子細線 / 半導体物性 / 半導体超微細化 / 結晶成長 / MBE / 誘導放出 / 光学特性 / 無極性 / 選択成長法 / AlN / GaNバルク単結晶 / GaNバルク結晶 … もっと見る研究代表者以外 GaN / 窒化物半導体 / 結晶成長 / 半導体検出器 / BGaN / III族窒化物半導体 / 中性子検出 / ナノワイヤ / シリコン基板 / 選択成長 / MOVPE / 窒化ガリウム / エピタキシャル成長 / イメージングセンサー / III族窒化物 / エピタキシャル / 半導体 / 超格子 / 太陽電池 / LED / 格子欠陥 / InGaN / 光導波路 / 面間拡散 / ファセット成長 / 不純物ドーピング / OVPE法 / 活性化アニール / Mgイオン注入 / 国際共同研究 / デバイスプロセス / THz級電磁波 / トランジスタ / フォトミキシング / 光電変換 / 真空デバイス / 疑似直接検出 / イメージセンサー / トリハライド気相成長 / 転位 / 中性子検出器 / ガリウムヒ素半導体 / 動態観測 / 損傷敏感試料 / 電子顕微鏡 / 半導体フォトカソード / AlGaAs半導体 / 窒化ガリウム半導体 / パルス電子ビーム / 負電子親和力表面 / 電子ビーム / フォトカソード / 先端機能デバイス / 放射線 / α線飛程 / 中性子検出半導体 / 中性子半導体検出器 / 光物性 / Ｘ線 / 結晶工学 / 半導体レーザ / 量子構造 / 発光素子 / 量子閉じ込め / ナノ材料 / 不純物 / 半導体発光デバイス / 量子効果 / 特異構造 / SiC / 半導体発光材料 / 微細構造評価 / 光学特性 / ポーラス結晶 / ナノ構造 / 半導体レーザー / 量子殻 / Quantum dot / HVPE / Surface diffusion / Growth on facets / Selective growth / Hetero-epitaxy / 異種基板 / 緩衝層 / 三族窒化物 / 伝導性制御 / 量子細線 / ダブルヘテロ構造 / 量子ドット / HVPE法 / MOVPE法 / 表面拡散 / 選択成長法 / ヘテロエピタキシ / 電子線励起電流 / 電子線励起深紫外レーザ / ソーラーブラインド紫外線検出器 / バルクAlN / ナノカーボン電極 / 分極半導体 / グラフェン / カーボンナノチューブ / 低加速電圧SEM / 分極電荷エンジニアリング / 電子線ホログラフィ / バルクAlN基板 / 深紫外発光素子 / 深紫外 / 分極ドーピング / 熱処理 / ナノカーボン / 結晶成長その場観察 / AlGaN / AlN / 電気・電子材料 / ピエゾ電界 / トランスポート / 結晶欠陥 / 分極電荷 / ｐｎ接合 / ヘテロ構造 / 電界効果 / 炭素ドーピング / インパクトイオン化 / 黄色帯発光 / 格子空孔 / 分極電界 / ビルトイン電界効果 / 内部量子効率 / PA MBE / 窒素ラジカル / PAMBE / FTIR評価 / TEM観察 / PL / TEM / 疑似格子整合 / MOVPE成長 / シリコンホトニクス / 遠赤外吸収スペクトル / 透過電子顕微鏡観察 / 有機金属気相成長 / 熱力学 / 圧力印加MOVPE / 可視長波長LED / 量子効率 / 青色LED / 緑色LED / 加圧MOVPE / 圧力印加有機金属化合物気相成長法 / 可視長波長 LED / 電子線ホログラフィー / 界面構造 / Si基板 / 時間分解分光 / 光デバイス / ナノヘテロ構造 / ナノへテロ構造隠す

OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの新規活性化プロセス開発
- 研究代表者
  
  宇佐美茂佳
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  大阪大学
全窒化ガリウムパワー統合プラットフォームの開発に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2026
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  名古屋大学
熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
- 研究機関
  東京農工大学
真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生
- 研究代表者
  
  加藤和利
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  九州大学
BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発
- 研究代表者
  
  中野貴之
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  名古屋大学
新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
- 研究代表者
  
  小林篤
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  国際共同研究加速基金(海外連携研究)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京理科大学
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源
- 研究代表者
  
  西谷智博
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分14:プラズマ学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発
- 研究代表者
  
  中野貴之
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分80040:量子ビーム科学関連
- 研究機関
  静岡大学
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明
- 研究代表者
  
  上山智
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名城大学
中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発
- 研究代表者
  
  中野貴之
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物理学一般
- 研究機関
  静岡大学
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  名古屋大学
電界効果形窒化物半導体太陽電池の高効率化
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  愛知工業大学
半極性ＧａＮ／Ｓｉ上へのＩｎＧａＮ高圧成長及び歪制御によるＬＤの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  名古屋大学
パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長
- 研究代表者
  
  天野浩
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
Si基板上半極性GaNの高品質化に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  愛知工業大学
Si基板上半極性GaNの積層欠陥、点欠陥抑制による光学的特性の改善研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
加工シリコン基板上への窒化物半導体の選択再成長法によるナノヘテロ構造の創製
- 研究代表者
  
  澤木宣彦
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  名古屋大学
Si基板上A1Nテンプレートを用いたHVPE法による厚膜GaNバルク結晶の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学
選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究
- 研究代表者
  
  澤木宣彦 (沢木宣彦)
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学

[雑誌論文] Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes With Dopant-Free Distributed Polarization Doping2024
- 著者名/発表者名
  Kumabe Takeru、Yoshikawa Akira、Kawasaki Seiya、Kushimoto Maki、Honda Yoshio、Arai Manabu、Suda Jun、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 71 号: 5 ページ: 3396-3402
- DOI
  10.1109/ted.2024.3367314
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1532, KAKENHI-PROJECT-23K26559
[雑誌論文] Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy2024
- 著者名/発表者名
  Hamasaki Kansuke、Ohnishi Kazuki、Nitta Shugo、Fujimoto Naoki、Watanabe Hirotaka、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 628 ページ: 127529-127529
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2023.127529
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13672, KAKENHI-PROJECT-22K18808
[雑誌論文] Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector2024
- 著者名/発表者名
  Hisaya Nakagawa, Kosuke Hayashi, Atsuya Miyazawa, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 雑誌名
  
  Sensors and Materials
  
  巻: 36 号: 1 ページ: 169
- DOI
  10.18494/SAM4647
- ISSN
  0914-4935, 2435-0869
- 年月日
  2024-01-26
- 言語
  英語
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[雑誌論文] Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 17 号: 1 ページ: 011002-011002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ad120b
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094, KAKENHI-PROJECT-23K26557
[雑誌論文] Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN2023
- 著者名/発表者名
  Kumabe Takeru、Kawasaki Seiya、Watanabe Hirotaka、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 122 号: 25 ページ: 252107-252107
- DOI
  10.1063/5.0155363
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1532, KAKENHI-PROJECT-23K26559
[雑誌論文] Electron lifetime and diffusion coefficient in dopant-free p-type distributed polarization doped AlGaN2023
- 著者名/発表者名
  Kumabe Takeru、Kawasaki Seiya、Watanabe Hirotaka、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 123 号: 25 ページ: 252101-252101
- DOI
  10.1063/5.0180062
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22KJ1532, KAKENHI-PROJECT-23K26559
[雑誌論文] Effective neutron detection using vertical-type BGaN diodes2021
- 著者名/発表者名
  Nakano Takayuki、Mochizuki Ken、Arikawa Takuya、Nakagawa Hisaya、Usami Shigeyoshi、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Vogt Adrian、Sch?tt Sebastian、Fiederle Michael、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Inoue Yoku、Aoki Toru
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 130 号: 12 ページ: 124501-124501
- DOI
  10.1063/5.0051053
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[雑誌論文] AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency2021
- 著者名/発表者名
  Morita Iori、Ishikawa Fumitaro、Honda Anna、Sato Daiki、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Tabuchi Masao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBK02-SBBK02
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd6e0
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication2021
- 著者名/発表者名
  Hidehiro Yasuda, Tomohiro Nishitani, Shuhei Ichikawa, Shuhei Hatanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Quantum Beam Science
  
  巻: 5 号: 1 ページ: 5-5
- DOI
  10.3390/qubs5010005
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15174, KAKENHI-PROJECT-17H06154, KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Multiple electron beam generation from InGaN photocathode2021
- 著者名/発表者名
  Sato Daiki、Shikano Haruka、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B
  
  巻: 39 号: 6 ページ: 062209-062209
- DOI
  10.1116/6.0001272
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum2020
- 著者名/発表者名
  Sato Daiki、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B
  
  巻: 38 号: 1 ページ: 012603-012603
- DOI
  10.1116/1.5120417
- NAID
  120006957719
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O-activated InGaN photocathode2020
- 著者名/発表者名
  Sato Daiki、Honda Anna、Koizumi Atsushi、Nishitani Tomohiro、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 223 ページ: 111229-111229
- DOI
  10.1016/j.mee.2020.111229
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[雑誌論文] Selective-area growth of GaN microrods on strain-induced templates by hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhal, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Tadashi Mitsunari, Akira Tamura, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with AlN seed layer by pulsed-mode metalorganic vapor2016
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae , B. O. Jung , K. Lekhal , S. Y. Kim , J. Y. Lee , D. S. Lee , M. Deki , Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  CrysEngComm
  
  巻: 18 号: 9 ページ: 1505-1514
- DOI
  10.1039/c5ce02056e
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Evaluation of excess In during metal organic vapor-phase epitaxy growth of InGaN by monitoring via in situ laser scattering2016
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Tadashi Mitsunari, Kentaro Nagamatsu, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146505
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Study of radiation detection properties of GaN pn diode2016
- 著者名/発表者名
  Mutsuhito Sugiura, Maki Kushimoto, Tadashi Mitsunari, Kohei Yamashita, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Hidenori Mimura, Toru Aoki and Takayuki Nakano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FJ02-05FJ02
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fj02
- NAID
  210000146544
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686014, KAKENHI-PROJECT-16H03899
[雑誌論文] Growth of semipolar (1-101) high-indium-content InGaN quantum wells using InGaN tilting layer on Si(001)2016
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum2015
- 著者名/発表者名
  S. Y. Bae, B. O. Jung, K. Lekhal, D. S. Lee, M. Deki, Y. Honda and H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146528
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Resonant Raman and FTIR spectra of carbon doped GaN2015
- 著者名/発表者名
  S.Ito, H.Kobayashi, K.Araki, K.Suzuki, N.Sawaki, K.Yamashita, Y.Honda, and H.Amano
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 414 ページ: 56-61
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2014.11.024
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[雑誌論文] Optically pumped lasing properties of (1-101) InGaN/GaN stripe multiquantum wells2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 2 ページ: 022702-022702
- DOI
  10.7567/apex.8.022702
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J03143, KAKENHI-PROJECT-24686041, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Highly ordered catalyst-free InGaN/GaN core-shell architecture arrays with expanded active area region2015
- 著者名/発表者名
  Jung Byung Oh, Bae Si-Young, Kim Sang Yun, Lee Seunga, Lee Jeong Yong, Lee Dong-Seon, Kato Yoshikhiro, Honda Yoshio, Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Nano Energy
  
  巻: 11 ページ: 294-303
- DOI
  10.1016/j.nanoen.2014.11.003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Yoshihiro Kato, Masataka Imura, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 16 号: 11 ページ: 2273-2282
- DOI
  10.1039/c3ce42266f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04366, KAKENHI-PROJECT-25000011
[雑誌論文] Nature of yellow luminescence band in GaN grown on Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  S.Ito, T.Nakakita, N.Sawaki, M.Irie, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 11S ページ: 11RC02-11RC02
- DOI
  10.7567/jjap.53.11rc02
- NAID
  210000144631
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[雑誌論文] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE
  
  巻: 8625 ページ: 6-6
- DOI
  10.1117/12.2002738
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009, KAKENHI-PROJECT-24656019
[雑誌論文] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Stacking 10 nm図 4:STEM 観察による InGaN ナノワイヤにおける双晶図 5 :InGaN ナノワイヤにおける双晶密度と積分 PL 強度の関係1011021034 1055 1056 1057 1058 105Integrated PL intensity (a.u.)Density of stacking faults (/cm)図 6:HOPG 基板上 GaN ナノワイヤ1μm faults and luminescence property of In- GaN nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Fabrication of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on (1-101) GaN2013
- 著者名/発表者名
  T. Tanikawa, T. Sano, M. Kushimoto, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JC05-08JC05
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jc05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 52 ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2013
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Strain relaxation in thick (1-101) InGaN grown on GaN/Si substrate2012
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b)
  
  巻: 249 号: 3 ページ: 468-471
- DOI
  10.1002/pssb.201100445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-10J08362, KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Impurity incorporation in semipolar (1-101)GaN grown on Si substrate2012
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, K.Hagiwara, T.Hikosaka, and Y.Honda
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science & Technology
  
  巻: 27 号: 2 ページ: 5-5
- DOI
  10.1088/0268-1242/27/2/024006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c)
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 646-649
- DOI
  10.1002/pssc.201100446
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN2012
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, K.Hagiwara, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE
  
  ページ: 7-7
- DOI
  10.1117/12.905529
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol
  
  巻: 9 ページ: 646-649
- NAID
  110008726018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[雑誌論文] Nitride LEDs on Si substrate2011
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki and Y.Honda
- 雑誌名
  
  Science China Technological Sciences
  
  巻: 54 号: 1 ページ: 38-41
- DOI
  10.1007/s11431-010-4182-2
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGa N epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z.H.Wu, Y.Kawai, Y.-Y.Fang, C.Q.Chen, H.Kondo, M.Hori, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98 号: 14
- DOI
  10.1063/1.3574607
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar (11-22) GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  T.Murase, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 50
- NAID
  210000138251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] Photonic properties of erbium doped InGaN alloys grown on Si (001) substrates2011
- 著者名/発表者名
  I.W.Feng, X.K.Cao, J.Li, J.Y.Lin,H.X.Jiang, N.Sawaki, Y.Honda,T.Tanikawa, and J.M.Zavada
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 98 号: 8 ページ: 3-3
- DOI
  10.1063/1.3556678
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Drastic reduction of dislocation density in semipolar (11-22)GaN stripe crystal on silicon substrate by dual selective metal-organic vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  T.Murase, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 50 号: 1S1 ページ: 01AD04-01AD04
- DOI
  10.1143/jjap.50.01ad04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (1-101) semi-polar GaN2011
- 著者名/発表者名
  Z.H.Wu, T.Tanikawa, T.Murase, Y.Y.Fang, C.Q.Chen, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 98 号: 5 ページ: 98-98
- DOI
  10.1063/1.3549561
- 年月日
  2011-01-31
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Spontaneous formation of highly regular superlattice structure in InGaN epilayers grown by molecular beam epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Z. H. Wu, Y. Kawai, Y.-Y. Fang, C. Q. Chen, H. Kondo, M. Hori, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- URL
  http://dx.doi.org/10.1063/1.3574607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656015
[雑誌論文] Drastic Reduction of Dislocation Density in Semipolar(11-22)GaN Stripe Crystal on Si Substrate by Dual Selective Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Murase, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 50
- NAID
  210000138251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] HVPE growth of a -plane GaN on a GaN template(110)Si substrate2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, N.Suzuki, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c) 7
  
  ページ: 1760-1763
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, N.Suzuki, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c)
  
  巻: 7 ページ: 1760-1763
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, N.Suzuki, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi C
  
  巻: 7 号: 7-8 ページ: 1760-1763
- DOI
  10.1002/pssc.200983563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[雑誌論文] Reduction of dislocations in a (11-22)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si2009
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, Y.Kagohashi, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2879-2882
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate2009
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Hikosaka, N, Koide, S.Tanaka, Y.Honda, M.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2867-2874
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate2009
- 著者名/発表者名
  N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi and T. Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth Online 14 Jan. doi.10.1016
  
  ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Reduction of dislocations in a(11-22)GaN grown by selective MOVPE on(113)Si2009
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, Y.Kagohashi, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2879-2882
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate2009
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Hikosaka, N.Koide, S.Tanaka, Y.Honda, M.Yamaguchi
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 311
  
  ページ: 2867-2874
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[雑誌論文] Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. sta. sol.(c) 5
  
  ページ: 2966-2968
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Fabrication and properties of semi- polar (1-101) and (11-22)InGaN/GaN MQW light emitting diode on patterned Si substrates2008
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. sta. sol.(c) 5
  
  ページ: 2234-2237
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Growth of non-polar (11-20)GaN on a patterned (110)Si substrate by selective MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, D.Rudolph, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 310
  
  ページ: 4999-5002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Al doping in (1-101)GaN films grownon patterned (001)Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki, J
- 雑誌名
  
  Appl. Phys 101.103513
  
  ページ: 1-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GaN microcrystal co-doped with Zn and Si2007
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, 他
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 300
  
  ページ: 110-113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Series resistance of n-Si/AlGaN/GaN structure grown by MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, S.Kato, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol 4
  
  ページ: 2740-2743
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Transport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN hetero- structures2007
- 著者名/発表者名
  X.X.Han, Y.Honda, T.Narita, M.Yamaguchi, and N.Sawaki, J
- 雑誌名
  
  Phys.: Condens. Matter 19, 046204
  
  ページ: 1-11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate by selective MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 298
  
  ページ: 207-210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Cathodoluminescence Properties of InGaN codoped with Zn and Si2006
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, Y.Yanase, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3・6
  
  ページ: 1915-1918
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Carbon Incorporation on (1 101) Facet of A1GaN in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys. 45・10A
  
  ページ: 7655-7660
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] The surface diffusion of Ga on an A1GaN/GaN stripe structure in the selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (b) 243・7
  
  ページ: 1665-1668
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat.sol 3
  
  ページ: 1425-1428
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure2006
- 著者名/発表者名
  H.Kondo, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Jap. J. Appl. Phys. 45・5A
  
  ページ: 4015-4017
- NAID
  40007248571
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] p-type conduction in a C-doped (1-101) GaN grown on a 7-degree-off oriented (001) Si substrate by selective MOVPE2006
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) 3・6
  
  ページ: 1425-1428
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet2005
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Stata Solidi 2
  
  ページ: 2349-2352
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Uniform growth of GaN on AlN template (111)Si substrate by HYPE2005
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.(c) 2巻・7号
  
  ページ: 2125-2128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760252
[雑誌論文] Uniform growth of GaN on AIN templated (111) Si substrate by HVPE2005
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 2巻・7号
  
  ページ: 2125-2128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760252
[雑誌論文] Growth and optical properties of InGaN/GaN quantum well on a (1-101) facet2005
- 著者名/発表者名
  T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol 2
  
  ページ: 2349-2352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Effect of Si doping to the (1-101)GaN grown on a 7 degree off oriented (001) Si by selective MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, Y.Honda, N.Koide, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  IOP Conf.Series 184
  
  ページ: 251-254
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE2005
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 印刷中
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760252
[雑誌論文] Incorporation of carbon on a (1-101)facet of GaN by MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 284
  
  ページ: 341-346
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE2005
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Physica Stata Solidi 2
  
  ページ: 2125-2128
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[雑誌論文] Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Sisubstrate2004
- 著者名/発表者名
  T.Hikosaka, T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 84
  
  ページ: 4717-4719
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[産業財産権] 窒化物半導体構造およびその製造方法2007
- 発明者名
  澤木宣彦、本田善央、彦坂年輝、谷川智之
- 権利者名
  国立大学法人名古屋大学
- 出願年月日
  2007-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] 耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価2024
- 著者名/発表者名
  工藤涼兵、櫻井辰大、小久保瑛斗、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] 長波長中性子ビームを用いた BGaN 検出器の中性子検出特性評価2024
- 著者名/発表者名
  櫻井辰大、安藤光佑、工藤涼兵、川崎晟也、都木克之、西澤潤一、日野正裕、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  Inter-Academia 2023 (iA2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] 過酷環境下での動作を目指した BGaN ダイオードの作製と諸特性評価2023
- 著者名/発表者名
  工藤涼兵、櫻井辰大、川崎晟也、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Development of BGaN diodes with high radiation tolerance for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] 高ドーズ中性子照射場における BGaN 検出器の放射線検出特性評価2023
- 著者名/発表者名
  櫻井辰大、工藤涼兵、川崎晟也、岸下徹一、櫻井良憲、八島浩、牧野高紘、大島武、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Fabrication and characterization of BGaN diodes for nuclear instrumentation system2023
- 著者名/発表者名
  Ryohei Kudo, Tatsuhiro Sakurai, Seiya Kawasaki, Tetsuichi Kishishita, Yoshinori Sakurai, Hiroshi Yashima, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  he 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Development of BGaN growth on Mg-doped GaN template for neutron imaging sensors2023
- 著者名/発表者名
  Yusaku Hashimoto, Shun Nishikawa, Seiya Kawasaki, Genichiro Wakabayashi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  Inter-Academia 2023 (iA2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23H00099
[学会発表] Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches2023
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi,Yoshio Honda,Takuya Maeda,Kohei Ueno,Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KK0094
[学会発表] III族窒化物半導体検出器の高温耐性評価2022
- 著者名/発表者名
  林幸佑、中川央也、川崎晟也、出来真斗、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] 傾斜組成 BGaN 層を用いた BGaN 放射線検出器の開発2022
- 著者名/発表者名
  夏目朋幸、宮澤篤也、中村大輔、林幸佑、橋本優作、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes2022
- 著者名/発表者名
  T. Nishitani,A. Narita, H. Iijima, A. Koizumi, D. Sato, S. Noda, Y. Arakawa, H. Shikano, Y. Honda and H. Amano
- 学会等名
  The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2022)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] 耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製2022
- 著者名/発表者名
  中村大輔、西川瞬、小関凌也、林幸佑、川崎晟也、權熊、若林源一郎、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)2021
- 著者名/発表者名
  宮澤篤也、太田悠斗、松川真也、林幸佑、中川央也、川崎晟也、安藤悠人、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] GaNダイオード放射線検出器のα線検出特性の温度依存性2021
- 著者名/発表者名
  中川央也、林幸佑、宮澤篤也、本田善央、天野浩、中野貴之、青木徹
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] Impact of growth pressure on the neutron-detection efficiency of BGaN diodes2021
- 著者名/発表者名
  A. Miyazawa, Y. Ohta, S. Matsukawa, K. Hayashi, H. Nakagawa, S. Kawasaki, Y. Ando, G. Wakabayashi, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
- 学会等名
  2021 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (2021 IEEE NSD MIC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い, The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristic in NEA activation method2021
- 著者名/発表者名
  鹿島将央, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] Impact of As2 pressure on the molecular beam epitaxial growth of AlGaAs superlattice at temperature over 700℃2021
- 著者名/発表者名
  Reiji Suzuki, Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomihiro Nishitani, Masao Tabuchi
- 学会等名
  21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE 2021), September 6-9, ONLINE
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] BGaNダイオードの高温環境下における検出特性評価2021
- 著者名/発表者名
  林幸佑、中川央也、宮澤篤也、川崎晟也、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] 厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価2021
- 著者名/発表者名
  松川真也、太田悠斗、宮澤篤也、中川央也、川崎晟也、安藤悠人、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長2021
- 著者名/発表者名
  鈴木玲士, 石川史太郎, 本田杏奈, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 田渕雅夫
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月12日, オンライン開催
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy for its application to semiconductor photocathode2020
- 著者名/発表者名
  I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials 2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  太田悠斗、高橋祐吏、山田夏暉、宮澤篤也、中川央也、川崎晟也、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors2019
- 著者名/発表者名
  T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki
- 学会等名
  2019 IEEE Nuclear Science Symposium (NSS) and Medical Imaging Conference (MIC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] Evaluation of BGaN growth temperature dependence and fabrication of neutron semiconductor detectors2019
- 著者名/発表者名
  Yuri Takahashi, Takayuki Maruyama, Natsuki Yamada, Kazushi Ebara, Yuto Ohta, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigehusa Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] Surface Functional Recovery with Anneal Treatment for GaN Photocathode2019
- 著者名/発表者名
  Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00666
[学会発表] BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出器の開発2019
- 著者名/発表者名
  太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] BGaN半導体中性子検出器のチップサイズ小型化2019
- 著者名/発表者名
  山田夏暉、太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製2019
- 著者名/発表者名
  太田悠斗、高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、中川央也、川崎晟也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、嶋紘平、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H04394
[学会発表] 中性子イメージングセンサーに向けたBGaN半導体検出器の開発2018
- 著者名/発表者名
  高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、太田悠人、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Fabrication of BGaN solid state detector for neutron imaging2018
- 著者名/発表者名
  Takayuki NAKANO, Ken MOCHIZUKI, Takayuki MARUYAMA, Natsuki YAMADA, Hisaya NAKAGAWA, Shigeyoshi USAMI, Yoshio HONDA, Hiroshi AMANO, Kazunobu KOJIMA, Shigefusa F. CHICHIBU, Yoku INOUE, Toru AOKI
- 学会等名
  International Workshop on Position Sensitive Neutron Detectors (PSND 2018 WORKSHOP)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Fabrication and evaluation of thick BGaN neutron detection diodes2018
- 著者名/発表者名
  Takayuki Maruyama, Yuri Takahashi, Natsuki yamada, Kazushi Ebara, Hisaya Nakagawa, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] 厚膜BGaN中性子半導体検出器の作製と放射線検出特性評価2018
- 著者名/発表者名
  丸山貴之、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価2018
- 著者名/発表者名
  高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Radiation detection characteristics of BGaN semiconductor detectors2018
- 著者名/発表者名
  N. Yamada, K. Mochizuki, T. Maruyama, K. Ebara, Y. Takahashi, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
- 学会等名
  2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製2018
- 著者名/発表者名
  高橋祐吏、丸山貴之、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製2018
- 著者名/発表者名
  丸山貴之、高橋祐吏、山田夏暉、江原一司、望月健、中川央也、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] BGaN半導体材料を用いた新規熱中性子検出器の提案と開発2017
- 著者名/発表者名
  中野貴之、望月健、宇佐美茂佳、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、三村秀典、井上翼、青木徹
- 学会等名
  日本原子力学会2017年秋の大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Fabrication and evaluation of vertical type BGaN diodes by MOVPE using trimethylboron2017
- 著者名/発表者名
  K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Arikawa, Y. Inoue, S. Usami, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, T. Aoki, and T. Nakano
- 学会等名
  The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] GaNダイオードを用いた各照射条件下におけるα線検出特性評価2017
- 著者名/発表者名
  中野貴之、有川卓弥、中川央也、宇佐美茂佳、久志本真希、本田喜央、天野浩、Schütt Sebastian、Vogt Adrian、Fiederle Michael、三村秀典、井上翼、青木徹
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, (神奈川県、横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Fabrication and evaluation of vertical type BGaN neutron detection diodes2017
- 著者名/発表者名
  T. Nakano, K. Mochizuki, T. Arikawa, H. Nakagawa, S. Usami, Y. Honda, H. Amano, K. Kojima, S. F. Chichibu, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki
- 学会等名
  2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] BGaN縦型ダイオードの作製と放射線検出特性の評価2017
- 著者名/発表者名
  望月健、中村匠、有川卓弥、宇佐美茂佳、久志本真希、本田善央、天野浩、小島一信、秩父重英、三村秀典、井上翼、青木徹、中野貴之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, (神奈川県、横浜市)
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] The growth of self-organized GaN nanowires on Si substrate by Molecular Beamepitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Yuri Tsutsumi, Tatsuya Hattori, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2016
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2016-02-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] レーザ散乱を用いたInGaN結晶成長表面粗さ回復の観察2016
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、永松謙太郎、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 光電流測定によるLED内部量子効率評価2016
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method2016
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
- 学会等名
  SPIE. PHOTONICS WEST
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Characterization of pin-GaN diodes radiation detection for alpha-ray2016
- 著者名/発表者名
  T. Arikawa, K. Mochizuki, M. Sugiura, H. Nakagawa, S. Usami, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, S. Schütt, A. Vogt, M. Fiederle, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki, T. Nakano
- 学会等名
  2016 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, and Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-Ray and Gamma-Ray Detectors (NSS/MIC/RTSD)
- 発表場所
  Strasbourg Convention Center, (Strasbourg, France)
- 年月日
  2016-10-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] III族窒化物放射線検出器に向けたGaN半導体α線検出特性の評価2016
- 著者名/発表者名
  中川央也, 有川卓弥, 望月健, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 本田善央, 天野浩, 三村秀典, 井上翼, 中野貴之, 青木徹
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、（新潟県、新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] Study on the range of alpha particles in GaN diodes2016
- 著者名/発表者名
  T. Nakano, T. Arikawa, K. Mochizuki, M. Sugiura, H. Nakagawa, S. Usami, M. Kushimoto, Y. Honda, H. Amano, S. Schütt, A. Vogt, M. Fiederle, H. Mimura, Y. Inoue, T. Aoki
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center, (Nagoya, Japan)
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03899
[学会発表] SELECTIVE GaN GROWTH ON AMORPHOUS LAYER BY COMBINED EPITAXY WITH MBE AND MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Jung-Wook Min, Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yong-Tak Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ICNS-11
- 発表場所
  Beijing, China
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Selective Area Growth of GaN Nanorods on Si (111) Grown by Pulsed-Mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  EーMRS学会
- 発表場所
  France
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] レーザその場観察を用いたInGaN結晶成長2015
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性2015
- 著者名/発表者名
  久志本　真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Lasing Properties of (1-101) InGaN/GaN Stripe Cavity Structure on Patterned (001) Si Substrate2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Si基板上(1-101)InGaNストライプレーザー作製に向けた共振器構造2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
- 発表場所
  東北大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN 系光デバイスの成長と特性評価2015
- 著者名/発表者名
  本田善央、田村彰、山本哲也、李昇我、久志本真希、天野浩
- 学会等名
  STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2015-06-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構2015
- 著者名/発表者名
  本田善央、田村彰、山本哲也、久志本真希、天野浩
- 学会等名
  第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解」
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2015-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optical Characterization and Structural Investigation of GaN Nanorod Arrays and its Based InGaN/GaN MQWs Core-Shell Nanoarchitecture Arrays2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Seunga Lee, Sang Yun Kim, Masataka Imura, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  2015 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, California, USA
- 年月日
  2015-04-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Reduction of Residual Carbon on Un-doped GaN Grown using Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Zheng Ye, Zheng Sun, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS2015
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  京都大学
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of Highly Ordered GaN Nanorod Light-Emitting Didoes on Si-Based AlN Template for Epitaxial Transfer2015
- 著者名/発表者名
  Si-Young Bae, Byuong Oh Jung, Ho-Jun Lee, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Characterization of light-emitting diode efficiency by biased photocurrent and photoluminescence measurement2015
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、光成正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Fabrication of High Indium Content InGaN Quantum Wells on Semipolar (1-101) Micro Stripe Crystals/Si2015
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, Y. Honda and H. Amano
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀県
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth and Characterization of Semipolar (1-101) High-Indium-Content InGaN Quantum Wells on Si (001)2015
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Low Temperature Volumetric Acceptor Activation of Bulk Mg-Doped GaN by Micro wave Irradiation2015
- 著者名/発表者名
  Marc L Olsson, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  MRS-Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 世界を照らす青色LED2015
- 著者名/発表者名
  本田善央
- 学会等名
  第20回東海地区分析研究会議講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-10-16
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] HVPE and VLS-HVPE Synthesis of GaN Nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Kaddour LEKHAL, Tadashi Mitsunari, R. Kizu, Si-Young Bae, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optimal Growth Condition in Pulsed-Mode MOVPE Process for Selective Area Growth of GaN Nanorod Arrays and Its Based 3D-LED Structure2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh JUNG, Si-Young BAE, Masataka IMURA, Yoshio HONDA, Hiroshi AMANO
- 学会等名
  ICMAT2015 & IUMRS-ICA2015
- 発表場所
  Suntec City, Singapore
- 年月日
  2015-06-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上InGaN/GaN多重量子井戸の成長Ⅱ2015
- 著者名/発表者名
  田村彰、山本哲也、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた(0001)面GaN上lnGaN/GaN多重量子井戸の成長2015
- 著者名/発表者名
  田村彰、山本哲也、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effect of Increasing Pressure on the Growth of High-Indium-Content InGaN by MOVPE2015
- 著者名/発表者名
  A. Tamura, T. Yamamoto, K. Yamashita, Y. Honda, H. Amano
- 学会等名
  OPIC2015 LEDIA
- 発表場所
  パシフィコ横浜・会議センター
- 年月日
  2015-04-22
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス (神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires2015
- 著者名/発表者名
  Kaddour Lekhall, Si-Young Bae, Ho-Jun Lee, Zheng Sun, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of InGaN well layer with an in-situ monitoring system2015
- 著者名/発表者名
  山本哲也、田村彰、宇佐美茂佳、永松謙太郎、新田州吾、本田善央、天野浩
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Structural and optical study of core-shell InGaN layers of GaN nanorods on Si substrates via pulsed-mode MOCVD2015
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal Dong-Seon Lee, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-6
- 発表場所
  浜松アクトシティ
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] バイアス印加光電流およびバイアス印加PL測定によるLED評価2015
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳, 本田善央、天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 半極性(1-101)GaNストライプ結晶上高In組成InGaN成長2015
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 指向性スパッタリングAlN中間層を用いたSi(001)基板上単結晶(10-13)GaN成長2015
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] MOHVPE法により成長したGaN膜中の光容量測定2015
- 著者名/発表者名
  出来真斗、叶正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optical gain spectra of (1-101) InGaN stripe cavity structures on a patterned (001) Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall conference center
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (1-101) InGaNマイクロキャビティの誘導放出2014
- 著者名/発表者名
  久志本　真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] X線反射、CTR散乱及びレーザ吸収散乱法を用いた窒化物半導体結晶成長の原子レベルその場観察2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、山下康平、光成正、鞠光旭、本田善央、田渕雅夫、竹田美和、渕真悟、天野浩
- 学会等名
  平成26年度文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業微細構造解析プラットフォーム放射光利用研究セミナー
- 発表場所
  大阪大学大学院基礎工学研究科国際棟セミナー室
- 年月日
  2014-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation2014
- 著者名/発表者名
  孫政, 永山勉, 渡邊哲也, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Effect of Pressure Increase on the Growth of High-In-Content InGaN by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  A. Tamura, T. Yamamoto, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda
- 学会等名
  ISSLED2014
- 発表場所
  International Conference Center, National Sun Yat-sen University (Kaohsiung, Taiwan)
- 年月日
  2014-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Realization of vertically well-aligned GaN nanowire based core-shell array growth by MOVPE : Morphology evolution and luminescent properties2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Masataka Imura, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN/GaN超格子分極によるp型伝導の温度依存性2014
- 著者名/発表者名
  石井貴大, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- 年月日
  2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] LEDにおける光電流を考慮した内部量子効率測定2014
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001)Si基板上半極性面工nGaN光共振器の誘導放出特性2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Optical gain spectra of (1–101) InGaN stripe cavity structures2014
- 著者名/発表者名
  Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall conference center
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Growth optimization of green InGaN multi-quantum well by in situ monitoring system2014
- 著者名/発表者名
  光成正、本田善央、天野浩
- 学会等名
  LEDIA'14
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2014-04-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Recent Development of Atomic-Level in Situ Growth Monitoring Tools for the Fabrication of Nitride-Based Light Emitting Devices2014
- 著者名/発表者名
  H. Amano, G. Ju, A. Tamura, S. Usami, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, S. Fuchi
- 学会等名
  WLED-5
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2014-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] FTIR spectra in a heavily carbon doped (0001)GaN2014
- 著者名/発表者名
  K.Araki, K.Suzuki, N.Sawaki, K.Yamashita, Y.Honda, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma2014
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001) Si基板上(1-101)ストライプInGaN共振器構造の誘導放出2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Two types of buffer layer for the growth of GaN on highly lattice mismatched substrates and their impact on the development of sustainable systems2014
- 著者名/発表者名
  Tadashi Mitsunari, Koji Okuno, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  Deutsche Physikalische Gesellschaft e. V.
- 発表場所
  Dresden, Germany
- 年月日
  2014-04-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Study of Ga-polar GaN nanowire arrays formation mechanism using pulsed-mode MOVPE growth technique2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Dong-Seon Lee. Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  ISGN-5
- 発表場所
  The Westin Hotel Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, USA
- 年月日
  2014-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] TiN層を導入した昇華法AlN成長2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会SC東海地区学術講演会2014
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Detail study on AlN bulk crystal grown by sublimation2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  IUMRS-ICA2014
- 発表場所
  福岡大学(福岡県福岡市)
- 年月日
  2014-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Diffuse laser based in situ monitoring of the growth of green InGaN multi quantum well2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩, 他
- 学会等名
  第33回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺 (静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 逆方向バイアス下光電流測定によるSRHモデル修正2014
- 著者名/発表者名
  宇佐美茂佳、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Growth of (1-101)InGaN stripes on patterned (001)Si substrate2014
- 著者名/発表者名
  曾根康和、久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  IUMRS-ICA2014
- 発表場所
  福岡大学(福岡県福岡市)
- 年月日
  2014-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] AlGaN系材料・発光デバイスの現状と今後の課題2014
- 著者名/発表者名
  石井貴大、袴田涼馬、若杉侑也、本田善央、天野造、山川雅康、伴和仁、永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕
- 学会等名
  (独)日本学術振興会第145委員会
- 発表場所
  明治大学駿河台キャンパス
- 年月日
  2014-01-17
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いた半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の成長2014
- 著者名/発表者名
  田村彰、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Orientation improvement of AlN with thin Ti pre-deposition on the Si (001) substrate2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  IWN2014
- 発表場所
  Wroclaw Centennial Hall conference center
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Laser-based in situ monitoring of high In-content InGaN growth on GaN (0001)2014
- 著者名/発表者名
  光成正, 本田善央, 天野浩, 他
- 学会等名
  ISSLED 2014
- 発表場所
  台湾国立中山大学
- 年月日
  2014-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Ultraprecision surface monitoring during growth of InGaN on GaN2014
- 著者名/発表者名
  H. Amano, G. Ju, A. Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, and S. Fuchi
- 学会等名
  WUPP for Wide-gap Semiconductors, 2014
- 発表場所
  Bath, UK
- 年月日
  2014-08-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (1-101) InGaNマイクロキャビティの誘導放出2014
- 著者名/発表者名
  久志本真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Nature of yellow luminescence band in high quality GaN2014
- 著者名/発表者名
  S.Ito, T.Nakakita, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma2014
- 発表場所
  Nagoya
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Selective area grown GaN nanowire based InGaN/GaN MQWs coaxial array : structural characterization and luminescent properties2014
- 著者名/発表者名
  Byung Oh Jung, Si-Young Bae, Sang Yun Kim, Dong-Seon Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center、Sheraton Boston Hotel (Boston, Massachesetts, USA)
- 年月日
  2014-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] 金属マスクを用いた昇華法AlN選択成長2014
- 著者名/発表者名
  袴田涼馬, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] Defect structure in a (1-101)GaN grown on a patterned (001)Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2013
- 発表場所
  Nagoya (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] TEM analyses of GaN grown with AlInN intermediate layer on Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasam 2013
- 発表場所
  Nagoya.
- 年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] FTIR analyses of carbon doped (1-101)GaN grown on a patterned Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  K.Hagiwara, N.Sawaki, K.Yamashita, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2013
- 発表場所
  Nagoya (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] Anisotropic Optical Properties of Semipolar (1-101) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on a Patterned Si Substrate2013
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  京都（同志社大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いたInGaN/GaN多重量子井戸の成長2013
- 著者名/発表者名
  土井友博,　本田善央,　山口雅史,　天野浩
- 学会等名
  第74回応用物理学会
- 発表場所
  京都（同志社大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2013, Feb. 4
- 発表場所
  San Francisco (USA).
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] FTIR analyses of carbon doped (1-101)GaN grown on a patterned Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  K.Hagiwara, N.Sawaki, K.Yamashita, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2013
- 発表場所
  Nagoya.
- 年月日
  2013-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] Coalescence and generation of stacking faults in a (1-101)GaN grown on a patterned (001)Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Taipei
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  京都（同志社大学）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, N.Sawaki, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2013
- 発表場所
  San Francisco (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] TEM analyses of GaN grown with AlInN intermediate layer on Si substrate2013
- 著者名/発表者名
  S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, N.Sawakui, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2012
- 発表場所
  Nagoya (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] 半極性(1-101)GaN における積層欠陥の振る舞い2013
- 著者名/発表者名
  中北太平、伊藤翔悟、岩田博之、澤木宣彦、本田善央、山口雅史、天野浩
- 学会等名
  電気関係学会東海支部学術講演会
- 発表場所
  静岡大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Growth of high quality GaN on (111)Si using AlN:In nucleation layer2013
- 著者名/発表者名
  S.Ito, T.Nakagita, S.Kawakita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  Taipei
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Si基板上GaN/AlInNエピタキシャル膜のPLスペクトル2013
- 著者名/発表者名
  伊藤翔悟、中北太平、澤木宣彦、入江将嗣、本田善央、山口雅史、天野浩
- 学会等名
  電気関係学会東海支部学術講演会
- 発表場所
  静岡大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate2013
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Nakagita, S.Ito, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  SPIE-OPTO 2013
- 発表場所
  San Francisco (USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Light Emission Polarization Properties of (1-101) InGaN/GaN MQWs with Cavity Structure on Patterned Si Substrate2013
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] High pressure InGaN growth by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, S. Sakakura, T. Doi, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  第31回電子材料シンポジウム31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  静岡県伊豆市
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Si 基板上 InGaN ナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Optical polarization properties in semipolar (1-101) InGaN/GaN multiple quantum well on a patterned Si Substrate2012
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  北海道札幌市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] TEM analyses of GaN grown on (111)Si substrate via an AlInN intermediate layer2012
- 著者名/発表者名
  S.Kawakita, H.Iwata, T.Nakagita, S.Ito, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  International Workshop on NitrideSemiconductors
- 発表場所
  Sapporo.
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] RF-MBE法によるガラス基板上InGaNナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 渕真悟, 竹田美和
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回　窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] InGaN growth on GaN/Sapphire by high pressure MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, S. Sakakura, T. Doi, T. Tanikawa, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  北海道札幌市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Si基板上InGaNナノワイヤの積層欠陥と発光特性2012
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] TEM analyses of GaN grown on (111)Si substrate via an AlInN intermediate layer2012
- 著者名/発表者名
  S.Kawakita, H.Iwata, T.Nakagita, S.Ito, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo (Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] Challenge for the growth of high-In-content InGaN2012
- 著者名/発表者名
  T. DOI:, T. Ohata, T. Tabata, S. Nakagawa, Y. Kawai, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  III-V and III-N-based High Efficiency Solar Cells for Future Energy Harvesting(Invited)
- 発表場所
  Chiba, Japan
- 年月日
  2012-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Si 基板上 III-V族化合物半導体ナノワイヤの成長と応用2012
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,中川慎太, 本田善央, 天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性2012
- 著者名/発表者名
  久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野浩
- 学会等名
  信学会電子デバイス(ED)研究会
- 発表場所
  愛知県豊橋市
- 年月日
  2012-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] InGaN growth on GaN/Sapphire by high pressure MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  Yoshio Honda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Carbon related local vibration mode in a (1-101)AlGaN grown on a (111)Si substrate2012
- 著者名/発表者名
  K.Hagiwara, N.Sawaki, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2012
- 発表場所
  Kasugai.
- 年月日
  2012-03-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也、土井友博、大畑俊也、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Polarization properties 1n InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101) GaN/Si2012
- 著者名/発表者名
  M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  第31回電子材料シンポジウム31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
- 発表場所
  静岡県伊豆市
- 年月日
  2012-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] RF-MBE法によるグラファイト基板上GaNナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太，田畑拓也，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法によるグラファイト基板上 GaN ナノワイヤの成長2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 加圧MOVPEによるInGaN結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  本田善央, 坂倉誠也, 土井友博, 谷川智之, 山口雅史, 天野
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 高In組成InGaN実用化にむけて2012
- 著者名/発表者名
  天野浩、山口雅史、本田善央、谷川智之、坂倉誠也、大畑俊也、田畑拓也
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] GaN nanowires grown on a graphite substrate by RF-MBE2012
- 著者名/発表者名
  S. Nakagawa, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN2012
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, K.Hagiwara, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2012
- 発表場所
  San Francisco (USA).
- 年月日
  2012-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] HRTEM analyses of GaN/AlInN/(111)Si grown by MOVPE2012
- 著者名/発表者名
  S.Kawakita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasam 2012
- 発表場所
  Kasugai.
- 年月日
  2012-03-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] Stacking faults and luminescence property of In- GaN nanowires2012
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo
- 年月日
  2012-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] RF-MBE 法によるガラス基板上 InGaN ナノ構造の作製2012
- 著者名/発表者名
  中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史, 天野浩, 渕真悟 , 竹田美和
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] TEM analyses of high-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer2011
- 著者名/発表者名
  S.Kawakita, H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] 加圧MOVPE法によるInGaN/GaN MQW構造のIn組成揺らぎの改善2011
- 著者名/発表者名
  大畑俊也, 坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  春日、福岡
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] (111)Si基板上GaNのボイドを用いた残留応力低減2011
- 著者名/発表者名
  光成正, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (要旨集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上への InGaN ナノワイヤの成長 II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也,白知鉉,本田善央,山口雅史,天野浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN Nanowires on a (111)Si Substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow, U.K.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] High-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer2011
- 著者名/発表者名
  S.Kawakita, H.Iwata, D.Kato, T.Tachibana, Y.Tani, T.Nakajima, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  Toba.
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] RF-MBE 法による(111)Si 基板上へのInGaN ナノワイヤの成長II2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 発表場所
  鳥羽国際ホテル（三重県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE2011
- 著者名/発表者名
  T. Tabata, J.H. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Glasgow (U.K.)
- 年月日
  2011-07-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] 組成および井戸層厚を変調させたInGaN擬周期構造に関する研究2011
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也，白　知鉉，本田善央，山口雅史，天野　浩
- 学会等名
  信学会電子デバイス(ED)研究会
- 発表場所
  名古屋ベンチャービジネスラボラトリー（愛知県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Second- and third-generation nitride-based LEDs and challenge for future photovoltaic applications2011
- 著者名/発表者名
  T.Sano, T.Ohata, S.Sakakura, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano, M.Mori, M.Iwaya, M.Imade, Y.Mori
- 学会等名
  EDIS2011
- 発表場所
  生命ホール、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] MBE 法による Si 基板上化合物半導体ナノワイヤ成長と評価2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史,白知鉉,田畑拓也,本田善央,天野浩
- 学会等名
  第15回名古屋大学 VBL シンポジウム
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] Local vibration modes in a carbon doped (1-101)AlGaN grown on a (111)Si substrate2011
- 著者名/発表者名
  K.Hagiwara, R.Katayama, M.Amano, N.Sawaki, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
- 発表場所
  T.Tachibana, Y.Tani, T.Nakajima, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano, "High-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer," Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011), May 23 (2011), Toba.
- 年月日
  2011-05-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] FTIR spectra and LVMs in a carbon doped (1-101)GaN grown on a (001)Si substrate by MOVPE," ISPlasma2011
- 著者名/発表者名
  K.Hagiwara, M.Amano, R.Katayama, N.Sawaki, Y.Honda, T.Hikosaka, T.Tanikawa, N.Koide, M.Yamaguchi, and H.Amano
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360009
[学会発表] GaN growth on patterned Si/GaN template by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Y.Honda
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor(IWBNS-7)
- 発表場所
  Koyasan(高野山)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Effect of high-quality GaN substrates on the improvement of performance of group-III-nitride-based devices2011
- 著者名/発表者名
  H.Amano, T.Sugiyama, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, Y.Isobe, A.Mishima, T.Makino, M.Iwaya, M.Imade, Y.Kitaoka, Y.Mori
- 学会等名
  ECO-MATES2011
- 発表場所
  阪急ホテルエクスポパーク、大阪(招待講演)
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] 石英基板上InGaN ナノワイヤの成長2011
- 著者名/発表者名
  山口雅史，田畑拓也，白　知鉉，本田善央，天野　浩
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学（山形県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651146
[学会発表] GaN growth on patterned Si/GaN template by HVPE2011
- 著者名/発表者名
  Y.Honda
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor (IWBNS-7)
- 発表場所
  Koyasan和歌山県伊都郡高野町
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤの成長2011
- 著者名/発表者名
  田畑拓也, 白知鉉, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (要旨集)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 紫外～赤色LED究極効率を目指した窒化物半導体結晶成長技術2010
- 著者名/発表者名
  天野浩, 本田善央, 山口雅史
- 学会等名
  窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会「GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状」
- 発表場所
  仙台
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプレーザー構造の光学特性2010
- 著者名/発表者名
  村瀬輔, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプレーザー構造の光学特性2010
- 著者名/発表者名
  村瀬輔, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス(長崎県長崎市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 半極性面GaNストライプ上InGaN/GaN MQWのMOVPE選択成長(II)2010
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Recent development of nitride-based micro- and nano-rod structure on Si and their application to high performance light emitters2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, T.Murase, T.Tabata, Y.Kawai, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano
- 学会等名
  9th International Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya(名古屋)
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み2010
- 著者名/発表者名
  山下康平, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 加工Si基板上(1-101)GaNの不純物取り込み2010
- 著者名/発表者名
  山下康平, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス(長崎県長崎市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 加圧MOVPE法を用いたInGaN結晶成長2010
- 著者名/発表者名
  坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～&若手ポスター発表会」
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22246004
[学会発表] Recent development of nitride-based micro- and nano-rod structure on Si and their application to high performance light emitters2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanikawa, T.Murase, T.Tabata, Y.Kawai, Y.Honda, M.Yamaguchi, H.Amano
- 学会等名
  9th International Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2010-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 半極性面GaNストライプ上InGaN/GaN MQWのMOVPE選択成長(II)2010
- 著者名/発表者名
  谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス(長崎県長崎市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Fabrication of InGaN/GaN stripe structure on (111)Si and stimulated emission properties under photo-excitation2009
- 著者名/発表者名
  B.Kim, T.Tanikawa, Y.Honda, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures
- 発表場所
  Kobe(神戸)神戸国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Si基板上半極性面GaNへのInGaNヘテロ成長2009
- 著者名/発表者名
  本田善央
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Si基板上半極性面GaNへのInGaNヘテロ成長2009
- 著者名/発表者名
  本田善央
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  日東京農工大(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] GaN/InGaN hetero growth on(1-101)and (11-22)GaN on Si substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, T.Tanikawa, B.J.Kim, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  Shiga(滋賀)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] 選択MOVPE法を用いたSi基板上(11-22)GaNの転位低減2009
- 著者名/発表者名
  村瀬輔, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 澤木宣彦
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] GaN/InGaN hetero growth on (1-101) and (11-22) GaN on Si substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Honda, T.Tanikawa, B.J.Kim, M.Yamaguchi, N.Sawaki
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  Shiga(滋賀))ラフォーレンホニ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760012
[学会発表] Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate (Invited)2008
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, and Yamaguchi
- 学会等名
  ISGN-2
- 発表場所
  Izu
- 年月日
  2008-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001) Si substrate2008
- 著者名/発表者名
  Y. Honda, 他
- 学会等名
  Intern. Workshop Nitride Semiconductor 2008
- 発表場所
  Montreux (Swiss)
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101)2007
- 著者名/発表者名
  EH.Kim, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 学会等名
  HCIS-15
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Energy relaxation process of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN2007
- 著者名/発表者名
  J.Saida, EH.Kim, T.Hikosaka, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki
- 学会等名
  ICNS-7
- 発表場所
  Las Vegas
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] 加工シリコン基板上への半極性GaNの選択成長と物性2007
- 著者名/発表者名
  彦坂年輝、谷川智之、本田善央、山口雅史、澤木宣彦
- 学会等名
  JSPS-162研究会
- 発表場所
  川口屋リバーサイドホテル
- 年月日
  2007-12-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Acceptor Level due to Carbon in a (1-101)AlGaN2006
- 著者名/発表者名
  N.Sawaki, N.Koide, T.Hikosaka, Y.Honda, and M.Yamaguchi
- 学会等名
  28th ICPS
- 発表場所
  Wien
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106001
[学会発表] Improvement of crystalline quality of GaN on Si by an AlInN nucleation layer
- 著者名/発表者名
  T.Yagi, R.Tanabe, T.Kanematsu, H.Kobayashi, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, and H.Amano
- 学会等名
  ISPlasma 2015
- 発表場所
  Nagoya University(名古屋市千種区)
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Demonstration of GaInN-based laser pumped by an electron beam
- 著者名/発表者名
  M. Iwaya, K. Kozaki, T. Yamada, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, Y. Honda, H. Amano, S. Iwayama, J. Matsuda, N. Matsubara, and T. Matsumoto
- 学会等名
  International workshop on nitride semiconductors
- 発表場所
  ヴロツワフ/ポーランド
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25000011
[学会発表] (001)Si 基板上半極性面InGaN 光共振器の誘導放出特性
- 著者名/発表者名
  久志本　真希、本田善央、天野浩
- 学会等名
  第75回　応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-16 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686041
[学会発表] Effect of annealing on the defect related emission in GaN grown on Si substrate
- 著者名/発表者名
  H.Kobayashi, T.Yagi, R.Tanabe, T.Kanematsu,H.Iwata, N.Sawaki, M.Irie, Y.Honda, and H.Amano
- 学会等名
  APWS 2015
- 発表場所
  The K Seoul Hotel (Seoul, Korea)
- 年月日
  2015-05-17 – 2015-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] 炭素ドープ半極性(1-101)GaN の光学特性
- 著者名/発表者名
  小林宙主、澤木宣彦、山下康平、彦坂年輝、本田善央、天野浩
- 学会等名
  平成26年電気電子情報関係学会東海支部連合大会
- 発表場所
  中京大学（名古屋市天白区）
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Optical spectra and yellow luminescence in C doped GaN
- 著者名/発表者名
  H.Kobayashi, N.Sawaki, K.Yamashitta, T.Hikosaka, Y.Honda, and H.Aman
- 学会等名
  ISPlasma 2015
- 発表場所
  Nagoya University(名古屋市千種区)
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019
[学会発表] Resonant Raman and FTIR spectra of carbon doped GaN
- 著者名/発表者名
  S.Ito, K.Araki, K.Suzuki, N.Sawaki, K.Yamashita, Y.Honda, and H.Amano
- 学会等名
  ICMOVPE 2014
- 発表場所
  EPFL(Lousanne, Swiss)
- 年月日
  2014-07-13 – 2014-07-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656019

1. 山口雅史 (20273261)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 61件
2. 澤木宣彦 (70023330)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 62件
3. 天野浩 (60202694)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 119件
4. 中野貴之 (00435827)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 40件
5. 田中成泰 (70217032)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 1件
6. 青木徹 (10283350)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 39件
7. 竹内哲也 (10583817)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
8. 岩谷素顕 (40367735)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
9. 西谷智博 (40391320)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 10件
10. 井上翼 (90324334)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 30件
11. 岩田博之 (20261034)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
12. 出来真斗 (80757386)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
13. 大野雄高 (10324451)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 成塚重弥 (80282680)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 福山博之 (40252259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 目黒多加志 (20182149)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
19. 洗平昌晃 (20537427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 成田哲博 (30360613)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
21. 石川史太郎 (60456994)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
22. 田渕雅夫 (90222124)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
23. 市川修平 (50803673)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 保田英洋 (60210259)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 七井靖 (80755166)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 小島一信 (30534250)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
27. 嶋紘平 (40805173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
28. 田中敦之 (30774286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. 新田州吾 (80774679)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 村上尚 (90401455)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
32. 若林源一郎 (90311852)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
33. 加藤和利 (10563827)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. 三上裕也 (80943662)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
36. 小林篤 (20470114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
37. 前田拓也 (20965694)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
38. 宇佐美茂佳 (30897947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
39. 今西正幸 (00795487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
40. 久志本真希

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
41. LU SHUN

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
42. 大西一生

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
43. BAE Si-Young

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 6件
44. 畑中修平

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

本田 善央 Honda Yoshio

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

全窒化ガリウムパワー統合プラットフォームの開発に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半極性ＧａＮ／Ｓｉ上へのＩｎＧａＮ高圧成長及び歪制御によるＬＤの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

本田善央 Honda Yoshio