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染谷 満  Sometani Mitsuru

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60783644
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
大区分D / 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
キーワード
研究代表者
MOSFET / 原子的平坦化 / 原子的平坦面 / 原子的平坦界面 / チャネル移動度 / 電界効果トランジスタ / シリコンカーバイド / プロセスインテグレーション / 移動度 / 散乱 / パワーデバイス / MOS界面 / SiC … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る 界面科学 / MOS構造 / パワーデバイス / 炭化珪素 / GaN / IV族系半導体 / 電子スピン共鳴 / 炭素ダングリングボンド / PbCセンター / BVセンター / MOSFET / 4H-SiC / MOS界面 / スピン欠陥 / 電流検出型電子スピン共鳴 / 電流検出 / 窒化ガリウム / 炭化ケイ素 / ダイヤモンド / スピン依存チャージポンピング / 電流検出型電子スピン共鳴分光 / 第一原理計算 / 電子スピン共鳴分光 / ワイドギャップ半導体 / MOS界面欠陥 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (10件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築

    • 研究代表者
      渡部 平司
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 審査区分
      大区分D
    • 研究機関
      大阪大学
  •  SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減研究代表者

    • 研究代表者
      染谷 満
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

    • 研究代表者
      藤ノ木 享英 (梅田享英)
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分29:応用物理物性およびその関連分野
    • 研究機関
      筑波大学

すべて 2023 2022 2021

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2023

    • 著者名/発表者名
      Sometani Mitsuru、Nishiya Yusuke、Kondo Ren、Inohana Rei、Zeng Hongyu、Hirai Hirohisa、Okamoto Dai、Matsushita Yu-ichiro、Umeda Takahide
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 11 号: 11 ページ: 111119-111124

    • DOI

      10.1063/5.0171143

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-21H04553
  • [雑誌論文] Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 120 号: 6 ページ: 064001-064001

    • DOI

      10.1063/5.0078189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340, KAKENHI-PROJECT-20J15088
  • [学会発表] Comparison of polar-face and non-polar faces 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques2023

    • 著者名/発表者名
      R. Kondo, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, T. Umeda
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] a面4H-SiC MOS界面の室温~低温ESR/EDMR評価2023

    • 著者名/発表者名
      近藤蓮、曽弘宇、染谷満、平井悠久、渡部平司、梅田享英
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第10回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] 4H-SiC(11-20)面(a面) MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光(ESR/EDMR)評価2023

    • 著者名/発表者名
      近藤蓮、染谷満、渡部平司、梅田享英
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation2023

    • 著者名/発表者名
      M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita,T. Umeda
    • 学会等名
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces2022

    • 著者名/発表者名
      M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
    • 学会等名
      19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04166
  • [学会発表] EDMRとCV測定の組み合わせによるSiO2/SiC界面欠陥のエネルギーレベルの推定2022

    • 著者名/発表者名
      染谷満、西谷侑将、近藤蓮、猪鼻伶、曾弘宇、平井悠久、岡本大、松下雄一郎、梅田享英
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第9回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • [学会発表] 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響2021

    • 著者名/発表者名
      染谷満、平井悠久、岡本光央、畠山哲夫、原田信介
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第8回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04166
  • [学会発表] Electrical detection of Tv2a-type VSi centres in SiC-MOSFET2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, A. Chaen, M. Sometani, S. Harada, Y. Yamazaki, T. Ohshima, T. Umeda
    • 学会等名
      European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00340
  • 1.  藤ノ木 享英 (10361354)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  牧野 俊晴 (20360258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  五十嵐 信行 (40771100)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  磯谷 順一 (60011756)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  松下 雄一郎 (90762336)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 6.  原田 信介 (20392649)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  平井 悠久 (10828122)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  升本 恵子 (60635324)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  渡部 平司 (90379115)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  小林 拓真 (20827711)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  梅田 享英
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 8件

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