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井野 正三  INO Shozo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70005867
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1999年度 – 2000年度: 宇都宮大学, 工学部, 教授
1997年度: 宇都宮大学, 工学部, 教授
1993年度 – 1996年度: 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授
1995年度: 東京大学大学院, 理学系研究所, 教授
1994年度: 東京大学, 大学院理学系研究科, 教授 … もっと見る
1988年度 – 1992年度: 東京大学, 理学部, 教授
1987年度: 東京大学, 理学部物理学教室, 教授
1986年度: 東大, 理学部, 教授
1985年度: 東京大学, 理, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
広領域 / 固体物性 / 応用物性
研究代表者以外
表面界面物性 / 固体物性 / 地球化学 / 広領域 / 結晶学
キーワード
研究代表者
反射高速電子回折 / X線分光 / reflection high energy electron diffraction / semiconductor surface / epitaxy / 半導体表面 / エピタクシー / metal ultra thin film / surface conductivity / 金属超薄膜 … もっと見る / 表面電気伝導 / surface structure / 反射高速電子回折(RHEED) / 表面構造 / 反射高速電子回析 / ion beam / X線全反射角分光 / 結晶表面 / イオンビーム / 電子ビーム / X-ray spectroscopy / ferromagnetic film / thin film fine structure / metal thin film / micelle structure / organic molecule / metal fine particle / 強磁性薄膜 / 金属微粒子 / 強〓性薄膜 / 薄膜組織体 / 金属薄膜 / ミセル構造 / 有機分子 / 金属徴粒子 / beta-mercaptopropionic acid / alkanthiols / self-assembled particle / organometallic micelle / MTP micelle / multiply twinned particle (MTP) / vacuum deposition / gold particle / X線回折 / 核磁気共鳴 / 透過型電子顕微鏡 / ウニ微粒子 / 多重双晶粒子 / ナノミセル / β-メルカプトプロピオン酸 / B-メカプトプトピオン酸 / アルカンチオール / 自己組織粒子 / 有機金属ミセル / MTPミセル / 多重双晶粒子(MTP) / 真空蒸着 / 金粒子 / total reflection angle X-ray spectroscopy / reflection high-energy electron diffraction / ultra-high vacuum / surface / thin film / oxide high-Tc superconductor / oxigen / metastable atom / 全反射角X線分光 / 全反射X線分光 / 超高真空 / 表面 / 薄膜 / 酸化物高温超伝導体 / 酸素 / 励起原子 / scanning tunneling microscopy / 走査トンネル顕微鏡 / scanning electron microscopy / 走査電子顕徴鏡 / 走査電子顕微鏡 / 脱離過程 / 成長過程 / 原子層成長 / ゲルマニウム / 電子顕微鏡 / タイヤモンド薄膜 / 半導体薄膜 / 超伝伝導薄膜 / エピタクシャル成長 / エピタクシ- … もっと見る
研究代表者以外
RHEED / 表面電気伝導 / 表面超構造 / 反射高速電子回折 / 表面 / surface conductivity / 走査トンネル顕微鏡 / 2次元検出 / エネルギ-分析器 / 球面鏡分析器 / REM / SPA-LEED / 全反射角 / ホール効果 / 空間電荷層 / 半導体表面 / 角度分布 / 光電子回折 / 光電子分光 / 分析器 / double modulation FT-IRS / STM / Magnetic thin film / Surface isocyanate / Surface formate / NiO (111) thin film / ギ酸 / 偏光変調反射赤外分光 / モデル酸化物表面 / 偏光変調反射赤外分光法 / 走査型トンネル顕微鏡 / 磁性薄膜 / 表面イソシアネート / 表面ギ酸イオン / 酸化ニッケル薄膜 / Surface analysis / Total-reflection angle / Soft X-ray spectroscopy / 表面分析法 / 軟X線分光 / domains / two-dimensional gas phase / semiconductor interface / metal / deposition / scanning tunneling microscopy / surface electrical conduction / surface superstructures / silicon / 金属-半導体界面 / ドメイン / 2次元ガス相 / 金属・半導体界面 / 蒸着 / シリコン / facet plane / high index surfaces / adsorbate strcuctures / phase transition / silicon surfaces / 表面電子顕微鏡 / 電子線回折 / サーファクタント / 高指数表面 / ファセット面 / 高指数面 / 吸着構造 / 相転移 / シリコン表面 / space-charge layr / Silicon (111) surface / Field effect / Hall effect / surface superstractures / semiconduetor-metal interfaces / 表面構造 / 半導体・金属・界面 / シリコン(111)表面 / 電界効果 / 半導体・金属界面 / semiconductor surface / chemical analysis / surface analysis / crystal spectrometer / total reflection angle / X-ray spectroscopy / 深さ分析 / EXAFS / 組成分析 / 表面分析 / 結晶分光器 / X線分光 / Photoelectron Diffraction / Surface / Electronic State / Energy Band / Photoelectron Spectroscopy / 2-dimensional Detection / Energy Analyzer / Spherical Mirror Analyzer / 光電子回析 / 電子状態 / エネルギ-バンド / エピタクシー / ELS-LEED / 超薄膜 / 磁性 / 走査トンネル電位差計(STP) / 界面 / バンド構造 / 表面電子状態 / 脱離 / イオン / 電子衝撃脱離 / 光励起脱離 隠す
  • 研究課題

    (20件)
  • 共同研究者

    (23人)
  •  ミセル型金属徴粒子の組織構造制御と強〓性体の開発研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      宇都宮大学
  •  反射高速電子回折と組み合わせた全反射角軟X線分光法の開発

    • 研究代表者
      高見 知秀
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      東北大学
  •  粘土鉱物のモデル表面創製による化学進化過程の研究

    • 研究代表者
      江川 千佳司
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      地球化学
    • 研究機関
      宇都宮大学
  •  磁性超薄膜の表面・界面ナノ構造の制御と表面磁性

    • 研究代表者
      長尾 忠昭
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  多重双晶粒子を核とするナノ・ミセルの構造と物性研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      宇都宮大学
      東京大学
  •  エピタクシャル成長のメカニズムとコヒーレント超薄膜の物性

    • 研究代表者
      八木 克道
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  表面構造及びそのドメイン構造と表面電気伝導の制御

    • 研究代表者
      長谷川 修司
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  超励起酸素原子(O^<**>)ビームを用いた超伝導の薄膜 成長と発現機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      東京大学
  •  表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      東京大学
  •  シリコン・金属界面の原子尺度での構造制御と、その巨視的な機能物性の発現の研究

    • 研究代表者
      長谷川 修司
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  低温用反射高速電子回析・成長表面原子層物性測定装置研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      広領域
    • 研究機関
      東京大学
  •  金属の吸着した半導体表面の原子配列構造及び電子状態と電気的特性との関連の解明

    • 研究代表者
      長谷川 修司
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      固体物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  超高真空走査電顕による半導体上の金属エピタクシー過程の原子線観察と局所解析研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      固体物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  高いエネルギー分解能を持つ新しい全反射角X線分光法の開発とその表面研究への応用

    • 研究代表者
      長谷川 修司
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      固体物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  新型電子分析器による半導体表面からの光励起脱離イオンの放出角度分布の研究

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      大阪大学
  •  エピタクシャル成長の基礎過程研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      総合研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  新しい球面鏡型電子エネルギ-分析器の製作

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      固体物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  新型電子分析器による半導体表面超格子構造からの光電子放出パタ-ンの研究

    • 研究代表者
      大門 寛
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      結晶学
    • 研究機関
      大阪大学
      東京大学
  •  電子線励起X線全反射角分光法による半導体薄膜の構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東京大学
  •  新しい表面原子配列構造観察装置の開発と半導体表面超格子構造の研究研究代表者

    • 研究代表者
      井野 正三
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  長谷川 修司 (00228446)
    共同の研究課題数: 11件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  霜越 文夫 (00013409)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  大門 寛 (20126121)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  長尾 忠昭 (40267456)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  高見 知秀 (40272455)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  江川 千佳司 (30151963)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  八木 克道 (90016072)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  南 伸昌 (80292572)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  谷城 康眞 (40143648)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  石井 清 (30134258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  高岡 毅 (90261479)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  楠 勲 (30025390)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  岩井 秀和 (10311599)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  犬塚 直夫 (30082788)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  川原田 洋 (90161380)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  大矢 銀一郎 (00006280)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  川辺 光央 (80029446)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  箕田 弘喜 (20240757)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  HENZLER M.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  HORNVON Hoeg
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  HORN V.HOEGEN M.
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  HORN von Hoe
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  HENZLER M
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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