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室田 淳一  MUROTA Junichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 70182144
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 東北大学, マイクロシステム融合研究開発センター, 学術研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2013年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教授
2011年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教授
1994年度 – 2009年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教授
1991年度 – 1993年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
1988年度 – 1989年度: 東北大学, 電気通信研究所, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学 … もっと見る / 電子デバイス・電子機器 / 理工系 / 情報工学 / 応用物性・結晶工学 / システム工学 / 電子機器工学 / 情報工学 / 表面界面物性 隠す
キーワード
研究代表者
IV族半導体 / CVD / SiGeC / 原子層成長 / 極微細デバイス / 原子層エッチング / ヘテロ構造 / シリコン / HBT / MOS … もっと見る / SiGe / ドーピング / 水素終端 / SiH_4 / B / P / Impurity Doping / エピタキシャル成長 / Si / GeH_4 / MOSFET / 人工結晶 / 原子層積層 / ヘテロデバイス / 原子層 / ゲルマニウム / 高選択異方性エッチング / 不純物拡散 / in-situ不純物ドーピング / CVD低温選択成長 / 不純物ドーピング / 低温ヘテロエピタキシャル成長 / ラングミュア吸着・反応 / W低温選択成長 / 表面水素終端 / ラングミュア吸着 / 一原子層熱窒化 / 3-dimensional structure / epitaxial growth / chemical vapor deposition / artificial crystal / atomic layer growth / heterostructure / group-IV semiconductor / MBE / 立体加工 / contact resistance / atomic layer / impurity doping / IV group semiconductor / CDV / IV族半導体結晶 / 半導体接触抵抗 / 金属 / High Selective Anisotropic Etching / Impurity Diffusion / in-situ Impurity Doping / CVD Low-Temperature Selective Growth / Low-Temperature Heteroepitaxial Growth / Hydrogen Termination / Atomic-Layer Etching / Atomic-Layer Growth / Ultrasmall Devices / Group IV Semiconductor / Langmuir-type Adsorption and Reaction / 表面処理 / Langmuir-type Adsorption / Low Temperature Selective Deposition of W / Ultra small Devices / Plasma Surface Treatment / Flash Heating CVD / Si-Based Superlattice Devices / Atomically Controlling CVD / Si極薄窒化膜 / ド-ピング制御 / 超微細MOSFET / Langmuir型吸着 / 不純物ド-ピング / プラズマ表面処理 / 瞬時加熱CVD法 / Si系超格子デバイス / 原子制御CVD装置 / Resonant Tunneling / Flash Heating / Chemical Vapor Deposition / Atomic Layr Epitaxy / 集積回路 / 共鳴トンネル / 瞬時加熱 / Ultrasmall Device / Heterodevice / Heterostructure / Silicon-Germanium / Silicon / 超微細デバイス / シリコン-ゲルマニウム / 原子層ドーピング / 化学気相成長(CVD) / ラングミュア型 / ボロン / リン / エピタキシャル / 高精度エッチング / 選択成長 / WF_6 / ド-ピング / タングステン / W低温選択的成長 … もっと見る
研究代表者以外
SiGe / CMOS / Si / MOSFET / ヘテロ構造 / ECRプラズマ / ML-MOSFET / SOI / IV族半導体 / エピタキシャル成長 / CVD / ECR Plasma / ラングミュア吸着 / Ge / 集積回路 / シリコン / 原子層エッチング / 集積化 / SBSI / TML-MOSFET / N / C / Ultrasmall MOS / Silicon / 分数原子層 / イオン誘起反応 / 自己制限 / 極微細MOS / ゲルマニウム / 低エネルギーAr^+イオン照射 / 自己制限型吸着 / フローティングゲート / ニューロチップ / 室温動作 / 量子デバイス / チャージポンピング法 / 原子層制御 / プラズマ / ホットキャリア / 正確動作 / ADコンバ-タ- / シナプス素子 / ニュ-ロン素子 / ニュ-ロン計算機 / Accurate Function / Threshold / C MOS / Synapse Device / Neuron Device / AD-Converter / Integration / Neuron Computer / ヒステリシスしきい値素子 / 解離再集合体 / ヒドラ / LSI化ニューロン回路 / しきい値特性 / CMDS / resonant tunneling / quantum effect / electronic-band modulation / atomic-layer control / group-IV semiconductor / 局所歪 / 量子トンネル構造 / 共鳴トンネル / 量子効果 / 電子帯変調 / HfNO / lateral selective etching of SiGe / hydoro-nitric acid / PtSi / HfON / i-SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸溶液 / HfNO薄膜 / SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸 / ML-MOFET / high-k gate insulator / AlN_xO_y thin film / ECR sputtering / etching selectivity of SiGe / short channel effect / sub-10nm / 原子層制御窒素ドープエピタキシャル層 / 駆動電流 / サブ10ナノメータ / 高誘電率ゲート絶縁膜 / AlNxOy薄膜 / ECRスパッタ / SiGe選択エッチング / 短チャネル効果 / サブ10ナノメーター / heterostructure / resonant tunneling diode / atomic layer / テヘロ構造 / 共鳴トンネルダイオード / 原子層 / hot carrier / low-frequency noise / high speed / low power / hetero-structure / 極浅ソース・ドレイン / ヘテロ界面準位 / 低周波雑音 / 超高速 / 低消費電力 / Germanium / Low-Energy Ion Irradiation / Chlorine / Self-Limited / Atomic-Layr-Etching / 低エネルギーイオン照射 / 塩素 / 自己制限型 / germanium / Low-Energy-Ar^+ Ion Irradiation / ECR chlorine plasma / Substrate Orientation Dependence / Self-Limited Adsorption / Atomic-Layr Etching / ECR塩素プラズマ / 面方位依存性 / Hebbian Learning / Silicon IC / Learning Function / Floating Gate / Integrated Circuit / Boltzmann Machine / Analog Memory / Neuro Chip / ボルツマンマシン / ヘブ学習 / シリコンIC / 学習機能 / ボルツマンマシーン / アナログメモリー / Ion Irradiation / Radical / Adsorption & Reaction / Epitaxy / Etching / Plasma CVD / Selectivity / イオン照射 / ラジカル / 吸着・反応 / エピタキシ / エッチング / プラズマCVD / 選択性 / MOS devices / Vacuum microelectronics / Cold cathode / Field emission / Tunnel effect / MOSデバイス / 真空マイクロエレクトロニクス / 冷陰極 / 電界放射 / トンネル効果 / Integrated circuit / Variable synapse / Floating gate / Analog memory / Neuro chip / 分散記憶 / 非対称結合神経回路網 / 対称結合神経回路網 / ニュ-ロチップ / 可変シナプス / アナログメモリ / Nitrogen Addition / Ultraclean / Selective Epitaxy / Anisotropy / Perfect Selectivity / Etching Delay Time / Langmuir's Adsorption / 窒素添加効果 / 超高清浄化 / 選択エピタキシ / 異方性 / 完全選択性 / エッチング遅れ時間 / 巡回セールスマン問題 / Dコンバータ / A / ニューロン回路網 / ドーピング / SiGe混晶 / 化学気相成長 / MOS / ヘテロ界面 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 / マイクロ・ナノデバイス / 量子ヘテロ構造 / 量子へテロ構造 / 超高速光・電子デバイス / 原子精度要素プロセス / 高性能トランジスタ / 極微細構造 / シリコンゲルマニウム / 光物性 / 電子物性 / 光エレクトロニクス / 人工IV族半導体 / XPS / 高清浄雰囲気 / 表面吸着・反応 / Arイオン照射 / 励起水素 / Si窒化膜 / 偏析 / 不純物拡散 / SiGe半導体 / シグモイド特性 隠す
  • 研究課題

    (37件)
  • 研究成果

    (232件)
  • 共同研究者

    (33人)
  •  IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
  •  非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究

    • 研究代表者
      土屋 敏章
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      島根大学
  •  IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  サブ10ナノメータ級チャネル多層化新構造MOSFET/SOIの研究

    • 研究代表者
      酒井 徹志
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究

    • 研究代表者
      酒井 徹志
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作

    • 研究代表者
      櫻庭 政夫
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

    • 研究代表者
      白木 靖寛
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2004
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      武蔵工業大学
      東京大学
  •  人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体ヘテロ構造におけるホットキャリアの挙動に関する研究

    • 研究代表者
      土屋 敏章
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      島根大学
  •  SiGeとSOIを駆使した超低消費電力極微細Si系CMOSデバイス構成法の研究

    • 研究代表者
      土屋 敏章
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      島根大学
  •  高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  次世代超LSI材料SiGeを拡散源としたSi中への不純物拡散の研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      東京工芸大学
  •  IV族半導体薄膜へのタングステンのデルタド-ピング研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作するIV族半導体極微細デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si系超格子デバイス作製のための原子制御CVD装置の開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  Si原子層エッチング表面における自己制限型表面吸着・反応素過程に関する研究

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  垂直極微細加工可能なSiの自己制限型原子層エッチング技術の開発

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  正解を与えるアナログシナプスICニューロチップの試作研究

    • 研究代表者
      澤田 康次 (沢田 康次)
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      システム工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ナノメータ制御されたヘテロ層を有するSi-Ge系超微細デバイスに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  真空マイクロエレクトロニクス用微小冷陰極に関する研究

    • 研究代表者
      横尾 邦義
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子機器工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  極限微細集積回路作製のための原子層成長制御CVD装置の開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      室田 淳一
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1994
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  選択性逆転の可能なプラズマ低温プロセスに関する研究

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  ラングミュア吸着層を利用した完全選択性を有する異方性エッチング技術の開発

    • 研究代表者
      松浦 孝
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  正解を与える可変シナプス集積化ニューロチップの試作研究

    • 研究代表者
      沢田 康次
    • 研究期間 (年度)
      1991 – 1992
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      情報工学
    • 研究機関
      東北大学
  •  集積化ニュ-ロン計算機の基本的研究

    • 研究代表者
      沢田 康次
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  集積化ニューロン計算機の基礎的研究

    • 研究代表者
      沢田 康次
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  ニュ-ロン計算機集積回路の試作研究

    • 研究代表者
      沢田 康次
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      情報工学
    • 研究機関
      東北大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-Cyclotron- Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.557 ページ: 10-13

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.118

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2014

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.557 ページ: 302-306

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.08.124

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloys and Ge on Si(100) by Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating2014

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, S.Sato and J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.557 ページ: 31-35

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.11.023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Abe, S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 223-228

    • DOI

      10.1149/05809.0223ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
  • [雑誌論文] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing2013

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 195-200

    • DOI

      10.1149/05809.0195ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Formation and Characterization of Strained Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: Vol.58, No.9 号: 9 ページ: 207-211

    • DOI

      10.1149/05809.0207ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003, KAKENHI-PROJECT-25330279
  • [雑誌論文] Behavior of N Atoms after Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x Surface2012

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, M.Sakuraba, B.Tillack and J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: Vol.520 号: 8 ページ: 3392-3396

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Fabrication of High-Ge-Fraction Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Hole Resonant Tunneling Diode Using Low-Temperature Si_2H_6 Reaction for Nanometer-Order Ultrathin Si Barriers2011

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Solid-State Electron. Vol.60

      ページ: 112-115

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: Vol.41, No.7 号: 7 ページ: 309-314

    • DOI

      10.1149/1.3633311

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room- Temperature Resonant Tunneling Diode2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans.

      巻: Vol.41,No.7 号: 7 ページ: 337-343

    • DOI

      10.1149/1.3633314

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [雑誌論文] Capture/Emission Process of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya、K.Yoshida、M.Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials Vol.470

      ページ: 201-206

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Thermal CVD B-Doped Si Films on Highly Strained Si Epitaxially Grown on Ge(100) by Plasma CVD without Substrate Heating2010

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Heavy B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma CVD2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nosaka、M. Sakuraba、B. Tillack, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Heavy Atomic-Layer Doping of Nitrogen in Si_<1-x>Ge_x Film Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Impact of Si Cap Layer Growth on Surface Segregation of P Incorporated by Atomic Layer Doping2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Heavy Carbon Atomic-Layer Doping at Si_<1-x>Ge_x/Si Heterointerface2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Heavy B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on B Adsorbed Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2009

    • 著者名/発表者名
      H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Solid-State Electron. Vol.53

      ページ: 877-879

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2009

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、K. Takahashi、M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Solid-State Electron Vol.53

      ページ: 912-915

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009

    • 著者名/発表者名
      T.Seo、K.Takahashi、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Solid-State Electron. Vol.53

      ページ: 912-915

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant-Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Solid-State Electron. Vol. 53

      ページ: 912-915

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [雑誌論文] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2009

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba and J. Murota
    • 雑誌名

      Solid State Electron accepted

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci Vol.254

      ページ: 6265-6267

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2008

    • 著者名/発表者名
      S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films vol. 517, no. 1

      ページ: 346-349

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Structural Change of Atomic-Order Nitride Formed on Si_<1-x>Ge_x(100) and Ge(100) by Heat Treatment2008

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 219-221

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 10-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 110-112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Behavior of N Atoms in Atomic-Order Nitrided Si_<0.5>Ge_<0.5>(100)2008

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19

      ページ: 6021-6024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Heavy Atomic-Layer Doping of B in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2008

    • 著者名/発表者名
      H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19

      ページ: 6086-6089

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara and J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 10-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"2008

    • 著者名/発表者名
      T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19

      ページ: 6265-6267

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] High Ge Fraction Intrinsic SiGe-Heterochannel MOSFETs with Embedded SiGe Source/Drain Electrode Formed by In-Situ Doped Selective CVD Epitaxial Growth2008

    • 著者名/発表者名
      S.Takehiro、M.Sakuraba、T.Tsuchiya, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 346-349

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Local Strain in Si/Si_<0.6>Ge_<0.4>/Si(100) Heterostructures by Stripe-Shape Patterning2008

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 300-302

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba and J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 110-112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol. 517

      ページ: 110-112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [雑誌論文] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 110-112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Self- Limitedly B Adsorbed Si_<1-x>Ge_x (100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.517

      ページ: 229-231

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol. 254

      ページ: 6265-6267

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [雑誌論文] Self-Limited Growth of Si on B Atomic-Layer Formed Ge(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008

    • 著者名/発表者名
      T.Yokogawa、K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.254、No.19

      ページ: 6090-6093

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth2008

    • 著者名/発表者名
      S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 346-349

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Strain Control of Si and Si_<1-x>Ge_x Layers in the Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures by Stripe-Shape Patterning for Future Si-Based Devices(Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans. 11

      ページ: 91-99

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Hot Carrier Degradation of SiGe/Si Heterointerface and Experimental Estimation of Density of Locally Generated Heterointerface Traps2007

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya、S.Mishima、M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.46、No.8A

      ページ: 5015-5020

    • NAID

      40015538121

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans Vol.11

      ページ: 131-139

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 5015-5020

    • NAID

      40015538121

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(100) using ECR plasma CVD without substrate heating2007

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol Vol.22

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2007

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba、R.Ito、T.Seo, J.Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.11、No.6

      ページ: 131-139

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Strain Control of Si and Si_<1-x>Ge_x Layers in the Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures by Stripe-Shape Patterning for Future Si-Based Devices2007

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、J.Uhm, M.Sakuraba
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.11、No.6

      ページ: 91-99

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of Highly Strained Si on Relaxed Ge/Si(100) Using ECR Plasma CVD without Substrate Heating2007

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, M. Sakuraba and J. Murota
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. Vol.22, No.1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] "Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps,"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. vol. 46, no. 8A

      ページ: 5015-5020

    • NAID

      40015538121

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si0. 8Ge0. 2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD2007

    • 著者名/発表者名
      R. Ito, M. Sakuraba, J. Murota
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol Vol.22

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [雑誌論文] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si (100)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol. 11(Invited Paper)

      ページ: 131-139

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, et al.
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45 No.9A

      ページ: 6767-6785

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Photo detection characteristics of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si p-i-n diodes integrated with optical waveguides2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 399-401

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
    • 雑誌名

      2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

      ページ: 83-84

    • NAID

      10018312310

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] "SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生,"2006

    • 著者名/発表者名
      土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9

      ページ: 1101-1106

    • NAID

      10019289991

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Tsuchiya, Seiji Mishima, Masao Sakuraba, Junichi Murota
    • 雑誌名

      IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)

      ページ: 15-15

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
    • 雑誌名

      Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)

      ページ: 21-24

    • NAID

      110004813188

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Atomic layer processing for doping of SiGe2006

    • 著者名/発表者名
      B.Tillack, Y.Yamamoto, D.Bolze, B.Heinemann, H.Ruecker, D.Knoll, J.Murota, W.Mehr
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 279-283

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, No.9A

      ページ: 6767-6785

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Toshiaki Tsuchiya, Masao Sakuraba, Junichi Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508・Issues 1-2

      ページ: 326-328

    • NAID

      120005587465

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] "Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs,"2006

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol. 508, Issues 1-2

      ページ: 326-328

    • NAID

      120005587465

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      竹廣 忍, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9

      ページ: 1079-1082

    • NAID

      10019289946

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) hetereostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 239-242

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Effect of grain boundary on electrical characteristics in B- and P-doped polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y film deposited by ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      H.Shim, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 36-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Characterization of hot-carrier degraded SiGe/Si-hetero-PMOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 326-328

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Surface reaction and B atom segregation in ECR chlorine plasma etching of B-doped Si_<1-x>Ge_x epitaxial films2006

    • 著者名/発表者名
      H.-S.Cho, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 301-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45 No.9A

      ページ: 6767-6785

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] ,"BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET,"2006

    • 著者名/発表者名
      竹廣 忍,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS. vol. 126, no. 9

      ページ: 1079-1082

    • NAID

      10019289946

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Carbon effect on strain compensation in Si_<1-x-y>Ge_xC_y films epitaxially grown on Si(100)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta, J.Tanabe, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 140-142

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生2006

    • 著者名/発表者名
      土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
    • 雑誌名

      電気学会論文誌C, IEEJ Trans. EIS vol.126・no.9

      ページ: 1101-1106

    • NAID

      10019289991

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [雑誌論文] Thermal effect on strain relaxation in Ge films epitaxially grown on Si(100) using ECR plasma CVD2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 143-146

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar-Plasma-Enhanced GeH_4 Reaction2005

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 69-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proceeding of Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of the Electrochem.Soc., Canada, May, 15-20, 2005) PV2005-06

      ページ: 53-66

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Integration of Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector with Optical Waveguides2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 435-438

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, M.Sakuraba, B.Tillack
    • 雑誌名

      Proc.Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of Electrochem.Soc., Quebec City, Canada, May 15-20, 2005)

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proceedings of Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of The Electrochem.Soc., Canada, May 15-20, 2005) PV 2005-06

      ページ: 53-66

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proceedings of Int. Symp. ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of The Electrochem. Soc, Canada, May 15-20, 2005) PV 2005-06

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proc. Int. Symp. ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of Electrochem. Soc., Canada, May 15-20, 2005) PV 2005-06

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of SiGe Alloy and Its Atomic Layer Control (Technical Review Paper)(in Japanese)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, M.Sakuraba
    • 雑誌名

      VACUUM (The Vacuum Society of Japan) Vol.48, No.1

      ページ: 8-12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 121-124

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma2005

    • 著者名/発表者名
      M.Mori, T.Seino, D.Muto, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 65-68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands for Advanced CMOS LSIs Application2005

    • 著者名/発表者名
      T.Yamazaki, S.Ohmi, S.Morita, H.Ohri, J.Murota, M.Sakuraba, H.Ohmi, T.Sakai
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron Vol.E88-C

      ページ: 656-661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Sidewall Protection by Nitrogen, Oxygen in Poly-Si_<1-x>Ge_x Anisotropic Etching Using Cl_2/N_2/O_2 Plasma2005

    • 著者名/発表者名
      H.-S.Cho, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 239-243

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications2005

    • 著者名/発表者名
      T.Yamazaki, S.Ohmi, S.Morita, H.Ohri, J.Murota, M.Sakuraba, H.Omi, Y.Takahashi, T.Sakai
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 59-63

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) byUltraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kurosawa, T.Komatsu, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 125-129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proc.Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of Electrochem.Soc., Quebec City, Canada, May 15-20,2005)

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御2005

    • 著者名/発表者名
      室田淳一, 櫻庭政夫
    • 雑誌名

      真空 48

      ページ: 8-12

    • NAID

      10014381754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Interfacial Reaction, Electrical Properties in Ni/Si, Ni/SiGe(C) Contacts2004

    • 著者名/発表者名
      S.Zaima, O.Nakatsuka, A.Sakai, J.Murota, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 215-221

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Proposal of a Multi-Layer Channel MOSFET : The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers2004

    • 著者名/発表者名
      D.Sasaki, S.Ohmi, M.Sakuraba, J.Murota, T.Sakai
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 270-273

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD2004

    • 著者名/発表者名
      D.Lee, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota, T.Tsuchiya
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 254-259

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(1002004

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiu, K.Takahashi, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 206-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, M.Sakuraba, B.Tillack
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena Vol.95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] In-situ B Doping of SiGe(C) Using BCl_3 in Ultraclean Hot-Wall LPCVD2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kunii, Y.Inokuchi, A.Mariya, H.Kurokawa, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 68-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SoGe stacked layers2004

    • 著者名/発表者名
      D, Sasaki, S, Ohmi, M.Sakuraba, J.Murota, T.Sakai
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci.224 2004 270 283 224

      ページ: 270-273

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206039
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena Vol.95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360002
  • [雑誌論文] Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth2004

    • 著者名/発表者名
      D.Muto, M.Sakuraba, T.Seino, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 210-214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42004

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 197-201

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Formation of Heavily P-Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimamune, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 202-205

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P), Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004

    • 著者名/発表者名
      J.Noh, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 77-81

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] W Delta Doping in Si(100) Using Ultraclean Low-Pressure CVD2003

    • 著者名/発表者名
      T.Kanaya, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.212-213

      ページ: 684-688

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Si Atomic Layer-by-Layer Epitaxial Growth Process Using Alternate Exposure of Si(100) to SiH_4 and to Ar Plasma2003

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba, D.Muto, T.Seino, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.212-213

      ページ: 197-200

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation between the Trap Density and Low Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs2003

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya, Y.Imada, J.Murota
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Electron Devices Vol.50, No.12

      ページ: 2507-2512

    • NAID

      120002338621

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003

    • 著者名/発表者名
      D.Sasaki, S.Ohmi, M.Sakurada, J.Murota, T.Sakai
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 224

      ページ: 100-103

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(100) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment2003

    • 著者名/発表者名
      K.Takahashi, M.Fujiu, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.212-213

      ページ: 193-196

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Contact Resistivity between Tungsten and Impurity (P and B)-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Layer2003

    • 著者名/発表者名
      J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.212-213

      ページ: 679-683

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] A proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003

    • 著者名/発表者名
      T.Sakai, S.ohmi, D.Sasaki, M.Sakurada, J.Murota
    • 雑誌名

      Abstracts of First International SiGe Technology and Device Meeting

      ページ: 31-32

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [雑誌論文] Atomic-Layer Doping in Si by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42003

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong, M.Sakuraba, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. Vol.82, No.20

      ページ: 3472-3474

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Work Function of Impurity-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean Low-Pressure CVD2003

    • 著者名/発表者名
      H.Shim, M.Sakuraba, T.Tsuchiya, J.Murota
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.212-213

      ページ: 209-212

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15206031
  • [雑誌論文] Atomically controlled processing for group IV semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      Junichi, Murota et al.
    • 雑誌名

      Surf.Interface Anal. 34

      ページ: 423-431

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [雑誌論文] Atomically controlled Heterostructure Growth of Group IV Semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      3rd Trends in Nano Technology International Conference

      ページ: 377-377

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Heterostructure Growth of Group IV Semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      3^<rd> Trends in Nano Technology Int.

      ページ: 377-377

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [雑誌論文] Atomically controlled processing for group IV semiconductors2002

    • 著者名/発表者名
      Junichi Murota et al.
    • 雑誌名

      Surf. Interface Anal. 34

      ページ: 423-431

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ及びその製造方法2002

    • 発明者名
      酒井徹志, 室田淳一, 大見俊一郎, 櫻庭政夫
    • 権利者名
      日本国
    • 出願年月日
      2002-05-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13450138
  • [学会発表] Characterization of Strain in Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2014

    • 著者名/発表者名
      N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
    • 学会等名
      7th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Abs.No.P-21.
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Characterization of Strain in Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2014

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S. ato
    • 学会等名
      7th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-21)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Tunneling Characteristics in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2013

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-15)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing2013

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8
    • 発表場所
      San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2226)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-4)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Formation and Characterization of Strained Si_<1-x>Ge_x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8
    • 発表場所
      San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2228)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing (Invited Paper)2013

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba and J. Murota
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.195-200, Abs.No.2226.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si_<1-x>Ge_x/Si Resonant Tunneling Diode2013

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-27)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-GeH4 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
    • 学会等名
      Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-8.
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Ge on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from GeH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 学会等名
      6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-18)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Atomically Controlled Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2013

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.D-3)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH_4-B_2H_6-H_2 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Abe, M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-16)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.207-211, Abs.No.2228.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, M. Sakuraba and J. Murota
    • 学会等名
      Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-4.
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Abe, S.Kubota, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8
    • 発表場所
      San Francisco, USA (Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2230)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Abe, S. Kubota, M. Sakuraba, J. Murota and S. Sato
    • 学会等名
      Symp. E12: ULSI Process Integration 8 (ECS Trans., Vol.58, No.9, 2013), pp.223-228, Abs.No.2230.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si Barriers in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kawashima, M. Sakuraba and J. Murota
    • 学会等名
      Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Abs.No.P1-27.
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Si_<1-x>Ge_x Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a SiH_4-GeH_4 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 学会等名
      8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan (Abs.No.P1-8)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Si_<1-x>Ge_x on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD from SiH_4-GeH_4 Gas Mixture without Substrate Heating2013

    • 著者名/発表者名
      N.Ueno, M.Sakuraba, J.Murota and S.Sato
    • 学会等名
      6th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan (Abs.No.P-17)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room- Temperature Resonant Tunneling Diode2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      Symp. E9: ULSI Process Integration 7
    • 発表場所
      Boston, USA (Abs. 220th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2147)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Atomically Controlled Formation of Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure for Room-Temperature Resonant Tunneling Diode2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      Symp.E9 : ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem.Soc.)
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Fabrication of Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Atomically Controlled Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      4th French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (Frontier 2011)
    • 発表場所
      Sendai, Japan(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      Symp.E9 : ULSI Process Integration 7 (220th Meeting of the Electrochem.Soc.)
    • 発表場所
      Boston, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Fabrication of Room-Temperature Resonant Tunneling Diode with Atomically Controlled Strained Si_<1-x>Ge_x/Si Quantum Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      4th French Research Organizations - Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (Frontier 2011)
    • 発表場所
      Sendai, Japan (p.35)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Behavior of N Atoms after Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x Surface2011

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima, M.Sakuraba, B.Tillack and J.Murota
    • 学会等名
      7th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
    • 発表場所
      Leuven, Belgium (Abs.No.1171)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Quantum Heterointegration of Group IV Semiconductors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Sakuraba and J.Murota
    • 学会等名
      Symp. E9: ULSI Process Integration 7
    • 発表場所
      Boston, USA (Abs. 220th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.2152)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23360003
  • [学会発表] Evolution of the Hydrogen Terminated Structure of the Si(100) Surface and Its Interaction with H_2 at 20-800℃2010

    • 著者名/発表者名
      A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm、Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Adsorption and Desorption of Hydrogen on Si(100) in H_2 or Ar Heat Treatment2010

    • 著者名/発表者名
      A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] In-Situ Heavy B-Doped Si Epitaxial Growth on Tensile-Strained Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD Using SiH_4 and B_2H_62010

    • 著者名/発表者名
      M.Nagato、M.Sakuraba、J.Murota、B.Tillack、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
    • 学会等名
      5th Int.SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm、Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth2010

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      10th IEEE Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
    • 発表場所
      Shanghai、China(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically controlled processing in strained Si-based CVD epitaxial growth" (Invited Paper)2010

    • 著者名/発表者名
      J.Murota
    • 学会等名
      3rd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER 2010)
    • 発表場所
      Albi, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Effect of Heavy Carbon Atomic-Layer Doping upon Intermixing and Strain at Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterointerface2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Influence of Strain on P Atomic-Layer Doping Characteristics in Strained Si_<0.3>Ge_<0.7>/Si(100) Heterostructures2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010)
    • 発表場所
      Stockholm、Sweden
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth" (Invited Paper)2010

    • 著者名/発表者名
      J.Murota
    • 学会等名
      10th IEEE Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2010)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures Using Atomically Controlled Plasma Processing (Invited Paper)2010

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、T. Nosaka、K. Sugawara, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Heavy P Atomic-Layer Doping between Si and Si_<0.3>Ge_<0.7>(100) by Ultraclean Low Pressure CVD2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] N Atomic-Layer Doping in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure Growth by Low-Pressure CVD2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Mobility Enhancement by Highly Strained Si on Relaxed Ge(100) Buffer Grown by Plasma CVD2010

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Impact of Si Cap Layer Growth on Surface Segregation of P Incorporated by Atomic-Layer Doping of Strained Si_<1-x>Ge_x2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)
    • 発表場所
      Los Angeles、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing for Group-IV Semiconductors (Invited Paper)2009

    • 著者名/発表者名
      J.Murota
    • 学会等名
      2009 Int.Conf.on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors
    • 発表場所
      Xi'an, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2009

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      1st Int. Workshop on Si Based Nano-Electronics and -Photonics (SiNEP-09)
    • 発表場所
      Vigo、Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing for Group-IV Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, M.Sakuraba
    • 学会等名
      2009 Int.Conf.on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs.TFT)
    • 発表場所
      Xi'an、China(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma2009

    • 著者名/発表者名
      T. Nosaka、M. Sakuraba、B. Tillack, J. Murota
    • 学会等名
      6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Heavy Carbon Atomic-Layer Doping at Si_<1-x>Ge_x/Si Heterointerface2009

    • 著者名/発表者名
      T.Hirano、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)
    • 発表場所
      Los Angeles、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      1st Int. Workshop on Si Based Nano-Electronics and-Photonics (SiNEP-09)
    • 発表場所
      Vigo, Spain(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Heavy Nitrogen Atomic-Layer Doping of Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2009

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      6th Int.Conf.on Silicon Epitaxy andHeterostructures (ICSI-6)
    • 発表場所
      Los Angeles、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Electrical Characteristics of B-Doped Highly Strained Si Films Epitaxially Grown on Ge(100) Formed by Plasma CVD2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      6th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Los Angeles、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      Symp. E10 : ULSI Process Integration 6 (216th Meeting of the Electrochem.Soc.)
    • 発表場所
      Vienna、Austria(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors (Invited Paper)2009

    • 著者名/発表者名
      J.Murota
    • 学会等名
      Symp.E10 : ULSI Process Integration 6(216th Meeting of the Electrochem. Soc.)
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, K. Sugawara, J. Murota
    • 学会等名
      Symp. E10: ULSI Process Integration 6、(216th Meeting of the Electrochem. Soc. )
    • 発表場所
      Vienna、Austria
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100)2009

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Resonant Tunneling Diodes with Highly Strained Heterostructures of Si/Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2009

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2009

    • 著者名/発表者名
      J.Murota
    • 学会等名
      2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshon on Frontier Materials
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Plasma Processing for Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      2nd French Research Organizations-Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, K. Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction2008

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Application of Relaxed Ge/Si(100) by ECR Plasma CVD to Highly Strained B Doped Si2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nosaka、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200K2008

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi, T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      4th International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果2008

    • 著者名/発表者名
      森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
    • 学会等名
      応用物理学会中国四国支部2008年度学術講演会
    • 発表場所
      松山
    • 年月日
      2008-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron- Resonance Plasma2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nosaka, M. Sakuraba and J. Murota
    • 学会等名
      Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan, No.ZO-5
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化2008

    • 著者名/発表者名
      森祐樹, 櫻庭政夫, 室田淳一, 土屋敏章
    • 学会等名
      第10回IEEE広島支部学生シンポジウム(IEEE HISS)
    • 発表場所
      広島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2008

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、Takahashi, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th International SiGe Technology and Device Meeting
    • 発表場所
      Hsinchu (Taiwan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction2008

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2008

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 学会等名
      9th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2008)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, M. Sakuraba and J. Murota
    • 学会等名
      Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices", Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan, No. ZP-9.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性2008

    • 著者名/発表者名
      土屋敏章, 櫻庭政夫, 室田淳一
    • 学会等名
      電気学会 電子材料研究会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2008-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Heavy B Atomic-Layer Doping Characteristics in Si Epitaxial Growth on B Adsorbed Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2008

    • 著者名/発表者名
      H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      4th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
    • 発表場所
      Hsinchu、Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Nitrogen Atomic-Layer Doping in Nanometer-Order Heterostructure of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD2008

    • 著者名/発表者名
      T.Kawashima、M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      Symp.Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices、Int.Union of Mat.Res.Soc.-Int.Conf.in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008)
    • 発表場所
      Nagoya、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing in Si-Based CVD Epitaxial Growth (Invited Paper)2008

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 学会等名
      Int. Union of Mat. Res. Soc. -Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled CVD Processing for Future Si-Based Devices2008

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      9th Int.Conf.on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2008)
    • 発表場所
      Beijing、China(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing in Si-Based CVD Epitaxial Growth2008

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      Symp. Z : "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices"、Int.Union of Materials Research Society-Int.Conf.in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya、Japan(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0. 5) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperature above 200 K2008

    • 著者名/発表者名
      K. Takahashi、T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Change of H-Termination on Wet-Cleaned Si(100) and Ge(100) by Heat-Treatment in H_2 or Ar2008

    • 著者名/発表者名
      A.Uto、M.Sakuraba、M.Caymax, J.Murota
    • 学会等名
      4th Int.SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
    • 発表場所
      Hsinchu、Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth2008

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      8th Int.Conf.on Atomic Layer Deposition (ALD 2008)
    • 発表場所
      Bruges、Belgium(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Processing for Impurity Doping in Si-Based CVD Epitaxial Growth (Invited Paper)2008

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 学会等名
      8th Int. Conf. on Atomic Layer Deposition (ALD 2008)
    • 発表場所
      Bruges, Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] "Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs,"2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs,"2008

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Epitaxial Growth of B Atomic-Layer Doped Si Film on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nosaka、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100)2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      Int. Union of Mat. Res. Soc. - Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • 発表場所
      Nagoya、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Local Strain in Si/Si_<0.6>Ge_<0.4>/Si(100) Heterostructures by Stripe-Shape Patterning2007

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm、M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"2007

    • 著者名/発表者名
      S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
    • 学会等名
      5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Reliability and Instability of a SiGe/Si-Hetero-Interface In Hetero-Channel MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuchiya、M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD (Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、D. Muto、M. Mori、K. Sugawara、J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Characterization of Temperature-Dependent Hole Resonant Tunneling Properties with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper), Symp. E9 : ULSI2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, J. Murota
    • 学会等名
      Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
    • 発表場所
      Washington, DC, USA(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T.Seo、M.Sakuraba, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] "Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs,"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Epitaxially Grown on Si(100)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, R. Ito, T. Seo, and J. Murota
    • 学会等名
      Symp. E9 : ULSI Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
    • 発表場所
      Washington, DC, USA, Abst.No.1283.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota
    • 学会等名
      Symp. E9: ULSI Process Integration 5 (212th Meeting of the Electrochem. Soc. )
    • 発表場所
      Washington, DC、USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Atomically Controlled Technology for Group IV Semiconductors2007

    • 著者名/発表者名
      J.Murota、M.Sakuraba, B.Tillack
    • 学会等名
      4th Int.Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Jeju、Korea(Invited Paper)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Structural Change of Atomic-Order Nitride Formed on Si_<1-x>Ge_x(100) and Ge(100) by Heat Treatment2007

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] "Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating,"2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      Int'l Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Marseille(France)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] High Ge Fraction Intrinsic SiGe-Heterochannel MOSFETs with Embedded SiGe Source/Drain Electrode Formed by In-Situ Doped Selective CVD Epitaxial Growth2007

    • 著者名/発表者名
      S.Takehiro、M.Sakuraba、T.Tsuchiya, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Characterization of Temperature-Dependent Hole Resonant Tunneling Properties with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      3rd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Behavior of N Atoms on Atomic-Order Nitrided Si_<0.5>Ge_<0.5>(100)2007

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Self-Limited Growth of Si on B Atomic-Layer Formed Ge(100) by Ultraclean Low- Pressure CVD System2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yokogawa、K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
    • 学会等名
      5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Atomically Controlled Technology for Group IV Semiconductors(Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 学会等名
      4th Int. Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Jeju,Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Heavily Atomic-Layer Doping of B in Low-Temperature Si Epitaxial Growth on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2007

    • 著者名/発表者名
      H.Tanno、M.Sakuraba、B.Tillack, J.Murota
    • 学会等名
      5th Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo, M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360002
  • [学会発表] Strain Control of Si and Si_<1-x>Ge_x Layers in the Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures by Stripe-Shape Patterning for Future Si-Based Devices(Invited Paper)2007

    • 著者名/発表者名
      J. Murota
    • 学会等名
      Symp. E9: ULSI Process Integration5(212th Meeting of the Electrochem. Soc.)
    • 発表場所
      Washington, DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2007

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba, D. Muto, M. Mori, K. Sugawara and J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille, France, No.S1-I3.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0. 4) Si/Strained Si1-xGex/Si(100) Heterostructure2007

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
    • 発表場所
      Hachioji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Si Epitaxial Growth on Self-Limitedly B Adsorbed Si_<1-x>Ge_x(100) by Ultraclean Low-Pressure CVD System2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi、M.Sakuraba、J.Murota、Y.Inokuchi、Y.Kunii, H.Kurokawa
    • 学会等名
      5th Int.Conf.Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)
    • 発表場所
      Marseille、France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19206032
  • [学会発表] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si1-xGex Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      T. Seo、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD2006

    • 著者名/発表者名
      M. Sakuraba、D. Muto、M. Mori、K. Sugawara、J. Murota
    • 学会等名
      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] "Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain,"2006

    • 著者名/発表者名
      S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota
    • 学会等名
      2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] "The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress,"2006

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] Highly Strained-Si/Relaxed-Ge Epitaxial Growth on Si(100) by ECR Plasma CVD and Evaluation of Thermal Stability2006

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara、M. Sakuraba, J. Murota
    • 学会等名
      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai、Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063001
  • [学会発表] "Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs,"2006

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • [学会発表] "Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices,"2006

    • 著者名/発表者名
      T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota
    • 学会等名
      2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
    • 発表場所
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360174
  • 1.  松浦 孝 (60181690)
    共同の研究課題数: 19件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  櫻場 政夫 (30271993)
    共同の研究課題数: 18件
    共同の研究成果数: 198件
  • 3.  沢田 康次 (80028133)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  小野 昭一 (00005232)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  中島 康治 (60125622)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  土屋 敏章 (20304248)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 29件
  • 7.  野口 正一 (80006220)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  竹廣 忍 (70344736)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 9件
  • 10.  大見 忠弘 (20016463)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  目黒 敏靖 (50182150)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  酒井 徹志 (60313368)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 3件
  • 13.  横尾 邦義 (60005428)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  嶋脇 秀隆 (80241587)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  佐藤 信之 (10178759)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  大見 俊一郎 (30282859)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 17.  小林 信一 (60277944)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  荒井 英輔 (90283473)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  栗野 浩之 (70282093)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 22.  小柳 光正 (60205531)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  三島 誠史
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 24.  吉田 啓一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 25.  森 祐樹
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 26.  佐藤 武敏
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  中村 直人
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  黒河 治重
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 29.  松尾 誠太郎
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 30.  坂本 統徳
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 31.  伊澤 達夫
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 32.  杉山 直治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 33.  山本 裕司
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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